專利名稱：用于氣相沉積工藝的反應(yīng)腔室的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及沉積設(shè)備，特別涉及用于氣相沉積工藝的反應(yīng)腔室。
背景技術(shù)：
金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積(MOCVD)是在氣相外延生長(VPE)的基礎(chǔ)上發(fā)展起來的一種化學(xué)氣相沉積工藝。它以III族、II族元素的有機(jī)化合物和V、VI族元素的氫化物等作為晶體生長的反應(yīng)氣體，以熱分解反應(yīng)方式在藍(lán)寶石處女地或其他襯底上進(jìn)行外延沉積工藝，生長各種II1-V族、I1-VI族化合物半導(dǎo)體以及它們的多元固溶體的外延材料層。圖1為現(xiàn)有技術(shù)的MOCVD設(shè)備的反應(yīng)腔室的結(jié)構(gòu)示意圖。所述反應(yīng)腔室包括托盤10，具有上 表面11和與上表面11相對的下表面12,所述上表面11用于放置襯底,所述下表面12形成一凹槽；氣體供給裝置30，位于所述托盤10的上表面的上方，所述氣體供給裝置30用于向襯底提供反應(yīng)氣體；腔室側(cè)壁20，環(huán)繞所述托盤10 —周，所述腔室側(cè)壁20與托盤10邊緣之間構(gòu)成排氣通道，反應(yīng)后的氣體自所述排氣通道流向反應(yīng)腔室的外部；腔室頂蓋40，位于所述腔室側(cè)壁20和氣體供給裝置30的上方，腔室頂蓋40與腔室側(cè)壁20限定了反應(yīng)腔室的空間，并且實(shí)現(xiàn)了反應(yīng)腔室與外部的隔離；加熱單元50，位于托盤10的下表面的凹槽下方，所述加熱單元50通過對托盤10進(jìn)行加熱；支撐旋轉(zhuǎn)結(jié)構(gòu)60，與所述下表面12相連接，所述支撐旋轉(zhuǎn)結(jié)構(gòu)60用于支撐托盤10并且?guī)油斜P10進(jìn)行轉(zhuǎn)動。繼續(xù)參考圖1，氣體自氣體提供裝置30流向所述上表面11，并且在所述上表面11的襯底上發(fā)生反應(yīng)，反應(yīng)后的氣體沿腔室側(cè)壁20與托盤10之間的排氣通道排出反應(yīng)腔室的外部。在實(shí)際中，發(fā)現(xiàn)利用現(xiàn)有的反應(yīng)腔室在襯底上形成的外延材料層的均勻性需要進(jìn)一步提高，尤其是托盤邊緣處的襯底上形成的外延材料層的均勻性需要加以改善。

實(shí)用新型內(nèi)容本實(shí)用新型實(shí)施例解決的技術(shù)問題是提供了一種用于氣相沉積工藝的反應(yīng)腔室，提高了反應(yīng)腔室中的托盤上尤其是托盤邊緣處的氣流場、溫度場或濃度場的均勻性，提高了襯底上形成的外延材料層的均勻性。為了解決上述問題，本實(shí)用新型實(shí)施例提供一種用于氣相沉積工藝的反應(yīng)腔室，包括托盤，其上表面用于放置襯底；腔室側(cè)壁，環(huán)繞所述托盤一周，還包括構(gòu)件，至少有一部分環(huán)繞所述托盤的邊緣一周，所述構(gòu)件用于改進(jìn)托盤的邊緣的氣流場、溫度場或濃度場的均勻性?？蛇x地，所述托盤具有與上表面相對的下表面，所述構(gòu)件沿所述上表面向下表面方向的厚度逐漸減小?？蛇x地，所述構(gòu)件與托盤之間構(gòu)成排氣通道，所述構(gòu)件具有朝向所述托盤的一側(cè)的側(cè)表面，所述構(gòu)件的側(cè)表面為平滑過渡?？蛇x地，所述構(gòu)件的側(cè)表面為內(nèi)凹的弧面。[0010]可選地，所述構(gòu)件與托盤之間構(gòu)成排氣通道，所述構(gòu)件具有朝向托盤的一側(cè)的側(cè)表面，所述側(cè)表面為內(nèi)凹的弧面?？蛇x地,所述側(cè)表面延伸到所述上表面所在平面的上方。可選地，所述構(gòu)件與腔室側(cè)壁之間構(gòu)成排氣通道，所述構(gòu)件具有朝向腔室側(cè)壁一側(cè)的側(cè)表面，所述側(cè)表面為外凸的弧面?？蛇x地，所述側(cè)表面不超過托盤的上表面?？蛇x地，所述托盤具有與上表面相對的下表面，所述側(cè)表面延伸到所述下表面所在平面的下方。可選地，所述托盤的上表面的邊緣與托盤的側(cè)面之間為弧面過渡?？蛇x地，所述構(gòu)件具有朝向托盤一側(cè)的側(cè)表面，所述構(gòu)件的側(cè)表面對光線的反射率不小于腔室側(cè)壁對光線的反射率?！た蛇x地，所述構(gòu)件具有朝向托盤一側(cè)的側(cè)表面，所述構(gòu)件的側(cè)表面對光線的反射率不小于托盤的邊緣對光線的反射率。可選地，所述構(gòu)件的側(cè)表面的粗糙度不超過0. 008微米，以便所述構(gòu)件的側(cè)表面形成鏡面，對光線的反射為鏡面反射?？蛇x地，所述構(gòu)件的側(cè)表面具有耐熱反射層，所述耐熱反射層在氣相沉積工藝過程中保持穩(wěn)定狀態(tài)?？蛇x地，所述構(gòu)件沿平行于托盤的上表面的方向的截面為環(huán)形?？蛇x地，所述構(gòu)件由兩個以上的子構(gòu)件相連接構(gòu)成。可選地，所述構(gòu)件為一圓環(huán)體?？蛇x地，所述構(gòu)件中嵌入有隔熱結(jié)構(gòu)，所述隔熱結(jié)構(gòu)用于減少托盤的邊緣向腔室側(cè)壁的熱量散失?？蛇x地，所述隔熱結(jié)構(gòu)的朝向所述托盤一側(cè)的側(cè)表面為向內(nèi)凹的弧形?？