專(zhuān)利名稱(chēng)：刻蝕烘烤設(shè)備的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種刻蝕烘烤設(shè)備，該刻蝕烘烤設(shè)備通常為氯氣刻蝕烘烤設(shè)備，其具有反應(yīng)室組件，石墨盤(pán)或外延襯底片可在反應(yīng)室組件內(nèi)進(jìn)行刻蝕和烘烤。
背景技術(shù)：
金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積設(shè)備(簡(jiǎn)稱(chēng)MOCVD)以熱分解反應(yīng)方式在襯底上進(jìn)行化學(xué)沉積反應(yīng)，生長(zhǎng)各種II1-V族、I1-VI族化合物半導(dǎo)體以及它們的多元固溶體的薄層單晶材料，石墨盤(pán)作為襯底的承載平臺(tái)，在該反應(yīng)過(guò)程中會(huì)有多余的化學(xué)反應(yīng)殘留物沉積在石墨盤(pán)表面上，假如不加以清除，必然會(huì)在新的一爐外延片生長(zhǎng)過(guò)程中影響對(duì)應(yīng)的溫度控制、表面顆粒等，并最終影響到外延片生長(zhǎng)的成品率。目前市場(chǎng)提供和業(yè)內(nèi)使用的石墨盤(pán)清潔方法通常采用長(zhǎng)時(shí)間高溫烘烤的方式，存在單爐次烘烤的時(shí)間比較長(zhǎng)，烘烤溫度太高影響石墨盤(pán)循環(huán)使用的壽命等問(wèn)題，同時(shí)無(wú)法對(duì)工藝生長(zhǎng)過(guò)程中產(chǎn)生的報(bào)廢外延襯底片進(jìn)行刻蝕。目前市場(chǎng)上還沒(méi)有對(duì) 于MOCVD和外延片進(jìn)行刻蝕、清潔的專(zhuān)用設(shè)備，目前業(yè)內(nèi)使用的石墨盤(pán)清潔方法通常采用真空燒結(jié)爐進(jìn)行長(zhǎng)時(shí)間高溫烘烤的方式，存在單爐次烘烤的時(shí)間比較長(zhǎng)(單爐次約14小時(shí))，烘烤溫度太高(最高溫度約1400度)影響石墨盤(pán)循環(huán)使用的壽命等問(wèn)題，同時(shí)無(wú)法對(duì)工藝生長(zhǎng)過(guò)程中產(chǎn)生的報(bào)廢外延襯底片進(jìn)行刻蝕。另外該類(lèi)設(shè)備體積比較大，在凈化車(chē)間內(nèi)占用比較大的安裝和使用空間。該設(shè)備在烘烤石墨盤(pán)的工作原理是使用高溫?zé)Y(jié)的方式把氮化鎵殘留物物理性粉塵化，運(yùn)行后會(huì)產(chǎn)生大量的粉塵，同時(shí)會(huì)大量殘留在反應(yīng)爐內(nèi)，所以該類(lèi)設(shè)備需要經(jīng)常維護(hù)和清潔?？梢圆捎迷诩訜岬耐瑫r(shí)通入氮?dú)?、氯氣或氯化物氣體的手段來(lái)清潔石墨盤(pán)或外延片進(jìn)行。這對(duì)烘烤設(shè)備容納石墨盤(pán)的反應(yīng)腔結(jié)構(gòu)和相應(yīng)的氣體通道結(jié)構(gòu)有一定的特殊要求，其包括材料使用、密封性、透光性、反應(yīng)氣體模型、腔室內(nèi)壓力等多個(gè)方面。目前已有的刻蝕烘烤設(shè)備難以使各方面都符合要求。

發(fā)明內(nèi)容
為了滿足刻蝕烘烤設(shè)備對(duì)于反應(yīng)室的全方位的要求，本發(fā)明提供了一種刻蝕烘烤設(shè)備，該刻蝕烘烤設(shè)備包括:反應(yīng)室組件，反應(yīng)室組件構(gòu)造成用于容納石墨盤(pán)或外延襯底片的反應(yīng)腔；加熱組件，加熱組件設(shè)置在反應(yīng)室組件的外周；以及設(shè)備平臺(tái)，反應(yīng)室組件和加熱組件由該設(shè)備平臺(tái)支承。反應(yīng)室組件特別地包括:反應(yīng)罩，該反應(yīng)罩的頂部設(shè)有通氣管，該反應(yīng)罩的底側(cè)敞開(kāi)；反應(yīng)罩固定座，該反應(yīng)罩固定座固定支承反應(yīng)罩；以及底蓋，該底蓋設(shè)有連通反應(yīng)腔的至少一條尾氣通道，并且底蓋密封連接到固定座上。