掩膜板及其制造方法
【專利摘要】本發(fā)明提供了一種掩膜板及其制造方法，屬于顯示【技術(shù)領(lǐng)域】。其中，所述掩膜板，包括：金屬基材，所述金屬基材上設(shè)置有至少一個(gè)第一鏤空區(qū)域；有機(jī)覆蓋層，所述有機(jī)覆蓋層上設(shè)置有至少一個(gè)第二鏤空區(qū)域，所述第二鏤空區(qū)域的投影位于所述第一鏤空區(qū)域內(nèi)；所述有機(jī)覆蓋層部分或全部覆蓋所述金屬基材。本發(fā)明的技術(shù)方案能夠利用激光切割機(jī)臺(tái)制造出高精度掩膜板，并且制造出的高精度掩膜板具有較好的開口精度。
【專利說明】掩膜板及其制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及顯示【技術(shù)領(lǐng)域】，特別是指一種掩膜板及其制造方法。
【背景技術(shù)】
[0002]與傳統(tǒng)的IXD(Liquid Crystal Display,液晶顯示器)顯示方式相比，OLED(Organic Electroluminescence Display,有機(jī)發(fā)光二極管)技術(shù)無需背光燈，其具有自發(fā)光的特性，采用非常薄的有機(jī)材料膜層和玻璃基板，當(dāng)有電流通過時(shí)，有機(jī)材料就會(huì)發(fā)光。因此OLED顯示屏能夠顯著節(jié)省電能，可以做得更輕更薄，比IXD顯示屏耐受更寬范圍的溫度變化，而且可視角度更大。其中，OLED屏體的發(fā)光層一般都是通過有機(jī)材料利用蒸鍍成膜技術(shù)透過高精度金屬掩膜板(fine metal mask，F(xiàn)MM)在陣列基板上相應(yīng)的像素位置形成有機(jī)發(fā)光元器件。
[0003]隨著OLED 技術(shù)的發(fā)展,尤其是 AMOLED (Active Matrix/Organic Light EmittingDiode，有源矩陣有機(jī)發(fā)光二極體)技術(shù)的出現(xiàn)，OLED產(chǎn)品尺寸及玻璃基板尺寸都在不斷增加，也要求高精度金屬掩膜板的尺寸不斷增大?，F(xiàn)有的高精度金屬掩模板一般是通過光刻工藝來制造，需要用到涂膠機(jī)臺(tái)、高精度曝光機(jī)臺(tái)、化學(xué)刻蝕機(jī)臺(tái)等設(shè)備，最好的開口精度可以做到±3um。隨著越來越大的AMOLED生產(chǎn)線投入使用，用于制造高精度金屬掩膜板的相關(guān)機(jī)臺(tái)嚴(yán)重滯后，需要對(duì)相關(guān)機(jī)臺(tái)進(jìn)行對(duì)應(yīng)的研發(fā)和制造，但是研發(fā)和制造的價(jià)格高昂，投入較大；而且采用光刻工藝生產(chǎn)高精度金屬掩膜板需要先制作光罩，如果高精度金屬掩膜板布局改變，光罩就不 能再使用，綜上所述，采用光刻工藝制造高精度金屬掩模板的制造周期長,生產(chǎn)成本高。
[0004]為了減少生產(chǎn)成本，縮短制造周期，可以采用激光切割機(jī)臺(tái)來加工高精度金屬掩膜板，激光切割機(jī)臺(tái)本身加工精度很高，最好的可以達(dá)到±2-3um，該技術(shù)是通過激光熱切割金屬材質(zhì)的薄片來形成高精度金屬掩膜板，但是因?yàn)椴捎眉す鉄崆懈顣r(shí)產(chǎn)生熱量，很容易造成熱形變，導(dǎo)致金屬堆積的應(yīng)力不能釋放，在將金屬薄片拉伸到掩膜板框架上時(shí)，金屬薄片受到拉力很容易翹曲和褶皺，使高精度金屬掩膜板的平整度和直線度受到不良影響，因此采用激光切割機(jī)臺(tái)加工的高精度金屬掩膜板實(shí)際的開口精度往往大于50um，甚至更差。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]本發(fā)明要解決的技術(shù)問題是提供一種掩膜板及其制造方法，能夠利用激光切割機(jī)臺(tái)制造出高精度金屬掩膜板，并且制造出的高精度金屬掩膜板具有較好的開口精度。
