氣密饋通的制作方法
【專利摘要】根據(jù)一個實施方案，一種饋通包括具有孔的片材，其中所述片材包括第一材料，所述第一材料是包括氧化鋁的陶瓷。饋通還包括大體填充所述孔的第二材料。所述第二材料不同于第一材料且包括鉑和包括氧化鋁的添加劑。所述第一材料和所述第二材料彼此之間具有氣密密封孔的共燒粘結(jié)。根據(jù)另一個實施方案，一種可植入醫(yī)療設(shè)備的氣密饋通包括具有孔的片材，其中片材包括包含氧化鋁的陶瓷。饋通還包括大體填充孔的第二材料，其中第二材料包括鉑粉混合物和氧化鋁添加劑。鉑粉混合物包括具有在約3與10微米之間的平均粒徑的第一鉑粉和比第一鉑粉粗且具有在約5與20微米之間的平均粒徑的第二鉑粉。鉑粉混合物包括在約50與80重量百分比之間的第一鉑粉和在約20與50重量百分比之間的第二鉑粉。所述第一材料和所述第二材料彼此之間具有氣密密封孔的共燒粘結(jié)。
【專利說明】氣密饋通
[0001]相關(guān)申請的交叉引用
[0002]本申請是2011年8月2日提交的美國專利申請第13/196，683號的部分連續(xù)，并將該申請的公開內(nèi)容以引用的方式并入本文。
[0003]發(fā)明背景
[0004]本文公開的技術(shù)一般地關(guān)于用作電介面以連接屏障相反側(cè)上的電路部分的饋通的領(lǐng)域。更具體來說，本文公開的技術(shù)關(guān)于供通過選擇在長時間內(nèi)兼?zhèn)渖锵嗳萸疑锓€(wěn)定的材料組合的共燒過程構(gòu)建的可植入醫(yī)療設(shè)備使用的氣密饋通。
發(fā)明概要
[0005]例示性實施方案關(guān)于用于可植入醫(yī)療設(shè)備的氣密饋通。所述饋通包括具有孔的片材。所述片材包括第一材料，所述第一材料是包括氧化鋁的陶瓷。所述饋通還包括大體填充孔的第二材料。所述第二材料不同于第一材料且包括鉬和包含氧化鋁的添加劑。第一材料和第二材料彼此之間具有氣密密封孔的共燒粘結(jié)。
[0006]另一個例示性實施方案關(guān)于一種饋通，其包括第一材料的第一片材和第二片材。第一片材和第二片材分別包括第一孔和第二孔，所述孔各自由第二材料部分填充。第一材料是電絕緣陶瓷和第二材料導(dǎo)電。第一材料和第二材料彼此之間具有氣密密封第一孔和第二孔的共燒粘結(jié)。此外，第一孔與第二孔對齊，在一些實施方案中，形成穿過第一片材和第二片材的大體筆直導(dǎo)電路徑。
[0007]另一個例示性實施方案關(guān)于一種制造饋通的方法，包括提供具有孔的第一材料片材。第一材料是包括氧化鋁的電絕緣陶瓷。所述方法還包括用第二材料填充孔。第二材料是導(dǎo)電糊膏，其包括鉬和包含氧化鋁的添加劑。所述方法還包括共燒第一材料和第二材料，以使彼此之間的粘結(jié)氣密密封孔。
[0008]另一個例示性實施方案關(guān)于一種饋通，其包括包含第一材料的絕緣體、包含第二材料的導(dǎo)管和襯墊。導(dǎo)管延伸穿過絕緣體。第二材料導(dǎo)電和導(dǎo)管被構(gòu)造以將電傳導(dǎo)穿過絕緣體。襯墊被安裝到絕緣體的外表面并被構(gòu)造以接收與其連接的導(dǎo)線。襯墊導(dǎo)電并耦接到導(dǎo)管。絕緣體和襯墊彼此之間具有共燒粘結(jié)，使襯墊與絕緣體氣密密封。氣密密封生物穩(wěn)定，以使在導(dǎo)線附接到襯墊后維持浸潤耐久性。
[0009]另一個例示性實施方案關(guān)于一種饋通，其包括具有第一孔的第一片材和具有第二孔的第二片材。第一片材包括第一材料，所述第一材料是電絕緣陶瓷。第二片材耦接到第一片材且包括第一材料。饋通還包括至少部分填充第一孔和第二孔的第二材料。第二材料導(dǎo)電。第一材料和第二材料無磁性且彼此之間具有氣密密封第一孔和第二孔的共燒粘結(jié)。第一孔和第二孔呈電通信且相互豎直交錯，從而形成穿過第一片材和第二片材的交錯導(dǎo)電路徑。
[0010]另一個例示性實施方案關(guān)于用于可植入醫(yī)療設(shè)備的氣密饋通。氣密饋通包括具有孔的片材，其中所述片材包括第一材料，所述第一材料是包括氧化鋁的陶瓷。氣密饋通還包括大體填充孔的第二材料，其中第二材料包括鉬粉混合物和氧化鋁添加劑。鉬粉混合物包括具有在約3與10微米之間的平均粒徑的第一鉬粉和比第一鉬粉粗且具有在約5與20微米之間的平均粒徑的第二鉬粉。鉬粉混合物包括在約50與80重量百分比之間的第一鉬粉和在約20與50重量百分比之間的第二鉬粉。第一材料和第二材料彼此之間具有氣密密封孔的共燒粘結(jié)。
[0011]另一個例示性實施方案關(guān)于一種饋通，包括具有第一孔的第一片材，其中第一片材包括為電絕緣陶瓷的第一材料，和耦接到第一片材的包括第一材料的第二片材，第二片材具有第二孔。第二材料至少部分填充第一孔和第二孔，其中第二材料導(dǎo)電且包括鉬粉混合物和氧化鋁添加劑。鉬粉混合物包括具有在約3與10微米之間的平均粒徑的第一鉬粉和比第一鉬粉粗且具有在約5與20微米之間的平均粒徑的第二鉬粉。鉬粉混合物包括在約50與80重量百分比之間的第一鉬粉和在約20與50重量百分比之間的第二鉬粉。第一材料和第二材料彼此之間具有氣密密封第一孔和第二孔的共燒粘結(jié)。第一孔和第二孔大體相互對齊，以形成穿過第一片材和第二片材的大體筆直導(dǎo)電路徑。
[0012]另一個例示性實施方案關(guān)于一種饋通，包括具有第一孔的第一片材，其中第一片材包括為電絕緣陶瓷的第一材料，和耦接到第一片材的包括第一材料的第二片材，第二片材具有第二孔。第二材料至少部分填充第一孔和第二孔，其中第二片材導(dǎo)電且包括鉬粉混合物和氧化鋁添加劑，其中鉬粉混合物包括具有在約3與10微米之間的平均粒徑的第一鉬粉和比第一鉬粉粗且具有在約5與20微米之間的平均粒徑的第二鉬粉。鉬粉混合物經(jīng)過優(yōu)化以獲得小于20微米的通孔突出。第一材料和第二材料彼此之間具有氣密密封第一孔和第二孔的共燒粘結(jié)。第一孔和第二孔大體相互對齊，以形成穿過第一片材和第二片材的大體筆直導(dǎo)電路徑。
