磁體單元和包含所述磁體單元的濺射設(shè)備的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明提供一種磁體單元，包含至少一個(gè)磁體單元，所述至少一個(gè)磁體單元分別包含第一磁體和與所述第一磁體分開且設(shè)置在所述第一磁體外部的第二磁體，其中所述第一磁體和所述第二磁體具有彼此不同的極性，且所述磁體單元具有約1∶0.5到約1∶2的所述第一磁體與所述第二磁體之間產(chǎn)生的跑道的寬度與所述跑道與鄰近磁場(chǎng)的另一跑道之間的距離的比率；且提供一種包含所述磁體單元的濺射設(shè)備。
【專利說明】磁體單元和包含所述磁體單元的濺射設(shè)備

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明涉及一種濺射設(shè)備，且更明確地說，涉及一種能夠改進(jìn)處理均勻性的磁體 單元和一種包含所述磁體單元的濺射設(shè)備。

【背景技術(shù)】
[0002] 濺射設(shè)備在制造半導(dǎo)體、液晶顯示器（IXD)或太陽(yáng)電池時(shí)沉積薄膜。舉例來說，磁 控管濺射設(shè)備將氣體注入真空室中以產(chǎn)生等離子體，使離子化氣體粒子與沉積的標(biāo)靶材料 碰撞，且接著在襯底上沉積通過碰撞而濺射的粒子。本文中，為了在標(biāo)靶上形成具有隧道形 式的磁鏈，將磁體單元設(shè)置在標(biāo)靶的后部。磁控管濺射設(shè)備可在相對(duì)較低的溫度下制造薄 膜且使電場(chǎng)加速的離子密集地沉積在襯底上，進(jìn)而大體上得以使用。
[0003] 另一方面，為了在大的襯底上沉積薄膜，使用直列式系統(tǒng)。
[0004] 直列式系統(tǒng)在裝載室與卸載室之間設(shè)有多個(gè)處理室，以使裝載室上所裝載的襯底 穿過多個(gè)處理室以經(jīng)受依序處理。在這種直列式系統(tǒng)中，濺射設(shè)備設(shè)置在處理室中的至少 一個(gè)中，且磁體單元按某些間隔并列安裝。且，磁體單元包含內(nèi)部磁體和外部磁體，其中內(nèi) 部磁體是以直線形狀設(shè)置，且外部磁體按某一間隔與內(nèi)部磁體分開且圍繞內(nèi)部磁體的外 圍。本文中，內(nèi)部磁體和外部磁體具有彼此不同的極性。因此，磁體單元設(shè)置為N-S-N或 S-N-S，進(jìn)而使內(nèi)部磁體和外部磁體在標(biāo)靶的整個(gè)表面上形成隧道型閉路磁場(chǎng)。
[0005] 然而，磁體單元的磁體之間的距離不同于磁體單元與磁體單元之間的距離，進(jìn)而 使連接磁場(chǎng)的峰值（也就是說，磁場(chǎng)的垂直分量變?yōu)椹柕狞c(diǎn)）的跑道的寬度與兩條鄰近跑 道之間的距離的比率為1 : 3。也就是說，通常，磁體單元制造為使具有彼此不同的極性的 兩個(gè)磁體之間發(fā)生的磁場(chǎng)的跑道的寬度與兩條鄰近跑道之間的距離的比率為1 : 3。如上 所述，因?yàn)榇朋w單元制造有較大的跑道的寬度與兩條跑道之間的距離的比率，所以襯底的 表面上的沉積速率出現(xiàn)差異。也就是說，在對(duì)應(yīng)于兩條跑道之間的空間的襯底的區(qū)域中，薄 膜沉積為比對(duì)應(yīng)于跑道的內(nèi)部的襯底的區(qū)域薄。因此，沉積在襯底上的薄膜的厚度不均勻， 進(jìn)而使裝置的可靠性降低。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0006] 本發(fā)明提供一種能夠改進(jìn)沉積薄膜的均勻性的磁體單元和一種包含所述磁體單 元的濺射設(shè)備。
[0007] 本發(fā)明還提供一種能夠通過減小跑道的內(nèi)部的距離與兩條跑道之間的距離的比 率來更多改進(jìn)襯底的表面上的沉積速率的濺射設(shè)備。
