本發(fā)明的實施方式涉及沉積用掩模、沉積用掩?？蚣芙M件及其制造方法。

背景技術(shù)：

通常，作為有源發(fā)光型顯示元件，作為平坦式顯示器之一的有機發(fā)光顯示裝置不僅具有視角寬、對比度優(yōu)異的優(yōu)點，而且還具有能夠通過低電壓驅(qū)動、呈輕量的扁平狀并且響應速度快的優(yōu)點，由此作為下一代顯示元件而備受矚目。

這種發(fā)光元件根據(jù)形成發(fā)光層的物質(zhì)劃分為無機發(fā)光元件和有機發(fā)光元件，并且相比于無機發(fā)光元件，有機發(fā)光元件具有亮度、響應速度等特性優(yōu)秀、能夠以彩色顯示等的優(yōu)點，因此對其的開發(fā)最近廣為進行。

有機發(fā)光顯示裝置通過真空沉積法形成有機膜和/或電極。然而，隨著有機發(fā)光顯示裝置逐漸被高分辨率化，沉積工藝中所用的掩模的開放式狹縫(open slit)的寬度逐漸變窄并且其散布也需要被進一步減小。

此外，為了制造高分辨率有機發(fā)光顯示裝置，需要減少或去除陰影現(xiàn)象(shadow effect)。為此，目前在襯底與掩模緊貼的狀態(tài)下進行沉積工藝，并且正在興起用于改善襯底與掩模的附接度的技術(shù)的開發(fā)。

上述的背景技術(shù)是發(fā)明人為得出本發(fā)明而擁有的技術(shù)信息或者在本發(fā)明的得出過程中習得的技術(shù)信息，并不一定是在本發(fā)明的申請前已公開于一般公眾的公知技術(shù)。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

本發(fā)明的實施方式提供沉積用掩模、沉積用掩?？蚣芙M件及其制造方法。

根據(jù)本發(fā)明的一方面，提供沉積用掩模，沉積物質(zhì)通過所述沉積用 掩模沉積到襯底上以制造顯示裝置，其包括供所述沉積物質(zhì)通過的沉積圖案部、與所述沉積圖案部連接并支承所述沉積圖案部的肋部以及與所述襯底面對地凹陷形成在所述沉積圖案部和所述肋部的外圍的凹陷部。

根據(jù)本發(fā)明的另一方面，提供沉積用掩模框架組件，包括框架和一面與所述框架接觸并且另一面面對襯底的沉積用掩模，并且所述沉積用掩模包括供所述沉積物質(zhì)通過的沉積圖案部、與所述沉積圖案部連接并支承所述沉積圖案部的肋部以及與所述襯底面對地凹陷形成在所述沉積圖案部和所述肋部的外圍的凹陷部。

此外，所述沉積用掩模的邊緣部可以通過切割所述凹陷部來去除。

此外，還可以包括在所述凹陷部的外側(cè)從所述凹陷部的底面凸出的凸起。

此外，所述凸起的高度可以形成為小于所述凹陷部的深度。

此外，所述框架可以包括基座部以及從所述基座部凸出并且一面與所述沉積用掩模接觸的支承部。

此外，所述凹陷部可以在豎直方向上對齊到所述支承部的外圍末端。

此外，還可以包括布置在所述凹陷部與所述沉積圖案部之間并且對所述框架與所述沉積用掩模進行固定的焊接部。

根據(jù)本發(fā)明的又一方面，提供沉積用掩?？蚣芙M件制造方法，包括準備框架的步驟；準備沉積用掩模的步驟；將所述沉積用掩模對齊到所述框架上的步驟；以及對所述凹陷部進行切割以去除所述沉積用掩模的邊緣部的步驟，其中所述沉積用掩模包括：供沉積物質(zhì)通過的沉積圖案部、與所述沉積圖案部連接并支承所述沉積圖案部的肋部以及與襯底面對地凹陷形成在所述沉積圖案部和所述肋部的外圍的凹陷部。

此外，在去除所述邊緣部的步驟中，可以對所述凹陷部照射激光、或者用旋轉(zhuǎn)切割機對所述凹陷部進行切割。

此外，在去除所述邊緣部的步驟中，可以在所述凹陷部被切割的同時形成從所述凹陷部的底面凸出的凸起。

此外，所述凸起的高度可以形成為小于所述凹陷部的深度。

此外，所述凹陷部的寬度可以形成為大于所述激光的光點(Spot)的直徑。

此外，還可以在將所述沉積用掩模對齊到所述框架上的步驟與去除所述邊緣部的步驟之間包括將焊接部形成在所述凹陷部與所述沉積圖案部之間以對所述框架與所述沉積用掩模進行固定的步驟。

