磁控濺射設(shè)備的制作方法
【專(zhuān)利摘要】本實(shí)用新型的磁控濺射設(shè)備，包括用于容納靶材以及工件的濺射腔室，濺射腔室的內(nèi)部設(shè)置有防著板，濺射腔室內(nèi)設(shè)置有用于照射靶材以及防著板以使靶材以及防著板的表面發(fā)生光致脫附的光源。在本實(shí)用新型的磁控濺射設(shè)備的工作過(guò)程中，在真空提升過(guò)程中，靶材以及防著板的表面發(fā)生光致脫附，即光源的光子能量達(dá)到跨越勢(shì)壘的高度，靶材以及防著板的表面氣團(tuán)的逸出，由此減少粒子在靶材以及防著板上吸附，濺射腔室內(nèi)的真空度迅速提升，生產(chǎn)效率大幅提高。
【專(zhuān)利說(shuō)明】磁控濺射設(shè)備

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及一種利用濺射法對(duì)金屬材料進(jìn)行鍍覆的裝置，特別是涉及一種磁控濺射設(shè)備。

【背景技術(shù)】
[0002]薄膜晶體管作為關(guān)鍵器件直接影響薄膜場(chǎng)效應(yīng)晶體管液晶顯示器的性能。在現(xiàn)有TFT-LCD (薄膜場(chǎng)效應(yīng)晶體管LCD)制造領(lǐng)域中，薄膜場(chǎng)效應(yīng)晶體管制備通常采用磁控濺射鍍膜的手段完成。
[0003]荷能粒子(如氬離子)轟擊固體表面，引起固體表面的各種粒子(如原子、分子或分子團(tuán)束)從該固體表面逸出的現(xiàn)象稱(chēng)“濺射”。在磁控濺射鍍膜過(guò)程中，通常是應(yīng)用氬氣電離產(chǎn)生的正離子轟擊固體(靶材)，濺出的中性原子沉積到基片(工件)上，以形成膜層。
[0004]磁控濺射鍍膜需要在真空環(huán)境下完成。在現(xiàn)實(shí)生產(chǎn)過(guò)程中，通常采用分子泵作為真空泵對(duì)Chamber (?賤射腔室)進(jìn)行抽真空,在真空提升過(guò)程中，Chamber (?賤射腔室)內(nèi)會(huì)有粒子在靶材以及Mask (防著板)上吸附，而這些粒子在玻璃進(jìn)入設(shè)備進(jìn)行正常的制造過(guò)程中會(huì)造成異常的薄膜缺陷，從而降低薄膜質(zhì)量，比如真空氛圍較差時(shí)就有較高的幾率發(fā)生膜層以及線間的短路以及開(kāi)路情況；而因?yàn)榘胁牟粩嘞?，一段時(shí)間以后就需要更換新的靶材，這時(shí)候就需要把濺射腔室打開(kāi)，這樣腔室和新的靶材、Mask都會(huì)吸附大氣的一些粒子，如果繼續(xù)抽真空鍍膜需要較長(zhǎng)時(shí)間，如在時(shí)間不足情況下鍍膜，則得到的薄膜上的微粒就會(huì)很多，同樣造成薄膜質(zhì)量的降低。
實(shí)用新型內(nèi)容
[0005]本實(shí)用新型的目的在于提供一種有效防止粒子在靶材以及Mask (防著板)上吸附的磁控濺射設(shè)備。
[0006]本實(shí)用新型的磁控濺射設(shè)備，包括用于容納靶材以及工件的濺射腔室，所述濺射腔室的內(nèi)部設(shè)置有防著板，其特征在于，所述濺射腔室內(nèi)設(shè)置有用于照射所述靶材以及所述防著板以使所述靶材以及所述防著板的表面發(fā)生光致脫附的光源。
[0007]本實(shí)用新型的磁控濺射設(shè)備，其中，所述濺射腔室的內(nèi)部設(shè)置有用于安放靶材的靶材安裝區(qū)域以及與所述靶材安裝區(qū)域相對(duì)設(shè)置的用于安裝工件的承載基板，所述防著板包括設(shè)置于所述承載基板與所述靶材安裝區(qū)域之間的中空防著板，所述光源包括設(shè)置于所述承載基板外側(cè)的第一光源。
[0008]本實(shí)用新型的磁控濺射設(shè)備，其中，所述承載基板的上方設(shè)置有磁鐵，所述第一光源的下邊緣低于所述磁鐵的下邊緣。
[0009]本實(shí)用新型的磁控濺射設(shè)備，其中，所述中空防著板通過(guò)面向所述承載基板的銅板安裝于所述濺射腔室的內(nèi)部，所述第一光源高于所述銅板的上邊緣。
[0010]本實(shí)用新型的磁控濺射設(shè)備，其中，所述光源包括設(shè)置于所述承載基板外側(cè)的第二光源。
[0011]本實(shí)用新型的磁控濺射設(shè)備，其中，所述濺射腔室的內(nèi)部設(shè)置有用于帶動(dòng)所述承載基板移動(dòng)的滾輪以及承托所述滾輪的導(dǎo)軌，所述第二光源的上邊緣高于所述導(dǎo)軌的上邊緣。
