薄膜圖形化方法及掩膜板的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明實(shí)施例公開了一種薄膜圖形化方法及掩膜板，涉及微電子【技術(shù)領(lǐng)域】，能夠直接在基板上沉積形成具有孔洞的薄膜。本發(fā)明的方法包括：在基板上方放置第一掩膜板，在所述第一掩膜板的遮擋下進(jìn)行第一次薄膜沉積；然后去掉第一掩膜板，在基板上方放置第二掩膜板，在所述第二掩膜板的遮擋下進(jìn)行第二次薄膜沉積；其中，所述第一掩膜板和所述第二掩膜板上均設(shè)置有與薄膜上的所述孔洞區(qū)域相對(duì)應(yīng)的第一遮擋部；所述第一掩膜板的非遮擋區(qū)域與所述第二掩膜板的非遮擋區(qū)域互補(bǔ)后形成的圖形，與所述孔洞之外的薄膜分布區(qū)域相對(duì)應(yīng)。
【專利說明】薄膜圖形化方法及掩膜板

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明涉及微電子【技術(shù)領(lǐng)域】，尤其涉及一種薄膜圖形化方法及掩膜板。

【背景技術(shù)】
[0002] 在半導(dǎo)體器件制造過程中，經(jīng)常需要形成具有某種圖形的薄膜，這個(gè)過程稱為薄 膜的圖形化。
[0003] 現(xiàn)有的薄膜圖形化方法有多種，其中，利用金屬掩膜板直接在基板上沉積形成圖 形化薄膜的方法獲得了廣泛的應(yīng)用，該方法包括：首先，在基板上方放置具有鏤空?qǐng)D形的金 屬掩膜板，金屬掩膜板上鏤空的圖形對(duì)應(yīng)為預(yù)沉積的圖形，然后進(jìn)行薄膜沉積，這樣就可以 把金屬掩膜板上鏤空的圖形轉(zhuǎn)移到基板上。
[0004] 用上述方法在基板上沉積薄膜時(shí)，不能形成如圖1所示的帶有孔洞1的圖形，因 為，薄膜上的孔洞1對(duì)應(yīng)的應(yīng)該是金屬掩膜板上鏤空?qǐng)D形以外的遮擋區(qū)域，如果要在薄膜 上形成孔洞1，那么金屬掩膜板上必定得具有與孔洞1相對(duì)應(yīng)的多個(gè)獨(dú)立的遮擋區(qū)，而這些 獨(dú)立的遮擋區(qū)之間無法連接。也就是說，金屬掩膜板不是一塊完整的能夠單獨(dú)使用的板，而 是包含多個(gè)獨(dú)立的部分，但使用這樣的金屬掩膜板，各個(gè)獨(dú)立的部分之間是無法實(shí)現(xiàn)精確 對(duì)位的，這違背了使用金屬掩膜板的設(shè)計(jì)初衷，因此這種金屬掩膜板根本不存在。所以，使 用現(xiàn)有的金屬掩膜板無法直接在基板上沉積形成有具有孔洞1的薄膜。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0005] 本發(fā)明實(shí)施例提供一種薄膜圖形化方法及掩膜板，可以利用掩膜板直接在基板上 沉積形成具有孔洞的薄膜。
[0006] 為達(dá)到上述目的，本發(fā)明的實(shí)施例采用如下技術(shù)方案：
[0007] 一方面，本發(fā)明實(shí)施例提供一種薄膜圖形化方法，用于在基板上形成具有孔洞的 薄膜，包括：在基板上方放置第一掩膜板，在所述第一掩膜板的遮擋下進(jìn)行第一次薄膜沉 積；然后去掉第一掩膜板，在基板上方放置第二掩膜板，在所述第二掩膜板的遮擋下進(jìn)行第 二次薄膜沉積；其中，
[0008] 所述第一掩膜板和所述第二掩膜板上均設(shè)置有與薄膜上的所述孔洞區(qū)域相對(duì)應(yīng) 的第一遮擋部；所述第一掩膜板的非遮擋區(qū)域與所述第二掩膜板的非遮擋區(qū)域互補(bǔ)后形成 的圖形，與所述孔洞之外的薄膜分布區(qū)域相對(duì)應(yīng)。
[0009] 優(yōu)選的，所述第一掩膜板的非遮擋區(qū)域與所述第二掩膜板的非遮擋區(qū)域互不重 疊。