[0006]為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明的實(shí)施例提供技術(shù)方案如下:
[0007]—方面，提供一種掩膜板，包括:
[0008]金屬基材，所述金屬基材上設(shè)置有至少一個(gè)第一鏤空區(qū)域；
[0009]有機(jī)覆蓋層，所述有機(jī)覆蓋層上設(shè)置有至少一個(gè)第二鏤空區(qū)域，所述第二鏤空區(qū)域的投影位于所述第一鏤空區(qū)域內(nèi)；[0010]所述有機(jī)覆蓋層部分或全部覆蓋所述金屬基材。
[0011]進(jìn)一步地，所述金屬基材為采用殷鋼或不銹鋼。
[0012]進(jìn)一步地，所述有機(jī)覆蓋層為采用能夠承受300度以上高溫的光刻膠或平坦化膠。
[0013]進(jìn)一步地，所述有機(jī)覆蓋層的厚度為10-200um。
[0014]進(jìn)一步地，所述有機(jī)覆蓋層的平坦度不大于50um。
[0015]本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種掩膜板的制造方法，包括:
[0016]將待加工的金屬基材放置到切割機(jī)臺(tái)上，并拉伸所述金屬基材；
[0017]對(duì)所述金屬基材進(jìn)行第一次切割，形成第一鏤空區(qū)域；
[0018]在形成有第一鏤空區(qū)域的金屬基材上形成一有機(jī)覆蓋層，所述有機(jī)覆蓋層部分或全部覆蓋所述金屬基材；
[0019]對(duì)所述有機(jī)覆蓋層進(jìn)行第二次切割，形成第二鏤空區(qū)域，其中，所述第二鏤空區(qū)域的投影位于所述第一鏤空區(qū)域內(nèi)。
[0020]進(jìn)一步地 ，所述拉伸所述金屬基材之后，所述金屬基材的平坦度不大于50um。
[0021]進(jìn)一步地，所述在形成有第一鏤空區(qū)域的金屬基材上形成一有機(jī)覆蓋層之前還包括:
[0022]去除掉所述金屬基材上附著的雜質(zhì)顆粒。
[0023]進(jìn)一步地，所述在形成有第一鏤空區(qū)域的金屬基材上形成一有機(jī)覆蓋層包括:
[0024]在形成有第一鏤空區(qū)域的金屬基材上涂布一層有機(jī)膠材，并對(duì)有機(jī)膠材進(jìn)行固化形成所述有機(jī)覆蓋層。
[0025]進(jìn)一步地，所述對(duì)所述有機(jī)覆蓋層進(jìn)行第二次激光切割之前還包括:
[0026]對(duì)形成有所述有機(jī)覆蓋層的金屬基材進(jìn)行拉伸。
[0027]本發(fā)明的實(shí)施例具有以下有益效果:
[0028]上述方案中，先對(duì)金屬基材進(jìn)行第一次切割，形成第一鏤空區(qū)域，再在金屬基材上形成一有機(jī)覆蓋層，對(duì)有機(jī)覆蓋層進(jìn)行第二次切割，形成第二鏤空區(qū)域，之后在蒸鍍發(fā)光層時(shí)就可以利用覆蓋在金屬基材上的有機(jī)覆蓋層作為掩膜。由于第二次切割是在切割有機(jī)覆蓋層，因此下面的金屬基材不會(huì)發(fā)生熱形變，所以加工精度是由切割機(jī)臺(tái)本身決定的，最好可以達(dá)到±2-3um，隨著加工精度的提高，拉伸金屬基材所需拉力就可以降低，金屬基材受力發(fā)生翹曲和褶皺的可能也會(huì)降低，因此可以有效提高掩膜板的開口精度，相比采用光刻工藝制造高精度金屬掩膜板，本發(fā)明的技術(shù)方案能夠縮短制造周期，減少生產(chǎn)成本，并且只需要對(duì)現(xiàn)有設(shè)備進(jìn)行簡單改造就可以達(dá)成，可行性很高。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0029]圖1為本發(fā)明實(shí)施例掩膜板的制造方法的流程示意圖；