[0012]本實(shí)用新型的磁控濺射設(shè)備，其中，所述第二光源低于所述銅板的下邊緣。
[0013]本實(shí)用新型的磁控濺射設(shè)備，其中，所述第一光源為用于發(fā)射紫外線的第一紫外燈，所述第二光源為用于發(fā)射紫外線的第二紫外燈。
[0014]本實(shí)用新型的磁控濺射設(shè)備，其中，所述第一紫外燈、所述紫外燈均為氙燈。
[0015]在本實(shí)用新型的磁控濺射設(shè)備的工作過(guò)程中，在真空提升過(guò)程中，靶材以及防著板的表面發(fā)生光致脫附，即光源的光子能量達(dá)到跨越勢(shì)壘的高度，靶材以及防著板的表面氣團(tuán)的逸出，由此減少粒子在靶材以及防著板上吸附，濺射腔室內(nèi)的真空度迅速提升，生產(chǎn)效率大幅提聞。

【專(zhuān)利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0016]圖1為本實(shí)用新型的磁控濺射設(shè)備的結(jié)構(gòu)示意圖的側(cè)剖視圖；
[0017]圖2為本實(shí)用新型的磁控濺射設(shè)備的結(jié)構(gòu)示意圖的主視圖。

【具體實(shí)施方式】
[0018]下面結(jié)合附圖和具體實(shí)施例對(duì)本實(shí)用新型作進(jìn)一步說(shuō)明，以使本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以更好的理解本實(shí)用新型并能予以實(shí)施，但所舉實(shí)施例不作為對(duì)本實(shí)用新型的限定。
[0019]如圖1、圖2所示，本實(shí)用新型的磁控濺射設(shè)備，包括用于容納靶材10以及工件20的濺射腔室1，濺射腔室I的內(nèi)部設(shè)置有防著板2，濺射腔室I內(nèi)設(shè)置有用于照射靶材10以及防著板2以使靶材10的表面以及防著板2的表面發(fā)生光致脫附的光源3。
[0020]在本實(shí)用新型的磁控濺射設(shè)備的工作過(guò)程中，真空泵對(duì)濺射腔室I進(jìn)行抽真空，在真空提升過(guò)程中，濺射腔室I內(nèi)會(huì)有粒子在靶材10以及防著板2上吸附，而隨著光源3的啟動(dòng)，靶材10的表面以及防著板2的表面發(fā)生光致脫附，即光源3的光子能量達(dá)到跨越勢(shì)壘的高度，靶材10以及防著板2的表面氣團(tuán)的逸出，由此減少粒子在靶材10以及防著板2上吸附,灘射腔室I內(nèi)的真空度迅速提升，生廣效率大幅提聞。
[0021]本實(shí)用新型的磁控濺射設(shè)備，其中，濺射腔室I的內(nèi)部設(shè)置有用于安放靶材10的靶材安裝區(qū)域4以及與靶材安裝區(qū)域4相對(duì)設(shè)置的用于安裝工件20的承載基板6，防著板2包括設(shè)置于承載基板6與靶材安裝區(qū)域4之間的中空防著板7，光源3包括設(shè)置于承載基板6外側(cè)的第一光源8。
[0022]本實(shí)用新型的磁控濺射設(shè)備，其中，濺射腔室I的內(nèi)部設(shè)置有磁鐵9，為保證第一光源8的光線在濺射腔室I的內(nèi)部有效傳播而不被遮擋，第一光源8的下邊緣低于磁鐵9的下邊緣。
[0023]本實(shí)用新型的磁控濺射設(shè)備，其中，中空防著板7通過(guò)面向承載基板6的銅板11安裝于濺射腔室I的內(nèi)部，第一光源8高于銅板11的上邊緣。
[0024]本實(shí)用新型的磁控濺射設(shè)備，其中，光源3包括設(shè)置于承載基板6外側(cè)的第二光源12。
[0025]本實(shí)用新型的磁控濺射設(shè)備，其中，濺射腔室I的內(nèi)部設(shè)置有用于帶動(dòng)承載基板6移動(dòng)的滾輪13以及承托滾輪13的導(dǎo)軌14，第二光源12的上邊緣高于導(dǎo)軌14的上邊緣。
[0026]本實(shí)用新型的磁控濺射設(shè)備，其中，同樣為更有效的利用第二光源12的光線，第二光源12低于銅板11的下邊緣。
[0027]本實(shí)用新型的磁控濺射設(shè)備，其中，第一光源8為用于發(fā)射紫外線的第一紫外燈，第二光源12為用于發(fā)射紫外線的第二紫外燈。