當(dāng)刻蝕外延襯底片時(shí)，可以把外延襯底片對(duì)應(yīng)放置吸附在石墨盤(pán)上的片槽內(nèi)。根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面，反應(yīng)罩密封地連接到反應(yīng)罩固定座上。較佳地，反應(yīng)罩的下端設(shè)有凸緣部，反應(yīng)罩通過(guò)壓圈接合凸緣部而將反應(yīng)罩固定到反應(yīng)罩固定座上。較佳地，凸緣部和壓圈的接合部中設(shè)有密封件，以實(shí)現(xiàn)反應(yīng)罩與反應(yīng)罩固定座的密封連接。根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)方面，反應(yīng)罩固定座具有面朝上方的第一配合面和面朝下方的第二配合面，第一配合面與反應(yīng)罩的敞開(kāi)的下端的端面配合在一起，第二配合表面與底蓋配合，第二配合表面與底蓋之間設(shè)有密封件。較佳地，第二配合面形成有臺(tái)階部，臺(tái)階部將第二配合面分成兩個(gè)部分，其中第二配合面的一部分與設(shè)備臺(tái)面配合，第二配合面的另一部分與底蓋配合。根據(jù)本發(fā)明的又一個(gè)方面，反應(yīng)罩固定座內(nèi)部設(shè)有水腔，水腔設(shè)有水腔入口和水腔出口，冷卻水從水腔入口通入并從水腔出口通出，從而在水腔內(nèi)循環(huán)。根據(jù)本發(fā)明的又一個(gè)方面，設(shè)備平臺(tái)的下側(cè)面固定有多個(gè)旋轉(zhuǎn)夾緊氣缸，底蓋通過(guò)多個(gè)旋轉(zhuǎn)夾緊氣缸緊固到設(shè)備平臺(tái)下方，根據(jù)本發(fā)明的又一個(gè)方面，尾氣通道的出口設(shè)有單向閥。根據(jù)本發(fā)明的又一個(gè)方面，底蓋上設(shè)有一個(gè)壓力檢測(cè)口，用以檢測(cè)反應(yīng)室組件的內(nèi)部空間中的腔體壓力。根據(jù)本發(fā)明的又一個(gè)方面，刻蝕烘烤設(shè)備包括烤盤(pán)工裝，需被處理的石墨盤(pán)架設(shè)在烤盤(pán)工裝上，烤盤(pán)工裝由底蓋支承。如需對(duì)外延襯底片進(jìn)行清潔處理，可以將外延襯底片放置在石墨盤(pán)上。較佳地，石墨盤(pán)以豎直狀態(tài)安裝在烤盤(pán)工裝上。另外，石墨盤(pán)較佳地為I個(gè)或2個(gè)。根據(jù)本發(fā)明的又一個(gè)方面，反應(yīng)罩的頂部還設(shè)有中間通管，用于插入測(cè)溫?zé)犭娕?。根?jù)本發(fā)明的又一個(gè)方面，反應(yīng)罩的頂部設(shè)有至少一層配流板，該配流板上設(shè)有多個(gè)通孔。較佳地，配流板有兩層，上層的配流板上的通孔與下層的配流板上的通孔位置錯(cuò)開(kāi)。較佳地，底蓋密封連接到反應(yīng)罩固定座上。

在根據(jù)本發(fā)明的刻蝕烘烤設(shè)備的中，通氣管用于通入反應(yīng)氣體，反應(yīng)氣體可包括氯氣或氯化物氣體中的一種或多種。采用本發(fā)明的刻蝕烘烤設(shè)備，反應(yīng)室組件中的氣體可以得到精確控制，反應(yīng)室組件的反應(yīng)腔內(nèi)的溫度可以得到均勻、精確的控制，從而全方位地滿足反應(yīng)腔的技術(shù)要求。


