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      液晶面板研磨方法

      文檔序號:3297473閱讀:556來源:國知局
      液晶面板研磨方法
      【專利摘要】提供可減少大型液晶面板缺損或破損的發(fā)生,進而大幅抑制與凹坑的產(chǎn)生相伴的顯示不良的液晶面板研磨方法。液晶面板研磨方法的特征在于,具有對在形成有薄膜晶體管層的第一玻璃基板與形成有濾色器層的第二玻璃基板之間夾持液晶構(gòu)件而成的液晶面板的表面實施化學(xué)研磨的化學(xué)研磨工序,其中,具有:上述化學(xué)研磨工序前進行上述液晶面板的上述第一及第二玻璃基板的倒角的倒角工序;以上述化學(xué)研磨工序后的上述第一玻璃基板表面存在的凹坑的平均直徑為200μm以下的方式進行上述第一玻璃基板的機械研磨的第一玻璃基板機械研磨工序;除去上述液晶面板表面的殘渣的第一殘渣處理工序;及上述化學(xué)研磨工序后除去化學(xué)研磨工序中產(chǎn)生的反應(yīng)產(chǎn)物的反應(yīng)產(chǎn)物除去工序。
      【專利說明】液晶面板研磨方法
      【技術(shù)領(lǐng)域】
      [0001]本發(fā)明涉及液晶面板研磨方法。
      【背景技術(shù)】
      [0002]近年來,作為便攜電話、便攜游戲機、便攜終端機器等的顯示用顯示器,根據(jù)各種用途而正使用液晶顯示器(以下表述為IXD)。
      [0003]在這些LCD中,尤其是薄膜晶體管(以下表述為TFT)型LCD,由于顯示是高精細(xì)的,因而在被廣泛地使用。
      [0004]就該TFT型LCD而言,使用的是下述結(jié)構(gòu)的液晶面板:通過形成有TFT層的玻璃基板和形成有濾色器(以下表述為CF)層的玻璃基板來夾著包括間隔件的液晶構(gòu)件,并進行層疊、密封而成的結(jié)構(gòu)的液晶面板。
      [0005]另一方面,就該TFT型IXD而言,近年來由于用于便攜型終端機器等,因而提高了薄型化的要求。而且,對于該TFT型IXD的薄型化來說,能夠通過使TFT型IXD所使用的作為液晶面板的主要材料的玻璃基板變薄,從而實現(xiàn)TFT型LCD整體的薄型化。
      [0006]作為實現(xiàn)液晶面板所使用的玻璃基板的薄型化的方法,一般來說,進行的是將液晶面板整體或單面浸潰在氫氟酸等研磨液中而對玻璃基板表面進行研磨的化學(xué)研磨法。
      [0007]但是,就這種基于浸潰的化學(xué)研磨法而言,有時在研磨后的玻璃基板表面產(chǎn)生凹坑、反應(yīng)產(chǎn)物。
      [0008]凹坑是在化學(xué)研磨后的玻璃基板表面顯現(xiàn)為點狀或排狀的洼坑,并且在化學(xué)研磨之前存在于玻璃基板表面的幾十μm左右的傷痕或微細(xì)孔因化學(xué)研磨而擴大,進而作為洼坑而被檢測出。
      [0009]另外,反應(yīng)產(chǎn)物是玻璃基板的材料所含的成分與化學(xué)研磨液發(fā)生反應(yīng)而產(chǎn)生的產(chǎn)物、溶解在化學(xué)研磨液中的成分,并且其固粘于玻璃表面。
      [0010]而且,在使用這樣的產(chǎn)生有凹坑或固粘有反應(yīng)產(chǎn)物的液晶面板來制造TFT型IXD的情況下,有時會產(chǎn)生下述不良情況:產(chǎn)生因凹坑造成的被稱作亮點的顯示不良、或反應(yīng)產(chǎn)物發(fā)生固粘而導(dǎo)致膜特性降低所引起的顯示不良、觸摸面板不良等。