[0008] 根據(jù)示范性實(shí)施例，一種磁體單元包含至少一個(gè)磁體單元，所述至少一個(gè)磁體單 元分別包含第一磁體和與所述第一磁體分開且設(shè)置在所述第一磁體外部的第二磁體，其中 所述第一磁體和所述第二磁體具有彼此不同的極性，且所述磁體單元具有約1 : 0.5到約 1 : 2的所述第一磁體與所述第二磁體之間產(chǎn)生的跑道的寬度與所述跑道與鄰近磁場(chǎng)的另 一跑道之間的距離的比率。
[0009] 所述第一磁體可具有直線形狀，且所述第二磁體可設(shè)置在所述第一磁體的兩側(cè) 上。
[0010] 所述第一磁體可包含彼此分開的第一長(zhǎng)邊和第二長(zhǎng)邊，且所述第二磁體可包含彼 此分開且設(shè)置在所述第一磁體外部的第三長(zhǎng)邊和第四長(zhǎng)邊。
[0011] 彼此鄰近的磁體單元的所述第一磁體的所述第一長(zhǎng)邊與所述第二長(zhǎng)邊之間的第 一距離與所述第三長(zhǎng)邊與所述第四長(zhǎng)邊之間的第二距離的比率可為約1 : 0.5到約1 : 2。
[0012] 所述第二磁體的所述第三長(zhǎng)邊與所述第一磁體的所述第一長(zhǎng)邊之間的第三距離 可相等于所述第二長(zhǎng)邊與所述第四長(zhǎng)邊之間的第四距離。
[0013] 根據(jù)另一示范性實(shí)施例，一種濺射設(shè)備包含：襯底安裝單元，襯底安裝在所述襯底 安裝單元上；磁體單元，設(shè)置為與所述襯底安裝單元相對(duì)，且設(shè)置為多個(gè)磁體單元以按某些 間隔彼此分開；以及至少兩個(gè)標(biāo)靶，設(shè)置在所述襯底安裝單元與所述磁體單元之間，其中所 述磁體單元包含第一磁體和與所述第一磁體分開且設(shè)置在所述第一磁體外部的第二磁體， 所述第一磁體和所述第二磁體具有彼此不同的極性，且所述第一磁體與所述第二磁體之間 產(chǎn)生的跑道的寬度與所述跑道與鄰近磁場(chǎng)的另一跑道之間的距離的比率為約1 : 0.5到約 1 : 2〇
[0014] 所述磁體單元可在水平方向上往復(fù)。
[0015] 所述設(shè)備可還包含設(shè)置在所述標(biāo)靶與所述磁體單元之間的背板。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0016] 可結(jié)合附圖從以下描述更詳細(xì)地理解示范性實(shí)施例。
[0017] 圖1為根據(jù)示范性實(shí)施例的濺射設(shè)備的示意性橫截面圖。
[0018] 圖2到圖4為根據(jù)其它示范性實(shí)施例的磁體單元的示意性俯視圖。
[0019] 圖5、圖6A和圖6B分別說明一般磁體單元及其腐蝕曲線和薄膜沉積均勻性。
[0020] 圖7、圖8A和圖8B分別說明圖2的磁體單元及其腐蝕曲線和薄膜沉積均勻性。
[0021] 圖9A到圖10E說明根據(jù)圖2和圖5的磁體單元的跑道的寬度和跑道之間的距離 的腐蝕曲線和薄膜沉積均勻性。
[0022] 主要元件標(biāo)號(hào)說明
[0023] 10 :磁體單元
[0024] 11 :卡箍
[0025] 12 :第一磁體
[0026] 13 :第二磁體
[0027] 30 :標(biāo)靶
[0028] 100 :磁體單元
[0029] 100A :磁體單元
[0030] 100B :磁體單元
[0031] 100C:磁體單元
[0032] 110:卡箍
[0033] 120 :第一磁體
[0034] 122a :第一長(zhǎng)邊
[0035] 122b :第二長(zhǎng)邊
[0036] 124a :第一短邊
[0037] 124b :第二短邊
[0038] 126a :短邊
[0039] 126b :短邊
