一種鈮基合金上的Mo-Si-B涂層及其制備方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種鈮基合金上的Mo-Si-B涂層及其制備方法，該方法首先采用大氣等離子噴涂工藝在Nb基合金上制備出Mo層，然后采用包埋滲工藝將Si-B滲入Mo層中，從而制得復(fù)合的Mo-Si-B涂層。Mo在包埋滲過程中與Si-B反應(yīng)生成MoSi2+彌散的B。本發(fā)明的Mo-Si-B涂層厚度為100～140微米，涂層結(jié)構(gòu)為與鈮基合金基體接觸的是Mo層，以及分布在Mo層外的MoSi2+B彌散相層。涂層在1250℃高溫氧化時能夠形成連續(xù)、致密、粘結(jié)性好的硼硅酸鹽氧化物層，提高了基體的抗高溫氧化性能。
【專利說明】-種鈮基合金上的Mo-Si-B涂層及其制備方法

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明涉及一種抗高溫氧化涂層，更特別地說，是指一種采用先噴涂后包埋的工 藝制備復(fù)合的Mo-Si-B涂層，具體地，涂層內(nèi)層Mo層，外層為MoSi2+B彌散相層。

【背景技術(shù)】
[0002] Nb-16Si-22Ti-17Cr-2Al-2Hf合金熔點高、延展性和導熱性好、強度和比強度高 以及密度適中，所以該合金是最有希望代替鎳基高溫合金的超高溫金屬結(jié)構(gòu)材料。但是， Nb-16Si-22Ti-17Cr-2Al-2Hf合金在600°C以上的空氣中會發(fā)生劇烈氧化，以至于在無保 護的情況下不能在含氧環(huán)境中使用。解決這一問題的有效措施是在合金表面制備高溫防護 涂層。
[0003] 等離子噴涂是一種材料表面強化和表面改性的技術(shù)，可以使基體表面具有耐磨、 耐蝕、耐高溫氧化、電絕緣、隔熱、防輻射、減磨和密封等性能。等離子涂技術(shù)是采用由直流 電驅(qū)動的等離子電弧作為熱源，將陶瓷、合金、金屬等材料加熱到熔融或半熔融狀態(tài)，并以 高速噴向經(jīng)過預(yù)處理的工件表面而形成附著牢固的表面層的方法。但等離子噴涂制得的表 面層具有不致密、孔隙率較高的缺點。
[0004] 包埋滲工藝是一種化學熱處理技術(shù)，是把待涂材料埋在由惰性填充劑、金屬涂層 元素以及齒化物活性劑組成的包滲箱中，在氫氣或某種惰性氣體中進行熱處理，通過蒸汽 遷移和擴散以形成涂層。涂層與基體金屬間是冶金結(jié)合，因而非常牢固，不易脫落，這是其 他涂層方法所不及的。但是由于包埋滲法處理溫度較高且時間較長，故基體金屬的強度等 性能有可能會有所降低。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0005] 本發(fā)明的目的是提出一種在Nb-16Si-22Ti-17Cr-2Al-2Hf合金上制備復(fù)合的 Mo-Si-B涂層的方法，該方法是為了改善包埋滲工藝中出現(xiàn)的較高溫度帶來的基體性能的 下降，而引入在基體上先用等離子噴涂上Mo層，然后制M 〇Si2+彌散的B層；兩種工藝的組 合，能夠使制得Mo-Si-B涂層對Nb基合金起到抗高溫氧化作用。
[0006] 本發(fā)明提出的一種鈮基合金上的Mo-Si-B涂層的制備方法，其特征在于包括有下 列步驟：
[0007] 第一步：基體的前處理
[0008] ⑷用800#的SiC水磨砂紙將Nb-16Si-22Ti-17Cr-2Al-2Hf合金基體進行表面磨 光處理，制得第一試樣；
[0009] 第一試樣的表面粗糙度為Ra = 1. 6?2. 0 ;
[0010] (B)將第一試樣放入無水乙醇中進行超聲清洗10?20min后，獲得第二試樣；
[0011] 第二步：等離子噴涂制Mo層
[0012] 將第二試樣經(jīng)大氣等離子噴涂制Mo層，獲得第三試樣；
[0013] Mo粉的粒徑為75?150μπι;
