一種鐳射加熱裝置制造方法
【專利摘要】本實(shí)用新型公開了一種鐳射加熱裝置,其包括基板,基板上安裝有若干鐳射源?;宓囊粋?cè)面開設(shè)有凹槽,凹槽的兩個(gè)相對(duì)側(cè)壁為斜面,基板的另一相對(duì)側(cè)面包括兩個(gè)安裝面及連接兩個(gè)安裝面的平面,兩個(gè)安裝面分別與凹槽的兩個(gè)斜面平行,兩個(gè)安裝面位于基板的相對(duì)兩側(cè)上且開設(shè)有安裝若干鐳射源的若干安裝通孔,兩個(gè)斜面為若干鐳射源的出光面。若干鐳射源布局成兩排鐳射源組,每排鐳射源組中的鐳射源呈直線排列,若干鐳射源分別安裝在兩個(gè)安裝面的相應(yīng)安裝通孔上,且兩排鐳射源組中的鐳射源的延長(zhǎng)線成一個(gè)預(yù)定固定角度錯(cuò)開排列,使若干鐳射源的鐳射焦點(diǎn)均勻不間斷的交匯在成所述預(yù)定固定角度的直線上。本實(shí)用新型能夠?qū)崿F(xiàn)對(duì)工件持續(xù)、均勻加熱。
【專利說明】一種鐳射加熱裝置
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及一種加熱裝置,尤其涉及一種鐳射加熱裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]對(duì)工件進(jìn)行熱處理,傳統(tǒng)采用中、高頻感應(yīng)的方法對(duì)工件進(jìn)行加熱,加熱深度由線圈中電流頻率決定,頻率越低硬化深度越低,即“集膚效應(yīng)”這也導(dǎo)致了工件在鍍層時(shí)因?yàn)殄儗雍癖〔煌袘?yīng)不均勻,使得鍍層產(chǎn)生不完全熔化和燒焦的后果。若試著采用鐳射加熱,安裝時(shí)鐳射源之間存在間隙,對(duì)工件進(jìn)行加熱時(shí)不僅存在間斷加熱的問題,而且需要加大熱處理行程,若工件離鐳射源太近工件上的螺紋容易熔化。
實(shí)用新型內(nèi)容
[0003]本實(shí)用新型提供一種鐳射加熱裝置,其能避免鐳射加熱工件存在的上述技術(shù)問題,從而提高了工作效率。
[0004]本實(shí)用新型是這樣實(shí)現(xiàn)的,一種鐳射加熱裝置,其包括基板,所述基板上安裝有若干鐳射源;所述基板的一側(cè)面開設(shè)有凹槽,所述凹槽的兩個(gè)相對(duì)側(cè)壁為斜面,所述基板的另一相對(duì)側(cè)面包括兩個(gè)安裝面以及連接所述兩個(gè)安裝面的平面,所述兩個(gè)安裝面分別與所述凹槽的兩個(gè)斜面平行,所述兩個(gè)安裝面位于所述基板的相對(duì)兩側(cè)上且開設(shè)有安裝所述若干鐳射源的若干安裝通孔,所述兩個(gè)斜面為所述若干鐳射源的出光面;所述若干鐳射源布局成兩排鐳射源組,每排鐳射源組中的鐳射源呈直線排列,所述若干鐳射源分別安裝在所述兩個(gè)安裝面的相應(yīng)安裝通孔上,且兩排鐳射源組中的鐳射源的延長(zhǎng)線成一個(gè)預(yù)定固定角度錯(cuò)開排列,使所述若干鐳射源的鐳射焦點(diǎn)均勻不間斷的交匯在成所述預(yù)定固定角度的直線上。
[0005]作為上述方案的進(jìn)一步改進(jìn),所述預(yù)定固定角度為40度固定角度。
[0006]作為上述方案的進(jìn)一步改進(jìn),所述鐳射加熱裝置還包括用來冷卻加熱裝置的冷卻系統(tǒng)。
[0007]作為上述方案的進(jìn)一步改進(jìn),所述兩個(gè)安裝面與所述平面呈臺(tái)階狀。優(yōu)選地,所述兩個(gè)安裝面相對(duì)所述平面呈對(duì)稱結(jié)構(gòu)。
[0008]與傳統(tǒng)工件加熱相比,本實(shí)用新型鐳射加熱裝置能夠?qū)崿F(xiàn)對(duì)工件持續(xù)、均勻加熱,從而熱處理鍍層后的產(chǎn)品鍍層均勻,生產(chǎn)效率高。