[0010] 可選的，所述第一掩膜板和所述第二掩膜板均為金屬掩膜板。
[0011] 進(jìn)一步的，所述第一掩膜板上包括所述第一遮擋部在內(nèi)的所有遮擋部為連續(xù)結(jié) 構(gòu)。所述第二掩膜板上包括所述第一遮擋部在內(nèi)的所有遮擋部為連續(xù)結(jié)構(gòu)。
[0012] 另一方面，本發(fā)明實(shí)施例還提供一種掩膜板，用于在基板上形成具有孔洞的薄膜， 包括：用于在基板上進(jìn)行第一次沉積時(shí)使用的第一掩膜板，和，用于在經(jīng)歷過所述第一次沉 積后的基板上進(jìn)行第二次沉積時(shí)使用的第二掩膜板，
[0013] 所述第一掩膜板和所述第二掩膜板上均設(shè)置有與薄膜上的所述孔洞區(qū)域相對(duì)應(yīng) 的第一遮擋部；所述第一掩膜板的非遮擋區(qū)域與所述第二掩膜板的非遮擋區(qū)域互補(bǔ)后形成 的圖形，與所述孔洞之外的薄膜分布區(qū)域相對(duì)應(yīng)。
[0014] 優(yōu)選的，所述第一掩膜板的非遮擋區(qū)域與所述第二掩膜板的非遮擋區(qū)域互不重 疊。
[0015] 可選的，所述第一掩膜板和所述第二掩膜板均為金屬掩膜板。
[0016] 進(jìn)一步的，所述第一掩膜板上包括所述第一遮擋部在內(nèi)的所有遮擋部為連續(xù)結(jié) 構(gòu)。所述第二掩膜板上包括所述第一遮擋部在內(nèi)的所有遮擋部為連續(xù)結(jié)構(gòu)。
[0017] 針對(duì)如何形成具有孔洞的薄膜這一問題，本發(fā)明提供的薄膜圖形化方法及掩膜 板，采用兩次沉積，并對(duì)兩次沉積中使用的掩膜板進(jìn)行設(shè)計(jì)使兩次沉積的薄膜互補(bǔ)起來形 成我們需要的具有孔洞的薄膜。具體而言，第一次沉積中使用的第一掩膜板和第二次沉積 中使用的第二掩膜板上均設(shè)置有與薄膜上的孔洞區(qū)域相對(duì)應(yīng)的第一遮擋部，這樣預(yù)形成孔 洞的區(qū)域在兩次沉積中均被遮擋，因而不存在薄膜；而第一掩膜板的非遮擋區(qū)域（對(duì)應(yīng)第 一次沉積形成的薄膜圖形）與第二掩膜板的非遮擋區(qū)域（對(duì)應(yīng)第二次沉積形成的薄膜圖 形）互補(bǔ)后形成的圖形，與孔洞之外的薄膜分布區(qū)域相對(duì)應(yīng)，即第一次沉積形成的薄膜圖 形和第二次沉積形成的薄膜圖形互補(bǔ)起來即為孔洞之外的薄膜分布區(qū)域。本發(fā)明薄膜圖形 化方法及掩膜板采用兩次沉積形成具有孔洞的薄膜，工藝簡(jiǎn)單、易于操作。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0018] 為了更清楚地說明本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例中所需要使用的 附圖作簡(jiǎn)單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng) 域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其它的附 圖。
[0019] 圖1為帶孔洞的薄膜圖形；
[0020] 圖2為實(shí)施例1提供的薄膜圖形化方法流程圖；
[0021] 圖3為實(shí)施例1中第一掩膜板的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0022] 圖4為實(shí)施例1中第一次沉積形成的薄膜圖形；
[0023] 圖5為實(shí)施例1中第二掩膜板的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0024] 圖6為實(shí)施例1中第二次沉積形成的薄膜圖形；
[0025] 圖7為實(shí)施例1中帶孔洞的薄膜的形成原理示意圖；