[0040] 128a :短邊
[0041] 128b :短邊
[0042] 128c :短邊
[0043] 128d :短邊
[0044] 130 :第二磁體
[0045] 132a :第三長(zhǎng)邊
[0046] 132b:第四長(zhǎng)邊
[0047] 134a :第三短邊
[0048] l：34b:第四短邊
[0049] 136a :短邊
[0050] 136b :短邊
[0051] 138a:短邊
[0052] 138b :短邊
[0053] 138c :短邊
[0054] 138d :短邊
[0055] 138e :直線
[0056] 138f :直線
[0057] 200 :背板
[0058] 300 :標(biāo)靶
[0059] 400 :襯底安裝單元
[0060] A:寬度
[0061] A1 :寬度
[0062] A10:寬度
[0063] B :距離
[0064] B1 :距離
[0065] B10 :距離
[0066] S :襯底

【具體實(shí)施方式】
[0067] 下文中，將參考附圖詳細(xì)地描述本發(fā)明的示范性實(shí)施例。然而，本發(fā)明不限于下文 描述的實(shí)施例，而是可體現(xiàn)為各種不同形狀。僅提供下文的實(shí)施例來全面地揭示本發(fā)明且 允許所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員完全地了解本發(fā)明的范圍。
[0068] 圖1為根據(jù)示范性實(shí)施例的濺射設(shè)備的示意性橫截面圖。圖2到圖4為根據(jù)示范 性實(shí)施例的磁體單元100的示意性俯視圖。
[0069] 參看圖1，濺射設(shè)備可包含磁體單元100、背板200、標(biāo)靶300和襯底安裝單元400。 且，磁體單元100可包含卡箍110、第一磁體120和第二磁體130。本文中，襯底安裝單元 400可設(shè)置在設(shè)備中的頂部或底部上，且磁體單元100可設(shè)置為與其相對(duì)。也就是說，當(dāng)襯 底安裝單元400設(shè)置在底部上時(shí)，磁體單元100可設(shè)置在頂部上。當(dāng)襯底安裝單元400設(shè) 置在頂部上時(shí)，磁體單元100可設(shè)置在底部上。在本實(shí)施例中，將描述襯底安裝單元400設(shè) 置在底部上且磁體單元100設(shè)置在頂部上的狀況。
[0070] 襯底安裝單元400固定襯底S以使沉積材料均勻地沉積在襯底S上。襯底安裝單 元400在襯底S得以安裝時(shí)可使用固定構(gòu)件而固定襯底的邊緣，或可在襯底S的后部固定 襯底S。當(dāng)設(shè)備為直列式濺射設(shè)備時(shí)，襯底安裝單元400可為包含能夠固定襯底S的固定構(gòu) 件的承載器。且，襯底安裝單元400可在襯底S正得以安裝時(shí)在一個(gè)方向上移動(dòng)。因此，例 如輥的轉(zhuǎn)移構(gòu)件（未圖示）可設(shè)置在襯底安裝單元400的底部上。襯底安裝單元400的一 部分可充當(dāng)轉(zhuǎn)移構(gòu)件。且，在靜態(tài)濺射設(shè)備的狀況下，固定構(gòu)件可為不必要的。本文中，襯 底安裝單元400可設(shè)有用于提升襯底S的提升銷。然而，當(dāng)在靜態(tài)濺射設(shè)備中垂直濺射時(shí)， 可設(shè)置使襯底S堅(jiān)立且固定襯底S的固定構(gòu)件。另一方面，襯底S可為用于制造半導(dǎo)體、液 晶顯示器（LCD)或太陽(yáng)電池的襯底，且可為硅晶片或玻璃。在所述實(shí)施例中，襯底S是由玻 璃形成的大襯底。