[0013]另一個例示性實施方案關(guān)于一種制造饋通的方法，包括提供具有第一孔的第一材料片材，其中第一材料是包括氧化鋁的電絕緣陶瓷。所述方法還包括用第二材料填充孔，其中第二材料是包括鉬粉混合物和包括氧化鋁的添加劑的導(dǎo)電糊膏。所述方法還包括共燒第一材料和第二材料，以使第一材料與第二材料之間的粘結(jié)氣密密封孔。鉬粉混合物經(jīng)過優(yōu)化以獲得小于20微米的通孔突出。鉬粉混合物包括具有在約3與10微米之間的平均粒徑的第一鉬粉和比第一鉬粉粗且具有在約5與20微米之間的平均粒徑的第二鉬粉。
[0014]另一個例示性實施方案關(guān)于一種制造饋通的方法，包括提供具有第一孔的第一材料片材，其中第一材料是包括氧化鋁的電絕緣陶瓷。所述方法還包括用第二材料填充孔，其中第二材料是包括鉬粉混合物和包括氧化鋁的添加劑的導(dǎo)電糊膏。所述方法還包括共燒第一材料和第二材料，以使第一材料與第二材料之間的粘結(jié)氣密密封孔。鉬粉混合物包括在約50與80重量百分比之間的具有在約3與10微米之間的平均粒徑的第一鉬粉和在約20與50重量百分比之間的比第一鉬粉粗且具有在約5與20微米之間的平均粒徑的第二鉬粉。
[0015]另一個例示性實施方案關(guān)于一種饋通，包括包含第一材料的絕緣體和延伸穿過絕緣體的包括第二材料的導(dǎo)管。第二材料導(dǎo)電和導(dǎo)管被構(gòu)造以將電傳導(dǎo)穿過絕緣體。第二材料包括鉬粉混合物，鉬粉混合物包括在約50與80重量百分比之間的具有在約3與10微米之間的平均粒徑的第一鉬粉和在約20與50重量百分比之間的比第一鉬粉粗且具有在約5與20微米之間的平均粒徑的第二鉬粉。饋通還包括安裝到絕緣體的外表面且被構(gòu)造以接收與其連接的導(dǎo)線的襯墊，其中襯墊導(dǎo)電且耦接到導(dǎo)管。絕緣體和襯墊彼此之間具有共燒粘結(jié)，其中共燒粘結(jié)使襯墊與絕緣體氣密密封，和其中氣密密封生物穩(wěn)定，以使在導(dǎo)線附接到襯墊后維持浸潤耐久性。
[0016]附圖簡述
[0017]圖1是根據(jù)例示性實施方案的植入病患的醫(yī)療設(shè)備的示意圖。
[0018]圖2是根據(jù)例示性實施方案的植入病患的另一種醫(yī)療設(shè)備的示意圖。
[0019]圖3是根據(jù)例示性實施方案的包括饋通的醫(yī)療設(shè)備的一部分的透視圖。
[0020]圖4是根據(jù)另一例示性實施方案的醫(yī)療設(shè)備的組件的頂視圖。
[0021]圖5是圖4的醫(yī)療設(shè)備部分的透視圖。
[0022]圖6是沿如圖5中所示的線6-6獲取的圖4的醫(yī)療設(shè)備部分的截面視圖。
[0023]圖7是沿如圖6中所示的區(qū)域7獲取的圖4的醫(yī)療設(shè)備部分的截面視圖。
[0024]圖8是根據(jù)又另一例示性實施方案的醫(yī)療設(shè)備的一部分的透視圖。
[0025]圖9是沿如圖8中所示的線9-9獲取的圖8的醫(yī)療設(shè)備部分的截面視圖。
[0026]圖10是根據(jù)例示性實施方案的饋通的透視圖。
[0027]圖11是圖10的饋通的頂視圖。
[0028]圖12是圖10的饋通的底視圖。
[0029]圖13是圖4的饋通的側(cè)視圖和部分截面視圖，其中截面視圖沿圖11中的線13-13獲取。
[0030]圖14是根據(jù)例示性實施方案的導(dǎo)電導(dǎo)管與絕緣體之間的介面的截面掃描電子顯微鏡檢查法(SEM)顯微圖。
[0031]圖15是根據(jù)另一例示性實施方案的導(dǎo)電導(dǎo)管與絕緣體之間的介面的截面SEM顯微圖。
[0032]圖16是根據(jù)例示性實施方案的饋通的導(dǎo)體透視圖。
[0033]圖17是根據(jù)例示性實施方案的饋通的一部分的截面SEM顯微圖。
[0034]圖18是根據(jù)例示性實施方案的饋通的另一部分的截面SEM顯微圖。
[0035]圖19是根據(jù)例示性實施方案的饋通的襯墊的頂視SEM顯微圖。
[0036]圖20是根據(jù)例不性實施方案的饋通的一部分的一系列截面SEM顯微圖和相應(yīng)略圖。
[0037]圖21是根據(jù)例示性實施方案的制造饋通的過程的透視圖。
【具體實施方式】
[0038]在轉(zhuǎn)到詳細(xì)圖示例示性實施方案的圖之前，應(yīng)理解本申請不限制于描述中所提及或圖中圖示的細(xì)節(jié)或方法。還應(yīng)理解術(shù)語只是出于描述的目的而且不應(yīng)被視作限制性。
[0039]參考圖1，可植入醫(yī)療設(shè)備110，如起搏器或除顫器，包括基部112(例如，脈沖發(fā)生器，主體)和導(dǎo)線114。設(shè)備110可以植入人類病患116或其它物種中。在一些實施方案中，設(shè)備110被構(gòu)造成以電脈沖的形式提供治療性治療，所述電脈沖在一些實施方案中可以是約700伏特的量級。在預(yù)期實施方案中，設(shè)備110或其變形可以用于治療或監(jiān)測大范圍的病癥，如疼痛、失禁、失聰、行動障礙，包括癲癇和帕金森病，睡眠呼吸暫停和各種其它生理、心理和情緒病癥和障礙。
[0040]在基部112內(nèi)，設(shè)備110可包括當(dāng)濕潤時可能無法生物相容或無法工作的組件，如控制電路和能量儲存設(shè)備(例如，二級電池、電容器)。然而，根據(jù)例示性實施方案，基部112被氣密密封而且形成有生物相容且生物穩(wěn)定材料(例如，鈦、生物相容涂層)的外部，其將基部112的內(nèi)部從基部112外側(cè)的病患116的體液隔離。在一些實施方案中，基部112還包括氣密饋通118 (例如，貫穿連接、介面、連接體、耦接)，其形成自或包括生物相容且生物穩(wěn)定材料的外部。饋通118促進(jìn)從基部112的內(nèi)部通過基部112到達(dá)基部112的外部的電傳輸，且反之亦然。
