本發(fā)明涉及壓力校正用夾具及基板處理裝置。

背景技術(shù)：

近年來，為了對(duì)半導(dǎo)體晶片等基板進(jìn)行各種處理而使用基板處理裝置。作為基板處理裝置的一例，可列舉出有用于進(jìn)行基板的研磨處理的CMP(Chemical Mechanical Polishing，化學(xué)機(jī)械研磨)裝置。

CMP裝置具備：用于進(jìn)行基板的研磨處理的研磨單元；用于進(jìn)行基板的清洗處理及干燥處理的清洗單元；及向研磨單元傳遞基板，并且接收通過通過清洗單元進(jìn)行清洗處理及干燥處理后的基板的裝載/卸載單元等。此外，CMP裝置具備在研磨單元、清洗單元、及裝載/卸載單元內(nèi)進(jìn)行基板的搬送的搬送單元。CMP裝置一邊通過通過搬送單元搬送基板，一邊依次進(jìn)行研磨、清洗、及干燥的各種處理。

研磨單元具備：貼附有用于研磨基板的研磨墊的研磨臺(tái)；及用于保持基板且向研磨墊按壓的保持部。在此，在保持部的內(nèi)部設(shè)有多個(gè)氣囊，以將基板吸附在保持部來進(jìn)行保持、或?qū)⒒灏磯涸谘心|。通過使用氣囊，可對(duì)基板整體施加均勻的壓力，因此可得均勻且穩(wěn)定的研磨特性。因此，被供給至氣囊的加壓壓力預(yù)先施行校準(zhǔn)(calibration，校正)，以精確獲得所被指定的值。

現(xiàn)有的校準(zhǔn)方法為，取出氣囊的薄膜(membrane)附近的氣囊配管而與壓力計(jì)連接，且一邊讀取其測定值，一邊校正校準(zhǔn)用的D/A參數(shù)。首先，在初始的參數(shù)中，記錄以數(shù)個(gè)指定壓力加壓時(shí)的實(shí)測值。根據(jù)該實(shí)測值，使用計(jì)算式來算出校正后的參數(shù)，且反映在裝置。反映后，再次確認(rèn)壓力實(shí)測值，若值未滿足在所被要求的精度內(nèi)，即重新計(jì)算校正后參數(shù)來進(jìn)行反映。反復(fù)進(jìn)行上述過程直至滿足規(guī)格精度。上述過程是對(duì)氣囊單體的作業(yè)，因此必須對(duì)裝置內(nèi)的各研磨臺(tái)、各氣囊全部進(jìn)行一連串作業(yè)。另外，校準(zhǔn)作業(yè)是為了進(jìn)行裝置的操作及參數(shù)的變更、以及壓力的測定及計(jì)算的兩種作業(yè)，因此從效率的觀點(diǎn)來看，期望的是兩人進(jìn)行作業(yè)。

現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)

專利文獻(xiàn)

專利文獻(xiàn)1：日本特開2011-143537號(hào)公報(bào)

現(xiàn)有技術(shù)并未考慮到簡化氣囊的校準(zhǔn)作業(yè)。

即，現(xiàn)有技術(shù)的校準(zhǔn)方法并未考慮到通過將校準(zhǔn)中的各種作業(yè)一部分自動(dòng)化、簡化，來縮短作業(yè)所費(fèi)時(shí)間。在現(xiàn)有方法中，必須反復(fù)進(jìn)行將對(duì)各研磨臺(tái)裝載多個(gè)氣囊，逐個(gè)區(qū)域地與壓力計(jì)連接來進(jìn)行校準(zhǔn)的作業(yè)。另外，參數(shù)的計(jì)算是在裝置的外部進(jìn)行的，通過手動(dòng)使所計(jì)算出的值反映在裝置中。基于如上所示的情況，在進(jìn)行校準(zhǔn)時(shí)，必須耗費(fèi)很多時(shí)間及精力。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

(發(fā)明所要解決的課題)

因此，本申請(qǐng)發(fā)明以簡化氣囊的校準(zhǔn)作業(yè)為課題。

(用于解決課題的手段)

