掩膜組件及其制造方法、顯示裝置的制造方法
【專利摘要】本發(fā)明公開(kāi)一種掩膜組件及其制造方法、顯示裝置，屬于顯示技術(shù)領(lǐng)域。掩膜組件包括：框架、第一掩膜板和第二掩膜板，第一掩膜板和第二掩膜板層疊設(shè)置在框架上；其中，第一掩膜板包括開(kāi)口區(qū)域，第二掩膜板包括蒸鍍區(qū)域和圍繞在蒸鍍區(qū)域周圍的緩沖區(qū)域，蒸鍍區(qū)域內(nèi)設(shè)置有供蒸鍍材料通過(guò)的蒸鍍孔，緩沖區(qū)域用于對(duì)蒸鍍材料進(jìn)行阻擋，開(kāi)口區(qū)域的邊界在第二掩膜板的正投影位于緩沖區(qū)域內(nèi)。本發(fā)明解決了掩膜組件的對(duì)位精度較低的問(wèn)題，達(dá)到了提高掩膜組件的對(duì)位精度的效果。本發(fā)明用于蒸鍍。
【專利說(shuō)明】
掩膜組件及其制造方法、顯示裝置
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種掩膜組件及其制造方法、顯示裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]有機(jī)發(fā)光二極管(英文:0rganic Light-Emitting D1de;簡(jiǎn)稱:0LED)顯示器具有自主發(fā)光、厚度薄、重量輕、響應(yīng)速度快、視角廣、色彩豐富以及高亮度、低功耗、耐高低溫等優(yōu)點(diǎn)，廣泛應(yīng)用于手機(jī)、手表、電腦、電視機(jī)等產(chǎn)品中。在OLED顯示器的制造過(guò)程中，可以采用蒸鍍機(jī)配合掩膜組件形成電極圖形、有機(jī)發(fā)光圖形等。
[0003]相關(guān)技術(shù)中，掩膜組件包括:金屬框架、OpenMASK(中文:開(kāi)放掩膜板)和精細(xì)金屬掩膜板(英文:Fine Metal Mask;簡(jiǎn)稱:FMM)，Open MASK包括開(kāi)口區(qū)域，F(xiàn)MM包括精密排布在整個(gè)FMM上的蒸鍍孔，Open MASK和FMM的四周分別焊接在金屬框架上，且FMM層疊設(shè)置在Open MASK上，F(xiàn)MM上的蒸鍍孔中，在Open MASK上的正投影位于開(kāi)口區(qū)域內(nèi)的蒸鍍孔所在的區(qū)域，為該掩膜組件的蒸鍍區(qū)域(也即是，掩膜組件的蒸鍍區(qū)域由Open MASK的開(kāi)口區(qū)域來(lái)限定，該蒸鍍區(qū)域的邊界為Open MASK的開(kāi)口區(qū)域的邊界)。在基板上形成圖形時(shí)，將掩膜組件設(shè)置在蒸鍍機(jī)與基板之間，使掩膜組件與基板的位置相對(duì)固定，掩膜組件的蒸鍍區(qū)域與基板上的待形成patten (圖形)區(qū)域?qū)?zhǔn)，蒸鍍機(jī)中的蒸鍍材料通過(guò)蒸鍍區(qū)域蒸鍍到基板上，在待形成圖形區(qū)域形成相應(yīng)的圖形。
[0004]但是，由于相關(guān)技術(shù)中的掩膜組件的蒸鍍區(qū)域由OpenMASK的開(kāi)口區(qū)域來(lái)限定，而在Open MASK上焊接FMM的過(guò)程中，容易導(dǎo)致Open MASK受力變形，使Open MASK的開(kāi)口區(qū)域與金屬框架的相對(duì)位置發(fā)生改變，進(jìn)而導(dǎo)致掩膜組件的蒸鍍區(qū)域發(fā)生改變，掩膜組件的蒸鍍區(qū)域與基板上的待形成圖形區(qū)域無(wú)法有效對(duì)準(zhǔn)，因此，掩膜組件的對(duì)位精度較低。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]為了解決掩膜組件的對(duì)位精度較低的問(wèn)題，本發(fā)明提供一種掩膜組件及其制造方法、顯示裝置。所述技術(shù)方案如下:
[0006]第一方面，提供一種掩膜組件，所述掩膜組件包括:框架、第一掩膜板和第二掩膜板，
[0007]所述第一掩膜板和所述第二掩膜板層疊設(shè)置在所述框架上；
[0008]其中，所述第一掩膜板包括開(kāi)口區(qū)域，所述第二掩膜板包括蒸鍍區(qū)域和圍繞在所述蒸鍍區(qū)域周圍的緩沖區(qū)域，所述蒸鍍區(qū)域內(nèi)設(shè)置有供蒸鍍材料通過(guò)的蒸鍍孔，所述緩沖區(qū)域用于對(duì)蒸鍍材料進(jìn)行阻擋，所述開(kāi)口區(qū)域的邊界在所述第二掩膜板的正投影位于所述緩沖區(qū)域內(nèi)。
[0009]可選地，所述緩沖區(qū)域內(nèi)設(shè)置有第一凹槽。
[0010]可選地，所述第一凹槽的開(kāi)口面位于所述第二掩膜板遠(yuǎn)離所述第一掩膜板的一面上。
[0011]可選地，所述緩沖區(qū)域的形狀為環(huán)形。
[0012]可選地，所述第一掩膜板還包括:圍繞在所述開(kāi)口區(qū)域周圍的第一外圍區(qū)域，所述第一外圍區(qū)域用于對(duì)蒸鍍材料進(jìn)行阻擋；
[0013]所述第二掩膜板還包括:圍繞在所述緩沖區(qū)域周圍的第二外圍區(qū)域，所述第二外圍區(qū)域在所述第一掩膜板上的正投影位于所述第一外圍區(qū)域內(nèi)。
[0014]可選地，所述第二外圍區(qū)域內(nèi)設(shè)置有所述蒸鍍孔;或者，
[0015]所述第二外圍區(qū)域內(nèi)設(shè)置有第二凹槽。
[0016]可選地，所述緩沖區(qū)域內(nèi)設(shè)置有第一凹槽，所有所述蒸鍍孔的開(kāi)口面的面積相等，所有凹槽的開(kāi)口面的面積相等，任一所述蒸鍍孔的開(kāi)口面的面積等于任一所述凹槽的開(kāi)口面的面積，任一所述凹槽的深度大于或者等于所述第二掩膜板的厚度的一半且小于所述第二掩膜板的厚度。
[0017]可選地，所述開(kāi)口區(qū)域和所述蒸鍍區(qū)域的形狀都為圓形，所述緩沖區(qū)域的形狀為圓環(huán)形，所述緩沖區(qū)域的內(nèi)環(huán)的半徑與所述蒸鍍區(qū)域的半徑相等，所述開(kāi)口區(qū)域的半徑大于所述緩沖區(qū)域的內(nèi)環(huán)的半徑，且小于所述緩沖區(qū)域的外環(huán)的半徑。
[0018]可選地，所述框架為金屬框架，所述第二掩膜板為精細(xì)金屬掩膜板，所述第一掩膜板和所述第二掩膜板分別焊接在所述框架上。
[0019]第二方面，提供一種掩膜組件的制造方法，所述方法包括:
[0020]提供框架；
[0021]形成第一掩膜板，所述第一掩膜板包括開(kāi)口區(qū)域；
[0022]形成第二掩膜板，所述第二掩膜板包括蒸鍍區(qū)域和圍繞在所述蒸鍍區(qū)域周圍的緩沖區(qū)域，所述蒸鍍區(qū)域內(nèi)設(shè)置有供蒸鍍材料通過(guò)的蒸鍍孔，所述緩沖區(qū)域用于對(duì)蒸鍍材料進(jìn)行阻擋；