[0041]舉例來說，在可植入醫(yī)療設(shè)備110的使用期間，儲存在基部112內(nèi)部的電容器中的電荷可以電脈沖的形式放電。電脈沖經(jīng)由饋通118被傳遞穿過基部112的壁。隨后電脈沖被導(dǎo)線114的近端120中的至少一個接收并經(jīng)由導(dǎo)電路徑通過導(dǎo)線114中的至少一個傳輸?shù)娇晌挥趯?dǎo)線114遠(yuǎn)端的電極122。可將電極122耦接到病患116的心臟124或其它部分以改善心跳模式、刺激心跳、感測心跳、加速康復(fù)或用于其它原因。
[0042]在一些實施方案中，活動經(jīng)由電極122感測并通過導(dǎo)線114經(jīng)由饋通118傳遞到基部112中的控制電路。感測的活動可被控制電路用作反饋以管理設(shè)備110的運作。在還有其它實施方案中，饋通118還可以用于促進(jìn)將電力傳遞到在基部112內(nèi)的能量儲存設(shè)備，如用于再充電或測試。在其它實施方案中，可使用其它能量儲存設(shè)備，如使用電池和電容器的組合來進(jìn)行能量儲存的混合系統(tǒng)。根據(jù)例示性實施方案，可經(jīng)由饋通118將兩個或多個導(dǎo)線耦接到基部112的內(nèi)部。在其它實施方案中，可使用單個導(dǎo)線(見如圖2中所示的一般性設(shè)備210)。
[0043]參考圖2，可植入醫(yī)療設(shè)備210 (例如，電刺激器、神經(jīng)刺激器)被構(gòu)造以影響病患212的神經(jīng)系統(tǒng)和/或器官。例如，可將設(shè)備210植入病患212的腹部214、胸肌區(qū)、上臀或其它區(qū)域的皮下囊袋中，且設(shè)備210可被編程以提供與特定療法相關(guān)的刺激信號(例如，電脈沖、頻率、電壓)。在使用期間，與導(dǎo)線216整合的電接觸件被放置在所需的刺激部位，如脊柱218或大腦的一部分。還通過與基部220的外表面整合的饋通222將導(dǎo)線216連接到設(shè)備210的基部220。在一些預(yù)期實施方案中，饋通可直接向安裝在可植入醫(yī)療設(shè)備(例如，所謂的無導(dǎo)線設(shè)備)上的電極傳輸療法和/或發(fā)送信號。
[0044]根據(jù)例示性實施方案，饋通222以及在基部220的外部的其余部分被設(shè)計成氣密密封、生物相容且生物穩(wěn)定以防止體液泄漏到基部220的內(nèi)部，以及防止在可植入醫(yī)療設(shè)備210的使用壽命內(nèi)從基部220的內(nèi)部到體內(nèi)的泄漏。根據(jù)例示性實施方案，饋通222被氣密密封，且當(dāng)植入體內(nèi)時保持氣密密封，展示長達(dá)幾年，如至少一年、五年、十年、二十年或更長時間量級的長期生物穩(wěn)定性。
[0045]可使用標(biāo)準(zhǔn)測試，如針對氣密性和染料滲透的體外高度加速浸潤測試，以提供當(dāng)在延長時間植入時饋通118、饋通222保持氣密密封和生物穩(wěn)定的能力的可靠指標(biāo)。可通過在受控制的溫度(例如，1201:、1501:、2001:或更高)和壓力(例如，1.5atm、3.5atm)下以延長的測試時間(例如，48小時、72小時、96小時、一個月或更長)浸潤在模擬體液后，發(fā)生大體無染料滲透通過饋通和大體無通過饋通的氣密密封損失，同時維持通過饋通222的高導(dǎo)電率而證明(即，通過無染料滲透、無氦泄漏等證實)長期氣密性和/或生物穩(wěn)定性。其它標(biāo)準(zhǔn)測試，如氦泄漏測試和3點彎曲強度測試也可以證實長期生物穩(wěn)定性，如可通過極小的強度下降和保持低氦泄漏速率(通常小于I X 10-8atm-cc He/秒(例如，小于5 X 10_9atm-ccHe/秒))指示。[0046]雖然本文關(guān)于特定可植入醫(yī)療設(shè)備加以描述，但應(yīng)理解本文公開的概念可以與大范圍的可植入醫(yī)療設(shè)備結(jié)合使用，如起搏器、可植入復(fù)律器-除顫器、傳感器、心肌收縮力調(diào)節(jié)器、復(fù)律器、投藥設(shè)備、診斷記錄儀、耳蝸移植物和其它設(shè)備。根據(jù)還有其它預(yù)期實施方案，除可植入醫(yī)療設(shè)備以外的設(shè)備也可以從本文公開的概念受益。
[0047]現(xiàn)參考圖3，可植入醫(yī)療設(shè)備(例如見如圖1至圖2中所示的可植入醫(yī)療設(shè)備110和可植入醫(yī)療設(shè)備210)的壁310或包封結(jié)構(gòu)包括饋通312。饋通312被拴扣到壁310的一部分314，如在壁310的凹陷316中的被構(gòu)造成接收饋通312的套圈。壁310可與另一個或一些壁整合以形成在可植入醫(yī)療設(shè)備的基部(例如見如圖1至圖2中所示的基部112和基部220)的生物相容、氣密密封外部。在其它實施方案中，套圈不包括凹陷。在還有其它實施方案中，饋通可直接整合到壁中，不需要使用套圈。
[0048]根據(jù)例示性實施方案，饋通312主要由一般不導(dǎo)電的材料318、絕緣體或介電質(zhì)形成。饋通還包括一個或多個導(dǎo)管320 (例如，導(dǎo)電部件、豎直互連通道(通孔)、路徑、通路)，其一般導(dǎo)電且延伸穿過一般不導(dǎo)電的饋通312的材料318。在一些預(yù)期實施方案中，導(dǎo)管320與材料318整合但不延伸穿過材料318，而是沿材料318的表面，或在導(dǎo)管320與材料318的表面之間的中介材料的表面上延伸。如此一來，電信號便可沿水平方向在導(dǎo)電導(dǎo)管(例如，通孔)或外部襯墊之間傳導(dǎo)，或另外連接相互側(cè)向安置的內(nèi)部和/或外部點。