【專利附圖】
【附圖說明】
[0009]圖1為本實(shí)用新型較佳實(shí)施方式提供的鐳射加熱裝置的立體結(jié)構(gòu)示意圖。
[0010]圖2為圖1中鐳射加熱裝置的俯視圖。
[0011]圖3為圖2中鐳射加熱裝置的右視圖。
[0012]圖4為圖2中鐳射加熱裝置的剖視示意圖?!揪唧w實(shí)施方式】
[0013]為了使本實(shí)用新型的目的、技術(shù)方案及優(yōu)點(diǎn)更加清楚明白,以下結(jié)合附圖及實(shí)施例,對(duì)本實(shí)用新型進(jìn)行進(jìn)一步詳細(xì)說明。應(yīng)當(dāng)理解,此處所描述的具體實(shí)施例僅用以解釋本實(shí)用新型,并不用于限定本實(shí)用新型。
[0014]請(qǐng)一并參閱圖1、圖2、圖3及圖4,本實(shí)用新型的鐳射加熱裝置包括基板1,基板I上安裝有若干鐳射源(圖未示)。
[0015]基板I的一側(cè)面開設(shè)有凹槽2,凹槽2的兩個(gè)相對(duì)側(cè)壁為斜面3,基板I的另一相對(duì)側(cè)面包括兩個(gè)安裝面4以及連接兩個(gè)安裝面4的平面5。兩個(gè)安裝面4分別與凹槽2的兩個(gè)斜面3平行,兩個(gè)安裝面4位于基板I的相對(duì)兩側(cè)上且開設(shè)有安裝所述若干鐳射源的若干安裝通孔6,兩個(gè)斜面3為所述若干鐳射源的出光面。
[0016]安裝通孔6在基板I上的布局方式與所述若干鐳射源的布局密切相關(guān),所述若干鐳射源的布局要求決定了安裝通孔6的具體方位,接下去本實(shí)施方式對(duì)所述若干鐳射源的布局要求進(jìn)行詳細(xì)介紹。
[0017]所述若干鐳射源布局成兩排鐳射源組,每排鐳射源組中的鐳射源呈直線排列,所述若干鐳射源分別安裝在兩個(gè)安裝面4的相應(yīng)安裝通孔6上,且兩排鐳射源組中的鐳射源的延長(zhǎng)線成一個(gè)預(yù)定固定角度(在本實(shí)施方式中,為40度固定角度)錯(cuò)開排列,使所述若干鐳射源的鐳射焦點(diǎn)均勻不間斷的交匯在成40度固定角度的直線上。因而,本實(shí)用新型的鐳射加熱裝置能夠?qū)崿F(xiàn)對(duì)工件持續(xù)、均勻加熱,從而熱處理鍍層后的產(chǎn)品鍍層均勻,生產(chǎn)效率聞。
[0018]40°的固定角度是最適合加熱工件的角度,在實(shí)驗(yàn)中也通過了一定數(shù)量的試驗(yàn)證明。40°的固定角是結(jié)合基板I的尺寸確定的,可以跟隨基板I的尺寸變化而適當(dāng)變化。不過,一般基板I的尺寸由鍍膜機(jī)上的支撐架確定的,可調(diào)動(dòng)范圍不大,這保證了鐳射元到被加熱的工件之間的距離,如果離得太近,加熱時(shí)溫度過高會(huì)燒壞工件的螺紋,如果距離太遠(yuǎn),噴在工件上的粉末不能完全熔化,達(dá)不到優(yōu)良的鍍膜效果,這樣的固定角度與基板I的尺寸所確定的距離可使鍍膜達(dá)到最理想效果。在給工件鍍膜時(shí),只對(duì)工件螺紋的部分鍍膜,所以加熱的點(diǎn)主要集中在噴射粉末的地方,即雙排鐳射元發(fā)射的交點(diǎn),工件本身是金屬材料,利用自身的熱傳導(dǎo)便可把粉末均勻熔化裹附在工件上。
[0019]另外,實(shí)踐證明,采用單排鐳射源并不能將所有鐳射焦點(diǎn)均勻不間斷的交匯在成所述預(yù)定固定角度的直線上,因此無極限緊密排列無法實(shí)現(xiàn)本案的有益效果,同時(shí)還有一個(gè)原因就是鐳射元之間留有一定間隙有利于鐳射元的散熱,不至于單排緊密排列散熱不暢溫度過高而使基板I上固定鐳射元的螺紋熔化,一旦某個(gè)鐳射元壞掉還是可以更換的,使基板I可以多次重復(fù)利用。降低了風(fēng)險(xiǎn),減少成本,同時(shí)也不會(huì)因?yàn)榧訜嵫b置出現(xiàn)問題而停止工作。