[0014] 大氣等離子噴涂工藝參數(shù)：大氣等離子噴涂的電流為450 A、電壓為65 V、氬氣流 量為60 Ι/min、氫氣流量為20 Ι/min;噴涂距離為80?100 mm、送粉速率為20?25 g/ min ;沉積過程中基體表面平均溫度為300?400°C ;
[0015] 第三步：制Si-B包埋滲料
[0016] 制100g包埋滲料由L 2?2. lg粒度為100目的NaF粉、20. 0?36. 0g粒度為100 目的Si粉、0. 6?1. lg粒度為400目的B粉和余量粒度為100目的A1203粉組成；
[0017] 第四步：采用包埋滲工藝制備Si-B涂層
[0018] (A)將第三步制得的包埋滲料放入坩堝底部，然后將第二步中處理后的第三試樣 放入坩堝中間部位，并在其四周填滿余量的包埋滲料，蓋上坩堝蓋子并密封后，形成熱處理 樣品，并將熱處理樣品置入電阻爐內(nèi)；
[0019] ⑶設(shè)置電阻爐的升溫速率為3?7°C /min，包埋滲溫度950°C?1050°C，包埋滲 時間45?55h ;
[0020] (C)開啟電阻爐，通入氬氣；所述氬氣的質(zhì)量百分比純度為99.0%，流量60ml/ min?150 ml/min ;在氦氣保護下滲Si-B料；
[0021] (D)在包埋滲時間結(jié)束時，關(guān)電阻爐，隨電阻爐冷卻至100°C時，停止通入氬氣；打 開爐門取出試樣，即制得第四試樣；
[0022] (E)將第四試樣放入酒精中經(jīng)超聲波清洗10?20分鐘后，自然風干，得到在 Nb-16Si-22Ti-17Cr-2Al-2Hf合金基體表面滲有的Mo-Si-B涂層。
[0023] 本發(fā)明制備Mo-Si-B涂層的優(yōu)點在于：
[0024] ①本發(fā)明采用先噴涂后包埋的組合工藝，是為了在Nb基合金表面制得外層為 MoSi2層，內(nèi)層為Mo層（即與基體接觸）。
[0025] ②本發(fā)明制得的Mo-Si-B涂層使得Nb-16Si-22Ti-17Cr-2Al-2Hf超高溫合金的高 溫抗氧化性得到顯著的提高。
[0026] ③經(jīng)本發(fā)明方法制備的涂層具有優(yōu)異的抗氧化性是由于在1250°C氧化時能夠形 成連續(xù)、致密的硼硅酸鹽氧化物層，并且B 203能夠降低Si02的粘度，提高流動性，從而發(fā)揮 裂紋自修補的功能。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0027] 圖1為實施例1制得的第五試樣的截面SEM照片。
[0028] 圖2為實施例1制得的第五試樣的XRD圖。
[0029] 圖3為實施例1第五試樣進行氧化后的表面SEM照片。
[0030] 圖4為實施例1第五試樣進行氧化后的截面SEM照片
[0031] 圖5為實施例1第五試樣進行氧化后的XRD圖。

【具體實施方式】
[0032] 下面將結(jié)合附圖和實施例對本發(fā)明做進一步的詳細說明。
[0033] 本發(fā)明是一種采用等離子噴涂與包埋滲工藝組合在Nb基高溫合金上制備 Mo-Si-B涂層的方法，該涂層制備方法有下列步驟：
[0034] 第一步：基體的前處理
[0035] (A)用800#的SiC水磨砂紙將Nb-16Si-22Ti-17Cr-2Al-2Hf合金基體進行表面磨 光處理，制得第一試樣；
[0036] 第一試樣的表面粗糙度為Ra = 1. 6?2. 0 ;
[0037] (B)將第一試樣放入無水乙醇中進行超聲清洗10?20min后，獲得第二試樣；
[0038] 在本發(fā)明中，對基體進行打磨清洗是為得到具有一定粗糙度的潔凈表面，具有較 小粗糙度的基體表面有利于Mo材料的緊密沉積。
[0039] 第二步：等離子噴涂制Mo層
[0040] 將第二試樣經(jīng)大氣等離子噴涂制Mo層，獲得第三試樣；
[0041] 選取的Mo粉的粒徑為75?150 μ m，Mo粉的質(zhì)量百分比純度為99. 9% ;
[0042] 大氣等離子噴涂工藝參數(shù)：
[0043] (A)設(shè)置，大氣等離子噴涂的電流為450 A、電壓為65 V、氬氣流量為60 Ι/min、氫 氣流量為20 Ι/min ;