[0049]參考圖4至圖5，可植入醫(yī)療設(shè)備1110的組件包括饋通1112 (例如，共燒陶瓷、單成巖)、釬焊用的填充材料環(huán)1114和套圈1116。在可植入醫(yī)療設(shè)備1110的組裝期間，將饋通1112插入套圈1116的凹陷1118 (例如，開口)中，隨后將環(huán)1114熔化并釬焊在饋通1112與套圈1116之間。在一些實施方案中，環(huán)1114是金環(huán)，且套圈1116是由鈦形成。在一些實施方案中，由于相關(guān)的生物相容性質(zhì)和相對熔化溫度的原因，使用金和鈦。在一些實施方案中，用金屬，如鈮、鈦、鑰或其它生物相容材料(例如，通過各種可能方法，如物理氣相沉積、濺射、電子束蒸發(fā)、電鍍、化學(xué)氣相沉積)涂覆陶瓷絕緣體的側(cè)壁，以促進(jìn)絕緣體與套圈之間的連結(jié)。金屬涂層可促進(jìn)預(yù)成型金環(huán)的粘著和釬焊以連結(jié)絕緣體與套圈。在其它預(yù)期實施方案中，環(huán)和套圈是由不同材料或材料組合形成。
[0050]參考圖6至圖7，饋通1112包括在饋通1112的頂表面與底表面之間延伸穿過絕緣體1122的導(dǎo)電導(dǎo)管1120 (例如，通孔)。在一些實施方案中，導(dǎo)電導(dǎo)管1120中的至少一個部分地延伸穿過絕緣體1122，并耦接到側(cè)向延伸到饋通1112側(cè)面的水平導(dǎo)管1124 (圖7)。在其它實施方案中，導(dǎo)管可完全延伸穿過饋通，如從頂部延伸到底部且仍水平連接到另一主體。在圖7中，水平導(dǎo)管1124延伸到釬焊在套圈1116與饋通1112之間的環(huán)1114。因此，水平導(dǎo)管1124可以用作饋通1112的地平面。在一些實施方案中，導(dǎo)電導(dǎo)管1120(包括水平導(dǎo)管1124)包括鉬。在一些這種實施方案中，將水平導(dǎo)管1124印刷到未燒過(例如，綠色)的陶瓷材料層上，且與其它導(dǎo)電導(dǎo)管1120和絕緣體1124共燒。
[0051]參考圖8至圖9，共燒饋通1212包括具有導(dǎo)電導(dǎo)管1216的大體矩形絕緣體1214。已用生物相容材料的環(huán)1220將饋通1212釬焊到可植入醫(yī)療設(shè)備1210的套圈1218中。認(rèn)為矩形絕緣體1214的棱柱形狀(圖8)可改善釬焊接點的穩(wěn)定性，如下文中更詳細(xì)論述。根據(jù)例示性實施方案，對比于如圖7中所示的具有突出部分1126的套圈1116，套圈1218無突出部分，其中絕緣體不受套圈1218的下側(cè)上的凸緣或伸出支撐。通過增大導(dǎo)電導(dǎo)管1216與套圈1218之間的短路路徑長度，套圈1218的無突出部分的設(shè)計意在改善饋通1212的導(dǎo)電導(dǎo)管1216的電隔離，這還意在改善外部互連通道(例如，耦接到饋通1212的導(dǎo)線)。
[0052]現(xiàn)參考圖10至圖13，饋通410是根據(jù)另一例示性實施方案示出且包括主體412(例如,絕緣體)和至少一個導(dǎo)管414 (例如，導(dǎo)電通路、電導(dǎo)管、通孔)。如所示，饋通410包括11個導(dǎo)管414，但根據(jù)其它實施方案，可以包括更多或更少數(shù)量的導(dǎo)管，或不同的導(dǎo)管布局。根據(jù)例示性實施方案,主體412是由電絕緣體材料形成，且在一些實施方案中，主體412包括大體平整面416 (例如,側(cè)面、外表面)。面416通過角418或邊緣而相互分離。
[0053]根據(jù)例示性實施方案，饋通410還包括被構(gòu)造成將電傳導(dǎo)穿過主體412的電絕緣體材料的導(dǎo)管414。導(dǎo)管414可以大 體筆直或彎曲(例如，交錯、迂回、曲折)。通過更好地阻礙流體滲出(例如，流經(jīng)、進(jìn)入)導(dǎo)管414與主體412之間，導(dǎo)管414的彎曲路徑可以改善饋通410的氣密密封。然而，相對于具有大體筆直路徑(例如，重疊在直線上)的導(dǎo)管，彎曲路徑可能增大電阻，降低饋通410的效率。在一些實施方案中，金屬化材料的電阻小于約30ηιΩ ,如小于約ΙΟι?Ω。在其它實施方案中，金屬化材料的電阻小于約IOOmΩ。金屬化材料的電阻可作為導(dǎo)管414的直徑、主體412的厚度、材料和其它性質(zhì)的函數(shù)而變化。在一些設(shè)計中，電阻會隨著導(dǎo)管交錯或被制成彎曲以加強氣密性而增大，然而發(fā)現(xiàn)給予材料、設(shè)計和共燒過程的適當(dāng)組合，可能不一定需要彎曲路徑和相關(guān)電阻損失。
[0054]在一些實施方案中，主體412的面416和角418 —起形成饋通410的大體棱柱形或直線形外部形狀系數(shù)，其中主體412的至少一些面416 (例如，相對于末端422的頂面420)大體相互垂直或大體相互平行。在一些這種實施方案中，主體412的所有面416大體相互垂直或大體相互平行。在其它實施方案中，所有面均不大體相互垂直。在還有其它實施方案中，至少一些面不平整。
[0055]根據(jù)例示性實施方案，饋通410是以具有矩形面416的盒形結(jié)構(gòu)的形式提供，如方塊、磚塊或立方體。在一些這種實施方案中，主體412包括頂面420、底面426和在頂面420與底面426之間延伸的側(cè)面(例如，末端422和縱長的側(cè)面428)。每個側(cè)面422、側(cè)面428包括平整表面。在一些實施方案中，末端422的平整表面相互具有大體相同的大小和形狀，且縱長側(cè)面的平整表面相互具有大體相同的大小和形狀。在其它預(yù)期實施方案中，饋通一般為圓柱形、橢圓形或其它形狀。
[0056]仍參考圖10至圖13，主體412的末端422的平整表面相互平行。在一些這種實施方案中，主體412的頂面420和底面426包括與主體412的末端422的平整表面垂直的平整表面。在一些這種實施方案中，沿主體412縱長延伸的側(cè)面428包括也與主體412的末端422的平整表面垂直的平整表面。根據(jù)這一實施方案，主體412的三個相互垂直的橫截面每個具有大體矩形外圍。例如，一個矩形橫截面沿縱長方向延伸，另一個跨過主體的寬度延伸，且第三個矩形橫截面沿水平面切割主體。