[0026] 圖8為實(shí)施例2中另一種實(shí)施方式第一掩膜板的結(jié)構(gòu)不意圖；
[0027] 圖9為實(shí)施例2中另一種實(shí)施方式第二掩膜板的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0028] 附圖標(biāo)記：
[0029] 1-孔洞，11-第一掩膜板的非遮擋區(qū)域，12-第一掩膜板的遮擋部，
[0030] 13-第一遮擋部，14-第一沉積區(qū)域，15-第一無膜區(qū)域，
[0031] 16-第二掩膜板的遮擋部，17-第二掩膜板的非遮擋區(qū)域，
[0032] 18-第二沉積區(qū)域，19-第二無膜區(qū)域。

【具體實(shí)施方式】
[0033] 下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖，對(duì)本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完 整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例。
[0034] 需要說明的是，本發(fā)明中的實(shí)施例僅針對(duì)如何形成具有孔洞的薄膜這一問題，僅 涉及孔洞及孔洞附近的薄膜，對(duì)應(yīng)的掩膜板上的圖形也是如此。雖然本發(fā)明并不排除薄膜 中可能存在除孔洞之外的其它圖形，但這些圖形與本發(fā)明并不相關(guān)，處于敘述方便以及便 于理解的原因，本發(fā)明實(shí)施例并不涉及除孔洞之外圖形。
[0035] 實(shí)施例1
[0036] 本發(fā)明實(shí)施例提供一種薄膜圖形化方法，用于在基板上形成具有孔洞的薄膜，如 圖2所示，該方法包括：
[0037] 101、在基板上方放置第一掩膜板，在所述第一掩膜板的遮擋下進(jìn)行第一次薄膜沉 積；
[0038] 102、然后去掉第一掩膜板，在基板上方放置第二掩膜板，在所述第二掩膜板的遮 擋下進(jìn)行第二次薄膜沉積；其中，上述的第一掩膜板和第二掩膜板上均設(shè)置有與薄膜上的 孔洞區(qū)域相對(duì)應(yīng)的第一遮擋部；第一掩膜板的非遮擋區(qū)域與第二掩膜板的非遮擋區(qū)域互補(bǔ) 后形成的圖形，與孔洞之外的薄膜分布區(qū)域相對(duì)應(yīng)。
[0039] 可以理解的是，預(yù)設(shè)的孔洞區(qū)域需要兩次沉積中均被遮擋，不存在薄膜分布，因而 第一掩膜板和第二掩膜板上均需設(shè)置與薄膜上的孔洞區(qū)域相對(duì)應(yīng)的第一遮擋部。更詳細(xì)的 說法為，本實(shí)施例第一掩膜板上的第一遮擋部與第二掩膜板上的第一遮擋部在基板上的投 影區(qū)域一致，均與預(yù)設(shè)的孔洞區(qū)域重合。
[0040] 孔洞之外的薄膜分布區(qū)域存在薄膜，可以理解，對(duì)薄膜分布區(qū)域中的某一塊薄膜 而言，可以根據(jù)需要選擇在第一次沉積中形成，也可以選擇在第二次沉積中形成，或者選擇 在兩次沉積中均形成，但是如果不是在第一次沉積中形成，就需在第二次沉積中形成，這樣 才能保證兩次沉積之后孔洞之外的薄膜分布區(qū)域均存在薄膜。對(duì)掩膜板而言，孔洞之外的 薄膜分布區(qū)域在掩膜板上應(yīng)該對(duì)應(yīng)為非遮擋區(qū)域，但這些非遮擋區(qū)域可以根據(jù)掩膜板設(shè)計(jì) 需要?jiǎng)澐譃槿舾刹糠郑⒏鶕?jù)掩膜板設(shè)計(jì)需要選擇將其設(shè)計(jì)在第一掩膜板上或者將其設(shè)計(jì) 在第二掩膜板上，分別稱之為第一掩膜板的非遮擋區(qū)域和第二掩膜板的非遮擋區(qū)域。無論 如何設(shè)計(jì)，第一掩膜板的非遮擋區(qū)域與第二掩膜板的非遮擋區(qū)域互補(bǔ)后形成的圖形，應(yīng)該 能與孔洞之外的薄膜分布區(qū)域相對(duì)應(yīng)。