[0044] (B)設(shè)置，沉積過程中基體表面平均溫度為300?400°C ;
[0045] (C)調(diào)節(jié)，噴涂距離為80?100 _、送粉速率為20?25 g/min ;
[0046] 第三步：制Si-B包埋滲料
[0047] 制100g包埋滲料由1. 2?2. lg粒度為100目的NaF粉、20. 0?36. 0g粒度為100 目的Si粉、0. 6?1. lg粒度為400目的B粉和余量粒度為100目的A1203粉組成；
[0048] 在本發(fā)明中，加入的A1203粉在包埋滲過程中不參與反應(yīng)，只作為填料。該填料在 不影響涂層形成的基礎(chǔ)上，可以有效地降低生產(chǎn)成本，同時也減少了反應(yīng)物的浪費。
[0049] 在本發(fā)明中，加入NaF粉與Si粉和B粉反應(yīng)，形成相應(yīng)的氣體化合物，只有該化合 物才能產(chǎn)生出Si和B的活性原子，滲入到Nb-16Si-22Ti-17Cr-2Al-2Hf高溫合金表面。
[0050] 第四步：采用包埋滲工藝制備Si-B涂層
[0051] (A)將第三步制得的包埋滲料放入坩堝底部，然后將第二步中處理后的第三試樣 放入坩堝中間部位，并在其四周填滿余量的包埋滲料，蓋上坩堝蓋子并密封后，形成熱處理 樣品，并將熱處理樣品置入電阻爐內(nèi)；
[0052] (B)設(shè)置電阻爐的升溫速率為3?7°C /min，包埋滲溫度950°C?1050°C，包埋滲 時間45?55h ;
[0053] (C)開啟電阻爐，通入氬氣；所述氬氣的質(zhì)量百分比純度為99.0%，流量60ml/ min?150 ml/min ;在氦氣保護下滲Si-B料；
[0054] (D)在包埋滲時間結(jié)束時，關(guān)電阻爐，隨電阻爐冷卻至100°C時，停止通入氬氣；打 開爐門取出試樣，即制得第四試樣；
[0055] (E)將第四試樣放入酒精中經(jīng)超聲波清洗10?20分鐘后，自然風干，得到第五試 樣；
[0056] 第五試樣則為在Nb-16Si-22Ti-17Cr-2Al-2Hf合金基體表面制備有復(fù)合的 Mo-Si-B涂層，即與Nb-16Si-22Ti-17Cr-2Al-2Hf合金基體接觸的是Mo層，分布在Mo層外 的是MoSi 2+B彌散相層。
[0057] 實施例1
[0058] 第一步：基體的前處理
[0059] (A)用800#的SiC水磨砂紙將Nb-16Si-22Ti-17Cr-2Al-2Hf合金基體進行表面磨 光處理，制得第一試樣；所述第一試樣的表面粗糙度為Ra = 1. 6 ;
[0060] (B)將第一試樣放入無水乙醇中，在超聲波頻率為30 KHz的條件下，進行超聲清 洗15min后，清洗后自然風干獲得第二試樣；
[0061] 第二步：等離子噴涂制Mo層
[0062] 將第二試樣經(jīng)大氣等離子噴涂制Mo層，獲得第三試樣；
[0063] Mo粉的粒徑為100 μ m ;
[0064] 大氣等離子噴涂工藝參數(shù)：大氣等離子噴涂的電流為450 A、電壓為65 V、氬氣流 量為60 Ι/min、氫氣流量為20 Ι/min;沉積過程中基體表面平均溫度為350°C;噴涂距離為 95 mm、送粉速率為22 g/min ;
[0065] 第三步：制Si-B包埋滲料
[0066] 制100g包埋滲料由2g粒度為100目的NaF粉、34g粒度為100目的Si粉、lg粒 度為400目的B粉和余量粒度為100目的A1 203粉組成；
[0067] 第四步：采用包埋滲工藝制備Si-B涂層
[0068] (A)將第三步制得的包埋滲料放入坩堝底部，然后將第二步中處理后的第三試樣 放入坩堝中間部位，并在其四周填滿余量的包埋滲料，蓋上坩堝蓋子并密封后，形成熱處理 樣品，并將熱處理樣品置入電阻爐內(nèi)；
[0069] (B)設(shè)置電阻爐的升溫速率為5°C /min，包埋滲溫度1000°C，包埋滲時間50h ;
[0070] (C)開啟電阻爐，通入氬氣；所述氬氣的質(zhì)量百分比純度為99. 0%，流量100ml/ min ;在氦氣保護下滲Si-B料；