      [0011]截至目前,作為消除該凹坑的方法,為了預(yù)先消滅作為凹坑的原因的傷痕或微細(xì)孔,而提出了對化學(xué)研磨前的玻璃基板表面實施機械研磨的方法(例如參照專利文獻I)。
      [0012]但是,該方法僅以抑制凹坑為目的,而不以抑制因化學(xué)研磨而產(chǎn)生的反應(yīng)產(chǎn)物的固粘為目的,因此,尚不能夠解決因反應(yīng)產(chǎn)物所引起的顯示不良、觸摸面板不良。
      [0013]另一方面,就液晶面板而言,現(xiàn)在一般將由G (generation)表示的規(guī)格的G5(1200mmX 1000mm)程度的大型尺寸的液晶面板切斷,從而形成最終產(chǎn)品的畫面尺寸。
      [0014]在這樣的現(xiàn)狀下,在制造現(xiàn)場在處置大型液晶面板時,有時會發(fā)生液晶面板側(cè)面的缺損、液晶面板自身的破損。而且,這樣的液晶面板的缺損、破損成為導(dǎo)致合格率降低、制造成本上升的原因。
      [0015]需要說明的是,在現(xiàn)有的液晶面板的制造現(xiàn)場中,尚未考慮到應(yīng)對處置上述的G5程度的大型液晶面板時的缺損、破損的發(fā)生的策略。
      [0016]現(xiàn)有技術(shù)文獻
      [0017]專利文獻
      [0018]專利文獻1:日本特開2003-15111號公報
      【發(fā)明內(nèi)容】

      [0019]發(fā)明所要解決的課題
      [0020]本發(fā)明的課題在于提供下述的液晶面板研磨方法,該液晶面板研磨方法能夠消除如上所述的背景所述的以往的問題,減少大型液晶面板的缺損、破損的發(fā)生,進而大幅地抑制與凹坑的產(chǎn)生以及反應(yīng)產(chǎn)物的固粘相伴的顯示不良等不良情況。
      [0021]用于解決課題的手段
      [0022]S卩,本發(fā)明的液晶面板研磨方法具有以下的特征。
      [0023]第一發(fā)明,一種液晶面板研磨方法,其特征在于,其具有對在形成有TFT層的第一玻璃基板與形成有濾色器層的第二玻璃基板之間夾持液晶構(gòu)件而成的液晶面板的表面實施化學(xué)研磨的化學(xué)研磨工序,
      [0024]其中,該方法還具有如下工序:
      [0025]倒角工序,在上述化學(xué)研磨工序之前進行上述液晶面板的上述第一玻璃基板及第二玻璃基板的倒角的工序;
      [0026]第一玻璃基板機械研磨工序,以在上述化學(xué)研磨工序后的上述第一玻璃基板表面存在的凹坑的平均直徑成為200 μ m以下的方式進行上述第一玻璃基板的機械研磨的工序;
      [0027]第一殘渣處理工序,除去上述液晶面板表面的殘渣的工序;以及
      [0028]反應(yīng)產(chǎn)物除去工序,在上述化學(xué)研磨工序后除去在化學(xué)研磨工序中所產(chǎn)生的反應(yīng)產(chǎn)物的工序。
      [0029]第二發(fā)明,上述第一發(fā)明的液晶面板研磨方法,其特征在于,其具有如下工序:
      [0030]第二玻璃基板機械研磨工序,以在上述化學(xué)研磨工序后的上述第二玻璃基板表面存在的凹坑的平均直徑成為50 μ m以下的方式進行上述第二玻璃基板的機械研磨的工序,以及
      [0031]第二殘渣處理工序,將上述液晶面板表面的殘渣及在上述化學(xué)研磨工序中所產(chǎn)生的反應(yīng)產(chǎn)物除去的工序。
      [0032]發(fā)明效果