通過附圖、權(quán)利要求書和發(fā)明的詳細說明，除了上述以外的其他方面、特征、優(yōu)點將變得明確。

根據(jù)本發(fā)明的實施方式，沉積用掩模、沉積用掩?？蚣芙M件及其制造方法提升了沉積用掩模與襯底的緊貼性，從而可以將沉積物質(zhì)精密地沉積到襯底上。

附圖說明

圖1是示出根據(jù)本發(fā)明的實施方式的沉積用掩?？蚣芙M件的分解立體圖。

圖2至圖5是示出根據(jù)本發(fā)明的實施方式的沉積用掩?？蚣芙M件的制造方法的剖視圖。

圖6是示出使用圖1中所示的沉積用掩?？蚣芙M件制造的有機發(fā)光顯示裝置的視圖。

具體實施方式

本發(fā)明可以實施多種變型并且可以具有多種實施方式，并且旨在附圖中示出特定實施方式并對其進行詳細說明。通過參照結(jié)合附圖詳細說明的實施方式，本發(fā)明的效果和特征以及實現(xiàn)其的方法將變得明確。然而，本發(fā)明并不限于下面所公開的實施方式，而是可以多種形態(tài)實現(xiàn)。在下面的實施方式中，“第一”、“第二”等的措辭并不具有限定的含義，而是以將一個構(gòu)成要素與其他構(gòu)成要素區(qū)分開的目的使用。此外，除非文中另有明確指示，否則單數(shù)的表述包括復數(shù)的表述。此外，“包括”或“具有”等的措辭是指說明書中所述記載的特征或構(gòu)成要素的存在，而不是提前排除一個以上的其他特征或構(gòu)成要素的附加可能性。

此外，為了說明的便利，附圖中構(gòu)成要素的大小可以被夸大或被縮小。例如，為了說明的便利，附圖中所示的各構(gòu)件的大小和厚度被任意示出，因此本發(fā)明并不一定限定于圖中所示。此外，當能夠以不同的方 式實現(xiàn)某些實施方式時，特定的工藝可以按照與所說明的順序不同的順序執(zhí)行。例如，連續(xù)說明的兩個工藝可以實質(zhì)上同時執(zhí)行，也可以按照與所說明的順序相反的順序進行。

下面，將參照附圖對本發(fā)明的實施方式進行詳細說明，并且在參照附圖進行說明時，將對相同或?qū)臉?gòu)成要素賦予相同的附圖標記，并且將省略對其的重復描述。

圖1是示出根據(jù)本發(fā)明的實施方式的沉積用掩?？蚣芙M件的分解立體圖。

參照圖1，沉積用掩?？蚣芙M件10可以包括沉積用掩模100和框架200。此外，沉積用掩模框架組件10可以包括焊接部140以將沉積用掩模100固定到框架200上。焊接部140可以形成在沉積圖案部110與凹陷部130之間(參照圖4)。

沉積用掩模100可以包括多個沉積圖案部110、連接沉積圖案部110的肋部111和形成于沉積圖案部110的外側(cè)的凹陷部130。

沉積圖案部110布置成與框架200的開口部210相對應，并且形成貫通沉積用掩模100的沉積用圖案。通過上述的沉積用圖案的沉積物質(zhì)可以被沉積在襯底上。即，沉積圖案部110使沉積物質(zhì)通過沉積用掩模100并沉積在襯底上，從而可以在襯底上限定沉積區(qū)域。

圖中示出了沉積圖案部110包括多個點狀(dot)形態(tài)的掩模圖案。然而，本發(fā)明并不限于此，應理解，只要是本領域的技術(shù)人員就能夠?qū)嵤┒喾N變型例。即，沉積圖案部110可以包括維持整面開放狀態(tài)的掩模圖案或者點狀形狀的掩模圖案。圖1中所示的沉積圖案部110的數(shù)量、布置位置或形狀僅僅是一種示例，本發(fā)明并不限于此。

沉積用掩模100可以由一個大型部件形成并接合到框架200上。此外，可以由多個條狀掩模形成以分散沉積用掩模100的自身重量。然而，為了說明的便利，下文中將主要對單張形態(tài)的沉積用掩模100進行說明。