蛇x地，所述隔熱結(jié)構(gòu)包括隔熱氣體容納層和隔熱氣體，所述隔熱氣體容納層嵌入所述構(gòu)件中，所述隔熱氣體容納層在所述構(gòu)件中限定出空間，所述空間用于容納所述隔熱氣體，所述隔熱氣體的導(dǎo)熱系數(shù)低于所述構(gòu)件的導(dǎo)熱系數(shù)?？蛇x地，所述隔熱氣體容納層的朝向托盤的一側(cè)的側(cè)面的形狀為內(nèi)凹的弧面?？蛇x地，所述隔熱結(jié)構(gòu)為嵌入所述構(gòu)件中的隔熱塊，所述隔熱塊的導(dǎo)熱系數(shù)低于所述構(gòu)件的導(dǎo)熱系數(shù)。可選地，還包括氣體供給裝置，位于所述托盤的上表面的上方，所述氣體供給裝置用于向所述襯底提供反應(yīng)氣體，所述構(gòu)件的一端固定于氣體供給裝置上。可選地，還包括腔室頂蓋，位于所述托盤的上表面的上方，所述構(gòu)件的一端固定于所述腔室頂蓋上?？蛇x地，所述構(gòu)件固定于腔室側(cè)壁上?？蛇x地，所述構(gòu)件與腔室側(cè)壁之間具有間隙。可選地，所述構(gòu)件與托盤之間具有間隙。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本實(shí)用新型實(shí)施例具有以下優(yōu)點(diǎn)本實(shí)用新型實(shí)施例提供的反應(yīng)腔室，在托盤的邊緣的一周具有構(gòu)件，所述構(gòu)件改善了托盤邊緣的氣流場、溫度場或濃度場的均勻性；[0035]進(jìn)一步優(yōu)化地，所述構(gòu)件用于托盤與腔室側(cè)壁之間的隔熱，有效減少了托盤邊緣向腔室側(cè)壁的熱量的散失，提高了對托盤加熱的效率，并且所述構(gòu)件沿托盤的上表面到托盤的下表面的厚度逐漸減小，補(bǔ)償了托盤的下表面到托盤的上表面溫度逐漸降低造成的托盤邊緣溫度不均勻的問題，更好地起到了在托盤與腔室側(cè)壁之間的隔熱、屏蔽和保溫的效果，從而改善了托盤的邊緣以及整個托盤的上表面的溫度場的均勻性；進(jìn)一步優(yōu)化地，所述構(gòu)件還可以與托盤之間構(gòu)成排氣通道，所述構(gòu)件朝向托盤一側(cè)的側(cè)表面可以為包括內(nèi)凹的弧面在內(nèi)的平滑過渡，使得反應(yīng)后的氣體自托盤的上表面流向托盤的邊緣時，在平滑過渡處的氣體滯留現(xiàn)象減少或消除，從而使在托盤邊緣處的氣流場更為均勻，由于溫度場和氣流場也影響了托盤邊緣處的反應(yīng)氣體的濃度場，從而托盤邊緣處的反應(yīng)氣體的濃度分布均勻性也得到改善，提高了托盤邊緣處的襯底上形成的外延材料層的均勻性；進(jìn)一步優(yōu)化地，所述構(gòu)件與托盤之間也可以構(gòu)成排氣通道，所述構(gòu)件具有朝向托盤一側(cè)的側(cè)表面，該側(cè)表面為內(nèi)凹的弧面，從而在托盤邊緣處的排氣通道中處形成平滑過渡，該平滑過渡有利于減小或消除托盤邊緣處的氣體死角空間，從而改善了托盤邊緣處的 氣體場的均勻性；或/和所述托盤與構(gòu)件與腔室側(cè)壁之間也可以構(gòu)成排氣通道，所述構(gòu)件具有朝向托盤一側(cè)的側(cè)表面，該側(cè)表面為外凸的弧面，從而在托盤邊緣處的排氣通道中形成平滑的過渡，該平滑過渡有利于減小或消除了托盤邊緣處的氣體死角空間，從而改善了托盤邊緣處的氣體場的均勻性；進(jìn)一步優(yōu)化地，構(gòu)件的側(cè)表面延伸至托盤的上表面的上方或托盤的下表面的下方，從而進(jìn)一步改善了托盤邊緣處的氣體場、溫度場和濃度場的均勻性；進(jìn)一步優(yōu)化地，所述托盤上表面的邊緣與托盤的側(cè)面之間為弧面過渡，從而進(jìn)一步改善了托盤邊緣的氣體場、溫度場和濃度場的均勻性；進(jìn)一步優(yōu)化地，所述構(gòu)件具有朝向托盤一側(cè)的側(cè)表面，所述構(gòu)件的側(cè)表面對光線的反射率不小于腔室側(cè)壁對光線的反射率，與腔室側(cè)壁與托盤之間不設(shè)置構(gòu)件、部分來托盤的光線會被腔室側(cè)壁吸收而造成對托盤的加熱效率低、以及托盤邊緣處的溫度偏低相t匕，構(gòu)件朝向托盤一側(cè)的側(cè)表面能夠?qū)碜酝斜P的光線反射，提高了光線的利用率和對托盤的加熱效率，改善了托盤邊緣處的溫度場的均勻性；進(jìn)一步優(yōu)化地，所述構(gòu)件的朝向托盤一側(cè)的側(cè)表面對光線的反射率不小于托盤的邊緣對光線的反射率，從而所述側(cè)表面可以將來自托盤的邊緣處的光線反射回托盤，進(jìn)一步提高了托盤邊緣處的光線的利用率和托盤的加熱效率，改善了托盤邊緣處的溫度場的均勻性；進(jìn)一步優(yōu)化地，所述構(gòu)件的朝向托盤一側(cè)的側(cè)表面對光線的反射為鏡面反射，從而所述托盤的邊緣處的光線的大部分被反射，從而在托盤邊緣處的光線的利用率和對托盤的加熱效率更高，托盤邊緣處的溫度場的均勻性更好；進(jìn)一步優(yōu)化地，所述構(gòu)件沿平行于托盤的上表面的方向的截面為環(huán)形，或者，所述構(gòu)件有兩個以上的子構(gòu)件連接而成或所述構(gòu)件為一圓環(huán)體，或者所述構(gòu)件可以與腔室側(cè)壁、腔室頂蓋或氣體供給裝置相連接，或者，所述構(gòu)件與托盤之間以及構(gòu)件與腔室側(cè)壁之間可以有間隙，從而可以對構(gòu)件的結(jié)構(gòu)、形狀、尺寸和分布進(jìn)行靈活的調(diào)整，以獲得托盤邊緣處的最佳的溫度場、濃度場和氣流場；[0044]進(jìn)一步優(yōu)化地，所述構(gòu)件中形成有隔熱結(jié)構(gòu)，使得構(gòu)件能夠更好地將腔室側(cè)壁與托盤的邊緣實(shí)現(xiàn)隔離，減小托盤邊緣向腔室側(cè)壁的熱量散失，進(jìn)一步提高托盤邊緣處的溫度場、氣流場和濃度場的均勻性。