      [0033]根據(jù)上述第一發(fā)明,可提供下述的液晶面板研磨方法,所述液晶面板研磨方法通過設(shè)置以下工序,從而能夠降低大型液晶面板的缺損、破損的發(fā)生,大幅地抑制與凹坑的發(fā)生相伴的顯示不良,將因化學(xué)研磨工序而固粘在液晶面板表面的反應(yīng)產(chǎn)物除去,所述工序如下所述:在化學(xué)研磨工序之前進行液晶面板的上述第一玻璃基板及第二玻璃基板的倒角的倒角工序;以在化學(xué)研磨工序后的上述第一玻璃基板表面存在的凹坑的平均直徑成為200 μ m以下的方式進行第一玻璃基板的機械研磨的第一玻璃基板機械研磨工序;和將液晶面板表面的殘渣除去的第一殘渣處理工序;并在化學(xué)研磨工序后設(shè)置反應(yīng)產(chǎn)物除去工序。[0034]根據(jù)上述第二發(fā)明,可提供下述的液晶面板研磨方法,所述液晶面板研磨方法通過設(shè)置以在化學(xué)研磨工序后的第二玻璃基板表面存在的凹坑的平均直徑成為50 μ m以下的方式進行上述第二玻璃基板的機械研磨的第二玻璃基板機械研磨工序、以及將上述液晶面板表面的殘渣及在化學(xué)研磨工序中所產(chǎn)生的反應(yīng)產(chǎn)物除去的第二殘渣處理工序,從而能夠在上述第一發(fā)明的效果的基礎(chǔ)上,進一步抑制與凹坑的產(chǎn)生相伴的顯示不良。
      【專利附圖】

      【附圖說明】
      [0035]圖1是表示液晶面板的結(jié)構(gòu)的剖面簡圖。
      [0036]圖2是表示本發(fā)明的液晶面板研磨方法的一種實施方式的流程圖。
      [0037]圖3是表示本發(fā)明的液晶面板研磨方法的其他實施方式的流程圖。
      [0038]圖4的(a)是表示從上面所看到的角部的研磨形狀的簡圖,圖4的(b)是表示從側(cè)面所看到的側(cè)面部的研磨狀態(tài)的簡圖。
      [0039]符號說明
      [0040]1:第一玻璃基板
      [0041]11:TFT 層
      [0042]12:表面
      [0043]2:第二玻璃基板
      [0044]21:CF 層
      [0045]22:表面
      [0046]3:液晶構(gòu)件
      [0047]31:間隔件
      [0048]4:密封材料
      [0049]S1:倒角工序
      [0050]S2:第一玻璃基板機械研磨工序
      [0051]S3:第一殘渣處理工序
      [0052]S4:化學(xué)研磨工序
      [0053]S5:反應(yīng)產(chǎn)物除去工序
      [0054]S6:第二玻璃基板機械研磨工序
      [0055]S7:第二殘渣處理工序
      【具體實施方式】
      [0056]本發(fā)明的液晶面板研磨方法是進行如圖1所示的結(jié)構(gòu)的液晶面板表面的研磨的液晶面板研磨方法。
      [0057]該液晶面板為通過第一玻璃基板I和第二玻璃基板2來夾持液晶構(gòu)件3及間隔件31,并利用密封材料4將邊緣部密封而成的結(jié)構(gòu)。
      [0058]第一玻璃基板I在液晶構(gòu)件3側(cè)形成有TFT層11,另外,第二玻璃基板2在液晶構(gòu)件3側(cè)形成有CF層21。
      [0059]本發(fā)明的液晶面板研磨方法是涉及對液晶面板的表面、即、玻璃基板的未形成有TFT層11、CF層21的表面12、22側(cè)進行研磨的方法。[0060]以下,對于本發(fā)明的液晶面板研磨方法,使用流程圖詳細(xì)進行說明。圖2是表示本發(fā)明的液晶面板研磨方法的一種實施方式的流程圖。
      [0061]就該實施方式的液晶面板研磨方法而言,具有倒角工序(SI)、第一玻璃基板機械研磨工序(S2)、第一殘渣處理工序(S3)、化學(xué)研磨工序(S4)、反應(yīng)產(chǎn)物除去工序(S5)的工序。