[0057]根據(jù)例示性實施方案，饋通410的主體412還包括在饋通410的外部的面416之間的角418。角418和邊緣可以是直角，或可為其它角度。在一些實施方案中，角418被圓化(例如，圓角化、平滑化、鈍化)。根據(jù)例示性實施方案，角418是在將主體412切割成直線形形狀后通過滾磨、研磨、碾磨、拋光或另一種成形過程被圓化。在這種實施方案中，通過研磨劑(如碳化硅沙礫)逐漸打磨角418。成形過程的受控且有限應(yīng)用可充分維持主體412的相對精確幾何形狀，同時降低了因角418而產(chǎn)生應(yīng)力集中和引發(fā)破裂部位的可能性。受控且有限的成形還可以降低在絕緣體412的表面下發(fā)生損壞的可能性。然而，在還有其它預(yù)期實施方案中，角可以呈斜面或尖銳角。
[0058]根據(jù)例示性實施方案，饋通410的主體412是由陶瓷材料形成，且導(dǎo)管414是由金屬糊膏(例如，通孔糊膏)形成。在饋通410的制造期間，將導(dǎo)管414的金屬糊膏填充到在主體412的陶瓷材料中的孔424中(例如，方孔、圓孔、橢圓孔等)(見一般地在下文論述的圖
21)。隨后共燒饋通410的主體412和導(dǎo)管414-主體412的陶瓷材料和導(dǎo)管414的金屬
糊膏兩者在窯爐中同時一起燒制，如在約1600°C的溫度下燒制約一小時。
[0059]根據(jù)例示性實施方案，主體412的材料包括氧化鋁(例如，鋁氧化物，剛玉)，如至少70%的氧化鋁或約92%或96%的氧化鋁。在一些實施方案中，導(dǎo)管414的金屬糊膏主要包括鉬(例如，鉬粉)和添加劑，其中添加劑包括氧化鋁(例如，d5(l為I至10 μ m的氧化鋁粉)。導(dǎo)管414的金屬糊膏可包括具有在3 μ m至10 μ m之間的平均粒徑(例如，d50平均粒徑)的第一鉬粉、具有在5 μ m至20 μ m之間的平均粒徑的第二粗鉬粉，或鉬粉的組合。在其它預(yù)期實施方案中，如可能或可能并非意在用于移植物中的那些實施方案，糊膏可包括鈦、鈮、鋯、鉭、其它耐火金屬、它們的合金、它們的氧化物或其它材料，用以補充或替代鉬。
[0060]認(rèn)為使用不同粒徑的金屬糊膏材料(包括添加劑)會改變金屬糊膏的熱膨脹響應(yīng)和/或燒結(jié)動力學(xué)和性質(zhì)(例如，燒結(jié)收縮、收縮特性)，這可以根據(jù)需要加以調(diào)整以與共燒饋通的其它材 料(如主體412的材料)相容。此外在一些實施方案中，在共燒過程期間，燒結(jié)主體412的氧化鋁，且作為金屬糊膏的添加劑的氧化鋁可以改善導(dǎo)管414的金屬糊膏與主體412的氧化鋁之間的粘著，使彼此之間形成強共燒粘結(jié)。
[0061 ] 在微米級上，金屬糊膏中的氧化鋁可以在孔424中與主體412的氧化鋁沿導(dǎo)管414與主體412之間接界(例如，邊界、介面)粘結(jié)(見一般地如圖14至15中所示的掃描電子顯微圖)。當(dāng)對比于金屬糊膏中不存在作為添加劑的氧化鋁的情況下在導(dǎo)管414與主體412之間的粘結(jié)時，認(rèn)為金屬糊膏中具有作為添加劑的氧化鋁而形成的粘結(jié)由于氧化鋁添加劑與主體412的氧化鋁之間的相互作用而顯著改善氣密密封。在金屬糊膏中包括作為添加劑的氧化鋁可減小空隙的大小和數(shù)量，而且還可以改善在共燒過程期間金屬糊膏與主體412的陶瓷的熱膨脹相容性，減小另外由饋通410的不同材料的不均等膨脹或收縮而導(dǎo)致的應(yīng)力且形成氣密、生物穩(wěn)定的共燒粘結(jié)。
[0062]至少部分由于選擇用于主體412和導(dǎo)管414的材料組合，共燒過程的結(jié)果是導(dǎo)管414與主體412氣密密封。防止流體(如體液和氣體)穿過導(dǎo)管414或流經(jīng)饋通410的導(dǎo)管414與主體412之間，如通過介面處的微孔鏈。此外，饋通410利用以幾年量級的長時間內(nèi)不會分解的氣密密封保持生物穩(wěn)定。
[0063]參考圖14至圖15，共燒饋通1310、饋通1410包括導(dǎo)電導(dǎo)管1314、導(dǎo)電導(dǎo)管1414的材料與絕緣體1316、絕緣體1416的材料之間的介面1312、介面1412，這些介面至少部分由于導(dǎo)電導(dǎo)管1314、導(dǎo)電導(dǎo)管1414的材料中使用的添加劑而相互不同。雖然圖14至圖15中所示的絕緣體1316、絕緣體1416的材料大體相同(例如，約92%的氧化鋁)，但圖14中所示的導(dǎo)電導(dǎo)管1314的材料包括鉬(例如，以糊膏形式用于共燒的鉬粉)和A1203、SiO2, CaO、MgO添加劑，而圖15中所示的導(dǎo)電導(dǎo)管1414的材料包括鉬，僅以Al2O3作為添加劑。圖14至圖15的共燒介面1312、介面1412均包括一些初始缺陷1318、缺陷1418(例如，空隙、孔)。然而，已發(fā)現(xiàn)僅使用Al2O3作為添加劑會減小初始缺陷1418的數(shù)量和/或大小，提供改善的介面1412 (例如，共燒粘結(jié))。[0064]出于聯(lián)系上下文的目的且如表1中所概括，評估了一組通孔金屬化材料組合物的與共燒和饋通性能有關(guān)的參數(shù)，如通孔突出、粘著、翹曲、電阻和氣密性。將不同添加劑和添加劑組合(例如，單獨Al2O3 ;Al203、Si02、Mg0和CaO ;和Si02、Mg0和CaO)在范圍從糊膏的0%至10%的不同濃度水平下提供到鉬糊膏。
[0065]表1
【權(quán)利要求】