本申請(qǐng)發(fā)明的壓力校正用夾具之一方式是鑒于上述課題而完成的，其是用于校正對(duì)多個(gè)氣囊加壓的壓力的壓力校正用夾具，該多個(gè)氣囊被設(shè)在用于保持基板并將所述基板向研磨器具按壓的保持部的內(nèi)部，其特征為：具備：多個(gè)第一流路，與所述多個(gè)氣囊的各個(gè)氣囊連通；第二流路，將所述多個(gè)第一流路合流成一個(gè)流路而連接至壓力校正用的壓力傳感器；及流動(dòng)控制部，針對(duì)所述多個(gè)第一流路中的被選擇為壓力校正用的與氣囊對(duì)應(yīng)的流路，能夠使流體從所述氣囊向所述第二流路的方向流通，并且針對(duì)所述被選擇的一個(gè)流路以外的流路，阻止流體從所述第二流路向所述氣囊的方向流動(dòng)。

另外，在壓力校正用夾具之一方式中，也可以是，所述流動(dòng)控制部包含設(shè)在所述多個(gè)第一流路中的各個(gè)第一流路且對(duì)所述多個(gè)第一流路進(jìn)行開閉的多個(gè)第一開閉閥，所述多個(gè)第一開閉閥與分別設(shè)在多個(gè)主流路的第二開閉閥同步動(dòng)作，所述多個(gè)主流路將設(shè)在具有所述保持部的基板處理裝置的內(nèi)部的壓力調(diào)節(jié)器與所述多個(gè)氣囊連接，所述多個(gè)第一流路被連接在所述主流路中的所述第二開閉閥與所述氣囊之間。

另外，在壓力校正用夾具的一方式中，也可以是，所述流動(dòng)控制部包含設(shè)在所述多個(gè)第一流路中的各個(gè)第一流路且對(duì)所述多個(gè)第一流路進(jìn)行開閉的多個(gè)第一開閉閥，所述多個(gè)第一開閉閥與設(shè)在繞過第二開閉閥的多個(gè)旁通流路的第三開閉閥同步動(dòng)作，所述第二開閉閥分別設(shè)在多個(gè)主流路，所述多個(gè)主流路將設(shè)在具有所述保持部的基板處理裝置的內(nèi)部的壓力調(diào)節(jié)器與所述多個(gè)氣囊連接，所述多個(gè)第一流路被連接在所述主流路中的所述第二開閉閥與所述氣囊之間。

另外，在壓力校正用夾具的一方式中，也可以是，所述流動(dòng)控制部包含設(shè)在所述多個(gè)第一流路中的各個(gè)第一流路且對(duì)所述多個(gè)第一流路進(jìn)行開閉的多個(gè)第一開閉閥，所述多個(gè)第一開閉閥與設(shè)在從第二開閉閥的所述氣囊側(cè)分支的多個(gè)吸引用流路的第四開閉閥同步動(dòng)作，所述第二開閉閥分別設(shè)在多個(gè)主流路，所述多個(gè)主流路將設(shè)在具有所述保持部的基板處理裝置的內(nèi)部的壓力調(diào)節(jié)器與所述多個(gè)氣囊連接，所述多個(gè)第一流路被連接在所述主流路中的所述第二開閉閥與所述壓力調(diào)節(jié)器之間。

另外，在壓力校正用夾具的一方式中，也可以是，所述流動(dòng)控制部包含設(shè)在所述多個(gè)第一流路中的各個(gè)第一流路且使流體從所述氣囊僅向所述第二流路的方向流通的多個(gè)逆止閥。

另外，在壓力校正用夾具的一方式中，也可以是，還具備能夠使所述多個(gè)第一流路流通的復(fù)式連接器，所述壓力校正用夾具經(jīng)由所述復(fù)式連接器而與具有所述保持部的基板處理裝置連接。

本申請(qǐng)發(fā)明之基板處理裝置的一方式的特征為：具備：研磨臺(tái)，貼附有用于研磨基板的研磨墊；保持部，用于保持所述基板并將所述基板向所述研磨墊按壓；多個(gè)氣囊，設(shè)在所述保持部的內(nèi)部；及上述任一個(gè)壓力校正用夾具，用于校正對(duì)所述多個(gè)氣囊的加壓壓力。

(發(fā)明效果)