圖1為現(xiàn)有技術(shù)的MOCVD設(shè)備的反應(yīng)腔室的結(jié)構(gòu)示意圖；圖2是本實(shí)用新型第一實(shí)施例的反應(yīng)腔室的結(jié)構(gòu)示意圖；圖3圖2所示的反應(yīng)腔室沿AA線的剖面結(jié)構(gòu)示意圖；圖4是本實(shí)用新型第二實(shí)施例的構(gòu)件結(jié)構(gòu)示意圖；圖5是本實(shí)用新型第三實(shí)施例的反應(yīng)腔室的結(jié)構(gòu)示意圖；圖6是本實(shí)用新型第四實(shí)施例的反應(yīng)腔室的結(jié)構(gòu)示意圖；圖7是本實(shí)用新型第五實(shí)施例的反應(yīng)腔室的結(jié)構(gòu)示意圖；圖8是本實(shí)用新型第六實(shí)施例的反應(yīng)腔室的結(jié)構(gòu)示意圖；圖9是本實(shí)用新型第一實(shí)施例的構(gòu)件結(jié)構(gòu)示意圖；圖10是本實(shí)用新型第二實(shí)施例的構(gòu)件結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實(shí)施方式
利用現(xiàn)有的反應(yīng)腔室在襯底上形成的外延材料層的均勻性需要進(jìn)一步提高，尤其是托盤邊緣處的襯底上形成的外延材料層的均勻性需要加以改善。經(jīng)過研究發(fā)現(xiàn)，托盤邊緣處的溫度場、氣流場和濃度場的均勻性對現(xiàn)有的氣相沉積工藝均勻性影響較大。現(xiàn)有技術(shù)忽略了對托盤邊緣處的結(jié)構(gòu)的優(yōu)化，這對襯底上形成的外延材料層尤其是托盤邊緣處的襯底上形成的外延材料層的均勻性產(chǎn)生影響，這樣托盤的邊緣無法充分利用，隨著托盤的尺寸越來越大，托盤的邊緣處的結(jié)構(gòu)對托盤邊緣的溫度場、濃度長和氣流場的均勻性的影響更加明顯，并且托盤邊緣無法利用的面積加大。通常大尺寸的托盤的加工制造困難并且成本高，托盤邊緣的面積無法利用，更加增加了用戶的成本。因此，需要對現(xiàn)有的反應(yīng)腔室尤其是托盤邊緣處進(jìn)行結(jié)構(gòu)的優(yōu)化設(shè)計(jì)，以改善整個托盤上的氣流場、溫度場、濃度場的均勻性和氣相沉積工藝的均勻性。在對托盤邊緣處進(jìn)行設(shè)計(jì)之前，發(fā)明人對現(xiàn)有技術(shù)的托盤的溫度場、濃度場和氣流場進(jìn)行了研究分析。具體地，請結(jié)合圖1所示，在進(jìn)行氣相沉積工藝(比如是MOCVD工藝)時，氣體供給裝置30向托盤10的上表面11上的襯底提供反應(yīng)氣體，托盤10被其下方的加熱單元50加熱而處于高溫狀態(tài)(溫度通常大于500攝氏度)，氣體供給裝置30提供的反應(yīng)氣體通常由于冷卻而處于低溫狀態(tài)(溫度通常低于200攝氏度)，反應(yīng)氣體自氣體供給裝置30流向襯底表面進(jìn)行化學(xué)反應(yīng)，反應(yīng)后的氣體經(jīng)過托盤10的邊緣的兩側(cè)與腔室側(cè)壁20之間的排氣管道流出反應(yīng)腔室。在此過程中，反應(yīng)氣體與托盤10的上表面11會有熱交換，在托盤10的邊緣處由于氣體集中排出因而熱交換更為嚴(yán)重，這使得托盤10的邊緣處的溫度偏低，造成了托盤10的上表面11的溫度場不均勻。托盤10的邊緣處散熱速度比托盤10中部的散熱速度快，也影響了托盤10的邊緣處的溫度場的均勻性。由于腔室側(cè)壁20通常為冷卻狀態(tài)(溫度不超過200攝氏度)，腔室側(cè)壁20與托盤10的邊緣處的溫度差也會使得兩者之間存在熱交換，該熱交換一方面會降低托盤10的邊緣的溫度，使得托盤10邊緣的溫度分布不均勻，另一方面也會降低了加熱單元50對托盤10的加熱效率。更重要的是，發(fā)明人還發(fā)現(xiàn)，由于加熱單元50放置在托盤10的下方，這使得托盤10的下表面至上表面的溫度逐漸降低，從而托盤10的上表面11的溫度偏低，在托盤10的邊緣處的溫度降低更為明顯?，F(xiàn)有技術(shù)沒有考慮托盤10的上表面11至下表面12的方向上溫度變化，這也造成了托盤10的邊緣的溫度分布不均勻，更加導(dǎo)致托盤10的上表面11的邊緣的溫度場不均勻。對與氣流場而言，在氣體自托盤10的上表面11流向腔室側(cè)壁20與托盤10之間形成的排氣通道的過程中，氣體的方向會沿上表面11的水平方向轉(zhuǎn)為豎直方向，在氣體供給裝置30、托盤10的邊緣以及腔室側(cè)壁20之間 的拐角處會形成氣體死角，部分氣體會滯留至此，這不僅會影響沉積工藝過程(比如M0CVD)反應(yīng)過程中不同的反應(yīng)氣體的切換，甚至?xí)饸怏w的回流，該拐角處的氣體死角也容易造成托盤10邊緣處的氣體的渦旋，造成托盤10的邊緣處的氣流場不均勻。由于沉積工藝特別是MOCVD工藝的溫度場和氣流場以及濃度場會相互影響，當(dāng)托盤10的邊緣處的溫度場和氣流場不均勻的情況下，托盤10的邊緣處的濃度場的均勻性也無法保持均勻，最終造成托盤10邊緣處的襯底上形成的外延材料層的均勻性不夠理想。本實(shí)用新型正是將托盤的邊緣作為改善的重點(diǎn)，對反應(yīng)腔室的內(nèi)部結(jié)構(gòu)進(jìn)行優(yōu)化，主要是對托盤的邊緣進(jìn)行改善，從而改善托盤邊緣處的溫度場、濃度場、氣流場的均勻性。