[0071] (D)在包埋滲時間結(jié)束時，關(guān)電阻爐，隨電阻爐冷卻至100°C時，停止通入氬氣；打 開爐門取出試樣，即制得第四試樣；
[0072] (E)將第四試樣放入酒精中，在超聲波頻率為30 KHz的條件下，經(jīng)超聲波清洗15 分鐘后，取出自然風干，得到第五試樣。
[0073] 經(jīng)實施例1得到第五試樣經(jīng)SEM(如圖1)和XRD(如圖2)分析表明，第五試樣的 厚度為127 μ m，外層為M〇Si2+B彌散相層，厚度為102 μ m，內(nèi)層為Mo層，厚度為25 μ m。
[0074] 高溫氧化實驗：
[0075] 高溫氧化試驗溫度為1250°C，將經(jīng)實施例1制得的第五試樣置于高溫管式爐中進 行高溫氧化處理，測量試樣質(zhì)量變化并采用XRD、SEM觀察和分析成分。
[0076] 在大氣氣氛中，經(jīng)過1250°C等溫氧化100h。
[0077] 性能測試：涂層表面單位面積增重為1. 28mg/cm2。
[0078] 將Nb-16Si-22Ti-17Cr-2Al-2Hf基體在大氣氣氛中，經(jīng)過1250°C等溫氧化100h 后，測得基體表面單位面積增重為190. 08mg/cm2。
[0079] 將第五試樣在大氣氣氛中，經(jīng)過1250°C等溫氧化100h后，測得第五試樣表面單位 面積增重為1. 28mg/cm2。第五試樣與Nb-16Si-22Ti-17Cr-2Al-2Hf基體相對比，其單位面 積增重降低了 188. 80mg/cm2,證明制備有涂層的基體具有更好的抗高溫氧化性能。
[0080] 經(jīng)氧化后的第五試樣，其復(fù)合Mo-Si-B涂層表面、截面經(jīng)過SEM(如圖3和圖4)和 XRD(如圖5)分析表明，在1250°C氧化時能夠形成連續(xù)、致密的硼硅酸鹽（Si02-B20 3)氧化 層，并且B203能夠降低Si02的粘度，提高流動性，從而發(fā)揮裂紋自修補的功能，有效地防止 基體被氧化。經(jīng)1250°C氧化后形成了 5?ΙΟμπι厚的氧化層，所以涂層中的Mo5Si3在表面 XRD測試中也被檢測出。
[0081] 在本發(fā)明中，Mo-Si-B三元合金涂層具有優(yōu)異的抗氧化性、抗蠕變、組織性能穩(wěn)定 和壽命長等特點，能夠適用于新一代的航空發(fā)動機結(jié)構(gòu)材料和高溫抗氧化涂層材料，在高 溫氧化氣氛中，基體合金表面形成低熔點的Si-Β-Ο共晶氧化膜，從而發(fā)揮裂紋自修補的功 能。
[0082] 實施例2
[0083] 第一步：基體的前處理
[0084] (A)用800#的SiC水磨砂紙將Nb-16Si-22Ti-17Cr-2Al-2Hf合金基體進行表面磨 光處理，制得第一試樣；所述第一試樣的表面粗糙度為Ra = 1. 8 ;
[0085] (B)將第一試樣放入無水乙醇中進行超聲清洗15min后，獲得第二試樣；
[0086] 第二步：等離子噴涂制Mo層
[0087] 將第二試樣經(jīng)大氣等離子噴涂制Mo層，獲得第三試樣；
[0088] Mo粉的粒徑為75 μ m ;
[0089] 大氣等離子噴涂工藝參數(shù)：大氣等離子噴涂的電流為450 A、電壓為65 V、氬氣流 量為60 Ι/min、氫氣流量為20 Ι/min;沉積過程中基體表面平均溫度為300°C;噴涂距離為 100 mm、送粉速率為20 g/min ;
[0090] 第三步：制Si-B包埋滲料
[0091] 制l〇〇g包埋滲料由1. 2g粒度為100目的NaF粉、20. 0g粒度為100目的Si粉、 〇. 6g粒度為400目的B粉和余量粒度為100目的A1203粉組成；
[0092] 第四步：采用包埋滲工藝制備Si-B涂層
[0093] (A)將第三步制得的包埋滲料放入坩堝底部，然后將第二步中處理后的第三試樣 放入坩堝中間部位，并在其四周填滿余量的包埋滲料，蓋上坩堝蓋子并密封后，形成熱處理 樣品，并將熱處理樣品置入電阻爐內(nèi)；