[0023]將所述第一掩膜板和所述第二掩膜板層疊設(shè)置在所述框架上，使所述開(kāi)口區(qū)域的邊界在所述第二掩膜板的正投影位于所述緩沖區(qū)域內(nèi)。
[0024]可選地，所述緩沖區(qū)域內(nèi)設(shè)置有第一凹槽。
[0025]可選地，所述第一凹槽的開(kāi)口面位于所述第二掩膜板遠(yuǎn)離所述第一掩膜板的一面上。
[0026]可選地，所述緩沖區(qū)域的形狀為環(huán)形。
[0027]可選地，所述第一掩膜板還包括:圍繞在所述開(kāi)口區(qū)域周圍的第一外圍區(qū)域，所述第一外圍區(qū)域用于對(duì)蒸鍍材料進(jìn)行阻擋；
[0028]所述第二掩膜板還包括:圍繞在所述緩沖區(qū)域周圍的第二外圍區(qū)域，
[0029]所述將所述第一掩膜板和所述第二掩膜板層疊設(shè)置在所述框架上，還包括:
[0030]將所述第一掩膜板和所述第二掩膜板層疊設(shè)置在所述框架上，使所述第二外圍區(qū)域在所述第一掩膜板上的正投影位于所述第一外圍區(qū)域內(nèi)。
[0031]可選地，所述第二外圍區(qū)域內(nèi)設(shè)置有所述蒸鍍孔;或者，
[0032]所述第二外圍區(qū)域內(nèi)設(shè)置有第二凹槽。
[0033]可選地，所述緩沖區(qū)域內(nèi)設(shè)置有第一凹槽，所有所述蒸鍍孔的開(kāi)口面的面積相等，所有凹槽的開(kāi)口面的面積相等，任一所述蒸鍍孔的開(kāi)口面的面積等于任一所述凹槽的開(kāi)口面的面積，任一所述凹槽的深度大于或者等于所述第二掩膜板的厚度的一半且小于所述第二掩膜板的厚度。
[0034]可選地，所述開(kāi)口區(qū)域和所述蒸鍍區(qū)域的形狀都為圓形，所述緩沖區(qū)域的形狀為圓環(huán)形，所述緩沖區(qū)域的內(nèi)環(huán)的半徑與所述蒸鍍區(qū)域的半徑相等，所述開(kāi)口區(qū)域的半徑大于所述緩沖區(qū)域的內(nèi)環(huán)的半徑，且小于所述緩沖區(qū)域的外環(huán)的半徑。
[0035]可選地，所述框架為金屬框架，所述第二掩膜板為精細(xì)金屬掩膜板，
[0036]所述將所述第一掩膜板和所述第二掩膜板層疊設(shè)置在所述框架上，包括:
[0037]將所述第一掩膜板和所述第二掩膜板分別焊接在所述框架上，使所述第一掩膜板和所述第二掩膜板層疊。
[0038]第三方面，提供一種顯示裝置，所述顯示裝置包括:采用第一方面所述的掩膜組件形成的圖形。
[0039]本發(fā)明提供的技術(shù)方案帶來(lái)的有益效果是:
[0040]本發(fā)明提供一種掩膜組件及其制造方法、顯示裝置，掩膜組件包括:框架、第一掩膜板和第二掩膜板，第一掩膜板和第二掩膜板層疊設(shè)置在框架上，第一掩膜板包括開(kāi)口區(qū)域，第二掩膜板包括蒸鍍區(qū)域和圍繞在蒸鍍區(qū)域周圍的緩沖區(qū)域，蒸鍍區(qū)域內(nèi)設(shè)置有供蒸鍍材料通過(guò)的蒸鍍孔，緩沖區(qū)域用于對(duì)蒸鍍材料進(jìn)行阻擋，開(kāi)口區(qū)域的邊界在第二掩膜板的正投影位于緩沖區(qū)域內(nèi)。由于掩膜組件的蒸鍍區(qū)域由第二掩膜板限定，第一掩膜板的開(kāi)口區(qū)域的邊界在第二掩膜板的正投影位于緩沖區(qū)域內(nèi)，而緩沖區(qū)域用于對(duì)蒸鍍材料進(jìn)行阻擋，這樣，由于緩沖區(qū)域的存在，在固定第二掩膜板時(shí)，開(kāi)口區(qū)域位置的改變不會(huì)對(duì)蒸鍍區(qū)域產(chǎn)生影響，因此，掩膜組件的對(duì)位精度較高，解決了掩膜組件的對(duì)位精度較低的問(wèn)題，達(dá)到了提高掩膜組件的對(duì)位精度的效果。
[0041]應(yīng)當(dāng)理解的是，以上的一般描述和后文的細(xì)節(jié)描述僅是示例性的，并不能限制本發(fā)明。
【附圖說(shuō)明】
[0042]為了更清楚地說(shuō)明本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例描述中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹，顯而易見(jiàn)地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來(lái)講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。
[0043]圖1-1是相關(guān)技術(shù)提供的一種掩膜組件的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0044]圖1-2是相關(guān)技術(shù)提供的另一種掩膜組件的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0045]圖2-1是本發(fā)明實(shí)施例提供的一種掩膜組件的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0046]圖2-2是本發(fā)明實(shí)施例提供的一種第一掩膜板的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0047]圖2-3是本發(fā)明實(shí)施例提供的一種第二掩膜板的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0048]圖2-4是本發(fā)明實(shí)施例提供的一種開(kāi)口區(qū)域與蒸鍍區(qū)域、緩沖區(qū)域的位置關(guān)系圖；
[0049]圖2-5是本發(fā)明實(shí)施例提供的另一種掩膜組件的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0050]圖2-6是相關(guān)技術(shù)提供的一種基板的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0051 ]圖2-7是本發(fā)明實(shí)施例提供的一種基板的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0052]圖3是本發(fā)明實(shí)施例提供的一種掩膜組件的制造方法的方法流程圖；
[0053]圖4是本發(fā)明實(shí)施例提供的另一種掩膜組件的制造方法的方法流程圖。
[0054]此處的附圖被并入說(shuō)明書中并構(gòu)成本說(shuō)明書的一部分，示出了符合本發(fā)明的實(shí)施例，并與說(shuō)明書一起用于解釋本發(fā)明的原理。