在優(yōu)化的過程中結(jié)合現(xiàn)有托盤結(jié)構(gòu)存在的問題進(jìn)行優(yōu)化，上述問題包括托盤的下表面到上表面的溫度的變化、托盤邊緣的散熱、托盤與腔室側(cè)壁之間的熱交換、托盤與氣體之間的熱交換等問題。具體地，本實(shí)用新型提出的用于沉積工藝的反應(yīng)腔室包括托盤，其上表面用于放置襯底；腔室側(cè)壁，環(huán)繞所述托盤一周，還包括構(gòu)件，至少有一部分環(huán)繞所述托盤的邊緣的一周，所述構(gòu)件用于改進(jìn)托盤的邊緣的氣流場、溫度場或濃度場的均勻性。通過在托盤的邊緣設(shè)置構(gòu)件，對構(gòu)件的形狀、結(jié)構(gòu)、構(gòu)造、分布、布局、材質(zhì)等進(jìn)行優(yōu)化選擇和布局，改善現(xiàn)有托盤邊緣的溫度場、濃度場或氣流場分布的均勻性。下面結(jié)合具體的實(shí)施例對本實(shí)用新型的技術(shù)方案進(jìn)行詳細(xì)的說明。首先，請參考圖2，圖2為本實(shí)用新型第一實(shí)施例的反應(yīng)腔室的內(nèi)部結(jié)構(gòu)示意圖。作為一個實(shí)施例，所述反應(yīng)腔室為化學(xué)氣相沉積設(shè)備的反應(yīng)腔室。本實(shí)施例中，所述反應(yīng)腔室為MOCVD設(shè)備的反應(yīng)腔室，用于MOCVD工藝。所述反應(yīng)腔室具有腔室側(cè)壁200。作為一個實(shí)施例，所述腔室側(cè)壁200具有與之對應(yīng)的腔室側(cè)壁冷卻單元(圖中未示出)。所述腔室側(cè)壁冷卻單元用于對所述腔室側(cè)壁200進(jìn)行冷卻，使得所述腔室側(cè)壁200的溫度不超過800攝氏度，優(yōu)選地，所述腔室側(cè)壁200的溫度不超過200攝氏度。在本實(shí)用新型的一個實(shí)施例中，所述腔室側(cè)壁200的溫度不超過100攝氏度。所述腔室側(cè)壁200的上方設(shè)置有腔室頂蓋400。腔室頂蓋400與腔室側(cè)壁200限定了反應(yīng)腔室的空間，并且實(shí)現(xiàn)了反應(yīng)腔室與外部的隔離。作為一個實(shí)施例，所述腔室頂蓋400下方具有氣體供給裝置300。所述氣體供給裝置300可以為噴淋頭。本實(shí)施例中，所述氣體供給裝置300為近距離耦合噴淋頭(CloseCouple Showerhead, CCS),其能夠?qū)⒎磻?yīng)氣體垂直地向下方噴射。所述反應(yīng)腔室內(nèi)部設(shè)置有托盤100。作為一個實(shí)施例，所述托盤100的材質(zhì)為石墨。在本實(shí)用新型的優(yōu)選實(shí)施例中，所述托盤100的表面可以涂覆或鍍碳化硅涂層(圖中未示出)，碳化硅涂層具有良好的穩(wěn)定性。具體地，在進(jìn)行MOCVD工藝時，碳化硅涂層不會與反應(yīng)氣體發(fā)生反應(yīng)，并且碳化硅涂層結(jié)構(gòu)致密，能夠防止氣體與石墨反應(yīng)而損傷托盤10或產(chǎn)生顆粒而影響工藝良率，并且碳化硅涂層的熱膨脹系數(shù)與石墨相當(dāng)，在高溫下不會從石墨上脫落，影響工藝的良率。所述托盤100具有上表面101和與上表面101相對的下表面102。所述上表面101為托盤100的朝向腔室頂蓋400和氣體供給裝置300 —側(cè)的表面，所述上表面101用于放置襯底。作為優(yōu)選的實(shí)施例，所述上表面101的邊緣與托盤100的側(cè)面之間為弧面過渡，這樣，來自氣體供給裝置300的反應(yīng)氣體在垂直流向所述上表面101后，經(jīng)過該弧面過渡后平緩地轉(zhuǎn)為豎直方向，防止托盤100的邊緣處的氣流方向突變，可以改善托盤100的邊緣的氣流場的均勻性。繼續(xù)參考圖2，托盤100的下表面102與旋轉(zhuǎn)支撐機(jī)構(gòu)600相連接，該旋轉(zhuǎn)支撐結(jié) 構(gòu)600呈中空的圓筒狀，所述旋轉(zhuǎn)支撐機(jī)構(gòu)600用于支撐托盤100。作為可選的實(shí)施例，旋轉(zhuǎn)支撐機(jī)構(gòu)600還用于帶動托盤100以一定的速度轉(zhuǎn)動。所述托盤100的下方設(shè)置有加熱單元500。作為一個實(shí)施例，所述加熱單元500位于旋轉(zhuǎn)支撐結(jié)構(gòu)600內(nèi)，這樣可以節(jié)約整個腔室的空間。為了加熱單元500能夠更好的對上表面101進(jìn)行加熱，作為可選的實(shí)施例，可以在加熱單元500正對的托盤100部分形成凹槽，這樣有利于提高加熱單元500對托盤加熱的效率。作為一個實(shí)施例，構(gòu)件700環(huán)繞托盤100的邊緣。作為可選的實(shí)施例，所述構(gòu)件700環(huán)繞所述托盤100的邊緣一周。作為可選的實(shí)施例，構(gòu)件700固定于氣體供給裝置300的邊緣與腔室頂壁400上。在其他的實(shí)施例中，構(gòu)件700還可以僅固定于氣體供給裝置300的邊緣或腔室頂壁400上，甚至所述構(gòu)件700可以通過單獨(dú)的支撐結(jié)構(gòu)支撐于反應(yīng)腔室內(nèi)。本實(shí)施例中，所述構(gòu)件700與托盤100之間構(gòu)成排氣通道。反應(yīng)后的氣體通過托盤100的邊緣100和構(gòu)件700排出反應(yīng)腔室。