1.一種用于可植入醫(yī)療設(shè)備的氣密饋通，包括: 具有孔的片材，其中所述片材包括第一材料，所述第一材料是包括氧化鋁的陶瓷；和大體填充所述孔的第二材料，其中所述第二材料不同于所述第一材料且包括鉬和添加劑，且其中所述添加劑包括氧化鋁； 其中所述第一材料和所述第二材料之間具有氣密密封所述孔的共燒粘結(jié)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的饋通，其中所述第一材料是電絕緣體且所述第二材料導(dǎo)電。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的饋通，其中所述共燒粘結(jié)包括玻璃、SiO2'MgO和CaO中的至少一種從所述第一材料向所述孔的擴散。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的饋通，還包括上覆所述孔的覆蓋襯墊。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的饋通，其中所述覆蓋襯墊在所述片材上至少部分延伸經(jīng)過所述孔。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的饋通，其中所述第二材料實質(zhì)上由鉬和氧化鋁組成。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的饋通，其中所述第二材料的鉬包括具有第一粒徑范圍的第一鉬粉和具有第二粒徑范圍的第二鉬粉，且其中所述第二材料的氧化鋁占所述第二材料的約2至10重量百分比之間。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的饋通，其中所述第一材料和所述第二材料無磁性。
9.一種饋通,包括: 具有第一孔的第一片材，其中所述第一片材包括為電絕緣陶瓷的第一材料； 耦接到所述第一片材的包括所述第一材料的第二片材，所述第二片材具有第二孔； 至少部分填充所述第一孔和所述第二孔的第二材料，其中所述第二材料導(dǎo)電； 其中所述第一材料和所述第二材料彼此之間具有氣密密封所述第一孔和所述第二孔的共燒粘結(jié)；且 其中所述第一孔與所述第二孔大體相互對齊，以形成穿過所述第一片材和所述第二片材的大體筆直導(dǎo)電路徑。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的饋通，還包括: 上覆所述第一孔且在所述第一片材上至少部分延伸經(jīng)過所述第一孔的第一覆蓋襯墊；和 上覆所述第二孔且在所述第二片材上至少部分延伸經(jīng)過所述第二孔的第二覆蓋襯墊。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的饋通，其中所述第一覆蓋襯墊接觸所述第二片材的所述第二孔。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的饋通，其中所述第一覆蓋襯墊和所述第二覆蓋襯墊包括不同于所述第一材料和所述第二材料的第三材料，且其中所述第三材料導(dǎo)電。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的饋通，其中所述第二材料包括鉬和包括氧化鋁的添加劑。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的饋通，其中所述共燒粘結(jié)包括玻璃、SiO2,MgO和CaO中的至少一種從所述第一材料向所述導(dǎo)電路徑的擴散。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的饋通，其中所述第一材料包括氧化鋁且所述第三材料包括鉬。
16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的饋通，其中所述第二材料的鉬包括具有第一粒徑范圍的第一鉬粉和具有第二粒徑范圍的第二鉬粉，且其中所述第二材料的氧化鋁占所述第二材料的約2至10重量百分比之間。
17.一種制造饋通的方法，包括: 提供具有孔的第一材料片材，其中所述第一材料是包括氧化鋁的電絕緣陶瓷； 用第二材料填充所述孔，其中所述第二材料是導(dǎo)電糊膏，包括鉬和包括氧化鋁的添加劑；和 共燒所述第一材料和所述第二材料，以使所述第一材料與所述第二材料之間的粘結(jié)氣密密封所述孔。
18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的方法，還包括在所述片材中形成所述孔。
19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的方法，還包括將覆蓋襯墊印刷在所述孔上和在所述片材上至少部分經(jīng)過所述孔，其中所述覆蓋襯墊包括不同于所述第一材料和所述第二材料的第三材料，且其中所述第三材料包括鉬。
20.根據(jù)權(quán)利要求19所述的方法，其中所述片材是第一片材且所述孔是第一孔，所述方法還包括: 提供包括所述第一材料的第二片材，所述第二片材具有第二孔； 用所述第二材料填充所述第二孔；和 堆疊所述第一片材和所述第二片材以使所述第一孔與所述第二孔相互對齊以形成穿過所述第一片材和所述第二片材的大體筆直導(dǎo)電路徑。
21.根據(jù)權(quán)利要求17所述的方法，其中所述孔在所述共燒前不包括玻璃、SiO2,MgO或CaO0
22.根據(jù)權(quán)利要求21所述的方法，其中所述孔在所述共燒期間接收玻璃、SiO2,MgO和CaO中的至少一種從所述第一材料的擴散。
23.一種饋通,包括: 包括第一材料的絕緣體； 延伸穿過所述絕緣體的包括第二材料的導(dǎo)管，其中所述第二材料導(dǎo)電且所述導(dǎo)管被構(gòu)造以將電傳導(dǎo)穿過所述絕緣體；和 安裝到所述絕緣體的外表面且被構(gòu)造以接收與其連接的導(dǎo)線的襯墊，其中所述襯墊導(dǎo)電且耦接到所述導(dǎo)管； 其中所述絕緣體和所述襯墊彼此之間具有共燒粘結(jié)，其中所述共燒粘結(jié)使所述絕緣體與所述襯墊氣密密封，且其中所述氣密密封生物穩(wěn)定以使在所述導(dǎo)線附接到所述襯墊后維持浸潤耐久性。
24.根據(jù)權(quán)利要求23所述的饋通，其中所述襯墊居中覆于所述導(dǎo)管上。