肋部111可以與沉積圖案部110連接并支承沉積圖案部110。肋部111布置在某一個沉積圖案部與相鄰于該沉積圖案部的另一沉積圖案部之間來連接沉積圖案部110。此外，肋部111可以被連接至框架200的各個支承部的支承件(未示出)支承以有效地分散沉積用掩模100的自身重量。

凹陷部130可以凹陷地形成在沉積圖案部110和肋部111外圍，并且布置成與襯底面對。凹陷部130形成于沉積用掩模100的外側(cè)，從而可以在沉積用掩模100中劃分出固定于框架200的沉積區(qū)域和作為待被切割并去除的邊緣部120的盈余區(qū)域。在將沉積用掩模100固定到框架200上后，需要去除作為沉積用掩模100的邊緣部120的盈余區(qū)域以使得沉積用掩模100與框架200的大小匹配。此時，作業(yè)人可以沿著凹陷部130切割沉積用掩模100。

凸起131可以在凹陷部130的外側(cè)沿著凹陷部130形成。凸起131的高度T₁可以形成為小于凹陷部130的深度T₀。當沿著凹陷部130切割沉積用掩模100時，凸起131可以沿著凹陷部130形成。即，當切割凹陷部130時，毛刺(BURR)將沿著切割面形成，從而可以形成從凹陷部130的底面凸出形成的凸起(參照圖5)。

凹陷部130的寬度可以形成為大于照射到沉積用掩模100的激光的光點(Spot)的直徑。將激光的光點對齊到凹陷部130的底面，從而可以在切割沉積用掩模100時防止除了凹陷部130以外的區(qū)域變形。此外，凹陷部130的寬度可以形成為大于旋轉(zhuǎn)切割機的、與沉積用掩模100接觸部分的寬度。將旋轉(zhuǎn)切割機對齊成與凹陷部130的底面接觸，從而可以在切割沉積用掩模100時防止除了凹陷部130以外的區(qū)域變形。

框架200可以與沉積用掩模100接合并支承沉積用掩模100?？蚣?00可以包括可供沉積物質(zhì)通過的開口部210和形成于開口部210的外側(cè)的支承部。框架200可以由金屬或合成樹脂等制成，并且形成為四邊形形狀并具有一個以上的開口部210，但是實施方式的思想并不限于此，而是可以形成為圓形或六邊形等多種形態(tài)。

多個支承部包括布置成沿著X方向彼此面對并沿著Y方向平行的第一支承部201和第三支承部203、以及布置成沿著Y方向彼此面對并沿著X方向平行的第二支承部202和第四支承部204。第一支承部201、第二支承部202、第三支承部203和第四支承部204是彼此連接的四邊形框。

多個支承部可以與基座部211連接?；?11內(nèi)側(cè)可以形成開口部210，外側(cè)可以形成為大于多個支承部并朝著外側(cè)凸出形成。即，多個支承部從基座部211凸出形成，由此多個支承部與基座部211在外圍形成端 差。這種端差面并不限于特定形狀和模樣，然而為了說明的便利，下文中將主要對具有傾斜的情況進行說明。

多個支承部接合成與沉積用掩模100相接觸。沉積用掩模100中凹陷部130的內(nèi)側(cè)部分對齊成與第一支承部201至第四支承部204相接觸。凹陷部130可以在豎直方向上對齊到第一支承部201至第四支承部204的外圍末端。在切割沉積用掩模100時可能因過度切割凹陷部130而導致框架200變形。第一支承部201至第四支承部204在基座部211與沉積用掩模100之間形成空間，由此在切割沉積用掩模100時形成激光或旋轉(zhuǎn)切割機的余量空間，從而可以最小化框架200的變形。

圖2至圖5是示出根據(jù)本發(fā)明的實施方式的沉積用掩模框架組件10的制造方法的剖視圖。

參照圖2至圖5，沉積用掩?？蚣芙M件10制造方法可以包括準備框架200的步驟、準備沉積用掩模100的步驟、將沉積用掩模100固定到框架200上的步驟和去除沉積用掩模100的邊緣部120的步驟。因為準備框架200的步驟和準備沉積用掩模100的步驟是制造上述的框架200和沉積用掩模100的步驟，因此將省略或簡述對其的說明。

參照圖2，沉積用掩模100可以設置成與框架200的多個支承部相接觸。凹陷部130可以在豎直方向上對齊到多個支承部的末端。凹陷部130設置到第一支承部201至第四支承部204的外側(cè)，隨后可以通過切割凹陷部130來去除沉積用掩模100的盈余區(qū)域。