      [0062]能夠很好地與本發(fā)明的液晶面板研磨方法相適應(yīng)的液晶面板的尺寸一般為由G(generation)表示的規(guī)格的、被制成大型液晶面板的G5 (1200mmX 1000mm)程度的尺寸。
      [0063]就G5程度的尺寸的液晶面板而言,通常非常難以抑制與凹坑的產(chǎn)生、反應(yīng)產(chǎn)物的附著相伴的顯示不良等,另外,與研磨工序等中的缺損、裂紋的產(chǎn)生相伴的損害大。
      [0064]因此,以下所說明的從本發(fā)明的液晶面板研磨方法的倒角工序(SI)至反應(yīng)產(chǎn)物除去工序(S5)這一系列工序是很重要的,通過這些工序,能夠合格率良好地制造高品質(zhì)的液晶面板。
      [0065]〈倒角工序(SI)〉
      [0066]就本發(fā)明的液晶面板研磨方法而言,首先,通過倒角工序(SI)進行液晶面板的角部及側(cè)面部的邊緣部的倒角。
      [0067]作為倒角的條件,只要為不對最終產(chǎn)品的LCD的功能帶來影響的范圍,就沒有特別限制,可以通過設(shè)置于液晶面板的運送路徑的中間部的研磨裝置對液晶面板的角部及邊緣部進行研磨。
      [0068]角部的研磨例如使用金剛石粒度#300?600的金屬結(jié)合劑的旋轉(zhuǎn)磨具,按照圖4的(a)所示的切割形狀,以成為IC?5C或IR?5R的方式來進行研磨(C及R依據(jù)JISB001:2010)。
      [0069]另外,側(cè)面部的倒角例如使用金剛石粒度#300?600的金屬結(jié)合劑的旋轉(zhuǎn)磨具,按照圖4的(b)所示的切割形狀,以倒角寬成為0.1mm以上、面形狀成為C或R的方式進行研磨(C 及 R 依據(jù) JISB001:2010)。
      [0070]上述角部及側(cè)面部的研磨是在運送液晶面板的同時利用研磨裝置來進行的,而運送條件及研磨裝置的運轉(zhuǎn)條件可以分別根據(jù)所導(dǎo)入的液晶面板的尺寸、材質(zhì)等來適當(dāng)?shù)卦O(shè)定。
      [0071]通過進行基于上述條件的液晶面板的倒角,從而能夠飛躍地提高角部及側(cè)面部對于機械性沖擊的強度,能夠大幅地減少在這之后的各工序中的液晶面板的缺損、破損。
      [0072]另外,就該倒角工序而言,通過倒角后的清洗干燥工序?qū)⒀心ゲAХ邸⒉AЩ灞砻娴奈酃盖逑闯?,進行干燥。
      [0073]作為清洗、干燥的條件,只要是能夠?qū)⒀心ゲAХ邸⒉AЩ灞砻娴奈酃赋サ臈l件,就沒有特別限制,清洗例如可通過在對液晶面板進行運送的同時,使用材質(zhì)為尼龍等的圓盤刷和材質(zhì)為尼龍等的輥刷,利用水來對液晶面板的上下面進行清洗。
      [0074]另外,干燥例如可使用材質(zhì)為PVA(聚乙烯醇)海綿等的脫水輥及氣刀、溫風(fēng)干燥機等來進行。
      [0075]<第一玻璃基板機械研磨工序(S2) >
      [0076]接下來,進行對形成有TFT層的第一玻璃基板表面進行機械研磨的第一玻璃基板機械研磨工序(S2)。[0077]在第一玻璃基板機械研磨工序(S2)中所使用的研磨機可適于使用利用研磨墊及研磨材料來進行研磨的通常公知的自動機械研磨機,例如可使用材質(zhì)為發(fā)泡聚氨酯等的研磨墊及材質(zhì)為氧化鈰等的研磨材料來進行研磨。
      [0078]通過將第一玻璃基板機械研磨工序(S2)在后述的化學(xué)研磨工序(S4)之前進行,將預(yù)先形成有TFT層的第一玻璃基板表面的傷痕或微細(xì)孔事先削掉,從而能夠?qū)⒃诨瘜W(xué)研磨工序后的第一玻璃基板表面存在的凹坑的平均直徑抑制為200 μ m以下、優(yōu)選抑制為50μπι以下。需要說明的是,本發(fā)明的凹坑的平均直徑是指凹坑的直徑。