[0030]圖2為本發(fā)明實(shí)施例掩膜板的俯視示意圖；
[0031]圖3為圖2所示掩膜板沿AA’方向的截面示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0032]為使本發(fā)明的實(shí)施例要解決的技術(shù)問題、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚，下面將結(jié)合附圖及具體實(shí)施例進(jìn)行詳細(xì)描述。
[0033]本發(fā)明的實(shí)施例針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)中采用激光加工的高精度金屬掩膜板的開口精度較差的問題，提供一種掩膜板及其制造方法，能夠利用激光切割機(jī)臺(tái)制造出高精度掩膜板，并且制造出的高精度掩膜板具有較好的開口精度。
[0034]本發(fā)明實(shí)施例提供了一種掩膜板，包括:
[0035]金屬基材，所述金屬基材上設(shè)置有至少一個(gè)第一鏤空區(qū)域；
[0036]有機(jī)覆蓋層，所述有機(jī)覆蓋層上設(shè)置有至少一個(gè)第二鏤空區(qū)域，所述第二鏤空區(qū)域的投影位于所述第一鏤空區(qū)域內(nèi)；
[0037]所述有機(jī)覆蓋層部分或全部覆蓋所述金屬基材。
[0038]本發(fā)明的掩膜板中，實(shí)際上是將金屬基材上的有機(jī)覆蓋層的第二鏤空區(qū)域作為掩膜圖案，由于有機(jī)覆蓋層在被切割時(shí)不會(huì)發(fā)生熱形變，因此有機(jī)覆蓋層的加工精度是由切割機(jī)臺(tái)本身決定的，最好可以達(dá)到±2-3um，隨著加工精度的提高，拉伸金屬基材所需拉力就可以降低，金屬基材受力發(fā)生翹曲和褶皺的可能也會(huì)降低，因此可以有效提高掩膜板的開口精度。
[0039]優(yōu)選地，所述金屬基材為采用殷鋼或不銹鋼。
[0040]進(jìn)一步地，所述有機(jī)膠材可以為能夠承受300度以上高溫的光刻膠或平坦化膠，優(yōu)選地，所述有機(jī)覆蓋層的厚度為10-200um。 [0041]進(jìn)一步地，為了保證掩膜板的開口精度，所述有機(jī)覆蓋層的平坦度不大于50um。其中，有機(jī)覆蓋層的平坦度即在有機(jī)覆蓋層的截面方向上、最高點(diǎn)與最低點(diǎn)之間的垂直距離。
[0042]圖1為本發(fā)明實(shí)施例掩膜板的制造方法的流程示意圖，如圖1所示，本實(shí)施例包括:
[0043]步驟a:將待加工的金屬基材放置到切割機(jī)臺(tái)上，并拉伸所述金屬基材；
[0044]步驟b:對(duì)所述金屬基材進(jìn)行第一次切割，形成第一鏤空區(qū)域；
[0045]步驟c:在形成有第一鏤空區(qū)域的金屬基材上形成一有機(jī)覆蓋層，所述有機(jī)覆蓋層部分或全部覆蓋所述金屬基材；
[0046]步驟d:對(duì)所述有機(jī)覆蓋層進(jìn)行第二次切割，形成第二鏤空區(qū)域，其中，所述第二鏤空區(qū)域的投影位于所述第一鏤空區(qū)域內(nèi)。
[0047]本方案中的切割工藝可以采用激光切割，也可以采用其他切割方式實(shí)現(xiàn)，以下均以激光切割為例進(jìn)行說明。
[0048]本實(shí)施例在制造掩膜板時(shí)，先對(duì)金屬基材進(jìn)行第一次激光切割，形成第一鏤空區(qū)域，再在金屬基材上形成一有機(jī)覆蓋層，對(duì)有機(jī)覆蓋層進(jìn)行第二次激光切割，形成第二鏤空區(qū)域，之后在蒸鍍發(fā)光層時(shí)就可以利用覆蓋在金屬基材上的有機(jī)覆蓋層作為掩膜。由于第二次切割是激光在切割有機(jī)覆蓋層，因此下面的金屬基材不會(huì)發(fā)生熱形變，所以加工精度是由激光切割機(jī)臺(tái)本身決定的，最好可以達(dá)到土 2-3um，隨著加工精度的提高，拉伸金屬基材所需拉力就可以降低，金屬基材受力發(fā)生翹曲和褶皺的可能也會(huì)降低，因此可以有效提高采用激光加工的高精度掩膜板的開口精度，相比采用光刻工藝制造高精度金屬掩膜板，本發(fā)明的技術(shù)方案能夠縮短制造周期，減少生產(chǎn)成本，并且只需要對(duì)現(xiàn)有設(shè)備進(jìn)行簡單改造就可以達(dá)成，可行性很高。