【具體實(shí)施方式】
[0055]為了使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚，下面將結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步地詳細(xì)描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本發(fā)明一部份實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；诒景l(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒(méi)有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其它實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。
[0056]請(qǐng)參考圖1-1，其示出了相關(guān)技術(shù)提供的一種掩膜組件00的結(jié)構(gòu)示意圖，參見(jiàn)圖1-1，該掩膜組件00包括:金屬框架(圖1-1中未示出),Open MASK(圖1_1中未標(biāo)出)和FMM-OOI，Open MASK包括開(kāi)口區(qū)域，F(xiàn)MM-001包括精密排布在整個(gè)FMM上的蒸鍍孔0011，Open MASK和FMM的四周分別焊接在金屬框架上，且FMM-001層疊設(shè)置在Open MASK上，F(xiàn)MM上的蒸鍍孔0011中，在Open MASK上的正投影位于開(kāi)口區(qū)域內(nèi)的蒸鍍孔0011所在的區(qū)域，為該掩膜組件00的蒸鍍區(qū)域002。在基板(圖1-1中未示出)上形成圖形時(shí)，將掩膜組件00設(shè)置在蒸鍍機(jī)(圖1-1中未示出)與基板之間，使掩膜組件00與基板的位置相對(duì)固定，掩膜組件00的蒸鍍區(qū)域002與基板上的待形成圖形區(qū)域?qū)?zhǔn)，蒸鍍機(jī)中的蒸鍍材料通過(guò)蒸鍍區(qū)域002蒸鍍到基板上，在待形成圖形區(qū)域形成相應(yīng)的圖形。
[0057]但是，由于該掩膜組件00的蒸鍍區(qū)域002由Open MASK的開(kāi)口區(qū)域來(lái)限定，而在Open MASK上焊接FMM-001的過(guò)程中，容易導(dǎo)致Open MASK受力變形，使Open MASK的開(kāi)口區(qū)域與金屬框架的相對(duì)位置發(fā)生改變，進(jìn)而導(dǎo)致掩膜組件00的蒸鍍區(qū)域002發(fā)生改變，比如，在Open MASK上焊接FMM-OOI的過(guò)程中，由于Open MASK受力變形，導(dǎo)致Open MASK的開(kāi)口區(qū)域與金屬框架的相對(duì)位置發(fā)生改變，使得掩膜組件00的蒸鍍區(qū)域002由如圖1-1所示的位置改變至如圖1-2所示的位置(圖1-2中虛線所示區(qū)域?yàn)镺pen MASK與金屬框架的相對(duì)位置改變之前，Open MASK的開(kāi)口區(qū)域)，那么，由于掩膜組件00與基板的位置相對(duì)固定，因此，蒸鍍區(qū)域002位置的改變會(huì)導(dǎo)致掩膜組件00的蒸鍍區(qū)域002與基板上的待形成圖形區(qū)域無(wú)法有效對(duì)準(zhǔn)，掩膜組件00的對(duì)位精度較低。
[0058]請(qǐng)參考圖2-1，其示出了本發(fā)明實(shí)施例提供的一種掩膜組件01的結(jié)構(gòu)示意圖，參見(jiàn)圖2-1，該掩膜組件OI包括:框架(圖2-1中未示出)、第一掩膜板(圖2-1中未標(biāo)出)和第二掩膜板011，第一掩膜板和第二掩膜板011層疊設(shè)置在框架上。
[0059 ]其中，第一掩膜板包括開(kāi)口區(qū)域0121，第二掩膜板011包括蒸鍍區(qū)域0111和圍繞在蒸鍍區(qū)域0111周圍的緩沖(英文:Dummy)區(qū)域0112，蒸鍍區(qū)域0111內(nèi)設(shè)置有供蒸鍍材料通過(guò)的蒸鍍孔K，緩沖區(qū)域0112用于對(duì)蒸鍍材料進(jìn)行阻擋，開(kāi)口區(qū)域0121的邊界在第二掩膜板011的正投影位于緩沖區(qū)域0112內(nèi)。
[0060]綜上所述，本發(fā)明實(shí)施例提供的掩膜組件，由于掩膜組件的蒸鍍區(qū)域由第二掩膜板限定，第一掩膜板的開(kāi)口區(qū)域的邊界在第二掩膜板的正投影位于緩沖區(qū)域內(nèi)，而緩沖區(qū)域用于對(duì)蒸鍍材料進(jìn)行阻擋，這樣，由于緩沖區(qū)域的存在，在固定第二掩膜板時(shí)，開(kāi)口區(qū)域位置的改變不會(huì)對(duì)蒸鍍區(qū)域產(chǎn)生影響，因此，掩膜組件的對(duì)位精度較高，解決了掩膜組件的對(duì)位精度較低的問(wèn)題，達(dá)到了提高掩膜組件的對(duì)位精度的效果。
[0061]可選地，如圖2-1所示，緩沖區(qū)域0112的形狀為環(huán)形?？蚣艿木唧w結(jié)構(gòu)可以參考相關(guān)技術(shù)，本發(fā)明實(shí)施例在此不再贅述。
[0062]可選地，請(qǐng)參考圖2-2，其示出了本發(fā)明實(shí)施例提供的一種第一掩膜板012的結(jié)構(gòu)示意圖，參見(jiàn)圖2-2，第一掩膜板012包括開(kāi)口區(qū)域0121和圍繞在該開(kāi)口區(qū)域0121周圍的第一外圍區(qū)域0122，具體地，第一掩膜板012上的區(qū)域由該開(kāi)口區(qū)域0121和第一外圍區(qū)域0122組成，該第一外圍區(qū)域0122用于對(duì)蒸鍍材料進(jìn)行阻擋。示例地，如圖2-2所示，第一掩膜板012的板面為矩形，開(kāi)口區(qū)域0121的形狀可以為圓形，第一外圍區(qū)域0122為該第一掩膜板012上除該開(kāi)口區(qū)域0121之外的區(qū)域。實(shí)際應(yīng)用中，該開(kāi)口區(qū)域0121還可以為矩形或者其他形狀，本發(fā)明實(shí)施例對(duì)此不作限定。