      [0079]在本發(fā)明的液晶面板研磨方法中的第一玻璃基板機械研磨工序中,作為對形成有TFT層的第一玻璃基板表面進行研磨的理由,是由于下述理由:與凹坑的產(chǎn)生相伴的顯示不良大多是由在形成有TFT層的第一玻璃基板表面產(chǎn)生的凹坑所造成的。
      [0080]這是由于考慮到下述情況:形成有TFT層的第一玻璃基板成為背光側(cè),因此,例如形成有TFT層的第一玻璃基板表面的凹坑發(fā)揮凹透鏡的作用,在該凹坑中來自背光的光發(fā)生漫反射而進行擴散,造成亮點等顯示不良。
      [0081]因而,對本發(fā)明中的形成有TFT層的第一玻璃基板表面進行機械研磨的第一玻璃基板機械研磨工序(S2)是特別重要的工序。
      [0082]<第一殘渣處理工序(S3) >
      [0083]就本發(fā)明的液晶面板研磨方法而言,在第一玻璃基板機械研磨工序(S2)之后進行第一殘渣處理工序(S3)。
      [0084]該第一殘渣處理工序(S3)是包括研磨后的研磨玻璃粉或研磨材料的除去、以及用于防止在第二玻璃基板表面所產(chǎn)生的研磨材料的固粘的擦洗處理、和清洗、干燥處理的工序。
      [0085]擦洗處理的條件只要能夠?qū)⒀心ゲAХ邸⒀心ゲ牧铣?,就沒有特別限定,例如可使用碳酸鈣或氧化鈰等作為研磨材料,使用材質(zhì)為PVA(聚乙烯醇)等的圓盤海綿來對液晶面板的上下面進行處理。
      [0086]另外,清洗例如可使用材質(zhì)為尼龍等的輥刷,利用水來進行。
      [0087]另外,干燥例如可使用材質(zhì)為PVA(聚乙烯醇)海綿等的脫水輥及氣刀、溫風(fēng)干燥機等來進行。
      [0088]通過進行該第一殘渣處理工序(S3),從而能夠制成在液晶面板的TFT側(cè)表面沒有成為產(chǎn)生凹坑的原因的傷痕或微細(xì)孔、以及與研磨相伴的殘渣的潔凈的液晶面板。
      [0089]<化學(xué)研磨工序(S4) >
      [0090]接下來,進行化學(xué)研磨工序(S4)。該化學(xué)研磨工序(S4)可通過用于使液晶面板變薄而通常實施的化學(xué)研磨法來進行。
      [0091]就該化學(xué)研磨方法而言,將液晶面板整體浸潰在研磨液中,進行第一玻璃基板表面及第二玻璃基板表面的研磨。作為研磨液,可舉出通常在化學(xué)研磨中所使用的氫氟酸等,研磨條件可考慮到最終的液晶面板的厚度而適當(dāng)?shù)卦O(shè)定。
      [0092]另外,在化學(xué)研磨后進行以研磨液的除去為目的的清洗及干燥工序。
      [0093]〈反應(yīng)產(chǎn)物除去工序(S5)>
      [0094]接下來,就本發(fā)明的液晶面板的研磨方法而言,以將在化學(xué)研磨工序(S4)中產(chǎn)生而固粘了的反應(yīng)產(chǎn)物除去為目的,進行反應(yīng)產(chǎn)物除去工序(S5)。[0095]在化學(xué)研磨工序中產(chǎn)生的反應(yīng)產(chǎn)物通常為在化學(xué)研磨中用作研磨液的氫氟酸與被研磨液加以研磨的液晶面板的材料成分進行反應(yīng)而生成的物質(zhì)。
      [0096]作為反應(yīng)產(chǎn)物的原因的液晶面板的材料成分除了玻璃組成中所含的Al、Ca、Mg、Sr等物質(zhì)以外,還為液晶面板的邊緣部的密封材料、基板、玻璃與基板之間的膠粘劑成分等,作為具體的反應(yīng)產(chǎn)物,例如可舉出氟化鋁(AlF3)、氟化鎂(MgF2)、氟化鈣(CaF2)、氟化硅(SiF4)等無機氟化物,無機、有機復(fù)合物等。另外,還包含在研磨液中溶解的硅(Si)等再固粘在玻璃基板上這種情況。