[0049]進(jìn)一步地,本發(fā)明另一實(shí)施例中，包括上述步驟a_d的基礎(chǔ)上,所述步驟a拉伸所述金屬基材之后，所述金屬基材的平坦度不大于50um。
[0050]進(jìn)一步地,本發(fā)明另一實(shí)施例中，包括上述步驟a-d的基礎(chǔ)上,所述步驟c之前還包括:
[0051 ] 去除掉所述金屬基材上附著的雜質(zhì)顆粒。
[0052]進(jìn)一步地,本發(fā)明另一實(shí)施例中，包括上述步驟a-d的基礎(chǔ)上,所述步驟c包括:
[0053]在形成有第一鏤空區(qū)域的金屬基材上涂布一層有機(jī)膠材，并對(duì)有機(jī)膠材進(jìn)行固化形成所述有機(jī)覆蓋層。具體地，所述有機(jī)膠材可以為能夠承受300度以上高溫的光刻膠或平坦化膠，優(yōu)選地，所述有機(jī)覆蓋層的厚度為10-200um。
[0054]進(jìn)一步地，本發(fā)明另一實(shí)施例中，包括上述步驟a-d的基礎(chǔ)上，所述對(duì)所述有機(jī)覆蓋層進(jìn)行第二次激光切割之前還包括:
[0055]對(duì)形成有所述有機(jī)覆蓋層的金屬基材進(jìn)行拉伸。
[0056]下面結(jié)合附圖以及具體的實(shí)施例對(duì)本發(fā)明的掩膜板及其制造方法進(jìn)行詳細(xì)介紹，本實(shí)施例的掩膜板的制造方法具體包括以下步驟:
[0057]步驟1:把需要加工的金屬基材放在激光切割機(jī)臺(tái)板上；
[0058]其中，金屬基材的材質(zhì)可以為殷鋼或者不銹鋼，金屬基材的厚度優(yōu)選在50-200um之間。 [0059]步驟2:對(duì)該金屬基材進(jìn)行拉伸，保證金屬基材的平坦度小于50um或更好；
[0060]其中，金屬基材的平坦度即在金屬基材的截面方向上、最高點(diǎn)與最低點(diǎn)之間的垂
直距離。
[0061]步驟3:利用激光對(duì)該金屬基材進(jìn)行第一次切割，如圖2所示，其中2為第一次切割所得到的開口圖形，切割后在金屬基材上形成有多個(gè)開口，該多個(gè)開口與掩膜板所需開口一一對(duì)應(yīng)，且每一開口的尺寸大于對(duì)應(yīng)掩膜板所需開口的尺寸，具體的，每個(gè)開口的尺寸和形狀可以根據(jù)金屬基材的尺寸、厚度和需要進(jìn)行設(shè)置，比如相應(yīng)的掩膜板開口為5*5um的正方形，則金屬基材上對(duì)應(yīng)的開口可以為8*8um的正方形；
[0062]步驟4:去除金屬基材上附著的雜質(zhì)顆粒，具體地，可以采用清洗設(shè)備對(duì)金屬基材進(jìn)行清洗以去除金屬基材上附著的雜質(zhì)顆粒，進(jìn)一步地，還可以利用風(fēng)機(jī)吹去金屬基材上附著的雜質(zhì)顆粒。如果沒有去除金屬基材上附著的雜質(zhì)顆粒，在接下來形成有機(jī)覆蓋層時(shí)，雜質(zhì)顆粒將對(duì)有機(jī)覆蓋層的平坦度造成影響，從而影響最終的加工精度；