通過本申請(qǐng)發(fā)明，可簡化氣囊的校準(zhǔn)作業(yè)。

附圖說明

圖1是表示本實(shí)施方式的基板處理裝置的整體構(gòu)成的俯視圖。

圖2是示意地表示研磨單元的立體圖。

圖3A是表示清洗單元的俯視圖。

圖3B是表示清洗單元的側(cè)視圖。

圖4是表示第一實(shí)施方式的壓力校正用夾具及CMP裝置的構(gòu)成的圖。

圖5是表示第二實(shí)施方式的壓力校正用夾具及CMP裝置的構(gòu)成的圖。

圖6是表示第三實(shí)施方式的壓力校正用夾具及CMP裝置的構(gòu)成的圖。

圖7是表示第四實(shí)施方式的壓力校正用夾具及CMP裝置的構(gòu)成的圖。

圖8是使用壓力校正用夾具的校準(zhǔn)的流程圖。

具體實(shí)施方式

以下根據(jù)附圖來說明本申請(qǐng)發(fā)明的一實(shí)施方式的壓力校正用夾具、及基板處理裝置。以下，說明CMP裝置作為基板處理裝置的一例，但并不限定于此。另外，以下，對(duì)具備裝載/卸載單元2、研磨單元3、及清洗單元4的基板處理裝置進(jìn)行說明，但并不限定于此。

首先，說明CMP裝置的構(gòu)成，之后說明氣囊的壓力校準(zhǔn)。

＜基板處理裝置＞

圖1是表示本發(fā)明的實(shí)施方式的基板處理裝置的整體構(gòu)成的俯視圖。如圖1所示，該CMP裝置具備大致矩形狀的外殼1，外殼1的內(nèi)部通過分隔壁1a、1b而被劃分成裝載/卸載單元2、研磨單元3、及清洗單元4。裝載/卸載單元2、研磨單元3、及清洗單元4分別被獨(dú)立組裝，且獨(dú)立排氣。另外，清洗單元4具有控制基板處理動(dòng)作的控制裝置5。

＜裝載/卸載單元＞

裝載/卸載部2具備載置貯存多個(gè)晶片(基板)的晶片盒的2個(gè)以上(本實(shí)施方式中為4個(gè))的前裝載部20。這些前裝載部20與外殼1鄰接配置，沿著基板處理裝置的寬度方向(與長度方向垂直的方向)排列。在前裝載部20可搭載開放盒、SMIF(Standard Manufacturing Interface，標(biāo)準(zhǔn)制造界面)容器、或FOUP(Front Opening Unified Pod，前開式晶片盒)。在此，SMIF、FOUP是在內(nèi)部收納晶片盒，以分隔壁覆蓋，從而可保持與外部空間獨(dú)立的環(huán)境的密閉容器。

另外，在裝載/卸載單元2沿著前裝載部20的排列鋪設(shè)有行走機(jī)構(gòu)21，在該行走機(jī)構(gòu)21上設(shè)置有可沿著晶片盒排列方向移動(dòng)的2臺(tái)搬送機(jī)器人(裝料器、搬送機(jī)構(gòu))22。搬送機(jī)器人22通過在行走機(jī)構(gòu)21上移動(dòng)，可訪問(access)被搭載于前裝載部20的晶片盒。各搬送機(jī)器人22在上下具備2個(gè)機(jī)器手。上側(cè)的機(jī)器手在將處理后的晶片送回至晶片盒時(shí)使用。下側(cè)的機(jī)器手在將處理前的晶片從晶片盒取出時(shí)使用。如上所示，可分開使用上下的機(jī)器手。此外，搬送機(jī)器人22的下側(cè)的機(jī)器手構(gòu)成為可通過繞其軸心旋轉(zhuǎn)而使晶片反轉(zhuǎn)。

裝載/卸載單元2是需要保持最為潔凈的狀態(tài)的區(qū)域，因此裝載/卸載單元2的內(nèi)部始終被維持在比CMP裝置外部、研磨單元3、及清洗單元4的任一者為更高的壓力。研磨單元3由于使用漿料作為研磨液，因此是最為臟污的區(qū)域。因此，在研磨單元3的內(nèi)部形成負(fù)壓，該壓力被維持得比清洗單元4的內(nèi)部壓力低。在裝載/卸載單元2設(shè)有具有HEPA過濾器(High Efficiency Particulate Air filter：高效率空氣過慮器)、ULPA過濾器(Ultra Low Penetration Air filter：超高效率空氣過慮器)、或化學(xué)過濾器等潔凈空氣過濾器的過濾器風(fēng)扇單元(未圖示)，始終從該過濾器風(fēng)扇單元吹出已將微?；蛴卸菊魵狻⒂卸練怏w除去的潔凈空氣。