[0041] 本實(shí)施例中"第一掩膜板的非遮擋區(qū)域與第二掩膜板的非遮擋區(qū)域互補(bǔ)后形成的 圖形"，是指將第一掩膜板的非遮擋區(qū)域與第二掩膜板的非遮擋區(qū)域的合并后形成的圖形。 對(duì)應(yīng)到成膜過程，即第一次沉積形成的薄膜圖形和第二次沉積形成的薄膜圖形疊加起來形 成具有孔洞的薄膜，下述的"互補(bǔ)""互補(bǔ)后形成的圖形"也參照此進(jìn)行理解。
[0042] 具體而言，步驟101把第一掩膜板放置于基板上方進(jìn)行第一次沉積時(shí)，因第一遮 擋部的作用，第一遮擋部在基板上的對(duì)應(yīng)位置不存在薄膜分布，第一掩膜板的非遮擋區(qū)域 在基板上對(duì)應(yīng)形成薄膜，此處稱之為第一次沉積形成的薄膜圖形；步驟102撤去第一掩膜 板，在基板上放置第二掩膜板，在第二掩膜板的遮擋下進(jìn)行第二次沉積，此時(shí)第二掩膜板的 第一遮擋部對(duì)應(yīng)基板上的同樣位置（即在第一次沉積中因第一掩膜板的第一遮擋部遮擋 形成的無膜區(qū)域），同樣不存在薄膜，第二掩膜板的非遮擋區(qū)域在基板上對(duì)應(yīng)形成的薄膜， 稱之為第二次沉積形成的薄膜圖形。第二次沉積形成的薄膜圖形重疊在第一次沉積形成的 薄膜圖形之上，即可在基板上形成孔洞結(jié)構(gòu)的薄膜，此方法簡(jiǎn)單、易于操作、且成本低。
[0043] 優(yōu)選的，本實(shí)施例上述方法使用的第一掩膜板的非遮擋區(qū)域與第二掩膜板的非遮 擋區(qū)域互不重疊。因?yàn)榈谝谎谀ぐ宓姆钦趽鯀^(qū)域和第二掩膜板的非遮擋區(qū)域?qū)?yīng)到基板上 為薄膜沉積區(qū)域，因而可保證第一次沉積形成的薄膜和第二次沉積形成的薄膜沒有重疊區(qū) 域，如果兩次薄膜沉積的工藝參數(shù)也相同，最終在基板上形成的具有孔洞的薄膜厚度均勻， 膜的性質(zhì)也一致，可與一次沉積的效果大致相同。
[0044] 本實(shí)施例上述方法中使用的第一掩膜板和第二掩膜板均為金屬掩膜板，金屬掩膜 板硬度高，不易變形，可以保證在基板上形成的薄膜圖形的精確度。
[0045] 本實(shí)施例對(duì)形成具有孔洞的薄膜的方法中使用的第一掩膜板和第二掩膜板的具 體圖形不作限定，只要滿足第一掩膜板和第二掩膜板上均設(shè)置有第一遮擋部，且，第一掩膜 板的非遮擋區(qū)域與第二掩膜板的非遮擋區(qū)域互補(bǔ)后形成的圖形與孔洞之外的薄膜分布區(qū) 域相對(duì)應(yīng)即可。任何熟悉本【技術(shù)領(lǐng)域】的技術(shù)人員在本發(fā)明揭露的技術(shù)范圍內(nèi)，都可輕易對(duì) 第一掩膜板和第二掩膜板的圖形作出不止一種設(shè)計(jì)，但無論何種設(shè)計(jì)，形成的每一掩膜板 都應(yīng)是一張完整的能夠單獨(dú)使用的板。
[0046] 優(yōu)選的，所述第一掩膜板上包括第一遮擋部在內(nèi)的所有遮擋部為連續(xù)結(jié)構(gòu)。所述 第二掩膜板上包括第一遮擋部在內(nèi)的所有遮擋部也為連續(xù)結(jié)構(gòu)。這樣，第一或第二掩膜板 上的遮擋部均不存在需要相互拼接的部分。對(duì)于遮擋部不連續(xù)，需要相互拼接并固定在一 起才能形成完整掩膜板的情況，在下述實(shí)施例中會(huì)涉及到。
[0047] 為了本領(lǐng)域技術(shù)人員更好的理解本發(fā)明實(shí)施例提供的薄膜圖形化方法及掩膜板 的結(jié)構(gòu)，下面通過具體的實(shí)施例對(duì)本發(fā)明提供的薄膜圖形化方法及掩膜板進(jìn)行詳細(xì)說明。