[0071] 背板200設(shè)置在磁體單元100與襯底安裝單元400之間。且，標(biāo)靶300固定到背 板200的一個(gè)表面。也就是說，標(biāo)祀300固定到與襯底S相對(duì)的背板200的一個(gè)表面。另 一方面，背板200可不設(shè)置在磁體單元100的底部上，而是標(biāo)靶300可設(shè)置在磁體單元100 的底部上。
[0072] 標(biāo)靶300固定到背板200,且可由將沉積在襯底S上的材料形成。標(biāo)靶300可為 金屬材料或包含金屬材料的合金。且，標(biāo)祀300可為金屬氧化物、金屬氮化物或介電質(zhì)。舉 例來說，標(biāo)靶300可由具有以下各個(gè)中的一個(gè)作為主要成分的材料形成：Mg、Ti、Zr、V、Nb、 Ta、Cr、Mo、W、Pd、Pt、Cu、Ag、Au、Zn、Al、In、C、Si 和 Sn。另一方面，背板 200 和標(biāo)靶 300 的 總厚度可為約15毫米到約35毫米。舉例來說，當(dāng)使用約15毫米的厚度的背板200時(shí)，標(biāo) 靶300的厚度為約20毫米或20毫米以下。且，當(dāng)未使用背板200時(shí)，標(biāo)靶300可具有約35 毫米或35毫米以下的厚度。
[0073] 磁體單元100設(shè)置為與襯底S相對(duì)，且可包含卡箍110、第一磁體120和第二磁體 130。且，磁體單元100可設(shè)置為兩個(gè)或兩個(gè)以上（參考100A、100B和100C)且可在水平方 向上往復(fù)。也就是說，當(dāng)薄膜沉積在具有大于磁體單元100的面積的襯底上時(shí)，磁體單元 100可設(shè)置為兩個(gè)或兩個(gè)以上。本文中，兩個(gè)或兩個(gè)以上磁體單元100可具有相同大小和 配置，且可按相同間隔彼此分開。卡箍110具有平板形狀，且在其一個(gè)表面上安裝有第一磁 體120和第二磁體130。舉例來說，卡箍110可為鐵氧體不銹鋼。第一磁體120固定到卡箍 110的中央，且第二磁體130固定到卡箍110的外圍以圍繞第一磁體120的外部。本文中， 第一磁體120相對(duì)于卡箍110的一個(gè)表面形成為某一高度，且可具有直線形狀或閉環(huán)形狀。 舉例來說，如圖2所示，第一磁體120可包含具有相同長(zhǎng)度且彼此分開的第一長(zhǎng)邊122a和 第二長(zhǎng)邊122b，以及設(shè)置在第一長(zhǎng)邊122a和第二長(zhǎng)邊122b的末端上以連接第一長(zhǎng)邊122a 和第二長(zhǎng)邊122b的第一短邊124a和第二短邊124b。本文中，第一短邊124a和第二短邊 124b具有直線形狀且將第一長(zhǎng)邊122a和第二長(zhǎng)邊122b的末端彼此連接。因此，第一磁體 120可經(jīng)設(shè)置以使長(zhǎng)邊122a和122b以及短邊124a和124b形成長(zhǎng)方形形狀。然而，除長(zhǎng) 方形形狀之外，第一磁體120還可具有各種形狀，例如，閉環(huán)形狀。且，第一磁體120的長(zhǎng)邊 122a和122b可從卡箍110的中央按某一間隔分開。
[0074] 第二磁體130可按某一間隔與第一磁體120分開，且設(shè)置在第一磁體120外部。也 就是說，第二磁體130設(shè)置在具有直線形狀或閉環(huán)形狀中的一個(gè)的第一磁體120外部。第 二磁體130可設(shè)置為具有與第一磁體120相同的形狀，例如，直線形狀或閉環(huán)形狀。舉例來 說，第二磁體130可具有閉環(huán)形狀，如圖2所示，且可設(shè)有與第一磁體120的第一長(zhǎng)邊122a 和第二長(zhǎng)邊122b分開且比第一磁體120的第一長(zhǎng)邊122a和第二長(zhǎng)邊122b長(zhǎng)的第二長(zhǎng)邊 132a和第四長(zhǎng)邊132b，以及位于第三長(zhǎng)邊132a和第四長(zhǎng)邊132b的末端上以連接第三長(zhǎng)邊 132a和第四長(zhǎng)邊132b的第三短邊134a和第四短邊134b。