圖1為示出了包含根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的反應(yīng)室的刻蝕烘烤設(shè)備的立體圖，其外部殼體被去除，以示出其內(nèi)部結(jié)構(gòu)；圖2為示出了根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的刻蝕烘烤設(shè)備的反應(yīng)室組件的立體剖視圖；圖3為示出了根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的反應(yīng)罩的頂部結(jié)構(gòu)的示意圖；圖4為示出了根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的反應(yīng)室的剖視圖，其中放置有石墨盤(pán)；以及圖5為示出了根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的反應(yīng)室的底部蓋板結(jié)構(gòu)的立體圖。
具體實(shí)施例方式下面結(jié)合具體實(shí)施例和附圖對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步說(shuō)明，在以下的描述中闡述了更多的細(xì)節(jié)以便于充分理解本發(fā)明，但是本發(fā)明顯然能夠以多種不同于此描述的其它方式來(lái)實(shí)施，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以在不違背本發(fā)明內(nèi)涵的情況下根據(jù)實(shí)際應(yīng)用情況作類(lèi)似推廣、演繹，因此不應(yīng)以此具體實(shí)施例的內(nèi)容限制本發(fā)明的保護(hù)范圍。圖1示出了包含根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的反應(yīng)室組件100的刻蝕烘烤設(shè)備10的立體圖，設(shè)備10的外部殼體被去除，以示出其內(nèi)部結(jié)構(gòu)?？涛g烘烤設(shè)備10包括形成用于容納石墨盤(pán)20或外延襯底片的反應(yīng)腔150的反應(yīng)室組件100和設(shè)置在反應(yīng)室組件100外周的加熱組件200，由此構(gòu)成了刻蝕烘烤設(shè)備10的反應(yīng)爐。通常，外延襯底片對(duì)應(yīng)放置吸附在石墨盤(pán)20上的片槽內(nèi)，同石墨盤(pán)20—同放置在反應(yīng)爐內(nèi)，但這不是限制性的，外延襯底片也可以通過(guò)專(zhuān)用的工裝單獨(dú)放置在反應(yīng)爐內(nèi)。加熱組件200和反應(yīng)室組件100均由設(shè)備平臺(tái)500來(lái)支承，設(shè)備平臺(tái)500是刻蝕烘烤設(shè)備10的支承組件的一部分。加熱組件200包括紅外燈管組件210，紅外燈管組件210可包括第一紅外燈管組件部212和第二紅外燈管組件部(未示出)，它們分別設(shè)置在反應(yīng)室組件100的相對(duì)兩個(gè)側(cè)面的外側(cè)，即反應(yīng)室組件100大致位于兩個(gè)紅外燈管組件部之間。在紅外燈管組件210的加熱作用下，反應(yīng)腔150內(nèi)的最高溫度可達(dá)800攝氏度。在反應(yīng)室組件100的另外兩個(gè)相對(duì)側(cè)面的外側(cè)通常不設(shè)置紅外燈管組件，而是設(shè)有反射板組件300，用于反射由紅外燈管組件發(fā)出的熱量。這樣，兩個(gè)紅外燈管組件部和兩個(gè)反射板組件300所構(gòu)成的加熱組件200將反應(yīng)腔150封圍其中。圖2為示出了根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的刻蝕烘烤設(shè)備10的反應(yīng)室組件100的立體剖視圖。反應(yīng)室組件100包括:反應(yīng)罩110，該反應(yīng)罩110的頂部設(shè)有通氣管111，反應(yīng)罩110的底側(cè)敞開(kāi)；反應(yīng)罩固定座120，反應(yīng)罩固定座120固定支承反應(yīng)罩110 ；以及底蓋140，該底蓋140設(shè)有連通反應(yīng)腔150的至少一條尾氣通道141，并且底蓋140密封連接到固定座120 上。圖3詳細(xì)示出了反應(yīng)罩110的頂側(cè)，通過(guò)設(shè)置在反應(yīng)罩110頂側(cè)的通氣管111，諸如氮?dú)?