[0048] 如果欲形成圖1所示的具有4個(gè)孔洞的薄膜，本發(fā)明實(shí)施例提供的薄膜圖形化方 法，具體為：
[0049] 步驟一、在基板上方放置圖3所示的第一掩膜板，然后在第一掩膜板的遮擋下進(jìn) 行第一次薄膜沉積。
[0050] 上述第一掩膜板包括非遮擋區(qū)域11和遮擋部12,第一掩膜板的遮擋部12包括第 一遮擋部13。在第一掩膜板的遮擋下進(jìn)行第一次薄膜沉積，沉積后形成的薄膜圖形如圖4 所示，沉積后的薄膜圖形包括第一沉積區(qū)域14和第一無膜區(qū)域15,孔洞的預(yù)設(shè)區(qū)域包括在 第一無膜區(qū)域15內(nèi)。
[0051] 步驟二、去掉第一掩膜板，在基板上方放置圖5所示的第二掩膜板，在第二掩膜板 的遮擋下進(jìn)行第二次薄膜沉積。
[0052] 如圖5所示，上述第二掩膜板由遮擋部16和非遮擋區(qū)域17組成，第二掩膜板的遮 擋部16包括第一遮擋部13,此時(shí)第二掩膜板的第一遮擋部13對(duì)應(yīng)基板上的同樣位置（即 在第一次沉積中因第一掩膜板的第一遮擋部遮擋形成的無膜區(qū)域）。使用第二掩膜板進(jìn)行 第二次沉積形成的薄膜圖形如圖6所示，該薄膜圖形包括第二沉積區(qū)域18和第二無膜區(qū)域 19,孔洞的預(yù)設(shè)區(qū)域包括在第二無膜區(qū)域19內(nèi)。圖6所示的第二次沉積形成的薄膜圖形重 疊在圖4所示的第一次沉積形成的薄膜圖形之上，就形成了帶孔洞的薄膜圖形，如圖7所 /_J、1 〇
[0053] 其中，第一掩膜板的非遮擋區(qū)域11和與孔洞區(qū)域?qū)?yīng)的第一遮擋部13組合起來， 即對(duì)應(yīng)于第二掩膜板的遮擋區(qū)域16,相類似的，第二掩膜板的非遮擋區(qū)域17和與孔洞區(qū)域 對(duì)應(yīng)的第一遮擋部13組合起來，即為第一掩膜板的遮擋區(qū)域12,可以保證第一次沉積形成 的薄膜和第二次沉積形成的薄膜沒有重疊區(qū)域，整體而言，兩次沉積形成的膜厚一致，上述 方法簡(jiǎn)單，易于操作，而且成本低。
[0054] 需要注意的是，從圖5可以看出，如果不考慮薄膜上可能存在的其他圖形，第二掩 膜板的遮擋部16實(shí)際上是包括上、下兩部分遮擋區(qū)域的，而掩膜板的設(shè)計(jì)要求掩膜板為一 塊完整的能夠單獨(dú)使用的板，因此具體實(shí)施時(shí)，可以選擇在掩膜板邊緣將上、下兩部分遮擋 區(qū)域連接并固定在一起，這樣就可以形成一塊完整的能夠單獨(dú)使用的板，而上、下兩部分遮 擋區(qū)域連接的地方位于邊緣，沉積時(shí)對(duì)應(yīng)為薄膜的邊緣部分，這部分薄膜是我們不需要的， 可以通過切除去掉。
[0055] 本發(fā)明實(shí)施例提供的薄膜圖形化方法中，采用兩次沉積方法，兩次沉積的薄膜互 補(bǔ)起來形成我們需要的具有孔洞的薄膜，此方法簡(jiǎn)單、易于操作、且成本低。
[0056] 實(shí)施例2
[0057] 本發(fā)明還提供一種掩膜板，用于在基板上形成具有孔洞的薄膜，包括：用于在基板 上進(jìn)行第一次沉積時(shí)使用的第一掩膜板，和，用于在經(jīng)歷過第一次沉積后的基板上進(jìn)行第 二次沉積時(shí)使用的第二掩膜板。參照?qǐng)D1、圖3和圖5所示，第一掩膜板和第二掩膜板上均 設(shè)置有與薄膜上的孔洞區(qū)域相對(duì)應(yīng)的第一遮擋部13 ;第一掩膜板的非遮擋區(qū)域11與第二 掩膜板的非遮擋區(qū)域17互補(bǔ)后形成的圖形，與孔洞之外的薄膜分布區(qū)域相對(duì)應(yīng)。
[0058] 圖3和圖5所示的掩膜板為符合本實(shí)施例的一種【具體實(shí)施方式】，并不用于限定。