25.根據(jù)權(quán)利要求24所述的饋通，其中所述襯墊包括所述第二材料的底層。
26.根據(jù)權(quán)利要求25所述的饋通，其中所述襯墊還包括上覆所述底層的第三材料的額外層。
27.根據(jù)權(quán)利要求26所述的饋通，其中所述額外層實質(zhì)上由鉬組成且所述底層包括氧化招和怕。
28.根據(jù)權(quán)利要求23所述的饋通，其中所述共燒粘結(jié)使所述通孔被所述絕緣體氣密密封。
29.—種饋通,包括:具有第一孔的第一片材，其中所述第一片材包括為電絕緣陶瓷的第一材料； 耦接到所述第一片材的包括所述第一材料的第二片材，所述第二片材具有第二孔；和 至少部分填充所述第一孔和所述第二孔的第二材料，其中所述第二材料導(dǎo)電； 其中所述第一材料和所述第二材料彼此之間具有氣密密封所述第一孔和所述第二孔的共燒粘結(jié)； 其中所述第一材料和 所述第二材料無磁性；且 其中所述第一孔和所述第二孔電通信且相互豎直交錯，從而形成穿過所述第一片材和所述第二片材的交錯導(dǎo)電路徑。
30.根據(jù)權(quán)利要求29所述的饋通，還包括上覆所述第一孔且在所述第一片材上至少部分延伸經(jīng)過所述第一孔的覆蓋襯墊，其中所述覆蓋襯墊至少部分在所述第二片材的所述第二孔下延伸。
31.一種用于可植入醫(yī)療設(shè)備的氣密饋通，包括: 具有孔的片材，其中所述片材包括第一材料，所述第一材料是包括氧化鋁的陶瓷；和大體填充所述孔的第二材料，其中所述第二材料包括鉬粉混合物和氧化鋁添加劑，其中所述鉬粉混合物包括具有在約3與10微米之間的平均粒徑的第一鉬粉和比所述第一鉬粉粗且具有在約5與20微米之間的平均粒徑的第二鉬粉； 其中所述鉬粉混合物包括在約50與80重量百分比之間的所述第一鉬粉和在約20與50重量百分比之間的所述第二鉬粉； 其中所述第一材料和所述第二材料之間具有氣密密封所述孔的共燒粘結(jié)。
32.根據(jù)權(quán)利要求31所述的饋通，其中所述鉬粉混合物包括在約70與80重量百分比之間的所述第一鉬粉和在約20與30重量百分比之間的所述第二鉬粉。
33.根據(jù)權(quán)利要求31所述的饋通，其中所述第一鉬粉的比表面積經(jīng)單點BET方法測定為約0.01與0.15m2/g之間，且所述第二鉬粉的比表面積在約0.15與0.50m2/g之間。
34.根據(jù)權(quán)利要求31所述的饋通，其中所述第一材料是電絕緣體且所述第二材料導(dǎo)電。
35.根據(jù)權(quán)利要求31所述的饋通，還包括上覆所述孔且在所述片材上至少部分延伸經(jīng)過所述孔的覆蓋襯墊。
36.根據(jù)權(quán)利要求31所述的饋通，其中所述第一材料和所述第二材料無磁性。
37.一種饋通，包括: 具有第一孔的第一片材，其中所述第一片材包括為電絕緣陶瓷的第一材料； 耦接到所述第一片材的包括所述第一材料的第二片材，所述第二片材具有第二孔； 至少部分填充所述第一孔和所述第二孔的第二材料，其中所述第二材料導(dǎo)電且包括鉬粉混合物和氧化鋁添加劑，其中所述鉬粉混合物包括具有在約3與10微米之間的平均粒徑的第一鉬粉和比所述第一鉬粉粗且具有在約5與20微米之間的平均粒徑的第二鉬粉； 其中所述鉬粉混合物包括在約50與80重量百分比之間的所述第一鉬粉和在約20與50重量百分比之間的所述第二鉬粉； 其中所述第一材料和所述第二材料彼此之間具有氣密密封所述第一孔和所述第二孔的共燒粘結(jié)；且 其中所述第一孔與所述第二孔大體相互對齊，以形成穿過所述第一片材和所述第二片材的大體筆直導(dǎo)電路徑。
38.根據(jù)權(quán)利要求37所述的饋通，其中所述鉬粉混合物包括在約70與80重量百分比之間的所述第一鉬粉和在約20與30重量百分比之間的所述第二鉬粉。
39.根據(jù)權(quán)利要求37所述的饋通，其中所述第一鉬粉的比表面積經(jīng)單點BET方法測定為約0.01與0.15m2/g之間，且所述第二鉬粉的比表面積在約0.15與0.50m2/g之間。
40.根據(jù)權(quán)利要求37所述的饋通，還包括: 上覆所述第一孔且在所述第一片材上至少部分延伸經(jīng)過所述第一孔的第一覆蓋襯墊；和 上覆所述第二孔且在所述第二片材上至少部分延伸經(jīng)過所述第二孔的第二覆蓋襯墊。
41.根據(jù)權(quán)利要求40所述的饋通，其中所述第一覆蓋襯墊接觸所述第二片材的所述第二孔。
42.根據(jù)權(quán)利要 求41所述的饋通，其中所述第一覆蓋襯墊和所述第二覆蓋襯墊包括不同于所述第一材料和所述第二材料的第三材料，且其中所述第三材料導(dǎo)電。
43.根據(jù)權(quán)利要求37所述的饋通，其中所述共燒粘結(jié)包括玻璃、SiO2,MgO和CaO中的至少一種從所述第一材料向所述導(dǎo)電路徑的擴散。
44.一種饋通，包括: 具有第一孔的第一片材，其中所述第一片材包括為電絕緣陶瓷的第一材料； 耦接到所述第一片材的包括所述第一材料的第二片材，所述第二片材具有第二孔； 至少部分填充所述第一孔和所述第二孔的第二材料，其中所述第二材料導(dǎo)電且包括鉬粉混合物和氧化鋁添加劑，其中所述鉬粉混合物包括具有在約3與10微米之間的平均粒徑的第一鉬粉和比所述第一鉬粉粗且具有在約5與20微米之間的平均粒徑的第二鉬粉；其中所述鉬粉混合物經(jīng)過優(yōu)化以獲得小于20微米的通孔突出；且其中所述第一材料和所述第二材料彼此之間具有氣密密封所述第一孔和所述第二孔的共燒粘結(jié)；且 其中所述第一孔與所述第二孔大體相互對齊，以形成穿過所述第一片材和所述第二片材的大體筆直導(dǎo)電路徑。
45.根據(jù)權(quán)利要求44所述的饋通，其中所述通孔突出小于10微米。
46.根據(jù)權(quán)利要求44所述的饋通，其中所述鉬粉混合物包括在約50與80重量百分比之間的所述第一鉬粉和在約20與50重量百分比之間的所述第二鉬粉。