因此，第二磁體130可經(jīng)設(shè)置以 使長(zhǎng)邊132a和132b以及短邊134a和134b形成圍繞第一磁體120的長(zhǎng)方形形狀。然而，除 長(zhǎng)方形形狀之外，第二磁體130還可具有各種形狀，例如，閉環(huán)形狀。在所述實(shí)施例中，磁體 單元經(jīng)設(shè)置以使由水平磁場(chǎng)的垂直分量變?yōu)?0"的點(diǎn)形成的線（即，跑道）的寬度與兩條 跑道之間的距離的比率為約1 : 0.5到約1 : 2。也就是說，在磁體單元100的狀況下，磁 場(chǎng)朝向與磁體單元1〇〇相對(duì)的襯底S在具有不同極性的兩個(gè)磁體之間產(chǎn)生，其中磁場(chǎng)的峰 值為磁場(chǎng)的垂直分量變?yōu)?0"的點(diǎn)，且連接磁場(chǎng)的峰值的線變?yōu)檎故緸閳D2的虛線的跑道。 在所述實(shí)施例中，如圖2所不，在具有不同極性的第一磁體120與第二磁體130之間產(chǎn)生的 磁場(chǎng)的跑道的寬度A與所述跑道與鄰近于所述跑道的磁場(chǎng)的跑道之間的距離B的比率設(shè)置 為約1 : 0.5到約1 : 2。也就是說，一般來說，磁體單元經(jīng)設(shè)置以使跑道的寬度與兩條跑 道之間的距離的比率為1 : 3。然而，在所述實(shí)施例中，比率設(shè)置為約1 : 0.5到約1 : 2， 小于一般比率。對(duì)此，舉例來說，當(dāng)?shù)诙朋w130的第三長(zhǎng)邊132a與第一磁體120的第一 長(zhǎng)邊122a之間的間隔表不為第一間隔，第一磁體120的第一長(zhǎng)邊122a與第二長(zhǎng)邊122b之 間的間隔表示為第二間隔，第一磁體120的第二長(zhǎng)邊122b與第二磁體130的第四長(zhǎng)邊132b 之間的間隔表示為第三間隔且一個(gè)磁體單元100A的第二磁體130的第四長(zhǎng)邊132b與鄰近 于磁體單元100A的另一磁體單元100B的第二磁體130的第三長(zhǎng)邊132a之間的間隔表示為 第四間隔時(shí)，磁體單元100可經(jīng)設(shè)置以在第二間隔為1時(shí)，使第四間隔為約〇. 5到約2。本 文中，第一間隔與第三間隔可相同，且第二間隔與第四間隔可相同。第一間隔到第四間隔可 全部相同。另一方面，第一磁體120和第二磁體130可具有彼此不同的極性。也就是說，當(dāng) 第一磁體120具有N極性時(shí)，第二磁體130具有S極性。且，當(dāng)?shù)谝淮朋w120具有S極性時(shí)， 第二磁體130具有N極性。因此，磁體單元100可具有S-N-N-S的磁體的布置和N-S-S-N 的磁體的布置中的一個(gè)。舉例來說，第一磁體120和第二磁體130可為以釹、鐵和硼為基礎(chǔ) 的各向異性燒結(jié)磁體、釤鈷磁體、鐵氧體磁體等。然而，因?yàn)榇朋w單元100可經(jīng)設(shè)置以使第 一磁體120具有直線形狀且使第二磁體130圍繞第一磁體120,所以磁體的布置可為N-S-N 和S-N-S中的一個(gè)。且，在所述實(shí)施例中，因?yàn)椴粌H包含具有不同極性的兩個(gè)磁體的磁體單 元100可設(shè)置為多個(gè)磁體單元，而且多個(gè)磁體可布置為極性不同，所以磁體的布置可為N-S N-S。
[0075] 圖3到圖4為根據(jù)其它示范性實(shí)施例的磁體單元的示意性俯視圖。如圖3所示，具 有曲線形狀的短邊126a和126b可形成在第一磁體120的第一長(zhǎng)邊122a和第二長(zhǎng)邊122b 的末端上以將第一長(zhǎng)邊122a和第二長(zhǎng)邊122b彼此連接。且，第二磁體130可形成有短邊 136a和136b，短邊136a和136b與第一磁體120的短邊126a和126b分開，且具有與短邊 126a和126b相同的形狀。