＜研磨單元＞

研磨單元3是進(jìn)行晶片研磨(平坦化)的區(qū)域，具備：第一研磨單元3A、第二研磨單元3B、第三研磨單元3C、第四研磨單元3D。這些第一研磨單元3A、第二研磨單元3B、第三研磨單元3C、及第四研磨單元3D如圖1所示地沿著基板處理裝置的長度方向排列。

如圖1所示，第一研磨單元3A具備：安裝有具有研磨面的研磨墊10的研磨臺(tái)30A；用于保持晶片且一邊將晶片按壓在研磨臺(tái)30A上的研磨墊10一邊進(jìn)行研磨的頂環(huán)31A；用于對(duì)研磨墊10供給研磨液或修整液(例如純水)的研磨液供給噴嘴32A；用于進(jìn)行研磨墊10的研磨面的修整的修整器33A；及將液體(例如純水)與氣體(例如氮?dú)?的混合流體或液體(例如純水)形成為霧狀而噴射在研磨面的噴霧器34A。在頂環(huán)31A的內(nèi)部設(shè)有多個(gè)氣囊，用于將晶片吸附在頂環(huán)31A來進(jìn)行保持、或?qū)⒕磯涸谘心|10。

同樣地，第二研磨單元3B具備：安裝有研磨墊10的研磨臺(tái)30B、頂環(huán)31B、研磨液供給噴嘴32B、修整器33B、及噴霧器34B。第三研磨單元3C具備：安裝有研磨墊10的研磨臺(tái)30C、頂環(huán)31C、研磨液供給噴嘴32C、修整器33C、及噴霧器34C。第四研磨單元3D具備：安裝有研磨墊10的研磨臺(tái)30D、頂環(huán)31D、研磨液供給噴嘴32D、修整器33D、及噴霧器34D。在頂環(huán)31B、31C、31D的內(nèi)部分別設(shè)有多個(gè)氣囊，用于將晶片吸附在頂環(huán)31B、31C、31D來進(jìn)行保持、或?qū)⒕磯涸谘心|10。

第一研磨單元3A、第二研磨單元3B、第三研磨單元3C、及第四研磨單元3D具有彼此相同的構(gòu)成，因此以下針對(duì)第一研磨單元31A加以說明。

圖2是示意表示第一研磨單元3A的立體圖。頂環(huán)31A被支持在頂環(huán)軸36。在研磨臺(tái)30A的上表面貼附有研磨墊10，該研磨墊10的上表面構(gòu)成研磨晶片W的研磨面。其中，也可使用固定磨粒來取代研磨墊10。頂環(huán)31A及研磨臺(tái)30A如箭號(hào)所示地構(gòu)成為繞其軸心旋轉(zhuǎn)。晶片W通過真空吸附而被保持在頂環(huán)31A的下表面。在研磨時(shí)，研磨液從研磨液供給噴嘴32A被供給至研磨墊10的研磨面，作為研磨對(duì)象的晶片W通過頂環(huán)31A被按壓在研磨面來進(jìn)行研磨。

接著，說明用于搬送晶片的搬送機(jī)構(gòu)。如圖1所示，與第一研磨單元3A及第二研磨單元3B鄰接配置有第一線性輸送器6。該第一線性輸送器6是在沿著研磨單元3A、3B所排列的方向的4個(gè)搬送位置(從裝載/卸載單元側(cè)依次為第一搬送位置TP1、第二搬送位置TP2、第三搬送位置TP3、第四搬送位置TP4)之間搬送晶片的機(jī)構(gòu)。

另外，與第三研磨單元3C及第四研磨單元3D鄰接配置有第二線性輸送器7。該第二線性輸送器7是在沿著研磨單元3C、3D所排列的方向的3個(gè)搬送位置(從裝載/卸載單元側(cè)依次為第五搬送位置TP5、第六搬送位置TP6、第七搬送位置TP7)之間搬送晶片的機(jī)構(gòu)。