參照圖3，沉積用掩模100可以通過焊接工藝固定到框架200上。在將沉積用掩模100對齊到框架200上后，可以對凹陷部130與沉積圖案部110之間進行焊接而將沉積用掩模100固定到框架200上。

參照圖4和圖5，對去除沉積用掩模100的邊緣部120的步驟進行如下說明。作為盈余區(qū)域的邊緣部120可以通過切割凹陷部130來去除。為了緊湊地制造沉積用掩?？蚣芙M件10，需要去除沉積用掩模100中的邊緣部120來減小大小。

在將沉積用掩模100固定到框架200上后，可以對凹陷部130照射激光5或者用旋轉(zhuǎn)切割機對凹陷部130進行切割。當切割凹陷部130時，會沿著切割面形成毛刺(BURR)，從而可能形成從凹陷部130的底面凸出形成 的凸起131。即，凸起131在凹陷部130的外側(cè)沿著凹陷部130形成，并且從凹陷部130的底面凸出。凸起131的高度T₁可以形成為小于凹陷部130的深度T₀。凹陷部130具有離沉積用掩模100表面T₀的深度，凸起131具有離凹陷部130的底面T₁的長度。

凹陷部130的寬度可以形成為大于照射到沉積用掩模100的激光5的光點(Spot)的直徑。將激光5的光點對齊到凹陷部130的底面，從而可以在切割沉積用掩模100時防止除了凹陷部130以外的區(qū)域變形。此外，凹陷部130的寬度可以形成為大于接觸到沉積用掩模100的旋轉(zhuǎn)切割機的大小。將旋轉(zhuǎn)切割機對齊成與凹陷部130的底面接觸，從而可以在切割沉積用掩模100時防止除了凹陷部130以外的區(qū)域變形。

凹陷部130在豎直方向上對齊到第一支承部201至第四支承部204的外圍末端。根據(jù)形成于框架200的端差，沉積用掩模100與框架200之間形成空間。通過形成在切割沉積用掩模100時可供激光5和旋轉(zhuǎn)切割機操作的余量空間，可以最小化框架200變形。即，第一支承部201至第四支承部204在基座部與沉積用掩模100之間形成空間，由此在切割沉積用掩模100時形成激光5或旋轉(zhuǎn)切割機的余量空間，從而可以最小化框架200的變形。

隨著顯示裝置的大型化，沉積用掩模100的大小也隨之增加。因此，重點在于通過縮小沉積用掩模框架組件10的尺寸來提升沉積工藝的空間利用率并提高沉積的效率。為了制造緊湊型沉積用掩?？蚣芙M件，可以去除沉積用掩模的盈余區(qū)域，而此時切割面上可能形成毛刺(burr)。

因為毛刺(burr)從沉積用掩模的表面凸出形成，所以導致了沉積用掩模與襯底的緊貼性下降。具體地，沉積用掩?？蚣芙M件的一面與襯底緊貼，并且通過沉積用掩模的沉積物質(zhì)被沉積在襯底上。當襯底與沉積用掩模之間形成間隙時，可能引發(fā)形成不均勻沉積的陰影現(xiàn)象(Shadow effect)。這種陰影現(xiàn)象可能導致顯示器產(chǎn)品的生產(chǎn)率和像素的準確性下降。

為了克服這種問題，需要去除形成于沉積用掩模上的毛刺(burr)的工藝，而這種附加工藝可能導致生產(chǎn)效率的下降和生產(chǎn)成本的上升。

當根據(jù)本發(fā)明的實施方式制造沉積用掩模框架組件10時，沿著凹陷 部130去除了作為盈余區(qū)域的邊緣部120。沿著凹陷部130的底面凸出的凸起131可以形成在沉積用掩模100的切割面上。因為凸起131的高度T₁小于凹陷部130的深度T₀，所以不會凸出到沉積用掩模100表面。即，通過最小化沉積用掩?？蚣芙M件10與襯底之間的間距來提升緊貼性，可以執(zhí)行精密的沉積工藝。

此外，通過最小化可能因沉積用掩?？蚣芙M件10與襯底的接觸而發(fā)生的劃痕或者襯底的變形，可以提升沉積工藝的效率性。

此外，框架200形成為端差形式并且凹陷部130形成在端差的外側(cè)端部，從而可以在作為盈余區(qū)域的邊緣部120的切割工藝時在沒有框架的變形的情況下有效地執(zhí)行。

