真空電離鍍膜的制造方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種真空電離鍍膜機(jī)，包括：真空室、電離頭、真空管道、真空泵、靶子架、高壓發(fā)生器和送料器，真空室一端設(shè)置有電離頭，電離頭后端設(shè)置有送料器，真空室另一端設(shè)置有真空管道，真空管道連接有真空泵，靶子架設(shè)置在真空管道前端，高壓發(fā)生器設(shè)置在真空室外，高壓發(fā)生器一端連接有電離頭，另一端連接有靶子架。通過上述方式，本發(fā)明真空電離鍍膜機(jī)具有可靠性能高、結(jié)構(gòu)緊湊、鍍膜效果好、鍍膜速度快，成膜均勻，適合金屬的快速鍍膜、生產(chǎn)效率高、操作簡便等優(yōu)點(diǎn)，同時在鍍膜領(lǐng)域上有著廣泛的市場前景。
【專利說明】真空電離鍍膜機(jī)

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明涉及真空鍍膜設(shè)備領(lǐng)域，特別是涉及一種真空電離鍍膜機(jī)。

【背景技術(shù)】
[0002] 真空鍍膜是現(xiàn)代工業(yè)常用的一種加工方法，在真空室內(nèi)材料的原子從加熱源離析 出來打到被鍍物體的表面上。此項(xiàng)技術(shù)最先用于生產(chǎn)光學(xué)鏡片，后延伸到其他功能薄膜，唱 片鍍鋁、裝飾鍍膜和材料表面改性等，常用的方法有蒸發(fā)、濺射和離子鍍膜，現(xiàn)有的設(shè)備鍍 膜效率較低，鍍膜時間長，不利于快速生產(chǎn)，同時離子的分散性不佳。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0003] 本發(fā)明主要解決的技術(shù)問題是提供一種真空電離鍍膜機(jī)，通過電離的方式實(shí)現(xiàn)材 料的離子化；通過電場加速，使得離子打在材料表面完成鍍膜；通過充入少量惰性氣體和 真空，加速離子混合并進(jìn)一步提高鍍膜速度；具有可靠性能高、結(jié)構(gòu)緊湊、鍍膜效果好、鍍膜 速度快，成膜均勻，適合金屬的快速鍍膜、生產(chǎn)效率高、操作簡便等優(yōu)點(diǎn)，同時在鍍膜領(lǐng)域上 有著廣泛的市場前景。
[0004] 為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明采用的一個技術(shù)方案是：提供一種真空電離鍍膜機(jī)， 包括：真空室、電離頭、真空管道、真空泵、靶子架、高壓發(fā)生器和送料器，真空室一端設(shè)置 有電離頭，電離頭后端設(shè)置有送料器，真空室另一端設(shè)置有真空管道，真空管道連接有真空 泵，靶子架設(shè)置在真空管道前端，高壓發(fā)生器設(shè)置在真空室外，高壓發(fā)生器一端連接有電離 頭，另一端連接有靶子架。
[0005] 在本發(fā)明一個較佳實(shí)施例中，所述電離頭設(shè)置有噴氣口，所述噴氣口與送料器連 接。
[0006] 在本發(fā)明一個較佳實(shí)施例中，所述噴氣口噴射氣體為氮?dú)饣驓鍤狻?br> [0007] 在本發(fā)明一個較佳實(shí)施例中，所述高壓發(fā)生器負(fù)極連接電離頭，正極連接靶子架， 所述高壓發(fā)生器電壓為1200-2000V。
[0008] 在本發(fā)明一個較佳實(shí)施例中，所述真空室內(nèi)壓力為5-10PSI。
[0009] 在本發(fā)明一個較佳實(shí)施例中，所述送料器所用材料為金屬絲。
[0010] 本發(fā)明的有益效果是：本發(fā)明真空電離鍍膜機(jī)通過電離的方式實(shí)現(xiàn)材料的離子 化；通過電場加速，使得離子打在材料表面完成鍍膜；通過充入少量惰性氣體和真空，加速 離子混合并進(jìn)一步提高鍍膜速度；具有可靠性能高、結(jié)構(gòu)緊湊、鍍膜效果好、鍍膜速度快，成 膜均勻，適合金屬的快速鍍膜、生產(chǎn)效率高、操作簡便等優(yōu)點(diǎn)，同時在鍍膜領(lǐng)域上有著廣泛 的市場前景。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0011] 為了更清楚地說明本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案，下面將對實(shí)施例描述中所需要使 用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實(shí)施例，對于 本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其它 的附圖，其中： 圖1是本發(fā)明的真空電離鍍膜機(jī)一較佳實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖； 附圖中各部件的標(biāo)記如下：1、真空室，2、電離頭，3、真空管道，4、真空泵，5、靶子架，6、 高壓發(fā)生器，7、送料器，8、導(dǎo)線。