晶片通過第一線性輸送器6而被搬送至研磨單元3A、3B。第一研磨單元3A的頂環(huán)31A通過頂環(huán)頭的擺動(dòng)動(dòng)作而在研磨位置與第二搬送位置TP2之間移動(dòng)。因此，晶片向頂環(huán)31A的傳遞是在第二搬送位置TP2進(jìn)行的。同樣地，第二研磨單元3B的頂環(huán)31B在研磨位置與第三搬送位置TP3之間移動(dòng)，晶片向頂環(huán)31B的傳遞是在第三搬送位置TP3進(jìn)行的。第三研磨單元3C的頂環(huán)31C在研磨位置與第六搬送位置TP6之間移動(dòng)，晶片向頂環(huán)31C的傳遞是在第六搬送位置TP6進(jìn)行的。第四研磨單元3D的頂環(huán)31D在研磨位置與第七搬送位置TP7之間移動(dòng)，晶片向頂環(huán)31D的傳遞是在第七搬送位置TP7進(jìn)行的。

在第一搬送位置TP1配置有用于從搬送機(jī)器人22接受晶片的升降器11。晶片經(jīng)由該升降器11而從搬送機(jī)器人22被交付至第一線性輸送器6。位于升降器11與搬送機(jī)器人22之間，在分隔壁1a設(shè)有擋門(未圖示)，晶片搬送時(shí)，擋門被打開，晶片從搬送機(jī)器人22被交付至升降器11。另外，在第一線性輸送器6、第二線性輸送器7、及清洗單元4之間配置有擺動(dòng)輸送器12。該擺動(dòng)輸送器12具有可在第四搬送位置TP4與第五搬送位置TP5之間移動(dòng)的機(jī)器手，晶片從第一線性輸送器6向第二線性輸送器7的傳遞是通過擺動(dòng)輸送器12進(jìn)行的。晶片通過第二線性輸送器7而被搬送至第三研磨單元3C及/或第四研磨單元3D。另外，由研磨單元3研磨的晶片經(jīng)由擺動(dòng)輸送器12而被搬送至清洗單元4。

＜清洗單元＞

圖3A是表示清洗單元4的俯視圖，圖3B是表示清洗單元4的側(cè)視圖。如圖3A及圖3B所示，清洗單元4被區(qū)劃成第一清洗室190、第一搬送室191、第二清洗室192、第二搬送室193、及干燥室194。在第一清洗室190內(nèi)配置有：沿著縱向排列的上側(cè)一次清洗模塊201A、及下側(cè)一次清洗模塊201B。上側(cè)一次清洗模塊201A被配置在下側(cè)一次清洗模塊201B的上方。同樣地，在第二清洗室192內(nèi)配置有：沿著縱向排列的上側(cè)二次清洗模塊202A、及下側(cè)二次清洗模塊202B。上側(cè)二次清洗模塊202A被配置在下側(cè)二次清洗模塊202B的上方。一次及二次清洗模塊201A、201B、202A、202B是使用清洗液來清洗晶片的清洗機(jī)。這些一次及二次清洗模塊201A、201B、202A、202B沿著垂直方向排列，因此可獲得占位面積小的優(yōu)點(diǎn)。

在上側(cè)二次清洗模塊202A與下側(cè)二次清洗模塊202B之間設(shè)有晶片的暫置臺(tái)203。在干燥室194內(nèi)配置有沿著縱向排列的上側(cè)干燥模塊205A及下側(cè)干燥模塊205B。這些上側(cè)干燥模塊205A及下側(cè)干燥模塊205B彼此隔離。在上側(cè)干燥模塊205A及下側(cè)干燥模塊205B的上部設(shè)有將清凈空氣分別供給至干燥模塊205A、205B內(nèi)的過濾器風(fēng)扇單元207、207。上側(cè)一次清洗模塊201A、下側(cè)一次清洗模塊201B、上側(cè)二次清洗模塊202A、下側(cè)二次清洗模塊202B、暫置臺(tái)203、上側(cè)干燥模塊205A、及下側(cè)干燥模塊205B經(jīng)由螺栓等而被固定在未圖示的框架。