[0076] 且，如圖4所示，第一磁體120可形成有具有直線形狀的短邊128a、128b、128c和 128d，以在按某一間隔與其末端分開的部分處連接兩條長(zhǎng)邊122a和122b。也就是說，短邊 128a、128b、128c和128d可形成為以某一角度在一個(gè)方向上從兩條長(zhǎng)邊122a和122b的相 應(yīng)末端延伸以在某一區(qū)域中連接。且，第二磁體130可在兩條長(zhǎng)邊132a和132b的末端設(shè) 有具有與第一磁體120的短邊128a、128b、128c和128d相同的形狀的短邊138a、138b、138c 和138d，且可設(shè)有具有直線形狀以將兩對(duì)短邊138a和138b以及138c和138d彼此連接的 直線138e和138f。也就是說，第二磁體130的長(zhǎng)邊132a和132b具有與第一磁體120的 長(zhǎng)邊122a和122b相同的長(zhǎng)度，且短邊138a、138b、138c和138d以與長(zhǎng)邊122a和122b以 及132a和132b相同的間隔形成以與第一磁體120的短邊128a、128b、128c和128d分開。 且，直線138e和138f形成為分別連接短邊138a和138b以及138c和138d。
[0077] 然而，除上述結(jié)構(gòu)之外，磁體單元100還可具有閉環(huán)形狀的第二磁體130圍繞閉環(huán) 形狀的第一磁體的所有類型的結(jié)構(gòu)。
[0078] 圖5為說明使用多個(gè)磁體單元的一般濺射設(shè)備的磁場(chǎng)的形狀的示意圖，圖6A為一 般腐蝕曲線，且圖6B說明沉積均勻性。且，圖7為說明根據(jù)所述實(shí)施例的使用多個(gè)磁體單 元的濺射設(shè)備的磁場(chǎng)的形狀的示意圖，圖8A為根據(jù)所述實(shí)施例的腐蝕曲線，且圖8B說明沉 積均勻性。本文中，一般來說，跑道的寬度與跑道之間的距離的比率為1 : 3,且在所述實(shí)施 例中，跑道的寬度與跑道之間的距離的比率為1 : 1。
[0079] 如圖5所不，一般來說，在卡箍11的一個(gè)表面上設(shè)有圍繞具有直線形狀的第一磁 體12的第二磁體13的磁體單元10具有N-S-N和S-N-S中的一個(gè)的磁體的布置，且磁場(chǎng)產(chǎn) 生在相應(yīng)磁體單元10的N極性與S極性之間。本文中，磁體產(chǎn)生的磁場(chǎng)的跑道的寬度A1 與鄰近跑道之間的距離B1的比率為1 : 3。因此，如圖6A所示，腐蝕在跑道的寬度A1中具 有較小寬度，且在跑道之間的距離B1中具有較大寬度。因此，如圖6B所示，在對(duì)應(yīng)于鄰近 跑道之間的距離B1的區(qū)域中，與其它區(qū)域相比，較小量的沉積材料從標(biāo)靶30濺射到襯底S 上，進(jìn)而沉積比其它區(qū)域薄的膜，厚度差為9. 3 %。
[0080] 然而，如圖7所示，磁體單元100在卡箍110的一個(gè)表面上設(shè)有具有閉環(huán)形狀的第 一磁體120和具有閉環(huán)形狀以圍繞第一磁體120的第二磁體130。因此，磁體的布置形成 為N-S-S-N和S-N-N-S中的一個(gè)，且磁場(chǎng)產(chǎn)生在N極性與S極性之間。本文中，磁體之間產(chǎn) 生的磁場(chǎng)的跑道的寬度A10與鄰近跑道之間的距離B10相等，比率為1 : 1。因此，如圖8A 所示，對(duì)應(yīng)于跑道的寬度A10的最大腐蝕之間的間隔與對(duì)應(yīng)于鄰近跑道之間的距離B10的 最大腐蝕之間的間隔相等。最終，如圖8B所示，薄膜沉積在磁體單元100之間的區(qū)域的中 央上達(dá)大致與其它區(qū)域相同的厚度，厚度差為約3. 2%。