【具體實(shí)施方式】
[0012] 下面將對本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施 例僅是本發(fā)明的一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例。基于本發(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通 技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其它實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范 圍。
[0013] 請參閱圖1，本發(fā)明實(shí)施例包括： 一種真空電離鍍膜機(jī)，包括：真空室1、電離頭2、真空管道3、真空泵4、靶子架5、高壓 發(fā)生器6和送料器7,真空室1 一端設(shè)置有電離頭2,電離頭2后端設(shè)置有送料器7,真空室 1另一端設(shè)置有真空管道3,真空管道3連接有真空泵4,靶子架5設(shè)置在真空管道3前端， 高壓發(fā)生器6設(shè)置在真空室1外，高壓發(fā)生器6 -端連接有電離頭2,另一端連接有靶子架 5〇
[0014] 所述電離頭2設(shè)置有噴氣口，所述噴氣口與送料器7連接，有效幫助混合并實(shí)現(xiàn)離 子加速。
[0015] 所述噴氣口噴射氣體為氮?dú)饣驓鍤?，中性或者惰性，不易與鍍膜物質(zhì)發(fā)生反應(yīng)，提 商鍛I旲品質(zhì)。
[0016] 所述高壓發(fā)生器6負(fù)極連接電離頭2,正極連接靶子架5,所述高壓發(fā)生器6電壓 為1200-2000V，能有效實(shí)現(xiàn)電場加速，使得離子飛向靶板。
[0017] 所述真空室1內(nèi)壓力為5-10PSI，真空度較好。
[0018] 所述送料器7所用材料為金屬絲，有效輸送并實(shí)現(xiàn)電弧電離。
[0019] 本發(fā)明真空電離鍍膜機(jī)的有益效果是： 一、 通過電離的方式實(shí)現(xiàn)材料的離子化； 二、 通過電場加速，使得離子打在材料表面完成鍍膜； 三、 通過充入少量惰性氣體和真空，加速離子混合并進(jìn)一步提高鍍膜速度； 四、 具有可靠性能高、結(jié)構(gòu)緊湊、鍍膜效果好、鍍膜速度快，成膜均勻，適合金屬的快速 鍍膜、生產(chǎn)效率高、操作簡便等優(yōu)點(diǎn)，同時在鍍膜領(lǐng)域上有著廣泛的市場前景。
[0020] 以上所述僅為本發(fā)明的實(shí)施例，并非因此限制本發(fā)明的專利范圍，凡是利用本發(fā) 明說明書內(nèi)容所作的等效結(jié)構(gòu)或等效流程變換，或直接或間接運(yùn)用在其它相關(guān)的技術(shù)領(lǐng) 域，均同理包括在本發(fā)明的專利保護(hù)范圍內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1. 一種真空電離鍍膜機(jī)，其特征在于，包括：真空室、電離頭、真空管道、真空泵、靶子 架、高壓發(fā)生器和送料器，真空室一端設(shè)置有電離頭，電離頭后端設(shè)置有送料器，真空室另 一端設(shè)置有真空管道，真空管道連接有真空泵，靶子架設(shè)置在真空管道前端，高壓發(fā)生器設(shè) 置在真空室外，高壓發(fā)生器一端連接有電離頭，另一端連接有靶子架。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的真空電離鍍膜機(jī)，其特征在于，所述電離頭設(shè)置有噴氣口，所 述噴氣口與送料器連接。
3. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的真空電離鍍膜機(jī)，其特征在于，所述噴氣口噴射氣體為氮?dú)?或氦氣。
4. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的真空電離鍍膜機(jī)，其特征在于，所述高壓發(fā)生器負(fù)極連接電 離頭，正極連接靶子架，所述高壓發(fā)生器電壓為1200-2000V。
5. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的真空電離鍍膜機(jī)，其特征在于，所述真空室內(nèi)壓力為 5-10PSI。
6. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的真空電離鍍膜機(jī)，其特征在于，所述送料器所用材料為金屬 絲。
【文檔編號】C23C14/32GK104046946SQ201410316065
【公開日】2014年9月17日 申請日期:2014年7月4日 優(yōu)先權(quán)日:2014年7月4日
【發(fā)明者】陳學(xué)兵 申請人:蘇州普京真空技術(shù)有限公司