所述構(gòu)件700具有朝向托盤一側(cè)的側(cè)表面(未標(biāo)出)，所述側(cè)表面為內(nèi)凹的弧面，從而在托盤100的邊緣處形成平滑過渡，減少或消除氣體在托盤100的邊緣與構(gòu)件700之間的氣體的死角空間，減少或消除托盤100的邊緣處氣體滯留、氣體渦旋等問題，提高托盤100的邊緣的氣流場的均勻性。作為優(yōu)選的實(shí)施例，所述構(gòu)件700的朝向托盤100 —側(cè)的側(cè)表面延伸至托盤100的上表面101所在平面的上方，這樣可以改善托盤100邊緣的氣流場、溫度場和濃度場的均勻性。作為優(yōu)選的實(shí)施例，所述側(cè)表面還延伸至托盤100的下表面102所在的平面的下方，這樣可以改善托盤100邊緣的氣流場、溫度場和濃度場的均勻性。構(gòu)件700朝向托盤100的側(cè)表面作為排氣通道的一部分，可以更好的引導(dǎo)氣流，實(shí)現(xiàn)氣體從托盤100的上表面101的平滑地沿排氣通道流動。作為本實(shí)用新型優(yōu)選實(shí)施例，由于對構(gòu)件700的結(jié)構(gòu)進(jìn)行了優(yōu)化設(shè)置，所述構(gòu)件700還用于托盤100與腔室側(cè)壁200之間的隔熱，減少托盤100的邊緣與腔室側(cè)壁200的熱量散失，提高加熱單元500對托盤100加熱的效率。作為可選的實(shí)施例，所述構(gòu)件700的朝向托盤100 —側(cè)的側(cè)表面對光線的反射率不小于腔室側(cè)壁200對光線的反射率，從而所述側(cè)表面可以將來自托盤100的邊緣處的光線反射回托盤101，進(jìn)一步提高了托盤101的邊緣處的光線的利用率和托盤101的加熱效率，改善了托盤101邊緣處的溫度場的均勻性。在本實(shí)用新型的優(yōu)選實(shí)施例中，通過對所述側(cè)表面的材料、粗糙度的選擇，所述側(cè)表面對光線的反射率應(yīng)不小于托盤100的邊緣對光線的反射率，從而所述側(cè)表面可以將來自托盤100的邊緣處的光線反射回托盤100，進(jìn)一步提高了托盤100邊緣處的光線的利用率和加熱單元500對托盤101的加熱效率，改善 了托盤100邊緣處的溫度場的均勻性。本實(shí)施例中，所述側(cè)表面的粗糙度不超過0. 008微米，以便所述側(cè)表面形成鏡面，對光線的反射為鏡面反射。作為可選的實(shí)施例，所述構(gòu)件700的材質(zhì)為石墨或石英。所述構(gòu)件700的朝向托盤101 —側(cè)的側(cè)表面上還設(shè)置有耐熱反射層(未示出)，所述耐熱反射層保護(hù)石墨或石英，并且耐熱反射層在沉積工藝過程保持穩(wěn)定狀態(tài)，一方面所述耐熱反射層不會從構(gòu)件700的石墨或石英上脫落，另一方面所述耐熱反射層不與反應(yīng)腔室中的氣體發(fā)生反應(yīng)。本實(shí)施例中，所述耐熱反射層的材質(zhì)為碳化硅。當(dāng)然，在其他的實(shí)施例中，在不考慮制造成本和加工難度的情況下，所述構(gòu)件700也可以利用碳化硅制作。請繼續(xù)參考圖2，作為可選的實(shí)施例，所述構(gòu)件700沿托盤100的上表面101至下表面102方向的厚度逐漸減小，如圖2所示,沿所述上表面101至下表面102的方向上,構(gòu)件700的厚度由Tl逐漸減小為T2。構(gòu)件700沿上表面101至下表面102的厚度減小，這樣構(gòu)件700能夠補(bǔ)償托盤100的下表面102到托盤100的上表面101的溫度逐漸降低給托盤100邊緣造成的溫度不均勻的問題，更好地起到了在托盤與腔室側(cè)壁之間的隔熱、屏蔽和保溫的效果，從而改善了托盤100的邊緣以及整個托盤100的上表面101的溫度場的均勻性。下面請參考圖3,圖3為圖2沿AA的剖面結(jié)構(gòu)示意圖。所述構(gòu)件700環(huán)繞所述托盤100 —周，所述腔室側(cè)壁200環(huán)繞所述構(gòu)件700 —周。本實(shí)施例中，所述構(gòu)件700為一圓環(huán)體，這樣對托盤100的邊緣的隔熱和保溫效果以及對托盤100邊緣的氣流的導(dǎo)流效果更好，從而可以進(jìn)一步改善托盤100的邊緣處的氣流場、溫度場和濃度場。下面請參考圖4，為本實(shí)用新型第二實(shí)施例的反應(yīng)腔室的結(jié)構(gòu)示意圖。與第一實(shí)施例相同的結(jié)構(gòu)米用相同的標(biāo)號表不。本實(shí)施例與前一實(shí)施例基本相同，區(qū)別在于，所述構(gòu)件700固定于腔室側(cè)壁200上，并且構(gòu)件700內(nèi)設(shè)置有隔熱結(jié)構(gòu)710，使得構(gòu)件700能夠更好地將腔室側(cè)壁200與托盤100的邊緣實(shí)現(xiàn)隔離，減小托盤100的邊緣向腔室側(cè)壁200的熱量散失，進(jìn)一步提高托盤100的邊緣處的溫度場、氣流場和濃度場的均勻性。所述隔熱結(jié)構(gòu)710可以為圓環(huán)體，該圓環(huán)體設(shè)置于構(gòu)件700的圓環(huán)體內(nèi)。作為本實(shí)用新型的一個的實(shí)施例，所述隔熱結(jié)構(gòu)710為隔熱塊，所述隔熱塊710的導(dǎo)熱系數(shù)低于構(gòu)件710的導(dǎo)熱系數(shù)。作為本實(shí)用新型的又一實(shí)施例，所述隔熱結(jié)構(gòu)710還可以由隔熱氣體容納層和隔熱氣體構(gòu)成，所述隔熱氣體容納層嵌入所述構(gòu)件中，所述隔熱氣體容納層在所述構(gòu)件中限定出空間，所述空間用于容納所述隔熱氣體，所述隔熱氣體的導(dǎo)熱系數(shù)低于所述構(gòu)件的導(dǎo)熱系數(shù)。