[0059] 本實(shí)施例中，對(duì)形成具有孔洞薄膜的薄膜圖形化方法中使用的掩膜板進(jìn)行設(shè)計(jì)， 要求有二，第一，第一次沉積中使用的第一掩膜板和第二次沉積中使用的第二掩膜板上均 設(shè)置有與薄膜上的孔洞區(qū)域相對(duì)應(yīng)的第一遮擋部，這樣預(yù)形成孔洞的區(qū)域在兩次沉積中均 被遮擋，因而不存在薄膜；第二，第一掩膜板的非遮擋區(qū)域（對(duì)應(yīng)第一次沉積形成的薄膜圖 形）與第二掩膜板的非遮擋區(qū)域（對(duì)應(yīng)第二次沉積形成的薄膜圖形）互補(bǔ)后形成的圖形， 與孔洞之外的薄膜分布區(qū)域相對(duì)應(yīng)，即第一次沉積形成的薄膜圖形和第二次沉積形成的薄 膜圖形互補(bǔ)起來即為孔洞之外的薄膜分布區(qū)域。
[0060] 本實(shí)施例對(duì)形成具有孔洞的薄膜的方法中使用的第一掩膜板和第二掩膜板的具 體圖形不作限定，只要滿足上述要求即可。任何熟悉本【技術(shù)領(lǐng)域】的技術(shù)人員在本發(fā)明揭露 的技術(shù)范圍內(nèi)，都可輕易對(duì)第一掩膜板和第二掩膜板的圖形作出不止一種設(shè)計(jì)，但無論何 種設(shè)計(jì)，能夠形成每一掩膜板都應(yīng)是一張完整的能夠單獨(dú)使用的板。
[0061] 例如，如果要形成圖1所示帶4個(gè)孔洞的薄膜，一種【具體實(shí)施方式】中，第一掩膜板 采用圖3所示的掩膜板，第二掩膜板采用圖5所示的掩膜板；另一種【具體實(shí)施方式】中，第一 掩膜板如圖8所示，第二掩膜板如圖9所示。其中，掩膜板遮擋部中間的虛線框（第一遮擋 部13)對(duì)應(yīng)為薄膜上的孔洞區(qū)域。
[0062] 優(yōu)選的，第一掩膜板的非遮擋區(qū)域與第二掩膜板的非遮擋區(qū)域互不重疊。因而可 保證第一次沉積形成的薄膜和第二次沉積形成的薄膜沒有重疊區(qū)域，如果兩次薄膜沉積的 工藝參數(shù)也相同，最終在基板上形成的具有孔洞的薄膜厚度均勻，膜的性質(zhì)也一致，可與一 次沉積的效果大致相同。
[0063] 本實(shí)施例中使用的第一掩膜板和第二掩膜板均為金屬掩膜板，金屬掩膜板硬度 高，不易變形，可以保證在基板上形成的薄膜圖形的精確度。
[0064] 本實(shí)施例中使用的第一掩膜板上包括第一遮擋部在內(nèi)的所有遮擋部為連續(xù)結(jié)構(gòu)； 第二掩膜板上包括第一遮擋部在內(nèi)的所有遮擋部也為連續(xù)結(jié)構(gòu)，這樣，第一或第二掩膜板 上的遮擋部為一整塊單獨(dú)使用的板，均不存在需要相互拼接的部分。
[0065] 本發(fā)明實(shí)施例提供的第一掩膜板和第二掩膜板上均設(shè)置有與薄膜上的孔洞區(qū)域 相對(duì)應(yīng)的第一遮擋部，這樣預(yù)形成孔洞的區(qū)域在兩次沉積中均被遮擋，因而不存在薄膜， 又，第一掩膜板的非遮擋區(qū)域（對(duì)應(yīng)第一次沉積形成的薄膜圖形）與第二掩膜板的非遮擋 區(qū)域（對(duì)應(yīng)第二次沉積形成的薄膜圖形）互補(bǔ)后形成的圖形，與孔洞之外的薄膜分布區(qū)域 相對(duì)應(yīng)，即第一次沉積形成的薄膜圖形和第二次沉積形成的薄膜圖形互補(bǔ)起來即為孔洞之 外的薄膜分布區(qū)域。采用本實(shí)施例提供的掩膜板通過兩次沉積形成具有孔洞的薄膜工藝簡(jiǎn) 單、易于操作。
[0066] 為了便于清楚說明，在本發(fā)明中采用了第一、第二等字樣對(duì)相似項(xiàng)進(jìn)行類別區(qū)分， 該第一、第二字樣并不在數(shù)量上對(duì)本發(fā)明進(jìn)行限制，只是對(duì)一種優(yōu)選的方式的舉例說明，本 領(lǐng)域技術(shù)人員根據(jù)本發(fā)明公開的內(nèi)容，想到的顯而易見的相似變形或相關(guān)擴(kuò)展均屬于本發(fā) 明的保護(hù)范圍內(nèi)。