圖6是示出使用圖1中所示的沉積用掩模框架組件制造的有機發(fā)光顯示裝置300的視圖。

參照圖6，有機發(fā)光顯示裝置300設置有襯底311。襯底311包括具有柔性的絕緣材料。例如，上述的襯底311可以是玻璃襯底。此外，襯底311可以由聚酰亞胺(Polyimide；PI)、聚碳酸酯(Polycarbonate；PC)、聚醚砜(Polyethersulphone；PES)、聚對苯二甲酸乙二醇酯(Polyethylene terephthalate；PET)、聚乙二醇對苯二甲酸酯(Polyethylenenaphthalate；PEN)、聚芳酯(Polyarylate；PAR)或玻璃纖維增強塑料(Fiber glass reinforced plastic；FRP)等的高分子材料構(gòu)成。襯底311可以是透明的、半透明的或不透明的。

阻擋膜312可以形成在襯底311上。阻擋膜312可以形成為整體地覆蓋襯底311的上部面。阻擋膜312可以包括無機膜或有機膜。阻擋膜312可以形成為單層膜、或者層疊為多層膜。例如，阻擋膜312可以由選自諸如硅氧化物(SiOx)、硅氮化物(SiNx)、硅氮氧化物(SiON)、鋁氧化物(AlO)、鋁氮氧化物(AlON)等的無機物和諸如丙烯酸樹脂、聚酰亞胺、聚酯等的有機物中的至少一種形成。

阻擋膜312執(zhí)行阻擋氧氣和水分的功能，防止水分或雜質(zhì)通過襯底311擴散，并且為襯底311的上部提供平坦的表面。薄膜晶體管(Thin film transistor；TFT)可以形成在阻擋膜312上。雖然根據(jù)本發(fā)明的實施方式的薄膜晶體管示出為頂柵(Top gate)型薄膜晶體管，但是應明確，也可 以包括底柵(Bottom gate)型等的其他結(jié)構(gòu)的薄膜晶體管。

半導體有源層313可以形成在阻擋膜312上。根據(jù)摻雜N型雜質(zhì)離子或P型雜質(zhì)離子，半導體有源層313上可以形成源區(qū)域314和漏區(qū)域315。源區(qū)域314與漏區(qū)域315之間的區(qū)域為不摻雜雜質(zhì)的溝道區(qū)域316。

在半導體有源層313由多晶硅形成的情況下，可以通過形成非晶硅并且使其結(jié)晶化來轉(zhuǎn)變?yōu)槎嗑Ч琛４送?，半導體有源層313可以由氧化物半導體形成。例如，氧化物半導體可以包含如下物質(zhì)的氧化物，其中所述物質(zhì)選自諸如鋅(Zn)、銦(In)、鎵(Ga)、錫(Sn)、鎘(Cd)、鍺(Ge)、鉿(Hf)的4、12、13、14族金屬元素及其組合。

柵極絕緣膜317可以沉積在半導體有源層313上。柵極絕緣膜317包括諸如硅氧化物、硅氮化物或金屬氧化物的無機膜。柵極絕緣膜317可以是單層或多層結(jié)構(gòu)。

柵電極318可以形成在柵極絕緣膜317上的一定區(qū)域中。柵電極318可以包含Au、Ag、Cu、Ni、Pt、Pd、Al、Mo、Cr等的單層膜或多層膜，或者可以包含如Al:Nd、Mo:W的合金。

層間絕緣膜319可以形成在柵電極318上。層間絕緣膜319可以由硅氧化物或硅氮化物等的絕緣材料形成。此外，上述的層間絕緣膜319可以由絕緣有機膜形成。

源電極320和漏電極321可以形成在層間絕緣膜319上。具體地，接觸孔可以通過去除柵極絕緣膜317和層間絕緣膜319的一部分而形成在柵極絕緣膜317和層間絕緣膜319中，并且源電極320可以通過接觸孔電連接到源區(qū)域314，漏電極321可以通過接觸孔電連接到漏區(qū)域315。

鈍化膜322可以形成在源電極320和漏電極321上。鈍化膜322可以由諸如硅氧化物或硅氮化物的無機膜形成或者由有機膜形成。

平坦化膜323可以形成在鈍化膜322上。平坦化膜323可以包括丙烯酸樹脂(acryl)、聚酰亞胺(polyimide)、苯并環(huán)丁烯(Benzocyclobutene；BCB)等的有機膜。