下面請參考圖5，圖5為本實(shí)用新型第三實(shí)施例的反應(yīng)腔室的結(jié)構(gòu)示意圖。與第三實(shí)施例相同的結(jié)構(gòu)采用相同的標(biāo)號表示。本實(shí)施例與第二實(shí)施例基本相同，區(qū)別在于，所述構(gòu)件700內(nèi)的隔熱結(jié)構(gòu)710的朝向所述托盤100 —側(cè)的側(cè)表面為向內(nèi)凹的弧形，這樣進(jìn)一步優(yōu)化托盤100的邊緣的氣流場、濃度場和溫度場的均勻性。下面請參考圖6，圖6為本實(shí)用新型第四實(shí)施例的反應(yīng)腔室的結(jié)構(gòu)示意圖。與第一實(shí)施例相同的結(jié)構(gòu)米用相同的標(biāo)號表不。本實(shí)施例與第一實(shí)施例的區(qū)別在于，構(gòu)件700固定于腔室頂蓋400上，所述構(gòu)件700位于托盤100與腔室側(cè)壁200之間，即構(gòu)件700與腔室側(cè)壁200和托盤100之間均有間隙，構(gòu)件700與托盤100之間形成排氣通道。所述構(gòu)件700的超向腔室側(cè)壁200 —側(cè)表面為外凸的弧面。下面請結(jié)合圖7所示的本實(shí)用新型第五實(shí)施例的托盤結(jié)構(gòu)示意圖。與第一實(shí)施例相同的結(jié)構(gòu)采用相同的標(biāo)號表示。本實(shí)施例與第一實(shí)施例的區(qū)別在于，構(gòu)件700通過專門的支撐結(jié)構(gòu)(圖中未示出)支撐于托盤100邊緣。所述構(gòu)件700的朝向腔室頂蓋400 —側(cè)的表面與托盤100的上表面101齊平，這樣所述構(gòu)件700與腔室側(cè)壁200之間以及構(gòu)件700與托盤100之間分別構(gòu)成排氣通道。所述構(gòu)件700的朝向腔室側(cè)壁200 —側(cè)的側(cè)表面不超過所述托盤100的上表面101所在的平面，這樣有利于提高托盤100的邊緣的氣體場的均勻性。所述構(gòu)件700的朝向托盤100的側(cè)表面為向內(nèi)凹的弧面，所述構(gòu)件700的朝向腔室側(cè)壁的側(cè)表面為外凸的弧面。通過調(diào)整構(gòu)件700的朝向腔室側(cè)壁200的側(cè)表面的弧度、半徑和構(gòu)件700的朝向腔室側(cè)壁200的側(cè)表面的弧度、半徑，結(jié)合構(gòu)件700在腔室側(cè)壁200·和托盤100之間的位置，對托盤101的邊緣的氣流場、濃度場和溫度場進(jìn)行調(diào)整和優(yōu)化。本實(shí)施例中，構(gòu)件700的厚度沿托盤100的上表面101至下表面102方向的厚度逐漸減小，以補(bǔ)償托盤100的邊緣自下表面102到上表面101的溫度逐漸減小，實(shí)現(xiàn)對托盤100的上表面101邊緣更好的隔熱。本實(shí)施例中，構(gòu)件700的遠(yuǎn)離腔室頂蓋400 —側(cè)的表面位于所述托盤100下表面102所在平面的上方。在其他的實(shí)施例中，構(gòu)件700的遠(yuǎn)離腔室頂蓋400—側(cè)的表面還可以延伸至下表面102所在平面的下方。下面請參考圖8所示的本實(shí)用新型第六實(shí)施例的反應(yīng)腔室的結(jié)構(gòu)示意圖。與第一實(shí)施例相同的結(jié)構(gòu)米用相同的標(biāo)號表不。本實(shí)施例與第一實(shí)施例的區(qū)別在于，所述構(gòu)件700與腔室頂蓋400相連接，構(gòu)件700與腔室側(cè)壁200之間具有間隙，構(gòu)件700的朝向腔室側(cè)壁200 一側(cè)的側(cè)表面與腔室側(cè)壁200平行，且所述構(gòu)件700的朝向托盤100 —側(cè)的側(cè)表面為平面。該構(gòu)件700的沿托盤100的上表面101至下表面102方向的厚度逐漸減小，通過調(diào)整構(gòu)件700厚度減小的幅度，可以實(shí)現(xiàn)更好地構(gòu)件700對托盤100的上表面101至下表面102的溫度變化的補(bǔ)償，實(shí)現(xiàn)將托盤100的邊緣與腔室側(cè)壁200之間的隔離，進(jìn)一步改善托盤邊緣的溫度場、氣流場和濃度場的均勻性。請參考圖9，為本實(shí)用新型第一實(shí)施例的構(gòu)件700的俯視結(jié)構(gòu)示意圖。構(gòu)件700為環(huán)形，托盤(未圖示)放置于構(gòu)件700的環(huán)形內(nèi)。所述構(gòu)件700包括相連接的多個子構(gòu)件。各個子構(gòu)件尺寸可以相同，或不同。本實(shí)施例中，所述構(gòu)件700包括4個尺寸相同的子構(gòu)件701。請參考圖10，圖10為本實(shí)用新型第二實(shí)施例的構(gòu)件700的結(jié)構(gòu)示意圖。所述構(gòu)件700包括多個子構(gòu)件701。所述子構(gòu)件701之間具有間隔，各個子構(gòu)件701之間相互獨(dú)立。