[0063]步驟5:在金屬基材上形成有機(jī)覆蓋層。具體地，可以通過涂膠機(jī)在金屬基材上涂布一層有機(jī)膠材，并對(duì)有機(jī)膠材進(jìn)行固化形成有機(jī)覆蓋層。所選用的有機(jī)膠材要求可以耐受蒸鍍工藝的溫度，有一定的韌性和好的覆著性，不容易和金屬基材剝離，具體地，有機(jī)膠材可以是現(xiàn)有的光刻膠或平坦化膠中；蒸鍍工藝的溫度一般在300攝氏度以上，現(xiàn)有的光刻膠或平坦化膠可以承受500攝氏度以上的高溫，因此能夠滿足需求。有機(jī)覆蓋層的厚度可以根據(jù)掩膜板所需開口的大小以及金屬基材的厚度來設(shè)定，通過設(shè)定涂膠機(jī)的工作參數(shù)來控制有機(jī)膠材的厚度，優(yōu)選地，有機(jī)覆蓋層的厚度在10-200um之間；當(dāng)然，此處也可以采用其他的沉積方式形成有機(jī)覆蓋層。
[0064]步驟6:將形成有有機(jī)覆蓋層的金屬基材放置到激光切割機(jī)臺(tái)上；
[0065]步驟7:對(duì)形成有有機(jī)覆蓋層的金屬基材進(jìn)行拉伸，保證金屬基材的平坦度小于50um或更好；[0066]步驟8:利用激光對(duì)金屬基材上的有機(jī)覆蓋層進(jìn)行第二次切割，如圖2所示，其中3為第二次切割所得到的開口圖形，切割后在有機(jī)覆蓋層上形成有多個(gè)開口，該多個(gè)開口與掩膜板所需開口一一對(duì)應(yīng)，且每一開口的尺寸基本等于對(duì)應(yīng)掩膜板所需開口的尺寸，理論上講，每一開口的尺寸應(yīng)該與對(duì)應(yīng)掩膜板所需開口的尺寸相等，但受加工精度的影響，每一開口的尺寸與對(duì)應(yīng)掩膜板所需開口的尺寸稍有偏差，開口精度由激光切割機(jī)本身精度決定，與掩膜板所需開口尺寸的偏差基本在2-3um。
[0067]第二次切割是激光在切割有機(jī)覆蓋層，激光并不接觸下面的金屬基材，因此下面的金屬基材不會(huì)發(fā)生熱形變，不會(huì)影響到加工精度，隨著加工精度的提高，拉伸金屬基材所需拉力就可以降低，金屬基材受力發(fā)生翹曲和褶皺的可能也會(huì)降低，因此可以有效提高采用激光加工的高精度金屬掩膜板的開口精度。
[0068]經(jīng)過上述步驟1-8即可形成本實(shí)施例的掩膜板，如圖2和圖3所示，本實(shí)施例的掩膜板I由兩部分組成，分別為金屬基材4和有機(jī)覆蓋層5，金屬基材4包括有多個(gè)開口，金屬基材4的多個(gè)開口與掩膜板所需開口一一對(duì)應(yīng)，且每一開口的尺寸略大于對(duì)應(yīng)掩膜板所需開口的尺寸；有機(jī)覆蓋層5包括有與掩膜板所需開口一一對(duì)應(yīng)的多個(gè)開口，每一開口的尺寸基本等于對(duì)應(yīng)掩膜板所需開口的尺寸，實(shí)際上金屬基材4是作為掩膜的載體，在蒸鍍發(fā)光層時(shí)是利用覆蓋在金屬基材4上的有機(jī)覆蓋層5作為掩膜。
[0069]本實(shí)施例先對(duì)金屬基材進(jìn)行第一次激光切割，再在金屬基材上形成一有機(jī)覆蓋層，對(duì)有機(jī)覆蓋層進(jìn)行第二次激光切割，形成包括有掩膜板所需開口的有機(jī)覆蓋層，之后在蒸鍍發(fā)光層時(shí)就可以利用覆蓋在金屬基材上的有機(jī)覆蓋層作為掩膜。由于第二次切割是激光在切割有機(jī)覆蓋層，因此下面的金屬基材不會(huì)發(fā)生熱形變，所以加工精度是由激光切割機(jī)臺(tái)本身決定的，最好可以達(dá)到±2-3um,隨著加工精度的提高,拉伸金屬基材所需拉力就可以降低，金屬基材受 力發(fā)生翹曲和褶皺的可能也會(huì)降低，因此可以有效提高采用激光加工的高精度掩膜板的開口精度，相比采用光刻工藝制造高精度金屬掩膜板，本實(shí)施例能夠縮短制造周期，減少生產(chǎn)成本，并且只需要對(duì)現(xiàn)有設(shè)備進(jìn)行簡單改造就可以達(dá)成，可行性很聞。
[0070]在本發(fā)明各方法實(shí)施例中，所述各步驟的序號(hào)并不能用于限定各步驟的先后順序，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，對(duì)各步驟的先后變化也在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。