      [0097]這些固粘在玻璃基板表面的反應(yīng)產(chǎn)物成為顯不不良、觸摸面板不良的原因。
      [0098]該反應(yīng)產(chǎn)物除去工序(S5)是針對第一玻璃基板及第二玻璃基板的兩表面進行的工序。
      [0099]作為反應(yīng)產(chǎn)物除去工序(S5)的條件,只要能夠?qū)⒎磻?yīng)產(chǎn)物完全除去,就沒有特別限制,擦洗處理例如使用碳酸鈣或氧化鈰等作為研磨材料,使用材質(zhì)為PVA (聚乙烯醇)等的圓盤海綿來進行。
      [0100]另外,清洗例如可使用材質(zhì)為尼龍等的輥刷,利用水來進行。
      [0101]另外,干燥例如可使用材質(zhì)為PVA(聚乙烯醇)海綿等的脫水輥及氣刀、溫風(fēng)干燥機等來進行。
      [0102]通過進行該反應(yīng)產(chǎn)物除去工序(S5),從而能夠制造在液晶面板整體上沒有凹坑的、潔凈的液晶面板。
      [0103]接下來,使用圖3的流程圖對本發(fā)明的液晶面板研磨方法的其他實施方式詳細(xì)地進行說明。
      [0104]就該實施方式的液晶面板研磨方法而言,具有倒角工序(SI)、第一玻璃基板機械研磨工序(S2)、第一殘渣處理工序(S3)、化學(xué)研磨工序(S4)、第二玻璃基板機械研磨工序
      (S6)、第二殘渣處理工序(S7)。
      [0105]在該實施方式中,從倒角工序(SI)至化學(xué)研磨工序(S4)的各工序是與先前說明的圖2所示的實施方式的從倒角工序(SI)至化學(xué)研磨工序(S4)的工序相同的工序,因此,省略其說明。
      [0106]<第二玻璃基板機械研磨工序(S6) >
      [0107]就本發(fā)明的液晶面板研磨方法而言,以除去在液晶面板的形成有CF層的第二玻璃基板表面有可能產(chǎn)生的凹坑為目的,可進行第二玻璃基板機械研磨工序(S6)。
      [0108]在該第二玻璃基板機械研磨工序(S6)中,可適當(dāng)?shù)厥褂门c在第一玻璃基板機械研磨工序(S2)中所使用的研磨機相同的自動機械研磨機來進行。作為研磨條件,例如可使用材質(zhì)為發(fā)泡聚氨酯等的研磨墊、及材質(zhì)為氧化鈰等的研磨材料來進行。
      [0109]如上所述,通過在化學(xué)研磨工序(S4)之后進行第二玻璃基板機械研磨工序(S6),從而能夠?qū)⒃诨瘜W(xué)研磨工序后的第二玻璃基板表面存在的凹坑的平均直徑抑制為50 μ m以下、優(yōu)選抑制為30 μ m以下。
      [0110]<第二殘渣處理工序(S7) >
      [0111]就本發(fā)明的液晶面板研磨方法而言,在第二玻璃基板機械研磨工序(S6)之后進行第二殘渣處理工序(S7)。
      [0112]該第二殘渣處理工序(S7)包括以除去由第二玻璃基板機械研磨工序(S6)所產(chǎn)生的研磨后的研磨玻璃粉或研磨材料、并且除去在化學(xué)研磨工序(S4)中產(chǎn)生而固粘了的反應(yīng)產(chǎn)物為目的的反應(yīng)產(chǎn)物除去工序,該第二殘渣處理工序(S7)是包括擦洗處理、和清洗、干燥處理的工序。
      [0113]該第二殘渣處理工序(S7)是針對第一玻璃基板及第二玻璃基板的兩表面進行的工序。
      [0114]擦洗處理只要能夠除去研磨玻璃粉、研磨材料及反應(yīng)產(chǎn)物,就沒有特別限制,例如可使用碳酸鈣或氧化鈰等作為研磨材料,使用材質(zhì)為PVA(聚乙烯醇)等的盤形海綿來進行。