、氯氣或氯化物之?lèi)反應(yīng)所需的氣體通過(guò)通氣管111輸送到反應(yīng)腔150內(nèi)。較佳地，反應(yīng)罩110的頂部設(shè)有至少一層、較佳地兩層配流板112，配流板112上設(shè)有若干通孔113，用于使通入的氣體散布開(kāi)以均勻地通入反應(yīng)腔150內(nèi)。通孔113的設(shè)置位置、大小、數(shù)量可以根據(jù)需要設(shè)計(jì)而定。較佳地，當(dāng)有兩層配流板112時(shí)，上層配流板112上的通孔113與下層配流板112上的通孔113位置 錯(cuò)開(kāi)。反應(yīng)罩110較佳地由石英材料制成,石英反應(yīng)罩110的各部分可以采用焊接的方式實(shí)現(xiàn)。這樣，在刻蝕烘烤設(shè)備10工作時(shí)，如圖2所示，氯氣或氯化物氣體通過(guò)頂部的通氣管111進(jìn)入，如箭頭所示，氣流將至上而下流經(jīng)豎直設(shè)置在反應(yīng)腔150內(nèi)的烤盤(pán)工裝400上的石墨盤(pán)20 (石墨盤(pán)20通常為兩個(gè)一組設(shè)置)，接著，氣流匯集到底蓋140處，最后從尾氣通道141向外通出。此外，圖示的反應(yīng)罩110頂部還設(shè)有中間通管114，用于使測(cè)溫?zé)犭娕贾苯由烊氲椒磻?yīng)室內(nèi)。如圖2所示，反應(yīng)罩固定座120設(shè)置在刻蝕烘烤設(shè)備10中的設(shè)備平臺(tái)500上，用于固定支承反應(yīng)罩110。為確保反應(yīng)腔密閉，反應(yīng)罩Iio應(yīng)當(dāng)密封連接到反應(yīng)罩固定座120上。作為一種實(shí)施例，反應(yīng)罩110的下端設(shè)有凸緣部115，反應(yīng)罩110通過(guò)壓圈130接合反應(yīng)罩110下端的凸緣部115將反應(yīng)罩110固定到反應(yīng)罩固定座120上，凸緣部115和壓圈130的接合部中設(shè)有密封件160，如O型圈。此外，反應(yīng)罩110的凸緣部115與反應(yīng)罩固定座120的相對(duì)接合部中也可設(shè)置密封件。反應(yīng)罩壓圈130和反應(yīng)罩固定座120可以選用不銹鋼，其中壓圈130的外表面可以設(shè)有用于反射熱量的金屬涂層，例如金。反應(yīng)罩固定座120具有面朝上方的第一配合面122，第一配合面122與反應(yīng)罩110的敞開(kāi)的下端的端面配合在一起。反應(yīng)罩固定座120具有面朝下方的第二配合面123。根據(jù)本發(fā)明的較佳實(shí)施例，第二配合面123形成有臺(tái)階部，臺(tái)階部將第二配合面123分成兩個(gè)部分，其中第二配合面123的一部分與設(shè)備平臺(tái)500配合，第二配合面123的另一部分與底蓋140配合。如圖所示，在底蓋140與第二配合面123之間設(shè)有密封件170，如O型圈，較佳地為同心設(shè)置的兩個(gè)O型圈，以使底蓋140與固定座密封配合在一起，以防反應(yīng)腔內(nèi)的氣體或熱量外泄。此外，為了防止底蓋140與第二配合面123之間的密封件受到高溫影響，較佳地，在固定座內(nèi)部設(shè)有水腔125，水腔125設(shè)有入口 126和出口 127，入口 126和出口 127均可設(shè)置于設(shè)備平臺(tái)500的下方，從圖5中可見(jiàn)，諸如冷卻水之類(lèi)的冷卻劑從入口 126輸入又從出口 127輸出從而在水腔125內(nèi)循環(huán)，從而對(duì)O型圈起到冷卻作用。以下，結(jié)合圖1和圖5對(duì)反應(yīng)室組件100的底蓋140的結(jié)構(gòu)加以說(shuō)明。根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)較佳實(shí)施例，底蓋140包括至少一條尾氣通道141，用于使反應(yīng)腔150中的氣體流出反應(yīng)腔150。