有機發(fā)光元件OLED可以形成在薄膜晶體管TFT上。有機發(fā)光元件OLED包括第一電極325、第二電極327和介于第一電極325與第二電極327之間的中間層326。

第一電極325通過接觸孔與源電極320或和漏電極321中的任一個電連接。第一電極325對應于像素電極。

第一電極325充當陽極，其可以由多種導電材料形成。第一電極325可以形成為透明電極或反射電極。

例如，當?shù)谝浑姌O325以透明電極使用時，第一電極325包括ITO、IZO、ZnO、In₂O₃等。當?shù)谝浑姌O325以反射電極使用時，第一電極325可以在由Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr及其化合物等形成反射膜后在上述的反射膜上形成ITO、IZO、ZnO、In₂O₃等。

像素限定膜(Pixel define layer；PDL)324可以形成在平坦化膜323上以覆蓋有機發(fā)光元件OLED的第一電極325的邊緣位置。像素限定膜324通過圍繞第一電極325的邊緣位置來限定各個子像素的發(fā)光區(qū)域。

像素限定膜324由有機物或無機物形成。例如，上述的像素限定膜324可以由諸如聚酰亞胺、聚酰胺、苯并環(huán)丁烯、丙烯酸樹脂、酚醛樹脂等的有機物形成、或者由如SiNx的無機物形成。像素限定膜324可以形成為單層膜，或者可以形成為多層膜。

中間層326可以形成在通過蝕刻像素限定膜324的一部分而暴露的所述第一電極325的區(qū)域中。中間層326可以通過沉積工藝形成。

中間層326可以由低分子有機物或高分子有機物形成。中間層326可以包括有機發(fā)光層(Emissive layer；EML)。作為可選的其他示例，除了包括有機發(fā)光層以外，中間層326還可以包括空穴注入層(Hole injection layer；HIL)、空穴傳輸層(Hole transport layer；HTL)、電子傳輸層(Electron transport layer；ETL)、電子注入層(Electron injection layer；EIL)中的任一個。本實施方式并不限于此，中間層326包括有機發(fā)光層，并且還可以包括其他多種功能層。

第二電極327可以形成在中間層326上。第二電極327對應于公共電極。與第一電極325相似，第二電極327可以形成為透明電極或反射電極。

當?shù)谝浑姌O325形成為透明電極或反射電極時，其可以形成為與各個子像素的開口對應的形態(tài)。相反，第二電極327可以將透明電極或反射電極整面地沉積在顯示部上?？蛇x地，第二電極327也可以由特定圖案形成以替代整面沉積。應明確，第一電極325和第二電極327也可以位置倒置 而層疊。

另外，第一電極325與第二電極327通過中間層326彼此絕緣。當向第一電極325和第二電極327施加電壓時，中間層326中發(fā)出可見光來實現(xiàn)用戶可識別的圖像。

封裝部(Encapsulation)340可以形成在有機發(fā)光元件OLED上。封裝部340是為了保護中間層326和其他薄膜免受外部水分或氧氣等的影響而形成的。

封裝部340可以是至少各層疊有一個有機膜和無機膜的結(jié)構(gòu)。例如，封裝部340可以是層疊有諸如環(huán)氧樹脂、聚酰亞胺、聚對苯二甲酸乙二醇酯、聚碳酸酯，聚乙烯，聚丙烯酸酯等的至少一個有機膜341、342和諸如硅氧化物(SiO₂)、硅氮化物(SiNx)、鋁氧化物(Al₂O₃)、鈦氧化物(TiO₂)、鋯氧化物(ZrOx)、鋅氧化物(ZnO)等的至少一個無機膜343、344、345的結(jié)構(gòu)。

封裝部340可以是具有至少一個有機膜341、342和至少兩個無機膜343、344、345的結(jié)構(gòu)。封裝部340中暴露到外部的最上層345可以由無機膜形成以防止水分滲進有機發(fā)光元件OLED。

如上所述，雖然參照附圖中所示的實施方式對本發(fā)明進行了說明，但這僅僅是示例性的，本領域的普通技術(shù)人員應理解，能夠由此進行多種變型和實施方式的變型。因此，本發(fā)明真正的技術(shù)保護范圍應由所附權(quán)利要求書中的技術(shù)思想來定義。

符號的說明

10：沉積用掩?？蚣芙M件

100：沉積用掩模

110：沉積圖案部

111：肋部

120：邊緣部

130：凹陷部

131：凸起

140：焊接部

200：框架

201：第一支承部

202：第二支承部

203：第三支承部

204：支承部

210：開口部

211：基座部