在第一搬送室191配置有可上下移動(dòng)的第一搬送機(jī)器人(搬送機(jī)構(gòu))209，在第二搬送室193配置有可上下移動(dòng)的第二搬送機(jī)器人210。第一搬送機(jī)器人209及第二搬送機(jī)器人210分別移動(dòng)自如地支持在沿縱向延伸的支持軸211、212。第一搬送機(jī)器人209及第二搬送機(jī)器人210在其內(nèi)部具有馬達(dá)等驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)，形成為沿著支持軸211、212上下移動(dòng)自如。第一搬送機(jī)器人209與搬送機(jī)器人22同樣地，具有上下二段的機(jī)器手。第一搬送機(jī)器人209如圖3A的虛線所示，其下側(cè)的機(jī)器手被配置在可訪問到上述暫置臺(tái)180的位置。第一搬送機(jī)器人209的下側(cè)的機(jī)器手訪問暫置臺(tái)180時(shí)，設(shè)在分隔壁1b的擋門(未圖示)打開。

第一搬送機(jī)器人209以在暫置臺(tái)180、上側(cè)一次清洗模塊201A、下側(cè)一次清洗模塊201B、暫置臺(tái)203、上側(cè)二次清洗模塊202A、下側(cè)二次清洗模塊202B之間搬送晶片W的方式進(jìn)行動(dòng)作。在搬送清洗前的晶片(附著有漿料的晶片)時(shí)，第一搬送機(jī)器人209使用下側(cè)的機(jī)器手，在搬送清洗后的晶片時(shí)，使用上側(cè)的機(jī)器手。第二搬送機(jī)器人210以在上側(cè)二次清洗模塊202A、下側(cè)二次清洗模塊202B、暫置臺(tái)203、上側(cè)干燥模塊205A、下側(cè)干燥模塊205B之間搬送晶片W的方式進(jìn)行動(dòng)作。第二搬送機(jī)器人210由于僅搬送清洗后的晶片，因此僅具備一個(gè)機(jī)器手。圖1所示的搬送機(jī)器人22使用其上側(cè)的機(jī)器手，從上側(cè)干燥模塊205A或下側(cè)干燥模塊205B取出晶片，且將該晶片送回至晶片盒。搬送機(jī)器人22的上側(cè)機(jī)器手在訪問干燥模塊205A、205B時(shí)，設(shè)在分隔壁1a的擋門(未圖示)打開。

＜?xì)饽业膲毫π?zhǔn)＞

＜第一實(shí)施方式＞

接著，說明氣囊的壓力校準(zhǔn)。圖4是表示第一實(shí)施方式的壓力校正用夾具及CMP裝置的構(gòu)成的圖。在圖4中，為簡化說明，表示在頂環(huán)31的內(nèi)部設(shè)有3個(gè)氣囊310-1～310-3的例子，但并不限定于此，氣囊的數(shù)量為任意。

壓力校正用夾具400是用于校正對(duì)設(shè)在頂環(huán)31的內(nèi)部的多個(gè)氣囊310-1～310-3的加壓壓力的夾具。如圖4所示，壓力校正用夾具400與CMP裝置及校正用壓力傳感器500連接來使用。具體而言，CMP裝置具備可使多個(gè)流路流通的復(fù)式連接器360，壓力校正用夾具400具備可使多個(gè)流路流通的復(fù)式連接器420。CMP裝置與壓力校正用夾具400經(jīng)由復(fù)式連接器360、420而互連接。另外，壓力校正用夾具400具備可使流路流通的連接器430，經(jīng)由連接器430而與校正用壓力傳感器500連接。

壓力校正用夾具400具備與多個(gè)氣囊310-1～310-3的各個(gè)氣囊連通的多個(gè)第一流路440-1～440-3。具體而言，CMP裝置具備用于對(duì)多個(gè)氣囊310-1～310-3施加壓力(例如空氣壓力)的壓力調(diào)節(jié)器320。壓力調(diào)節(jié)器320與多個(gè)氣囊310-1～310-3通過多個(gè)主流路370-1～370-3而連接。其中，為簡化說明，在圖4中僅圖示關(guān)于主流路370-1的構(gòu)成。在主流路370-1設(shè)有對(duì)主流路370-1進(jìn)行開閉的開閉閥(第二開閉閥)340。多個(gè)第一流路440-1～440-3通過被連接在多個(gè)主流路370-1～370-3中的開閉閥340與氣囊310之間，而與氣囊310-1～310-3的各個(gè)氣囊連通。

另外，壓力校正用夾具400具備將多個(gè)第一流路440-1～440-3合流為一個(gè)流路而連接至校正用壓力傳感器500的第二流路450。如圖4所示，第一流路440-1～440-3在第二流路450合流為一個(gè)流路。第二流路450經(jīng)由連接器430而與校正用壓力傳感器500連接。