[0081] 圖9A到圖10E說明一般實(shí)例和所述實(shí)施例的根據(jù)跑道的寬度和跑道之間的距離 的腐蝕曲線和薄膜沉積均勻性。也就是說，圖9A和圖10A說明一般實(shí)例的腐蝕曲線和薄膜 沉積均勻性，其中跑道的寬度與兩條跑道之間的距離的比率為1 : 3。圖9B到圖9E和圖 10B到圖10E分別說明根據(jù)所述實(shí)施例的腐蝕曲線和薄膜沉積均勻性，其中跑道的寬度與 兩條跑道之間的距離的比率在約1 : 0.5到約1 : 2的范圍內(nèi)變化。且，根據(jù)一般實(shí)例和 所述實(shí)施例中的每一個(gè)的數(shù)值展示在表1中。

【權(quán)利要求】
1. 一種磁體單元，其特征在于包括至少一個(gè)磁體單元，所述至少一個(gè)磁體單元分別包 括第一磁體和與所述第一磁體分開且設(shè)置在所述第一磁體外部的第二磁體， 其中所述第一磁體和所述第二磁體具有彼此不同的極性， 所述磁體單元具有1 : 0.5到1 : 2的所述第一磁體與所述第二磁體之間產(chǎn)生的跑道 的寬度與所述跑道與鄰近磁場(chǎng)的另一跑道之間的距離的比率。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁體單元，其中所述第一磁體具有直線形狀，且所述第二磁 體設(shè)置在所述第一磁體的兩側(cè)上。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁體單元，其中所述第一磁體包括彼此分開的第一長(zhǎng)邊和 第二長(zhǎng)邊，且所述第二磁體包括彼此分開且設(shè)置在所述第一磁體外部的第三長(zhǎng)邊和第四長(zhǎng) 邊。
4. 根據(jù)權(quán)利要求3所述的磁體單元，其中彼此鄰近的磁體單元的所述第一磁體的所述 第一長(zhǎng)邊與所述第二長(zhǎng)邊之間的第一距離與所述第三長(zhǎng)邊與所述第四長(zhǎng)邊之間的第二距 離的比率為1 : 0. 5到1 : 2。
5. 根據(jù)權(quán)利要求4所述的磁體單元，其中所述第二磁體的所述第三長(zhǎng)邊與所述第一磁 體的所述第一長(zhǎng)邊之間的第三距離相等于所述第二長(zhǎng)邊與所述第四長(zhǎng)邊之間的第四距離。
6. -種溉射設(shè)備，其特征在于包括： 襯底安裝單元，襯底安裝在所述襯底安裝單元上； 磁體單元，設(shè)置為與所述襯底安裝單元相對(duì)，且設(shè)置為多個(gè)磁體單元以按某些間隔彼 此分開；以及 至少兩個(gè)標(biāo)靶，設(shè)置在所述襯底安裝單元與所述磁體單元之間， 其中所述磁體單兀包括第一磁體和與所述第一磁體分開且設(shè)置在所述第一磁體外部 的第二磁體，所述第一磁體和所述第二磁體具有彼此不同的極性，且所述第一磁體與所述 第二磁體之間產(chǎn)生的跑道的寬度與所述跑道與鄰近磁場(chǎng)的另一跑道之間的距離的比率為 1 : 0· 5 到 1 : 2。
7. 根據(jù)權(quán)利要求6所述的設(shè)備，其中所述磁體單元在水平方向上往復(fù)。
8. 根據(jù)權(quán)利要求7所述的設(shè)備，還包括設(shè)置在所述標(biāo)靶與所述磁體單元之間的背板。
【文檔編號(hào)】C23C14/35GK104120393SQ201410143737
【公開日】2014年10月29日 申請(qǐng)日期:2014年4月10日 優(yōu)先權(quán)日:2013年4月23日
【發(fā)明者】吳芝瑛, 千庸煥, 黃秉壽 申請(qǐng)人:亞威科股份有限公司