[0028]本實(shí)用新型的磁控濺射設(shè)備，其中，第一紫外燈、第二紫外燈均為氙燈。光子能量E=hc/X，其中h為普朗克常量，c為光的速度，λ為光波的波長(zhǎng)。本實(shí)用新型的磁控濺射設(shè)備，其中，第一紫外燈、第二紫外燈所發(fā)出光的峰值波長(zhǎng)可以為147nm，計(jì)算其峰值所對(duì)應(yīng)的光子能量為8.452eV，可以達(dá)到跨越勢(shì)壘高度起到脫附的能量，由此靶材10以及防著板2的表面發(fā)生光致脫附。氙燈所發(fā)出的光波在波長(zhǎng)390nm-780nm范圍內(nèi)是連續(xù)的，因此，第一紫外燈、第二紫外燈還可以作為濺射腔室I內(nèi)用于緊急觀察的光源。
[0029]本實(shí)用新型的磁控濺射設(shè)備，其中，在觀察窗上加裝紫外光偏振片，且在沒(méi)有抽真空狀態(tài)下禁止第一紫外燈、第二紫外燈工作，以防止對(duì)操作者造成損傷。
[0030]以上所述僅是本實(shí)用新型的優(yōu)選實(shí)施方式，應(yīng)當(dāng)指出，對(duì)于本【技術(shù)領(lǐng)域】的普通技術(shù)人員來(lái)說(shuō)，在不脫離本實(shí)用新型原理的前提下，還可以作出若干改進(jìn)和潤(rùn)飾，這些改進(jìn)和潤(rùn)飾也應(yīng)視為本實(shí)用新型的保護(hù)范圍。
【權(quán)利要求】
1.一種磁控濺射設(shè)備，包括用于容納靶材以及工件的濺射腔室，所述濺射腔室的內(nèi)部設(shè)置有防著板，其特征在于，所述濺射腔室內(nèi)設(shè)置有用于照射所述靶材以及所述防著板以使所述靶材以及所述防著板的表面發(fā)生光致脫附的光源，所述光源的光子能量達(dá)到跨越勢(shì)壘的高度，以使靶材以及防著板的表面氣團(tuán)的逸出，由此減少粒子在靶材以及防著板上吸附。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁控濺射設(shè)備，其特征在于，所述濺射腔室的內(nèi)部設(shè)置有用于安放靶材的靶材安裝區(qū)域以及與所述靶材安裝區(qū)域相對(duì)設(shè)置的用于安裝工件的承載基板，所述防著板包括設(shè)置于所述承載基板與所述靶材安裝區(qū)域之間的中空防著板，所述光源包括設(shè)置于所述承載基板外側(cè)的第一光源。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的磁控濺射設(shè)備，其特征在于，所述承載基板的上方設(shè)置有磁鐵，所述第一光源的下邊緣低于所述磁鐵的下邊緣。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的磁控濺射設(shè)備，其特征在于，所述中空防著板通過(guò)面向所述承載基板的銅板安裝于所述濺射腔室的內(nèi)部，所述第一光源高于所述銅板的上邊緣。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的磁控濺射設(shè)備，其特征在于，所述光源包括設(shè)置于所述承載基板外側(cè)的第二光源。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的磁控濺射設(shè)備，其特征在于，所述濺射腔室的內(nèi)部設(shè)置有用于帶動(dòng)所述承載基板移動(dòng)的滾輪以及承托所述滾輪的導(dǎo)軌，所述第二光源的上邊緣高于所述導(dǎo)軌的上邊緣。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的磁控濺射設(shè)備，其特征在于，所述第二光源低于所述銅板的下邊緣。
8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的磁控濺射設(shè)備，其特征在于，所述第一光源為用于發(fā)射紫外線的第一紫外燈，所述第二光源為用于發(fā)射紫外線的第二紫外燈。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的磁控濺射設(shè)備，其特征在于，所述第一紫外燈、所述紫外燈均為氙燈。
【文檔編號(hào)】C23C14/35GK203923364SQ201320833018
【公開(kāi)日】2014年11月5日 申請(qǐng)日期:2013年12月17日 優(yōu)先權(quán)日:2013年12月17日
【發(fā)明者】董斌, 趙欣凱, 張立星, 付艷強(qiáng), 車(chē)奉周, 贠向南, 金相起, 李正勛 申請(qǐng)人:京東方科技集團(tuán)股份有限公司, 北京京東方顯示技術(shù)有限公司