尾氣通道141的入口通常設(shè)置在底蓋140與反應(yīng)罩110的敞開(kāi)的底側(cè)相對(duì)應(yīng)的一部分的中間位置。尾氣通道141的出口設(shè)有一個(gè)單向閥180，以排出到相應(yīng)的廠區(qū)廢氣系統(tǒng)(未圖示)中。在本實(shí)施例中，單向閥180安裝在設(shè)備平臺(tái)500上，而尾氣通道141連接到該單向閥180。底蓋140可通過(guò)多個(gè)旋轉(zhuǎn)夾緊氣缸190緊固到設(shè)備平臺(tái)500下方。根據(jù)本發(fā)明的較佳實(shí)施例，旋轉(zhuǎn)夾緊氣缸190設(shè)有三個(gè)，當(dāng)然，其他合理數(shù)量的氣缸也是可行的，例如二個(gè)或四個(gè)等。旋轉(zhuǎn)夾緊氣缸190固定在設(shè)備平臺(tái)的下側(cè)面上，旋轉(zhuǎn)夾緊氣缸190具有卡爪195，當(dāng)旋轉(zhuǎn)夾緊氣缸190和卡爪195縮緊后，卡爪195壓接位于底蓋140上的輔助壓塊142，從而達(dá)到密封的功能，以滿足設(shè)備正常加熱反應(yīng)的需要。輔助壓塊142可使用螺栓連接到底蓋140的適當(dāng)位置，但也可采用其他的連接方式，如焊接等。此外，如圖5所示，底蓋140上設(shè)有一個(gè)壓力檢測(cè)口 146，用以檢測(cè)反應(yīng)室組件100的內(nèi)部空間中的腔體壓力，以保證設(shè)備正常運(yùn)行，特別是當(dāng)使用石英反應(yīng)罩110時(shí)，以防反應(yīng)罩110由于罩內(nèi)外壓差過(guò)大而碎裂。底蓋140的下方較佳地連接有絲桿運(yùn)動(dòng)機(jī)構(gòu)，當(dāng)反應(yīng)完畢后在滿足反應(yīng)室組件100開(kāi)腔需要的情況下，底蓋140通過(guò)絲桿運(yùn)動(dòng)機(jī)構(gòu)向下運(yùn)動(dòng)到預(yù)定位置。圖1所示，安裝有石墨盤(pán)20的烤盤(pán)工裝400 (烤盤(pán)托架)是由底蓋140支承的。當(dāng)?shù)咨w140通過(guò)絲桿運(yùn)動(dòng)機(jī)構(gòu)向下運(yùn)動(dòng)時(shí)，烤盤(pán)工裝400連同安裝在烤盤(pán)工裝400上的石墨盤(pán)20隨著底蓋140 —起向下運(yùn)動(dòng)，以取出石墨盤(pán)20。反之，當(dāng)需要進(jìn)行石墨盤(pán)20的烘烤過(guò)程時(shí)，將烤盤(pán)工裝400連同安裝在烤盤(pán)工裝400上的石墨盤(pán)20放置到底蓋140上，通過(guò)絲桿運(yùn)動(dòng)機(jī)構(gòu)向上運(yùn)動(dòng)提升石墨盤(pán)20，當(dāng)?shù)咨w140接觸到設(shè)備臺(tái)面之后，再使旋轉(zhuǎn)夾緊氣缸190和卡爪195縮緊，使卡爪195壓緊到輔助壓塊142上，從而使底蓋140密封接合到設(shè)備臺(tái)面下側(cè)，使反應(yīng)腔150閉合，與此同時(shí)單向閥180被頂開(kāi)，隨后即可輸入氣體烘烤設(shè)備開(kāi)始操作。如需刻蝕外延襯底片時(shí)，需要把外延襯底片對(duì)應(yīng)放置吸附在石墨盤(pán)上的片槽內(nèi)，其他操作和實(shí)施動(dòng)作相同。由此，本發(fā)明提供一種新的專(zhuān)用的刻蝕烘烤設(shè)備，該設(shè)備是利用氯氣或氣體氯化物，在一定溫度的條件(刻蝕最高溫度800度以內(nèi))下對(duì)石墨盤(pán)或外延襯底片進(jìn)行刻蝕反應(yīng)，并最終達(dá)到對(duì)石墨盤(pán)表面進(jìn)行有效的清潔和對(duì)外延襯底片表面的不良外延層進(jìn)行有效刻蝕、清潔的功用。