綜上，本實(shí)用新型實(shí)施例提供的反應(yīng)腔室，在托盤的邊緣具有構(gòu)件，所述構(gòu)件改善了托盤邊緣的氣流場、溫度場或濃度場的均勻性；進(jìn)一步優(yōu)化地，所述構(gòu)件用于托盤與腔室側(cè)壁之間的隔熱，有效減少了托盤邊緣向腔室側(cè)壁的熱量的散失，提高了對托盤加熱的效率，并且所述構(gòu)件沿托盤的上表面到托盤的下表面的厚度逐漸減小，補(bǔ)償了托盤的下表面到托盤的上表面溫度逐漸降低造成的托盤邊緣溫度不均勻的問題，更好地起到了在托盤與腔室側(cè)壁之間的隔熱、屏蔽和保溫的效果，從而改善了托盤的邊緣以及整個托盤的上表面的溫度場的均勻性；進(jìn)一步優(yōu)化地，所述構(gòu)件還可以與托盤之間構(gòu)成排氣通道，所述構(gòu)件朝向托盤一側(cè)的側(cè)表面可以為包括內(nèi)凹的弧面在內(nèi)的平滑過渡，使得反應(yīng)后的氣體自托盤的上表面流向托盤的邊緣時，在平滑過渡處的氣體滯留現(xiàn)象減少或消除，從而使在托盤邊緣處的氣流場更為均勻，由于溫度場和氣流場也影響了托盤邊緣處的反應(yīng)氣體的濃度場，從而托盤邊緣處的反應(yīng)氣體的濃度分布均勻性也得到改善，提高了托盤邊緣處的襯底上形成的外延材料層的均勻性；進(jìn)一步優(yōu)化地，所述構(gòu)件與托盤之間也可以構(gòu)成排氣通道，所述構(gòu)件具有朝向托盤一側(cè)的側(cè)表面，該側(cè)表面為內(nèi)凹的弧面，從而在托盤邊緣處的排氣通道中處形成平滑的過渡，該平滑過渡有利于減小或消除了托盤邊緣處的氣體死角空間，從而改善了托盤邊緣處的氣體場的均勻性；或/和所述托盤與構(gòu)件與腔室側(cè)壁之間也可以構(gòu)成排氣通道，所述構(gòu)件具有朝向托盤一側(cè)的側(cè)表面，該側(cè)表面為外凸的弧面，從而在托盤邊緣處的排氣通道中形成平滑的過渡，該平滑過渡有利于減小或消除了托盤邊緣處的氣體死角空間，從而改善了托盤邊緣處的氣體場的均勻性；進(jìn)一步優(yōu)化地，構(gòu)件的側(cè)表面延伸至托盤的上表面的上方或托盤的下表面的下方，從而進(jìn)一步改善了托盤邊緣處的氣體場、溫度場和濃度場的均勻性；進(jìn)一步優(yōu)化地，所述托盤上表面的邊緣與托盤的側(cè)面之間為弧面過渡，從而進(jìn)一步改善了托盤邊緣的氣體場、溫度場和濃度場的均勻性；進(jìn)一步優(yōu)化地，所述構(gòu)件具有朝向托盤一側(cè)的側(cè)表面，所述構(gòu)件的側(cè)表面對光線的反射率不小于腔室側(cè)壁對光線的反射率，與腔室側(cè)壁與托盤之間不設(shè)置構(gòu)件、部分來托盤的光線會被腔室側(cè)壁吸收而造成對托盤的加熱效率低、以及托盤邊緣處的溫度偏低相t匕，構(gòu)件朝向托盤一側(cè)的側(cè)表面能夠?qū)碜酝斜P的光線反射，提高了光線的利用率和對托盤的加熱效率，改善了托盤邊緣處的溫度場的均勻性；進(jìn)一步優(yōu)化地，所述構(gòu)件的朝向托盤一側(cè)的側(cè)表面對光線的反射率不小于托盤的邊緣對光線的反射率，從而所述側(cè)表面可以將來自托盤的邊緣處的光線反射回托盤，進(jìn)一步提高了托盤邊緣處的光線的利用率和托盤的加熱效率，改善了托盤邊緣處的溫度場的均勻性；進(jìn)一步優(yōu)化地，所述構(gòu)件的朝向托盤一側(cè)的側(cè)表面對光線的反射為鏡面反射，從而所述托盤的邊緣處的光線的大部分被反射，從而在托盤邊緣處的光線的利用率和對托盤的加熱效率更高，托盤邊緣處的溫度場的均勻性更好；進(jìn)一步優(yōu)化地，所述構(gòu)件沿平行于托盤的上表面的方向的截面為環(huán)形，或者，所述構(gòu)件有兩個以上的子構(gòu)件連接而成或所述構(gòu)件為一圓環(huán)體，或者所述構(gòu)件可以與腔室側(cè)壁、腔室頂蓋或氣體供給裝置相連接，或者，所述構(gòu)件與托盤之間以及構(gòu)件與腔室側(cè)壁之間可以有間隙，從而可以對構(gòu)件的結(jié)構(gòu)、形狀、尺寸和分布進(jìn)行靈活的調(diào)整，以獲得托盤邊緣處的最佳的溫度場、濃度場和氣流場；進(jìn)一步優(yōu)化地，所述構(gòu)件中形成有隔熱結(jié)構(gòu)，使得構(gòu)件能夠更好地將腔室側(cè)壁與托盤的邊緣實(shí)現(xiàn)隔離，減小托盤邊緣向腔室側(cè)壁的熱量散失，進(jìn)一步提高托盤邊緣處的溫度場、氣流場和濃度場的均勻性。雖然本實(shí)用新型己以較佳實(shí)施例披露如上，但本實(shí)用新型并非限定于此。任何本領(lǐng)域技術(shù)人員，在不脫離本實(shí)用新型的精神和范圍內(nèi)，均可作各種更動與修改，因此本實(shí)用新型的保護(hù)范圍應(yīng)當(dāng)以權(quán)利要求 所限定的范圍為準(zhǔn)。
權(quán)利要求1.一種用于氣相沉積工藝的反應(yīng)腔室，包括托盤，其上表面用于放置襯底；腔室側(cè)壁，環(huán)繞所述托盤一周；其特征在于，還包括構(gòu)件，至少有一部分環(huán)繞所述托盤的邊緣一周，所述構(gòu)件用于改進(jìn)托盤的邊緣的氣流場、溫度場或濃度場的均勻性。
2.如權(quán)利要求1所述的反應(yīng)腔室，其特征在于，所述托盤具有與上表面相對的下表面， 所述構(gòu)件沿所述上表面向下表面方向的厚度逐漸減小。
3.如權(quán)利要求2所述的反應(yīng)腔室，其特征在于，所述構(gòu)件與托盤之間構(gòu)成排氣通道，所述構(gòu)件具有朝向所述托盤的一側(cè)的側(cè)表面，所述構(gòu)件的側(cè)表面為平滑過渡。
4.如權(quán)利要求3所述的反應(yīng)腔室，其特征在于，所述構(gòu)件的側(cè)表面為內(nèi)凹的弧面。