另外，壓力校正用夾具400具備流動(dòng)控制部410，其針對(duì)多個(gè)第一流路440-1～440-3中的被選擇為壓力校正用的與氣囊對(duì)應(yīng)的流路，可使流體從氣囊310向第二流路450的方向流通，并且針對(duì)被選擇的一個(gè)流路以外的流路，阻止流體從第二流路450向氣囊310的方向流動(dòng)。

具體而言，流動(dòng)控制部410包含：設(shè)在多個(gè)第一流路440-1～440-3的各個(gè)第一流路且對(duì)多個(gè)第一流路440-1～440-3進(jìn)行開閉的多個(gè)開閉閥(第一開閉閥)410-1～410-3。在此，多個(gè)開閉閥410-1～410-3與分別設(shè)在將壓力調(diào)節(jié)器320與多個(gè)氣囊310-1～310-3連接的多個(gè)主流路370-1～370-3的開閉閥340同步進(jìn)行動(dòng)作。

具體而言，針對(duì)主流路370-1，開閉閥340基于從電磁閥(SV1)352輸出的控制空氣壓來進(jìn)行開閉。從電磁閥352輸出的控制空氣壓經(jīng)由復(fù)式連接器360、420而與開閉閥410-1連接。由此，開閉閥340與開閉閥410-1(電磁閥352)為同步。其中，開閉閥340與開閉閥410-1都是常閉、并在空氣加壓時(shí)形成為開的常閉(normal close)(NC)的開閉閥。由此，若開閉閥340形成為開，則開閉閥410-1也形成為開，若開閉閥340形成為閉，則開閉閥410-1也形成為閉。關(guān)于主流路370-2、370-3也相同。例如，主流路370-2與第一流路440-2連通，用于控制設(shè)置在主流路370-2的開閉閥340的開閉的控制空氣壓與開閉閥410-2連接。

接著，說明氣囊310的壓力的校準(zhǔn)(校正)。在此，作為一例，說明對(duì)氣囊310-1的校準(zhǔn)。首先，進(jìn)行從控制部(PLC)5向壓力調(diào)節(jié)器320發(fā)送的D/A值的校準(zhǔn)(校正)?？刂撇?以氣囊310-1成為預(yù)定的壓力(例如25hPa)的方式將指令值(D/A值)送至壓力調(diào)節(jié)器320，壓力調(diào)節(jié)器320根據(jù)所接收到的指令值而對(duì)氣囊310-1進(jìn)行加壓。

在校準(zhǔn)時(shí)，開閉閥340被控制為開，與此同步地，開閉閥410-1也被控制為開。由此，被加壓至氣囊310-1的壓力經(jīng)由主流路370-1、第一流路440-1、及第二流路450而被供給至校正用壓力傳感器500。

另一方面，開閉閥410-2、410-3被控制為閉，因此施加于第二流路450的壓力并不會(huì)傳至氣囊310-2、310-3側(cè)。因此，校正用壓力傳感器500可僅計(jì)測施加于氣囊310-1的壓力。通過校正用壓力傳感器500而計(jì)測的壓力值被反饋至控制部5。

控制部5也以不同的壓力(例如100hPa、200hPa等)同樣地進(jìn)行上述處理，基于從校正用壓力傳感器500反饋的壓力值，來進(jìn)行從控制部5向壓力調(diào)節(jié)器320發(fā)送的D/A值的校準(zhǔn)。即，若相對(duì)于指令值，實(shí)測的壓力值較高，則以D/A值變小的方式進(jìn)行修正，若相對(duì)于指令值，實(shí)測的壓力值較低，則以D/A值變大的方式進(jìn)行修正，若相對(duì)于指令值，實(shí)測的壓力值為相等，則不進(jìn)行修正。

針對(duì)氣囊310-1，從控制部5向壓力調(diào)節(jié)器320發(fā)送的D/A值的校準(zhǔn)結(jié)束后，控制部5也對(duì)其他氣囊310-2、310-3同樣地進(jìn)行校準(zhǔn)。