[0071]以上所述是本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施方式，應(yīng)當(dāng)指出，對(duì)于本【技術(shù)領(lǐng)域】的普通技術(shù)人員來說，在不脫離本發(fā)明所述原理的前提下，還可以作出若干改進(jìn)和潤飾，這些改進(jìn)和潤飾也應(yīng)視為本發(fā)明的保護(hù)范圍。
【權(quán)利要求】
1.一種掩膜板,其特征在于,包括: 金屬基材，所述金屬基材上設(shè)置有至少一個(gè)第一鏤空區(qū)域； 有機(jī)覆蓋層，所述有機(jī)覆蓋層上設(shè)置有至少一個(gè)第二鏤空區(qū)域，所述第二鏤空區(qū)域的投影位于所述第一鏤空區(qū)域內(nèi)； 所述有機(jī)覆蓋層部分或全部覆蓋所述金屬基材。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的掩膜板，其特征在于，所述金屬基材為采用殷鋼或不銹鋼。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的掩膜板，其特征在于，所述有機(jī)覆蓋層為采用能夠承受300度以上高溫的光刻膠或平坦化膠。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的掩膜板的制造方法，其特征在于，所述有機(jī)覆蓋層的厚度為10_200um。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的掩膜板的制造方法，其特征在于，所述有機(jī)覆蓋層的平坦度不大于50um。
6.—種掩膜板的制造方法,其特征在于,包括: 將待加工的金屬基材放置到切割機(jī)臺(tái)上，并拉伸所述金屬基材； 對(duì)所述金屬基材進(jìn)行第一次切割，形成第一鏤空區(qū)域； 在形成有第一鏤空區(qū)域的金屬基材上形成一有機(jī)覆蓋層，所述有機(jī)覆蓋層部分或全部覆蓋所述金屬基材； 對(duì)所述有機(jī)覆蓋層進(jìn)行第二次切割，形成第二鏤空區(qū)域，其中，所述第二鏤空區(qū)域的投影位于所述第一鏤空區(qū)域內(nèi)。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的掩膜板的制造方法，其特征在于，所述拉伸所述金屬基材之后，所述金屬基材的平坦度不大于50um。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的掩膜板的制造方法，其特征在于，所述在形成有第一鏤空區(qū)域的金屬基材上形成一有機(jī)覆蓋層之前還包括: 去除掉所述金屬基材上附著的雜質(zhì)顆粒。
9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的掩膜板的制造方法，其特征在于，所述在形成有第一鏤空區(qū)域的金屬基材上形成一有機(jī)覆蓋層包括: 在形成有第一鏤空區(qū)域的金屬基材上涂布一層有機(jī)膠材，并對(duì)有機(jī)膠材進(jìn)行固化形成所述有機(jī)覆蓋層。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的掩膜板的制造方法，其特征在于，所述對(duì)所述有機(jī)覆蓋層進(jìn)行第二次激光切割之前還包括: 對(duì)形成有所述有機(jī)覆蓋層的金屬基材進(jìn)行拉伸。
【文檔編號(hào)】C23C14/04GK103981485SQ201410195772
【公開日】2014年8月13日 申請日期:2014年5月9日 優(yōu)先權(quán)日:2014年5月9日
【發(fā)明者】潘晟愷 申請人:合肥鑫晟光電科技有限公司, 京東方科技集團(tuán)股份有限公司