5.如權(quán)利要求1所述的反應(yīng)腔室，其特征在于，所述構(gòu)件與托盤之間構(gòu)成排氣通道，所述構(gòu)件具有朝向托盤的一側(cè)的側(cè)表面，所述側(cè)表面為內(nèi)凹的弧面。
6.如權(quán)利要求5所述的反應(yīng)腔室，其特征在于，所述側(cè)表面延伸到所述上表面所在平面的上方。
7.如權(quán)利要求1所述的反應(yīng)腔室，其特征在于，所述構(gòu)件與腔室側(cè)壁之間構(gòu)成排氣通道，所述構(gòu)件具有朝向腔室側(cè)壁一側(cè)的側(cè)表面，所述側(cè)表面為外凸的弧面。
8.如權(quán)利要求7所述的反應(yīng)腔室，其特征在于，所述側(cè)表面不超過托盤的上表面。
9.如權(quán)利要求5或7所述的反應(yīng)腔室，其特征在于，所述托盤具有與上表面相對的下表面，所述側(cè)表面延伸到所述下表面所在平面的下方。
10.如權(quán)利要求2、5、7中任一權(quán)利要求所述的反應(yīng)腔室，其特征在于，所述托盤的上表面的邊緣與托盤的側(cè)面之間為弧面過渡。
11.如權(quán)利要求1所述的反應(yīng)腔室，其特征在于，所述構(gòu)件具有朝向托盤一側(cè)的側(cè)表面，所述構(gòu)件的側(cè)表面對光線的反射率不小于腔室側(cè)壁對光線的反射率。
12.如權(quán)利要求1所述的反應(yīng)腔室，其特征在于，所述構(gòu)件具有朝向托盤一側(cè)的側(cè)表面，所述構(gòu)件的側(cè)表面對光線的反射率不小于托盤的邊緣對光線的反射率。
13.如權(quán)利要求11或12所述的反應(yīng)腔室，其特征在于，所述構(gòu)件的側(cè)表面的粗糙度不超過O. 008微米，以便所述構(gòu)件的側(cè)表面形成鏡面，對光線的反射為鏡面反射。
14.如權(quán)利要求11或12所述的反應(yīng)腔室，其特征在于，所述構(gòu)件的側(cè)表面具有耐熱反射層，所述耐熱反射層在氣相沉積工藝過程中保持穩(wěn)定狀態(tài)。
15.如權(quán)利要求1所述的反應(yīng)腔室，其特征在于，所述構(gòu)件沿平行于托盤的上表面的方向的截面為環(huán)形。
16.如權(quán)利要求15所述的反應(yīng)腔室，其特征在于，所述構(gòu)件由兩個以上的子構(gòu)件相連接構(gòu)成。
17.如權(quán)利要求15所述的反應(yīng)腔室，其特征在于，所述構(gòu)件為一圓環(huán)體。
18.如權(quán)利要求1、5、7中任一權(quán)利要求所述的反應(yīng)腔室，其特征在于，所述構(gòu)件中嵌入有隔熱結(jié)構(gòu)，所述隔熱結(jié)構(gòu)用于減少托盤的邊緣向腔室側(cè)壁的熱量散失。
19.如權(quán)利要求18所述的反應(yīng)腔室，其特征在于，所述隔熱結(jié)構(gòu)的朝向所述托盤一側(cè)的側(cè)表面為向內(nèi)凹的弧形。
20.如權(quán)利要求19所述的反應(yīng)腔室，其特征在于，所述隔熱結(jié)構(gòu)包括隔熱氣體容納層和隔熱氣體，所述隔熱氣體容納層嵌入所述構(gòu)件中，所述隔熱氣體容納層在所述構(gòu)件中限定出空間，所述空間用于容納所述隔熱氣體，所述隔熱氣體的導(dǎo)熱系數(shù)低于所述構(gòu)件的導(dǎo)熱系數(shù)。
21.如權(quán)利要求20所述的反應(yīng)腔室，其特征在于，所述隔熱氣體容納層的朝向托盤的一側(cè)的側(cè)面的形狀為內(nèi)凹的弧面。
22.如權(quán)利要求20所述的反應(yīng)腔室，其特征在于，所述隔熱結(jié)構(gòu)為嵌入所述構(gòu)件中的隔熱塊，所述隔熱塊的導(dǎo)熱系數(shù)低于所述構(gòu)件的導(dǎo)熱系數(shù)。
23.如權(quán)利要求1所述的反應(yīng)腔室，其特征在于，還包括氣體供給裝置，位于所述托盤的上表面的上方，所述氣體供給裝置用于向所述襯底提供反應(yīng)氣體，所述構(gòu)件的一端固定于氣體供給裝置上。
24.如權(quán)利要求1所述的反應(yīng)腔室，其特征在于，還包括腔室頂蓋，位于所述托盤的上表面的上方，所述構(gòu)件的一端固定于所述腔室頂蓋上。
25.如權(quán)利要求1所述的反應(yīng)腔室，其特征在于，所述構(gòu)件固定于腔室側(cè)壁上。
26.如權(quán)利要求1所述的反應(yīng)腔室，其特征在于，所述構(gòu)件與腔室側(cè)壁之間具有間隙。
27.如權(quán)利要求1所述的反應(yīng)腔室，其特征在于，所述構(gòu)件與托盤之間具有間隙。
專利摘要本實(shí)用新型實(shí)施例解決的技術(shù)問題是提供一種用于氣相沉積工藝的反應(yīng)腔室，包括托盤，其上表面用于放置襯底；腔室側(cè)壁，環(huán)繞所述托盤一周，還包括構(gòu)件，至少有一部分環(huán)繞所述托盤的邊緣一周，所述構(gòu)件用于改進(jìn)托盤的邊緣的氣流場、溫度場或濃度場的均勻性。本實(shí)用新型實(shí)施例提高了反應(yīng)腔室中的托盤上尤其是托盤邊緣處的氣流場、溫度場或濃度場的均勻性，提高了襯底上形成的外延材料層的均勻性。
文檔編號C23C16/44GK202830166SQ20122045572
公開日2013年3月27日 申請日期2012年9月7日 優(yōu)先權(quán)日2012年9月7日
發(fā)明者孫仁君, 左然, 何曉崐, 葉芷飛, 譚華強(qiáng), 田益西 申請人:光達(dá)光電設(shè)備科技(嘉興)有限公司