[0067] 以上所述，僅為本發(fā)明的【具體實(shí)施方式】，但本發(fā)明的保護(hù)范圍并不局限于此，任何 熟悉本【技術(shù)領(lǐng)域】的技術(shù)人員在本發(fā)明揭露的技術(shù)范圍內(nèi)，可輕易想到的變化或替換，都應(yīng) 涵蓋在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。因此，本發(fā)明的保護(hù)范圍應(yīng)該以權(quán)利要求的保護(hù)范圍為準(zhǔn)。
【權(quán)利要求】
1. 一種薄膜圖形化方法，用于在基板上形成具有孔洞的薄膜，其特征在于，包括： 在基板上方放置第一掩膜板，在所述第一掩膜板的遮擋下進(jìn)行第一次薄膜沉積；然后 去掉第一掩膜板，在基板上方放置第二掩膜板，在所述第二掩膜板的遮擋下進(jìn)行第二次薄 膜沉積；其中， 所述第一掩膜板和所述第二掩膜板上均設(shè)置有與薄膜上的所述孔洞區(qū)域相對(duì)應(yīng)的第 一遮擋部；所述第一掩膜板的非遮擋區(qū)域與所述第二掩膜板的非遮擋區(qū)域互補(bǔ)后形成的圖 形，與所述孔洞之外的薄膜分布區(qū)域相對(duì)應(yīng)。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于， 所述第一掩膜板的非遮擋區(qū)域與所述第二掩膜板的非遮擋區(qū)域互不重疊。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述第一掩膜板和所述第二掩膜板均 為金屬掩膜板。
4. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一掩膜板上包括所述第一遮擋部 在內(nèi)的所有遮擋部為連續(xù)結(jié)構(gòu)。
5. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述第二掩膜板上包括所述第一遮擋部 在內(nèi)的所有遮擋部為連續(xù)結(jié)構(gòu)。
6. -種掩膜板，用于在基板上形成具有孔洞的薄膜，其特征在于，包括：用于在基板上 進(jìn)行第一次沉積時(shí)使用的第一掩膜板，和，用于在經(jīng)歷過所述第一次沉積后的基板上進(jìn)行 第二次沉積時(shí)使用的第二掩膜板， 所述第一掩膜板和所述第二掩膜板上均設(shè)置有與薄膜上的所述孔洞區(qū)域相對(duì)應(yīng)的第 一遮擋部；所述第一掩膜板的非遮擋區(qū)域與所述第二掩膜板的非遮擋區(qū)域互補(bǔ)后形成的圖 形，與所述孔洞之外的薄膜分布區(qū)域相對(duì)應(yīng)。
7. 根據(jù)權(quán)利要求6所述的掩膜板，其特征在于， 所述第一掩膜板的非遮擋區(qū)域與所述第二掩膜板的非遮擋區(qū)域互不重疊。
8. 根據(jù)權(quán)利要求6所述的掩膜板，其特征在于， 所述第一掩膜板和所述第二掩膜板均為金屬掩膜板。
9. 根據(jù)權(quán)利要求6所述的掩膜板，其特征在于，所述第一掩膜板上包括所述第一遮擋 部在內(nèi)的所有遮擋部為連續(xù)結(jié)構(gòu)。
10. 根據(jù)權(quán)利要求6所述的掩膜板，其特征在于，所述第二掩膜板上包括所述第一遮擋 部在內(nèi)的所有遮擋部為連續(xù)結(jié)構(gòu)。
【文檔編號(hào)】C23C14/04GK104157550SQ201410364244
【公開日】2014年11月19日 申請(qǐng)日期:2014年7月28日 優(yōu)先權(quán)日:2014年7月28日
【發(fā)明者】劉宇, 閔天圭, 張琨鵬, 徐敬義, 任艷偉 申請(qǐng)人:京東方科技集團(tuán)股份有限公司, 鄂爾多斯市源盛光電有限責(zé)任公司