[0063]可選地，請(qǐng)參考圖2-3，其示出了本發(fā)明實(shí)施例提供的一種第二掩膜板011的結(jié)構(gòu)示意圖，參見(jiàn)圖2-3，第二掩膜板011包括蒸鍍區(qū)域0111、圍繞在蒸鍍區(qū)域0111周圍的緩沖區(qū)域0112和圍繞在緩沖區(qū)域0112周圍的第二外圍區(qū)域0113，具體地，第二掩膜板011上的區(qū)域由蒸鍍區(qū)域0111、緩沖區(qū)域0112和第二外圍區(qū)域0113組成。示例地，第二掩膜板011的板面為矩形，蒸鍍區(qū)域0111的形狀可以為圓形，緩沖區(qū)域0112的形狀可以為圓環(huán)形，第二外圍區(qū)域0113為該第二掩膜板011上除該蒸鍍區(qū)域0111和緩沖區(qū)域0112之外的區(qū)域。需要說(shuō)明的是，實(shí)際應(yīng)用中，第二掩膜板011的板面、蒸鍍區(qū)域0111和緩沖區(qū)域0112還可以為其他形狀，其具體形狀可以根據(jù)實(shí)際需要設(shè)置，本發(fā)明實(shí)施例對(duì)此不作限定。
[0064]進(jìn)一步地，如圖2-3所示，蒸鍍區(qū)域0111內(nèi)設(shè)置有供蒸鍍材料通過(guò)的蒸鍍孔K，緩沖區(qū)域0112用于對(duì)蒸鍍材料進(jìn)行阻擋，示例地，緩沖區(qū)域0112內(nèi)設(shè)置有第一凹槽C，這樣可以減小緩沖區(qū)域0112與蒸鍍區(qū)域0111之間的應(yīng)力差，避免將第二掩膜板011設(shè)置在框架上的過(guò)程中，由于拉伸導(dǎo)致第二掩膜板011出現(xiàn)皺紋?？蛇x地，在將第二掩膜板011設(shè)置在框架上時(shí)，可以使第一凹槽C的開(kāi)口面位于第二掩膜板011遠(yuǎn)離第一掩膜板的一面上，本發(fā)明實(shí)施例對(duì)此不作限定。
[0065]可選地，第二掩膜板011的第二外圍區(qū)域內(nèi)設(shè)置有蒸鍍孔;或者，第二掩膜板011的第二外圍區(qū)域內(nèi)設(shè)置有第二凹槽。示例地，如圖2-3所示，第二掩膜板011的第二外圍區(qū)域0113上設(shè)置有蒸鍍孔K。其中，在第二外圍區(qū)域0113上設(shè)置蒸鍍孔或者第二凹槽可以減小第二外圍區(qū)域0113與蒸鍍區(qū)域0111之間的應(yīng)力差，避免將第二掩膜板011設(shè)置在框架上的過(guò)程中，由于拉伸導(dǎo)致第二掩膜板011出現(xiàn)皺紋。其中，在如圖2-1所示的掩膜組件01中，第二外圍區(qū)域在第一掩膜板上的正投影位于第一外圍區(qū)域內(nèi)。需要說(shuō)明的是，實(shí)際應(yīng)用中，第二凹槽的結(jié)構(gòu)與第一凹槽C的結(jié)構(gòu)可以相同，也可以不同，本發(fā)明實(shí)施例對(duì)此不作限定。
[0066]可選地，在本發(fā)明實(shí)施例中，蒸鍍孔K可以為圓形孔、矩形孔、方形孔或者其他形狀的孔，所有蒸鍍孔K的開(kāi)口面的形狀相同且面積相等，所有凹槽(包括第一凹槽C和第二凹槽)的開(kāi)口面的形狀相同且面積相等，任一蒸鍍孔K的開(kāi)口面的面積等于任一凹槽的開(kāi)口面的面積，任一凹槽的深度大于或者等于第二掩膜板011的厚度的一半且小于第二掩膜板的厚度，這樣可以盡可能的減小第二掩膜板011上不同位置的應(yīng)力差。其中，蒸鍍孔K可以通過(guò)全刻蝕工藝形成，全刻蝕工藝可以將第二掩膜板011刻透從而形成蒸鍍孔K，第一凹槽C和第二凹槽都可以采用半刻蝕工藝形成，半刻蝕工藝不會(huì)將第二掩膜板011刻透從而形成凹槽。
[0067]進(jìn)一步地，請(qǐng)參考圖2-4，其示出了本發(fā)明實(shí)施例提供的一種開(kāi)口區(qū)域0121、蒸鍍區(qū)域0111和緩沖區(qū)域0112的位置關(guān)系圖，參見(jiàn)圖2-4，開(kāi)口區(qū)域0121和蒸鍍區(qū)域0111的形狀都為圓形，緩沖區(qū)域0112的形狀為圓環(huán)形，緩沖區(qū)域0112的內(nèi)環(huán)的半徑與蒸鍍區(qū)域0111的半徑相等，開(kāi)口區(qū)域0121的半徑大于緩沖區(qū)域0112的內(nèi)環(huán)的半徑，且小于緩沖區(qū)域0112的外環(huán)的半徑。
[0068]可選地，第一掩膜板可以為Open MASK，第二掩膜板011可以為FMM，第一掩膜板和第二掩膜板011的形狀相同，大小相等。示例地，框架的形狀可以為矩形且框架可以為金屬框架，第一掩膜板和第二掩膜板011的形狀都為矩形，第一掩膜板和第二掩膜板011分別焊接在框架上，本發(fā)明實(shí)施例對(duì)此不作限定。
[0069]在如圖2-1所示的掩膜組件01中，在第一掩膜板上焊接第二掩膜板的過(guò)程中，由于第一掩膜板受力變形，可能導(dǎo)致第一掩膜板的開(kāi)口區(qū)域0121與框架的相對(duì)位置發(fā)生改變，但是由于掩膜組件01的蒸鍍區(qū)域0111是由第二掩膜板011限定的，且第二掩膜板011上還包括緩沖區(qū)域0112，這樣，即使第一掩膜板的開(kāi)口區(qū)域0121與框架的相對(duì)位置發(fā)生改變，只要改變后第一掩膜板的開(kāi)口區(qū)域0121的邊界在第二掩膜板011上的正投影位于緩沖區(qū)域0112內(nèi)，就不會(huì)改變掩膜組件01的蒸鍍區(qū)域。比如，在第一掩膜板上焊接第二掩膜板011的過(guò)程中，第一掩膜板受力變形，導(dǎo)致第一掩膜板的開(kāi)口區(qū)域0121與框架的相對(duì)位置發(fā)生改變，使得第一掩膜板的開(kāi)口區(qū)域0121由如圖2-1所示的位置改變至如圖2-5所示的位置，那么，參見(jiàn)圖2-5可知，改變后第一掩膜板的開(kāi)口區(qū)域0121的邊界在第二掩膜板011上的正投影位于緩沖區(qū)域0112內(nèi)，因此，掩膜組件01的蒸鍍區(qū)域0111未發(fā)生改變，第一掩膜板的開(kāi)口區(qū)域0121的位置的改變不會(huì)對(duì)掩膜組件01的蒸鍍區(qū)域0111的位置產(chǎn)生影響，所以，本發(fā)明實(shí)施例提供的掩膜組件01的對(duì)位精度較高。
[°07°]相關(guān)技術(shù)中的掩膜組件的蒸鍍區(qū)域由Open MASK的開(kāi)口區(qū)域來(lái)限定，而Open MASK的精度比FMM的精度低，形成的圖形的質(zhì)量較差，這樣在形成圖形(比如有機(jī)發(fā)光圖形、電極圖形)時(shí)，為了避免基板的顯示區(qū)域的周邊的像素出現(xiàn)故障，通常需要在基板的顯示區(qū)域的周邊設(shè)置留白區(qū)，并在留白區(qū)形成緩沖像素(英文:Du_y Pixel)來(lái)對(duì)顯示區(qū)域中的像素進(jìn)行緩沖保護(hù)，該緩沖像素不用于圖像顯示。示例地，如圖2-6所示，可以在基板02的顯示區(qū)域021的周邊設(shè)置留白區(qū)0211，在留白區(qū)0211中形成緩沖像素，這樣當(dāng)基板02的像素出現(xiàn)故障時(shí)，首先出現(xiàn)故障的像素為留白區(qū)0211中的緩沖像素，因此，該緩沖像素可以對(duì)顯示區(qū)域021中用于顯示圖像的像素進(jìn)行保護(hù)。但是，設(shè)置留白區(qū)0211之后，如圖2-6所示，基板的邊緣的寬度為a，該基板O2的邊緣較寬，難以實(shí)現(xiàn)窄邊框顯示。