該氯氣刻蝕 設(shè)備單爐次時(shí)間比較短，可以控制在3小時(shí)以內(nèi)完成；同時(shí)因設(shè)備尺寸和外形比較小，合理的節(jié)省了在凈化車(chē)間對(duì)應(yīng)的安裝和使用空間。該氯氣刻蝕烘烤設(shè)備是通過(guò)在一定溫度條件下的化學(xué)反應(yīng)的方式來(lái)分解氮化鎵殘留物，運(yùn)行后的產(chǎn)物粉塵顆粒少，同時(shí)會(huì)通過(guò)尾氣排放結(jié)構(gòu)及時(shí)排出反應(yīng)爐內(nèi)，所以可以保證多爐次重復(fù)運(yùn)行，減少設(shè)備維護(hù)和清潔的頻率，保證設(shè)備具有比較高的使用效率。 本發(fā)明雖然以較佳實(shí)施例公開(kāi)如上，但其并不是用來(lái)限定本發(fā)明，任何本領(lǐng)域技術(shù)人員在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，都可以做出可能的變動(dòng)和修改。因此，凡是未脫離本發(fā)明技術(shù)方案的內(nèi)容，依 據(jù)本發(fā)明的技術(shù)實(shí)質(zhì)對(duì)以上實(shí)施例所作的任何修改。
權(quán)利要求
1.一種刻蝕烘烤設(shè)備(10)，所述刻蝕烘烤設(shè)備(10)包括: 反應(yīng)室組件(100)，所述反應(yīng)室組件(100)形成用于容納石墨盤(pán)(20)或外延襯底片的反應(yīng)腔(150)， 加熱組件(200)，所述加熱組件(200)設(shè)置在所述反應(yīng)室組件(100)的外周；以及 設(shè)備平臺(tái)(500)，所述反應(yīng)室組件(100)和所述加熱組件(200)由該設(shè)備平臺(tái)(500)支承； 其特征在于，所述反應(yīng)室組件(100)包括: 反應(yīng)罩(110 )，所述反應(yīng)罩(110)的頂部設(shè)有通氣管(111 )，所述反應(yīng)罩(110)的底側(cè)敞開(kāi)； 反應(yīng)罩固定座(120)，所述反應(yīng)罩固定座(120)固定支承所述反應(yīng)罩(110);以及 底蓋(140)，所述底蓋(140 )設(shè)有連通所述反應(yīng)腔(150)的至少一條尾氣通道(141)。
2.如權(quán)利要求1所述的刻蝕烘烤設(shè)備(10)，其特征在于，所述反應(yīng)罩(110)密封連接到所述反應(yīng)罩固定座(120)上。
3.如權(quán)利要求2所述的刻蝕烘烤設(shè)備(10)，其特征在于，所述反應(yīng)罩(110)的下端設(shè)有凸緣部(115)，所述反應(yīng)罩(110)通過(guò)壓圈(130)接合所述凸緣部(115)而將所述反應(yīng)罩(110)固定到所述反應(yīng)罩固定座(120)上，所述凸緣部(115)和壓圈(130)的接合部中設(shè)有密封件，以實(shí)現(xiàn)所述反應(yīng)罩(110)與所述反應(yīng)罩固定座(120)的密封連接。
4.如權(quán)利要求1所述的刻蝕烘烤設(shè)備(10)，其特征在于，所述反應(yīng)罩固定座(120)具有面朝上方的第一配合面(1 22)和面朝下方的第二配合面(123)，所述第一配合面(122)與反應(yīng)罩(110)的敞開(kāi)的下端的端面配合在一起，所述第二配合表面與底蓋(140)配合，所述第二配合表面與底蓋(140)之間設(shè)有密封件。
5.如權(quán)利要求4所述的刻蝕烘烤設(shè)備(10)，其特征在于，第二配合面(123)形成有臺(tái)階部，臺(tái)階部將第二配合面(123)分成兩個(gè)部分，其中第二配合面(123)的一部分與設(shè)備臺(tái)面配合，第二配合面(123)的另一部分與底蓋(140)配合。
6.如權(quán)利要求1所述的刻蝕烘烤設(shè)備(10)，其特征在于，所述反應(yīng)罩固定座(120)內(nèi)部設(shè)有水腔(125)，水腔(125)設(shè)有水腔入口( 126)和水腔出口( 127)，冷卻劑從所述水腔入口通入并從所述水腔出口通出，從而在所述水腔(125 )內(nèi)循環(huán)。