[0020]兩個(gè)安裝面4可與平面5呈臺(tái)階狀,只要不影響所述若干鐳射源的鐳射焦點(diǎn)均勻不間斷的交匯在成40度固定角度的直線上。優(yōu)選地,兩個(gè)安裝面4相對(duì)平面5呈對(duì)稱結(jié)構(gòu),這樣可以使兩排鐳射源組的強(qiáng)度相當(dāng)。
[0021]鐳射加熱裝置還可加入用于冷卻所述鐳射加熱裝置的冷卻系統(tǒng),冷卻系統(tǒng)可使溫度瞬間冷卻到O V,使工件能夠持續(xù)、均勻加熱。因?yàn)殍D射源在加熱過程中溫度很高,會(huì)使基板I上固定鐳射元螺紋熔化,存在燒壞工件的風(fēng)險(xiǎn),甚至?xí)龎蔫D射源,為了保證鐳射加熱裝置不被燒壞,加熱一段時(shí)間就得中途停止加熱進(jìn)行長(zhǎng)時(shí)間的冷卻,速度慢、效率低。加入冷卻裝置后,可使鐳射加熱裝置溫度瞬間冷卻的0°c,只要設(shè)置冷卻系統(tǒng)按照一定周期對(duì)鐳射加熱裝置進(jìn)行冷卻,不僅保證了設(shè)備的安全,而且可以長(zhǎng)時(shí)間、持續(xù)的對(duì)工件加熱,提高了工作效率,保護(hù)了工件的安全,延長(zhǎng)了鐳射加熱裝置的使用壽命。所述冷卻系統(tǒng)可以采用很多種,如采用冷卻液的方式,或采用流動(dòng)水路冷卻方式等等,只要能便于實(shí)現(xiàn)所述鐳射加熱裝置冷卻的即可。
[0022]以上所述僅為本實(shí)用新型的較佳實(shí)施例而已,并不用以限制本實(shí)用新型,凡在本實(shí)用新型的精神和原則之內(nèi)所作的任何修改、等同替換和改進(jìn)等,均應(yīng)包含在本實(shí)用新型的保護(hù)范圍之內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種鐳射加熱裝置,其包括基板,所述基板上安裝有若干鐳射源;其特征在于:所述基板的一側(cè)面開設(shè)有凹槽,所述凹槽的兩個(gè)相對(duì)側(cè)壁為斜面,所述基板的另一相對(duì)側(cè)面包括兩個(gè)安裝面以及連接所述兩個(gè)安裝面的平面,所述兩個(gè)安裝面分別與所述凹槽的兩個(gè)斜面平行,所述兩個(gè)安裝面位于所述基板的相對(duì)兩側(cè)上且開設(shè)有安裝所述若干鐳射源的若干安裝通孔,所述兩個(gè)斜面為所述若干鐳射源的出光面;所述若干鐳射源布局成兩排鐳射源組,每排鐳射源組中的鐳射源呈直線排列,所述若干鐳射源分別安裝在所述兩個(gè)安裝面的相應(yīng)安裝通孔上,且兩排鐳射源組中的鐳射源的延長(zhǎng)線成一個(gè)預(yù)定固定角度錯(cuò)開排列,使所述若干鐳射源的鐳射焦點(diǎn)均勻不間斷的交匯在成所述預(yù)定固定角度的直線上。
2.如權(quán)利要求1所述的鐳射加熱裝置,其特征在于:所述預(yù)定固定角度為40度固定角度。
3.如權(quán)利要求1所述的鐳射加熱裝置,其特征在于:所述鐳射加熱裝置還包括用來冷卻加熱裝置的冷卻系統(tǒng)。
4.如權(quán)利要求1所述的鐳射加熱裝置,其特征在于:所述兩個(gè)安裝面與所述平面呈臺(tái)階狀。
5.如權(quán)利要求4所述的鐳射加熱裝置,其特征在于:所述兩個(gè)安裝面相對(duì)所述平面呈對(duì)稱結(jié)構(gòu)。
【文檔編號(hào)】C21D1/09GK203613219SQ201320833567
【公開日】2014年5月28日 申請(qǐng)日期:2013年12月17日 優(yōu)先權(quán)日:2013年12月17日
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