47.根據(jù)權(quán)利要求44所述的饋通，其中所述鉬粉混合物包括在約70與80重量百分比之間的所述第一鉬粉和在約20與30重量百分比之間的所述第二鉬粉。
48.根據(jù)權(quán)利要求44所述的饋通，其中所述第一鉬粉的比表面積經(jīng)單點BET方法測定為約0.01與0.15m2/g之間，且所述第二鉬粉的比表面積在約0.15與0.50m2/g之間。
49.一種制造饋通的方法，包括: 提供具有孔的第一材料片材，其中所述第一材料是包括氧化鋁的電絕緣陶瓷； 用第二材料填充所述孔，其中所述第二材料是導(dǎo)電糊膏，其包括鋁粉混合物和包括氧化鋁的添加劑；和 共燒所述第一材料和所述第二材料以使所述第一材料與所述第二材料之間的粘結(jié)氣密密封所述孔；并且其中所述鉬粉混合物經(jīng)過優(yōu)化以獲得小于20微米的通孔突出；且 其中所述鉬粉混合物包括具有在約3與10微米之間的平均粒徑的第一鉬粉和比所述第一鉬粉粗且具有在約5與20微米之間的平均粒徑的第二鉬粉。
50.根據(jù)權(quán)利要求49所述的方法，其中所述通孔突出小于10微米。
51.根據(jù)權(quán)利要求49所述的方法，其中所述鉬粉混合物包括在約50與80重量百分比之間的所述第一鉬粉和在約20與50重量百分比之間的所述第二鉬粉。
52.根據(jù)權(quán)利要求49所述的方法，其中所述鉬粉混合物包括在約70與80重量百分比之間的所述第一鉬粉和在約20與30重量百分比之間的所述第二鉬粉。
53.根據(jù)權(quán)利要求49所述的方法，其中所述第一鉬粉的比表面積經(jīng)單點BET方法測定為約0.01與0.15m2/g之間，且所述第二鉬粉的比表面積在約0.15與0.50m2/g之間。
54.一種制造饋通的方法，包括: 提供具有孔的第一材料片材，其中所述第一材料是包括氧化鋁的電絕緣陶瓷； 用第二材料填充所述孔，其中所述第二材料是導(dǎo)電糊膏，其包括鋁粉混合物和包括氧化鋁的添加劑；和 共燒所述第一材料和所述第二材料；以使所述第一材料與所述第二材料之間的粘結(jié)氣密密封所述孔； 其中所述鉬粉混合物包括在約50與80重量百分比之間的具有在約3與10微米之間的平均粒徑的第一鉬粉和在約20與50重量百分比之間的比所述第一鉬粉粗且具有在約5與20微米之間的平均粒徑的第二鉬粉。
55.根據(jù)權(quán)利要求54所述的方法，其中所述鉬粉混合物包括在約70與80重量百分比之間的所述第一鉬粉和在約20與30重量百分比之間的所述第二鉬粉。
56.根據(jù)權(quán)利要求54所述的方法，其中所述第一鉬粉的比表面積經(jīng)單點BET方法測定為約0.01與0.15m2/g之間，且所述第二鉬粉的比表面積在約0.15與0.50m2/g之間。
57.根據(jù)權(quán)利要求54所述的方法，還包括在所述片材中形成所述孔。
58.根據(jù)權(quán)利要求57所述的方法，還包括將覆蓋襯墊印刷在所述孔上和在所述片材上至少部分經(jīng)過所述孔，其中所述覆蓋襯墊包括不同于所述第一材料和所述第二材料的第三材料，且其中所述第三材料包括鉬。
59.根據(jù)權(quán)利要求58所述的方法，其中所述片材是第一片材且所述孔是第一孔，所述方法還包括: 提供包括所述第一材料的第二片材，所述第二材料具有第二孔； 用所述第二材料填充所述第二孔；和 堆疊所述第一片材和所述第二片材以使所述第一孔與所述第二孔相互對齊以形成穿過所述第一片材和所述第二片材的大體筆直導(dǎo)電路徑。
60.根據(jù)權(quán)利要求54所述的方法，其中所述孔在所述共燒前不包括玻璃、SiO2,MgO或CaO0
61.根據(jù)權(quán)利要求60所述的方法，其中所述孔在所述共燒期間接收玻璃、Si02、Mg0和CaO中的至少一種從所述第一材料的擴散。
62.一種饋通,包括: 包括第一材料的絕緣體；延伸穿過所述絕緣體的包括第二材料的導(dǎo)管，其中所述第二材料導(dǎo)電和所述導(dǎo)管被構(gòu)造以將電傳導(dǎo)穿過所述絕緣體，且其中所述第二材料包括鉬粉混合物，所述鉬粉混合物包括在約50與80重量百分比之間的具有在約3與10微米之間的平均粒徑的第一鉬粉和在約20與50重量百分比之間的比所述第一鉬粉粗且具有在約5與20微米之間的平均粒徑的第二鉬粉；和 安裝到所述絕緣體的外表面且被構(gòu)造以接收與其連接的導(dǎo)線的襯墊，其中所述襯墊導(dǎo)電且耦接到所述導(dǎo)管； 其中所述絕緣體和所述襯墊彼此之間具有共燒粘結(jié)，其中所述共燒粘結(jié)使所述絕緣體與所述襯墊氣密密封，且其中所述氣密密封生物穩(wěn)定以使在所述導(dǎo)線附接到所述襯墊后維持浸潤耐久性。
63.根據(jù)權(quán)利要求62所述的饋通，其中所述鉬粉混合物包括在約70與80重量百分比之間的所述第一鉬粉和在約20與30重量百分比之間的所述第二鉬粉。
64.根據(jù)權(quán)利要求62所述的饋通，其中所述第一鉬粉的比表面積經(jīng)單點BET方法測定為約0.01與0.15m2/g之間，且所述第二鉬粉的比表面積在約0.15與0.50m2/g之間。
65.根據(jù)權(quán)利要求62所述的饋通，其中所述襯墊居中上覆所述導(dǎo)管。
66.根據(jù)權(quán)利要求65所述的饋通，其中所述襯墊包括所述第二材料的底層。
67.根據(jù)權(quán) 利要求66所述的饋通，其中所述襯墊還包括實質(zhì)上由鉬組成的上覆所述底層的第三材料的額外層。
68.根據(jù)權(quán)利要求67所述的饋通，其中所述共燒粘結(jié)使所述通孔被所述絕緣體氣密密封。
【文檔編號】B22F7/06GK104023880SQ201280048466
【公開日】2014年9月3日 申請日期:2012年8月1日 優(yōu)先權(quán)日:2011年8月2日
【發(fā)明者】森岡健吾, A·克努森, 佐藤慎吾, 乙丸秀和, A·湯姆, 牧野浩, M·賴特雷爾, G·穆恩斯, T·米爾蒂奇, J·山本, 平田貴人 申請人:美敦力公司, 京瓷株式會社