7.如權(quán)利要求1所述的刻蝕烘烤設(shè)備(10)，其特征在于，所述設(shè)備平臺(tái)的下側(cè)面固定有多個(gè)旋轉(zhuǎn)夾緊氣缸(190)，所述底蓋(140)通過(guò)多個(gè)所述旋轉(zhuǎn)夾緊氣缸(190)緊固到所述設(shè)備平臺(tái)下方。
8.如權(quán)利要求1所述的刻蝕烘烤設(shè)備(10)，其特征在于，所述尾氣通道(141)的出口設(shè)有單向閥(180)。
9.如權(quán)利要求1所述的刻蝕烘烤設(shè)備(10)，其特征在于，所述底蓋(140)上設(shè)有一個(gè)壓力檢測(cè)口( 146 )，用以檢測(cè)反應(yīng)室組件(100 )的內(nèi)部空間中的腔體壓力。
10.如權(quán)利要求1所述的刻蝕烘烤設(shè)備(10)，其特征在于，所述刻蝕烘烤設(shè)備(10)包括烤盤(pán)工裝(400)，需被處理的石墨盤(pán)(20)架設(shè)在烤盤(pán)工裝(400)上，所述烤盤(pán)工裝(400)由所述底蓋(140)支承。
11.如權(quán)利要求10所述的刻蝕烘烤設(shè)備(10)，其特征在于，所述石墨盤(pán)(20)上放置有外延襯底片。
12.如權(quán)利要求10或11所述的刻蝕烘烤設(shè)備(10)，其特征在于，所述石墨盤(pán)(20)以豎直狀態(tài)安裝在烤盤(pán)工裝(400)上。
13.如權(quán)利要求10或11所述的刻蝕烘烤設(shè)備(10)，其特征在于，所述石墨盤(pán)為I個(gè)或2個(gè)。
14.如權(quán)利要求1的刻蝕烘烤設(shè)備(10)，其特征在于，所述反應(yīng)罩(110)的頂部還設(shè)有中間通管(114)，用于插入測(cè)溫?zé)犭娕肌?br> 15.如權(quán)利要求1 的刻蝕烘烤設(shè)備(10)，其特征在于，所述反應(yīng)罩的頂部設(shè)有至少一層配流板(112)，配流板(112 )上設(shè)有多個(gè)通孔(113 )。
16.如權(quán)利要求15所述的刻蝕烘烤設(shè)備(10)，其特征在于，所述配流板(112)有兩層，上層的所述配流板(112)上的所述通孔(113)與下層的所述配流板(112)上的所述通孔(113)位置錯(cuò)開(kāi)。
17.如權(quán)利要求1所述的刻蝕烘烤設(shè)備(10)，其特征在于，所述底蓋(140)密封連接到所述反應(yīng)罩固定座(120)上。
18.如權(quán)利要求1所述的刻蝕烘烤設(shè)備(10)，其特征在于，所述通氣管(111)用于通入反應(yīng)氣體，所述反應(yīng)氣體包括氯氣和氯化物氣體中的一種或多種。
全文摘要
本發(fā)明提供了一種刻蝕烘烤設(shè)備，該刻蝕烘烤設(shè)備包括反應(yīng)室組件，反應(yīng)室組件構(gòu)造成用于容納石墨盤(pán)的反應(yīng)腔；加熱組件，加熱組件設(shè)置在反應(yīng)室組件的外周；以及設(shè)備平臺(tái)，反應(yīng)室組件和加熱組件由該設(shè)備平臺(tái)支承。反應(yīng)室組件特別地包括反應(yīng)罩，該反應(yīng)罩的頂側(cè)設(shè)有通氣管，該反應(yīng)罩的底側(cè)敞開(kāi)；反應(yīng)罩固定座，該反應(yīng)罩固定座固定支承反應(yīng)罩；以及底蓋，該底蓋設(shè)有連通反應(yīng)腔的尾氣通道，并且底蓋密封連接到固定座上。采用本發(fā)明的反應(yīng)室結(jié)構(gòu)，可以滿足刻蝕烘烤設(shè)備對(duì)于反應(yīng)室的全方位的要求。
文檔編號(hào)C23C16/44GK103074600SQ20131003782
公開(kāi)日2013年5月1日 申請(qǐng)日期2013年1月29日 優(yōu)先權(quán)日2013年1月29日
發(fā)明者徐小明, 周永君, 丁云鑫 申請(qǐng)人:杭州士蘭明芯科技有限公司