[0071]本發(fā)明實(shí)施例提供的掩膜組件的蒸鍍區(qū)域由FMM來(lái)限定，而FMM的精度較高，形成的圖形的質(zhì)量較好，這樣在形成圖形時(shí)，可以不在基板上形成緩沖像素，因此，也不需要在基板的顯示區(qū)域的周邊設(shè)置留白區(qū)。示例地，如圖2-7所示，可以不在基板03的顯示區(qū)域031的周邊設(shè)置留白區(qū)，此時(shí)，基板03的邊緣的寬度為b，該基板03的邊緣較窄，可以實(shí)現(xiàn)窄邊框顯不O
[0072]相關(guān)技術(shù)中，為了提高掩膜組件的對(duì)位精度，需要不斷提高OpenMASK的開(kāi)口精度，而Open MASK是精度較低的掩膜板，提高Open MASK的開(kāi)口精度的過(guò)程復(fù)雜，導(dǎo)致OpenMASK的制作工藝難度較高，本發(fā)明實(shí)施例通過(guò)采用FMM限定掩膜組件的蒸鍍區(qū)域，可以不再要求Open MASK具有較高的開(kāi)口精度就可以提高掩膜組件的對(duì)位精度，因此，可以降低OpenMASK的開(kāi)口精度要求，降低Open MASK的制作工藝難度。
[0073]顯示器通常包括液晶顯示器(英文:Liquid Crystal Display;簡(jiǎn)稱:1XD)、0LED顯示器、等離子顯示屏(英文:Plasma Display Panel;簡(jiǎn)稱:PDP)顯示器和電子墨水顯示器，OLED顯示器以其輕薄、主動(dòng)發(fā)光、快響應(yīng)速度、廣視角、色彩豐富及高亮度、低功耗、耐高低溫等眾多優(yōu)點(diǎn)而被業(yè)界公認(rèn)為是LCD顯示器之后的第三代顯示技術(shù)，可以廣泛用于智能手機(jī)、平板電腦、電視等終端產(chǎn)品。近期隨著蘋果手表的熱賣，將OLED顯示器運(yùn)用在手表中迅速引領(lǐng)了潮流，本發(fā)明實(shí)施例提供的掩膜組件可以用于手表的顯示器的制作，具有廣泛的應(yīng)用前景和市場(chǎng)需求。
[0074]綜上所述，本發(fā)明實(shí)施例提供的掩膜組件，由于掩膜組件的蒸鍍區(qū)域由第二掩膜板限定，第一掩膜板的開(kāi)口區(qū)域的邊界在第二掩膜板的正投影位于緩沖區(qū)域內(nèi)，而緩沖區(qū)域用于對(duì)蒸鍍材料進(jìn)行阻擋，這樣，由于緩沖區(qū)域的存在，在固定第二掩膜板時(shí)，開(kāi)口區(qū)域位置的改變不會(huì)對(duì)蒸鍍區(qū)域產(chǎn)生影響，因此，掩膜組件的對(duì)位精度較高，解決了掩膜組件的對(duì)位精度較低的問(wèn)題，達(dá)到了提高掩膜組件的對(duì)位精度的效果。
[0075]本發(fā)明實(shí)施例提供的掩膜組件可以應(yīng)用于下文的方法，本發(fā)明實(shí)施例中掩膜組件的制造方法和制造原理可以參見(jiàn)下文各實(shí)施例中的描述。
[0076]請(qǐng)參考圖3，其示出了本發(fā)明實(shí)施例提供的一種掩膜組件的制造方法的方法流程圖，該掩膜組件的制造方法可以用于制造圖2-1所示的掩膜組件01，參見(jiàn)圖3，該掩膜組件的制造方法可以包括:
[0077]步驟301、提供框架。
[0078]步驟302、形成第一掩膜板，第一掩膜板包括開(kāi)口區(qū)域。
[0079]步驟303、形成第二掩膜板，第二掩膜板包括蒸鍍區(qū)域和圍繞在蒸鍍區(qū)域周圍的緩沖區(qū)域，蒸鍍區(qū)域內(nèi)設(shè)置有供蒸鍍材料通過(guò)的蒸鍍孔，緩沖區(qū)域用于對(duì)蒸鍍材料進(jìn)行阻擋。
[0080]步驟304、將第一掩膜板和第二掩膜板層疊設(shè)置在框架上，使開(kāi)口區(qū)域的邊界在第二掩膜板的正投影位于緩沖區(qū)域內(nèi)。
[0081]綜上所述，本發(fā)明實(shí)施例提供的掩膜組件的制造方法，由于掩膜組件的蒸鍍區(qū)域由第二掩膜板限定，第一掩膜板的開(kāi)口區(qū)域的邊界在第二掩膜板的正投影位于緩沖區(qū)域內(nèi)，而緩沖區(qū)域用于對(duì)蒸鍍材料進(jìn)行阻擋，這樣，由于緩沖區(qū)域的存在，在固定第二掩膜板時(shí)，開(kāi)口區(qū)域位置的改變不會(huì)對(duì)蒸鍍區(qū)域產(chǎn)生影響，因此，掩膜組件的對(duì)位精度較高，解決了掩膜組件的對(duì)位精度較低的問(wèn)題，達(dá)到了提高掩膜組件的對(duì)位精度的效果。
[0082]可選地，緩沖區(qū)域內(nèi)設(shè)置有第一凹槽。
[0083]可選地，第一凹槽的開(kāi)口面位于第二掩膜板遠(yuǎn)離第一掩膜板的一面上。
[0084]可選地，緩沖區(qū)域的形狀為環(huán)形。
[0085]可選地，第一掩膜板還包括:圍繞在開(kāi)口區(qū)域周圍的第一外圍區(qū)域，第一外圍區(qū)域用于對(duì)蒸鍍材料進(jìn)行阻擋；
[0086]第二掩膜板還包括:圍繞在緩沖區(qū)域周圍的第二外圍區(qū)域，
[0087]將第一掩膜板和第二掩膜板層疊設(shè)置在框架上，還包括:
[0088]將第一掩膜板和第二掩膜板層疊設(shè)置在框架上，使第二外圍區(qū)域在第一掩膜板上的正投影位于第一外圍區(qū)域內(nèi)。
[0089]可選地，第二外圍區(qū)域上設(shè)置有蒸鍍孔;或者，
[0090]第二外圍區(qū)域上設(shè)置有第二凹槽。
[0091]可選地，緩沖區(qū)域內(nèi)設(shè)置有第一凹槽，所有蒸鍍孔的開(kāi)口面的面積相等，所有凹槽的開(kāi)口面的面積相等，任一蒸鍍孔的開(kāi)口面的面積等于任一凹槽的開(kāi)口面的面積，任一凹槽的深度大于或者等于第二掩膜板的厚度的一半且小于第二掩膜板的厚度。
[0092]可選地，開(kāi)口區(qū)域和蒸鍍區(qū)域的形狀都為圓形，緩沖區(qū)域的形狀為圓環(huán)形，緩沖區(qū)域的內(nèi)環(huán)的半徑與蒸鍍區(qū)域的半徑相等，開(kāi)口區(qū)域的半徑大于緩沖區(qū)域的內(nèi)環(huán)的半徑，且小于緩沖區(qū)域的外環(huán)的半徑。
[0093]可選地，框架為金屬框架，第二掩膜板為精細(xì)金屬掩膜板，步驟304包括:
[0094]將第一掩膜板和第二掩膜板分別焊接在框架上，使第一掩膜板和第二掩膜板層置。
[0095]上述所有可選技術(shù)方案，可以采用任意結(jié)合形成本發(fā)明的可選實(shí)施例，在此不再
--贅述。
[0096]綜上所述，本發(fā)明實(shí)施例提供的掩膜組件的制造方法，由于掩膜組件的蒸鍍區(qū)域由第二掩膜板限定，第一掩膜板的開(kāi)口區(qū)域的邊界在第二掩膜板的正投影位于緩沖區(qū)域內(nèi)，而緩沖區(qū)域用于對(duì)蒸鍍材料進(jìn)行阻擋，這樣，由于緩沖區(qū)域的存在，在固定第二掩膜板時(shí)，開(kāi)口區(qū)域位置的改變不會(huì)對(duì)蒸鍍區(qū)域產(chǎn)生影響，因此，掩膜組件的對(duì)位精度較高，解決了掩膜組件的對(duì)位精度較低的問(wèn)題，達(dá)到了提高掩膜組件的對(duì)位精度的效果。
[0097]請(qǐng)參考4-1，其示出了本發(fā)明實(shí)施例提供的另一種掩膜組件的制造方法的方法流程圖，該掩膜組件的制造方法可以用于制造圖2-1所示的掩膜組件01，參見(jiàn)圖4，該掩膜組件的制造方法可以包括:
[0098]步驟401、提供框架。
[0099]在本發(fā)明實(shí)施例中，框架的具體結(jié)構(gòu)以及形成方法均可以參考相關(guān)技術(shù)，本發(fā)明實(shí)施例在此不再贅述。
[0100]步驟402、形成第一掩膜板，第一掩膜板包括開(kāi)口區(qū)域和圍繞在開(kāi)口區(qū)域周圍的第一外圍區(qū)域，第一外圍區(qū)域用于對(duì)蒸鍍材料進(jìn)行阻擋。
[0101]其中，第一掩膜板012可以為Open MASK，如圖2_2所示，第一掩膜板012包括開(kāi)口區(qū)域0121和圍繞在開(kāi)口區(qū)域0121周圍的第一外圍區(qū)域0122，第一外圍區(qū)域0122用于對(duì)蒸鍍材料進(jìn)行阻擋。示例地，第一掩膜板012的板面為矩形，開(kāi)口區(qū)域0121可以為圓形，第一外圍區(qū)域0122為該第一掩膜板012上除該開(kāi)口區(qū)域0121之外的區(qū)域。
[0102]在本發(fā)明實(shí)施例中，第一掩膜板012可以包括第一掩膜板本體，第一掩膜板本體為不包括任何圖形的矩形板，可以通過(guò)一次構(gòu)圖工藝對(duì)第一掩膜板本體進(jìn)行處理得到第一掩膜板012。其中，一次構(gòu)圖工藝可以包括:光刻膠涂覆、曝光、顯影、刻蝕和光刻膠剝離，因此，通過(guò)一次構(gòu)圖工藝對(duì)第一掩膜板本體進(jìn)行處理得到第一掩膜板012可以包括:在第一掩膜板本體上涂覆一層具有一定厚度的光刻膠得到光刻膠層，采用具有相應(yīng)圖形的掩膜板對(duì)光刻膠層進(jìn)行曝光，使光刻膠層形成完全曝光區(qū)和非曝光區(qū)，完全曝光區(qū)對(duì)應(yīng)待形成的第一掩膜板的開(kāi)口區(qū)域，非曝光區(qū)對(duì)應(yīng)待形成的第一掩膜板的第一外圍區(qū)域，之后采用顯影工藝處理，使完全曝光區(qū)的光刻膠被完全去除，非曝光區(qū)的光刻膠全部保留，采用刻蝕工藝對(duì)第一掩膜板本體上完全曝光區(qū)對(duì)應(yīng)的區(qū)域進(jìn)行刻蝕，得到第一掩膜板的開(kāi)口區(qū)域0121，之后剝離非曝光區(qū)的光刻膠得到第一掩膜板的第一外圍區(qū)域0122，得到第一掩膜板的開(kāi)口區(qū)域0121和第一外圍區(qū)域0122之后，就得到了第一掩膜板012。
[0103]需要說(shuō)明的是，本發(fā)明實(shí)施例是以采用正性光刻膠形成第一掩膜板012為例進(jìn)行說(shuō)明的，實(shí)際應(yīng)用中，還可以采用負(fù)性光刻膠形成第一掩膜板012，本發(fā)明實(shí)施例對(duì)此不做限定。
[0104]還需要說(shuō)明的是，該步驟402中形成第一掩膜板012時(shí)采用的具有相應(yīng)圖形的掩膜板與該第一掩膜板012不同，該具有相應(yīng)圖形的掩膜板可以是包括透光區(qū)域和遮光區(qū)域的掩膜板，本發(fā)明實(shí)施例在此不再贅述。
[0105]步驟403、形成第二掩膜板，第二掩膜板包括蒸鍍區(qū)域、圍繞在蒸鍍區(qū)域周圍的緩沖區(qū)域和圍繞在緩沖區(qū)域周圍的第二外圍區(qū)域，蒸鍍區(qū)域內(nèi)設(shè)置有供蒸鍍材料通過(guò)的蒸鍍孔，緩沖區(qū)域用于對(duì)蒸鍍材料進(jìn)行阻擋。
[0106]其中，第二掩膜板011可以為FMM，如圖2-3所示，第二掩膜板011包括蒸鍍區(qū)域0111、圍繞在蒸鍍區(qū)域0111周圍的緩沖區(qū)域0112和圍繞在緩沖區(qū)域0112周圍的第二外圍區(qū)域0113，第二掩膜板011的板面為矩形，蒸鍍區(qū)域0111的形狀可以為圓形，緩沖區(qū)域0112的形狀為圓環(huán)形，第二外圍區(qū)域0113為該第二掩膜板011上除該蒸鍍區(qū)域0111和緩沖區(qū)域0112之外的區(qū)域。蒸鍍區(qū)域0111內(nèi)設(shè)置有供蒸鍍材料通過(guò)的蒸鍍孔K，緩沖區(qū)域0112內(nèi)設(shè)置有第一凹槽C，第二外圍區(qū)域0113上設(shè)置有蒸鍍孔K，在本發(fā)明實(shí)施例中，蒸鍍孔K可以為圓形孔、矩形孔、方形孔或者其他形狀的孔，所有蒸鍍孔K的開(kāi)口面的形狀相同且面積相等，所有凹槽的開(kāi)口面的形狀相同且面積相等，任一蒸鍍孔K的開(kāi)口面的面積等于任一凹槽的開(kāi)口面的面積，任一凹槽的深度大于或者等于第二掩膜板011的厚度的一半且小于第二掩膜板的厚度。
[0107]在本發(fā)明實(shí)施例中，第二掩膜板011可以包括第二掩膜板本體，第二掩膜板本體為不包括任何圖形的矩形板，可以通過(guò)一次構(gòu)圖工藝對(duì)第二掩膜板本體進(jìn)行處理得到第二掩膜板011。其中，一次構(gòu)圖工藝可以包括:光刻膠涂覆、曝光、顯影、刻蝕和光刻膠剝離，因此，通過(guò)一次構(gòu)圖工藝對(duì)第二掩膜板本體進(jìn)行處理得到第二掩膜板011可以包括:在第二掩膜板本體上涂覆一層具有一定厚度的光刻膠得到光刻膠層，采用具有相應(yīng)圖形的灰色掩膜板或者半色調(diào)掩膜板對(duì)光刻膠層進(jìn)行曝光，使光刻膠層形成完全曝光區(qū)、部分曝光區(qū)和非曝光區(qū)，完全曝光區(qū)對(duì)應(yīng)待形成的第二掩膜板上的蒸鍍孔，部分曝光區(qū)對(duì)應(yīng)待形成的第二掩膜板上的凹槽，非曝光區(qū)對(duì)應(yīng)其他區(qū)域，之后采用顯影工藝處理，使完全曝光區(qū)的光刻膠被完全去除，部分曝光區(qū)的光刻膠被部分去除，非曝光區(qū)的光刻膠全部保留，采用刻蝕工藝對(duì)第二掩膜板本體上完全曝光區(qū)對(duì)應(yīng)的區(qū)域進(jìn)行刻蝕，得到第二掩膜板的蒸鍍孔K，之后可以采用顯影、灰化或剝離等工藝去除部分曝光區(qū)的光刻膠，采用刻蝕工藝對(duì)第二掩膜板本體上部分曝光區(qū)對(duì)應(yīng)的區(qū)域進(jìn)行刻蝕，得到第二掩膜板的凹槽，之后剝離非曝光區(qū)的光刻膠得到第二掩膜板011。