      [0115]另外,清洗例如可使用材質(zhì)為尼龍等的輥刷,利用水來進行。
      [0116]另外,干燥例如可使用材質(zhì)為PVA(聚乙烯醇)海綿等的脫水輥及氣刀、溫風(fēng)干燥機等來進行。
      [0117]通過進行該第二殘渣處理工序(S7),從而能夠?qū)⒀心ゲAХ邸⒀心ゲ牧霞胺磻?yīng)產(chǎn)物除去,能夠制造在液晶面板表面沒有殘渣的、潔凈的液晶面板。
      [0118]以上,基于實施方式對本發(fā)明的液晶面板研磨方法進行了說明,但本發(fā)明并不受上述實施方式的任何限定,在不脫離其主旨的范圍內(nèi)能夠進行各種改變。
      [0119]例如,在上述的實施方式中,在第一玻璃基板機械研磨工序(S2)中,僅對形成有TFT層的第一玻璃基板表面進行了機械研磨,但是在該工序中也可以對形成有TFT層的第一玻璃基板表面和形成有CF層的第二玻璃基板表面同時地、或每一面分別地進行機械研磨。
      [0120]例如,通過在化學(xué)研磨工序(S4)之后進行倒角工序(SI),從而能夠提高因化學(xué)研磨工序(S4)而被損害的液晶面板的角部以及側(cè)面部的強度。
      [0121]另外,在上述的實施方式中,雖然對能夠很好地與本發(fā)明的液晶面板研磨方法相適應(yīng)的液晶面板以G5(1200mmX 1000mm)程度的尺寸的形式進行了說明,但是當(dāng)然還能夠適應(yīng)G5以下的面板尺寸(Gl (400mm X 300mm)至G4.5 (920mm X 730mm)的液晶面板,另外,對于G5.5 (1500mmX 1300mm)以上的尺寸而言也能夠適應(yīng)。
      【權(quán)利要求】
      1.一種液晶面板研磨方法,其特征在于,其具有對在形成有薄膜晶體管層的第一玻璃基板與形成有濾色器層的第二玻璃基板之間夾持液晶構(gòu)件而成的液晶面板的表面實施化學(xué)研磨的化學(xué)研磨工序,其中, 該液晶面板研磨方法還具有如下工序: 倒角工序,在所述化學(xué)研磨工序之前,進行所述液晶面板的所述第一玻璃基板及第二玻璃基板的倒角的工序; 第一玻璃基板機械研磨工序,以在所述化學(xué)研磨工序后的所述第一玻璃基板表面存在的凹坑的平均直徑成為200 μ m以下的方式進行所述第一玻璃基板的機械研磨的工序;第一殘渣處理工序,除去所述液晶面板表面的殘渣的工序;以及反應(yīng)產(chǎn)物除去工序,在所述化學(xué)研磨工序后,除去在化學(xué)研磨工序中所產(chǎn)生的反應(yīng)產(chǎn)物的工序。
      2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的液晶面板研磨方法,其特征在于, 其具有如下工序: 第二玻璃基板機械研磨工序,以在所述化學(xué)研磨工序后的所述第二玻璃基板表面存在的凹坑的平均直徑成為50 μ m以下的方式進行所述第二玻璃基板的機械研磨的工序;以及第二殘渣處理工序,將所述液晶面板表面的殘渣及在所述化學(xué)研磨工序中所產(chǎn)生的反應(yīng)產(chǎn)物除去的工序。
      【文檔編號】B24B37/10GK103846782SQ201310651957
      【公開日】2014年6月11日 申請日期:2013年12月5日 優(yōu)先權(quán)日:2012年12月6日
      【發(fā)明者】鈴木聰, 佐藤政博, 西木博文, 高橋克俊, 相澤昭則, 三浦直人 申請人:株式會社倉元制作所
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