[0094] (B)設(shè)置電阻爐的升溫速率為3°C /min，包埋滲溫度950°C，包埋滲時間55h ;
[0095] (C)開啟電阻爐，通入氬氣；所述氬氣的質(zhì)量百分比純度為99.0%，流量60ml/ min ;在氦氣保護下滲Si-B料；
[0096] (D)在包埋滲時間結(jié)束時，關(guān)電阻爐，隨電阻爐冷卻至100°C時，停止通入氬氣；打 開爐門取出試樣，即制得第四試樣；
[0097] (E)將第四試樣放入酒精中經(jīng)超聲波清洗15分鐘后，取出自然風干，得到第五試 樣。
[0098] 經(jīng)實施例2制得的第五試樣的Mo-Si-B涂層的厚度為103 μ m，外層為MoSi2+B彌 散相層，厚度為85 μ m，內(nèi)層為Mo層，厚度為18 μ m。
[0099] 將實施例2制得的第五試樣進行高溫氧化實驗測試，涂層表面單位面積增重為 1. 30mg/cm2,與基體相對比，其單位面積增重降低了 188. 78mg/cm2,證明制備有涂層的基體 具有更好的抗高溫氧化性能。
[0100] 實施例3
[0101] 第一步：基體的前處理
[0102] (A)用800#的SiC水磨砂紙將Nb-16Si-22Ti-17Cr-2Al-2Hf合金基體進行表面磨 光處理，制得第一試樣；所述第一試樣的表面粗糙度為Ra = 2. 0 ;
[0103] (B)將第一試樣放入無水乙醇中進行超聲清洗15min后，獲得第二試樣；
[0104] 第二步：等離子噴涂制Mo層
[0105] 將第二試樣經(jīng)大氣等離子噴涂制Mo層，獲得第三試樣；
[0106] Mo粉的粒徑為150 μ m ;
[0107] 大氣等離子噴涂工藝參數(shù)：大氣等離子噴涂的電流為450 A、電壓為65 V、氬氣流 量為60 Ι/min、氫氣流量為20 Ι/min;沉積過程中基體表面平均溫度為400°C;噴涂距離為 80 mm、送粉速率為25 g/min ;
[0108] 第三步：制Si-B包埋滲料
[0109] 制l〇〇g包埋滲料由2. lg粒度為100目的NaF粉、36. 0g粒度為100目的Si粉、 1. lg粒度為400目的B粉和余量粒度為100目的A1203粉組成；
[0110] 第四步：采用包埋滲工藝制備Si-B涂層
[0111] (A)將第三步制得的包埋滲料放入坩堝底部，然后將第二步中處理后的第三試樣 放入坩堝中間部位，并在其四周填滿余量的包埋滲料，蓋上坩堝蓋子并密封后，形成熱處理 樣品，并將熱處理樣品置入電阻爐內(nèi)；
[0112] (B)設(shè)置電阻爐的升溫速率為7°C /min，包埋滲溫度1050°C，包埋滲時間50h ;
[0113] (C)開啟電阻爐，通入氬氣；所述氬氣的質(zhì)量百分比純度為99. 0%，流量120ml/ min ;在氦氣保護下滲Si-B料；
[0114] (D)在包埋滲時間結(jié)束時，關(guān)電阻爐，隨電阻爐冷卻至100°C時，停止通入氬氣；打 開爐門取出試樣，即制得第四試樣；
[0115] (E)將第四試樣放入酒精中經(jīng)超聲波清洗10分鐘后，自然風干，得到在 Nb-16Si-22Ti-17Cr-2Al-2Hf合金基體表面滲有的Mo-Si-B涂層。
[0116] 經(jīng)實施例3制得的第五試樣的Mo-Si-B涂層的厚度為138 μ m，外層為M〇Si2+B彌 散相層，厚度為111 y m，內(nèi)層為Mo層，厚度為27 μ m。
[0117] 將實施例3制得的第五試樣進行高溫氧化實驗測試，涂層表面單位面積增重為 1. 33mg/cm2,與基體相對比，其單位面積增重降低了大約188. 75mg/cm2,證明制備有涂層的 基體具有更好的抗高溫氧化性能。
【權(quán)利要求】