[0108]需要說(shuō)明的是，本發(fā)明實(shí)施例是以采用正性光刻膠形成第二掩膜板011為例進(jìn)行說(shuō)明的，實(shí)際應(yīng)用中，還可以采用負(fù)性光刻膠形成第二掩膜板011，本發(fā)明實(shí)施例對(duì)此不做限定。
[0109]還需要說(shuō)明的是，該步驟403是以通過(guò)一次構(gòu)圖工藝，采用灰色掩膜板或者半色調(diào)掩膜板形成第二掩膜板011為例進(jìn)行說(shuō)明的，實(shí)際應(yīng)用中，還可以通過(guò)兩次構(gòu)圖工藝形成第二掩膜板011，本發(fā)明實(shí)施例在此不再贅述。
[0110]步驟404、將第一掩膜板和第二掩膜板層疊設(shè)置在框架上，使開(kāi)口區(qū)域的邊界在第二掩膜板的正投影位于緩沖區(qū)域內(nèi)，第二外圍區(qū)域在第一掩膜板上的正投影位于第一外圍區(qū)域內(nèi)。
[0111]其中，將第一掩膜板012和第二掩膜板011層疊設(shè)置在框架上后可以形成掩膜組件Ol，掩膜組件Ol的具體結(jié)構(gòu)可以參考圖2-1，本發(fā)明實(shí)施例在此不再贅述。
[0112]在本發(fā)明實(shí)施例中，框架的形狀可以為矩形，第一掩膜板012和第二掩膜板011的形狀都可以為矩形，且框架可以為金屬框架，第一掩膜板012和第二掩膜板011的材質(zhì)均可以為金屬，因此，可以將第一掩膜板012和第二掩膜板011分別焊接在框架上，使第一掩膜板012和第二掩膜板011層疊。具體地，可以先將第一掩膜板012焊接在框架上，然后將第二掩膜板011焊接在框架上，使第二掩膜板011的緩沖區(qū)域的第一凹槽C的開(kāi)口面位于第二掩膜板011遠(yuǎn)離第一掩膜板012的一面上，并使第二掩膜板011的第二外圍區(qū)域0113在第一掩膜板012上的正投影位于第一掩膜板012的第一外圍區(qū)域0122內(nèi)。
[0113]可選地，在本發(fā)明實(shí)施例中，第一掩膜板012的開(kāi)口區(qū)域0121的形狀為圓形，第二掩膜板011的蒸鍍區(qū)域0111的形狀為圓形，緩沖區(qū)域0112的形狀為圓環(huán)形，緩沖區(qū)域0112的內(nèi)環(huán)的半徑與蒸鍍區(qū)域0111的半徑相等，開(kāi)口區(qū)域0121的半徑大于緩沖區(qū)域0112的內(nèi)環(huán)的半徑，且小于緩沖區(qū)域0112的外環(huán)的半徑，本發(fā)明實(shí)施例在此不再贅述。
[0114]綜上所述，本發(fā)明實(shí)施例提供的掩膜組件的制造方法，由于掩膜組件的蒸鍍區(qū)域由第二掩膜板限定，第一掩膜板的開(kāi)口區(qū)域的邊界在第二掩膜板的正投影位于緩沖區(qū)域內(nèi)，而緩沖區(qū)域用于對(duì)蒸鍍材料進(jìn)行阻擋，這樣，由于緩沖區(qū)域的存在，在固定第二掩膜板時(shí)，開(kāi)口區(qū)域位置的改變不會(huì)對(duì)蒸鍍區(qū)域產(chǎn)生影響，因此，掩膜組件的對(duì)位精度較高，解決了掩膜組件的對(duì)位精度較低的問(wèn)題，達(dá)到了提高掩膜組件的對(duì)位精度的效果。
[0115]本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種顯示裝置，該顯示裝置包括采用圖2-1所示的掩膜組件形成的圖形，顯示裝置可以為:watch(中文:手表)、電子紙、手機(jī)、平板電腦、電視機(jī)、顯示器、筆記本電腦、數(shù)碼相框、導(dǎo)航儀等任何具有顯示功能的產(chǎn)品或部件。
[0116]綜上所述，本發(fā)明實(shí)施例提供的顯示裝置包括采用掩膜組件形成的圖形，由于掩膜組件的蒸鍍區(qū)域由第二掩膜板限定，第一掩膜板的開(kāi)口區(qū)域的邊界在第二掩膜板的正投影位于緩沖區(qū)域內(nèi)，而緩沖區(qū)域用于對(duì)蒸鍍材料進(jìn)行阻擋，這樣，由于緩沖區(qū)域的存在，在固定第二掩膜板時(shí)，開(kāi)口區(qū)域位置的改變不會(huì)對(duì)蒸鍍區(qū)域產(chǎn)生影響，因此，掩膜組件的對(duì)位精度較高，形成的圖形的質(zhì)量較好，顯示裝置的顯示質(zhì)量較好。
[0117]本領(lǐng)域普通技術(shù)人員可以理解實(shí)現(xiàn)上述實(shí)施例的全部或部分步驟可以通過(guò)硬件來(lái)完成，也可以通過(guò)程序來(lái)指令相關(guān)的硬件完成，所述的程序可以存儲(chǔ)于一種計(jì)算機(jī)可讀存儲(chǔ)介質(zhì)中，上述提到的存儲(chǔ)介質(zhì)可以是只讀存儲(chǔ)器，磁盤或光盤等。
[0118]以上所述僅為本發(fā)明的較佳實(shí)施例，并不用以限制本發(fā)明，凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)，所作的任何修改、等同替換、改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種掩膜組件，其特征在于，所述掩膜組件包括:框架、第一掩膜板和第二掩膜板， 所述第一掩膜板和所述第二掩膜板層疊設(shè)置在所述框架上； 其中，所述第一掩膜板包括開(kāi)口區(qū)域，所述第二掩膜板包括蒸鍍區(qū)域和圍繞在所述蒸鍍區(qū)域周圍的緩沖區(qū)域，所述蒸鍍區(qū)域內(nèi)設(shè)置有供蒸鍍材料通過(guò)的蒸鍍孔，所述緩沖區(qū)域用于對(duì)蒸鍍材料進(jìn)行阻擋，所述開(kāi)口區(qū)域的邊界在所述第二掩膜板的正投影位于所述緩沖區(qū)域內(nèi)。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的掩膜組件，其特征在于， 所述緩沖區(qū)域內(nèi)設(shè)置有第一凹槽。3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的掩膜組件，其特征在于， 所述第一凹槽的開(kāi)口面位于所述第二掩膜板遠(yuǎn)離所述第一掩膜板的一面上。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的掩膜組件，其特征在于， 所述緩沖區(qū)域的形狀為環(huán)形。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的掩膜組件，其特征在于， 所述第一掩膜板還包括:圍繞在所述開(kāi)口區(qū)域周圍的第一外圍區(qū)域，所述第一外圍區(qū)域用于對(duì)蒸鍍材料進(jìn)行阻擋； 所述第二掩膜板還包括:圍繞在所述緩沖區(qū)域周圍的第二外圍區(qū)域，所述第二外圍區(qū)域在所述第一掩膜板上的正投影位于所述第一外圍區(qū)域內(nèi)。6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的掩膜組件，其特征在于， 所述第二外圍區(qū)域內(nèi)設(shè)置有所述蒸鍍孔;或者， 所述第二外圍區(qū)域內(nèi)設(shè)置有第二凹槽。7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的掩膜組件，其特征在于， 所述緩沖區(qū)域內(nèi)設(shè)置有第一凹槽，所有所述蒸鍍孔的開(kāi)口面的面積相等，所有凹槽的開(kāi)口面的面積相等，任一所述蒸鍍孔的開(kāi)口面的面積等于任一所述凹槽的開(kāi)口面的面積，任一所述凹槽的深度大于或者等于所述第二掩膜板的厚度的一半且小于所述第二掩膜板的厚度。8.根據(jù)權(quán)利要求1至7任一所述的掩膜組件，其特征在于， 所述開(kāi)口區(qū)域和所述蒸鍍區(qū)域的形狀都為圓形，所述緩沖區(qū)域的形狀為圓環(huán)形，所述緩沖區(qū)域的內(nèi)環(huán)的半徑與所述蒸鍍區(qū)域的半徑相等，所述開(kāi)口區(qū)域的半徑大于所述緩沖區(qū)域的內(nèi)環(huán)的半徑，且小于所述緩沖區(qū)域的外環(huán)的半徑。9.根據(jù)權(quán)利要求1至7任一所述的掩膜組件，其特征在于， 所述框架為金屬框架，所述第二掩膜板為精細(xì)金屬掩膜板，所述第一掩膜板和所述第二掩膜板分別焊接在所述框架上。10.一種掩膜組件的制造方法，其特征在于，所述方法包括: 提供框架； 形成第一掩膜板，所述第一掩膜板包括開(kāi)口區(qū)域； 形成第二掩膜板，所述第二掩膜板包括蒸鍍區(qū)域和圍繞在所述蒸鍍區(qū)域周圍的緩沖區(qū)域，所述蒸鍍區(qū)域內(nèi)設(shè)置有供蒸鍍材料通過(guò)的蒸鍍孔，所述緩沖區(qū)域用于對(duì)蒸鍍材料進(jìn)行阻擋； 將所述第一掩膜板和所述第二掩膜板層疊設(shè)置在所述框架上，使所述開(kāi)口區(qū)域的邊界在所述第二掩膜板的正投影位于所述緩沖區(qū)域內(nèi)。11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，其特征在于， 所述緩沖區(qū)域內(nèi)設(shè)置有第一凹槽。12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，其特征在于， 所述第一凹槽的開(kāi)口面位于所述第二掩膜板遠(yuǎn)離所述第一掩膜板的一面上。13.根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，其特征在于， 所述緩沖區(qū)域的形狀為環(huán)形。14.根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，其特征在于， 所述第一掩膜板還包括:圍繞在所述開(kāi)口區(qū)域周圍的第一外圍區(qū)域，所述第一外圍區(qū)域用于對(duì)蒸鍍材料進(jìn)行阻擋； 所述第二掩膜板還包括:圍繞在所述緩沖區(qū)域周圍的第二外圍區(qū)域， 所述將所述第一掩膜板和所述第二掩膜板層疊設(shè)置在所述框架上，還包括: 將所述第一掩膜板和所述第二掩膜板層疊設(shè)置在所述框架上，使所述第二外圍區(qū)域在所述第一掩膜板上的正投影位于所述第一外圍區(qū)域內(nèi)。15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的方法，其特征在于， 所述第二外圍區(qū)域內(nèi)設(shè)置有所述蒸鍍孔;或者， 所述第二外圍區(qū)域內(nèi)設(shè)置有第二凹槽。16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的方法，其特征在于， 所述緩沖區(qū)域內(nèi)設(shè)置有第一凹槽，所有所述蒸鍍孔的開(kāi)口面的面積相等，所有凹槽的開(kāi)口面的面積相等，任一所述蒸鍍孔的開(kāi)口面的面積等于任一所述凹槽的開(kāi)口面的面積，任一所述凹槽的深度大于或者等于所述第二掩膜板的厚度的一半且小于所述第二掩膜板的厚度。17.根據(jù)權(quán)利要求10至16任一所述的方法，其特征在于， 所述開(kāi)口區(qū)域和所述蒸鍍區(qū)域的形狀都為圓形，所述緩沖區(qū)域的形狀為圓環(huán)形，所述緩沖區(qū)域的內(nèi)環(huán)的半徑與所述蒸鍍區(qū)域的半徑相等，所述開(kāi)口區(qū)域的半徑大于所述緩沖區(qū)域的內(nèi)環(huán)的半徑，且小于所述緩沖區(qū)域的外環(huán)的半徑。18.根據(jù)權(quán)利要求10至16任一所述的方法，其特征在于， 所述框架為金屬框架，所述第二掩膜板為精細(xì)金屬掩膜板， 所述將所述第一掩膜板和所述第二掩膜板層疊設(shè)置在所述框架上，包括: 將所述第一掩膜板和所述第二掩膜板分別焊接在所述框架上，使所述第一掩膜板和所述第二掩膜板層疊。19.一種顯示裝置，其特征在于，所述顯示裝置包括:采用權(quán)利要求1至9任一所述的掩膜組件形成的圖形。
【文檔編號(hào)】C23C14/24GK106086781SQ201610423043
【公開(kāi)日】2016年11月9日
【申請(qǐng)日】2016年6月15日 公開(kāi)號(hào)201610423043.X, CN 106086781 A, CN 106086781A, CN 201610423043, CN-A-106086781, CN106086781 A, CN106086781A, CN201610423043, CN201610423043.X
【發(fā)明人】李冬偉, 李寶軍, 黃俊杰
【申請(qǐng)人】京東方科技集團(tuán)股份有限公司, 鄂爾多斯市源盛光電有限責(zé)任公司