1. 一種銀基合金上的Mo-Si-B涂層，其特征在于：所述Mo-Si-B涂層是指與銀基合金 基體接觸的Mo層，以及分布在Mo層外的MoSi 2+B彌散相層。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的鈮基合金上的Mo-Si-B涂層，其特征在于：所述Mo-Si-B涂 層經(jīng)1250°C氧化后形成Si0 2-B203氧化層，并且B203能夠降低Si0 2的粘度，提高流動性，從 而發(fā)揮裂紋自修補的功能，有效地防止鈮基合金基體被氧化。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的鈮基合金上的Mo-Si-B涂層，其特征在于：所述Mo-Si-B涂 層經(jīng)1250°C氧化后形成了 5?10 μ m厚的氧化層。
4. 一種鈮基合金上的Mo-Si-B涂層的制備方法，其特征在于包括有下列步驟： 第一步：基體的前處理 (A) 用800#的SiC水磨砂紙將Nb-16Si-22Ti-17Cr-2Al-2Hf合金基體進行表面磨光處 理，制得第一試樣； 第一試樣的表面粗糙度為Ra = 1. 6?2. 0 ; (B) 將第一試樣放入無水乙醇中進行超聲清洗10?20min后，獲得第二試樣； 第二步：等離子噴涂制Mo層 將第二試樣經(jīng)大氣等離子噴涂制Mo層，獲得第三試樣； Mo粉的粒徑為75?150 μ m ; 大氣等離子噴涂工藝參數(shù)：大氣等離子噴涂的電流為450 A、電壓為65 V、氬氣流量為 60 Ι/min、氫氣流量為20 Ι/min;噴涂距離為80?100 mm、送粉速率為20?25 g/min;沉 積過程中基體表面平均溫度為300?400°C ; 第三步：制Si-B包埋滲料 制100g包埋滲料由1. 2?2. lg粒度為100目的NaF粉、20. 0?36. 0g粒度為100目 的Si粉、0. 6?1. lg粒度為400目的B粉和余量粒度為100目的A1203粉組成； 第四步：采用包埋滲工藝制備Si-B涂層 (A) 將第三步制得的包埋滲料放入坩堝底部，然后將第二步中處理后的第三試樣放入 坩堝中間部位，并在其四周填滿余量的包埋滲料，蓋上坩堝蓋子并密封后，形成熱處理樣 品，并將熱處理樣品置入電阻爐內(nèi)； (B) 設(shè)置電阻爐的升溫速率為3?7°C /min，包埋滲溫度950°C?1050°C，包埋滲時間 45 ?55h ; (C) 開啟電阻爐，通入氦氣；所述氦氣的質(zhì)量百分比純度為99. 0%,流量60ml/min? 150 ml/min ;在氦氣保護下滲Si-B料； (D) 在包埋滲時間結(jié)束時，關(guān)電阻爐，隨電阻爐冷卻至100°C時，停止通入氬氣；打開爐 門取出試樣，即制得第四試樣； (E) 將第四試樣放入酒精中經(jīng)超聲波清洗10?20分鐘后，取出自然風干，得到在 Nb-16Si-22Ti-17Cr-2Al-2Hf合金基體表面滲有的Mo-Si-B涂層。
5. 根據(jù)權(quán)利要求4所述的鈮基合金上的Mo-Si-B涂層的制備方法，其特征在于：在 Nb-16Si-22Ti-17Cr-2Al-2Hf合金基體上制有內(nèi)層為Mo層、外層為M〇Si2+B的彌散相層。
6. 根據(jù)權(quán)利要求4所述的鈮基合金上的Mo-Si-B涂層的制備方法，其特征在于：表面 滲有Mo-Si-B涂層的Nb-16Si-22Ti-17Cr-2Al-2Hf合金基體在1250°C氧化時能夠形成連 續(xù)、致密的Si0 2-B203氧化層，并且B203能夠降低Si0 2的粘度，提高流動性，從而發(fā)揮裂紋自 修補的功能，有效地防止Nb-16Si-22Ti-17Cr-2Al-2Hf合金基體被氧化。
7.根據(jù)權(quán)利要求4所述的鈮基合金上的Mo-Si-B涂層的制備方法，其特征在于：表面 滲有Mo-Si-B涂層的Nb-16Si-22Ti-17Cr-2Al-2Hf合金基體在1250°C氧化后，存在有5? 10 μ m的Mo5Si3氧化層。
【文檔編號】C23C4/08GK104120426SQ201410360800
【公開日】2014年10月29日 申請日期:2014年7月25日 優(yōu)先權(quán)日:2014年7月25日
【發(fā)明者】周春根, 王皖, 吳晶艷 申請人:北京航空航天大學