另外，針對(duì)全部氣囊310-1～310-3，從控制部5向壓力調(diào)節(jié)器320發(fā)送的D/A值的校準(zhǔn)結(jié)束后，控制部5接著進(jìn)行從設(shè)在CMP裝置的內(nèi)部的壓力傳感器322向控制部5發(fā)送的壓力的A/D值的校準(zhǔn)。

具體而言，控制部5以成為預(yù)定的壓力(例如25hPa)的方式，將指令值(D/A值)傳送至壓力調(diào)節(jié)器320，壓力調(diào)節(jié)器320基于所接收到的指令值，將壓力傳感器322進(jìn)行加壓。由壓力傳感器322測定出的壓力值被反饋至控制部5。

控制部5也以不同的壓力(例如100hPa、200hPa等)同樣地進(jìn)行上述處理，基于從壓力傳感器322反饋的壓力值，來進(jìn)行從壓力傳感器322向控制部5發(fā)送的A/D值的壓力的校準(zhǔn)。即，若相對(duì)于指令值，實(shí)測的壓力值較高，則以A/D值變小的方式進(jìn)行修正，若相對(duì)于指令值，實(shí)測的壓力值較低，則以A/D值變大的方式進(jìn)行修正，若相對(duì)于指令值，實(shí)測的壓力值為相等，則不進(jìn)行修正。

另外，從壓力傳感器322向控制部5發(fā)送的壓力的A/D值的校準(zhǔn)結(jié)束后，控制部5接著進(jìn)行從設(shè)在CMP裝置的內(nèi)部的壓力傳感器324送至控制部5的壓力的A/D值的校準(zhǔn)。

具體而言，控制部5以氣囊310-1成為預(yù)定的壓力(例如25hPa)的方式，將指令值(D/A值)送至壓力調(diào)節(jié)器320，壓力調(diào)節(jié)器320基于所接收到的指令值而對(duì)氣囊310-1進(jìn)行加壓。施加于氣囊310的壓力通過壓力傳感器324進(jìn)行測定，由壓力傳感器322測定出的壓力值被反饋至控制部5。

控制部5也以不同的壓力(例如100hPa、200hPa等)同樣地進(jìn)行上述處理，基于從壓力傳感器324反饋的壓力值，來進(jìn)行從壓力傳感器324送至控制部5的壓力的A/D值的校準(zhǔn)。即，若相對(duì)于指令值，實(shí)測的壓力值較高，則以A/D值變小的方式進(jìn)行修正，若相對(duì)于指令值，實(shí)測的壓力值較低，則以A/D值變大的方式進(jìn)行修正，若相對(duì)于指令值，實(shí)測的壓力值為相等，則不進(jìn)行修正。

針對(duì)氣囊310-1，從壓力傳感器324送至控制部5的壓力的A/D值的校準(zhǔn)結(jié)束后，控制部5針對(duì)其他氣囊310-2、310-3，也同樣地進(jìn)行校準(zhǔn)。

以上，通過第一實(shí)施方式，可簡化氣囊的校準(zhǔn)作業(yè)。即，在現(xiàn)有技術(shù)中，必須按照氣囊的數(shù)量反復(fù)進(jìn)行如下作業(yè)：將校正用壓力傳感器連接于對(duì)象氣囊來進(jìn)行校準(zhǔn)，校準(zhǔn)結(jié)束后，將校正用壓力傳感器重新連接在其他對(duì)象的氣囊來進(jìn)行校準(zhǔn)。由此，校準(zhǔn)作業(yè)的作業(yè)員人數(shù)變多，且校準(zhǔn)作業(yè)成為長時(shí)間。相對(duì)于此，通過第一實(shí)施方式，在將壓力校正用夾具400與CMP裝置及校正用壓力傳感器500連接后，可自動(dòng)進(jìn)行對(duì)多個(gè)氣囊的校準(zhǔn)。因此，通過第一實(shí)施方式，可短時(shí)間且較少勞力進(jìn)行多個(gè)氣囊的壓力的校準(zhǔn)。

＜第二實(shí)施方式＞

接著，說明第二實(shí)施方式的氣囊的壓力校準(zhǔn)。圖5是表示第二實(shí)施方式的壓力校正用夾具及CMP裝置的構(gòu)成的圖。第二實(shí)施方式與第一實(shí)施方式相比，不同點(diǎn)在于：將壓力校正用夾具400的內(nèi)部的開閉閥由常閉變更為常開(normal open)的開閉閥；及對(duì)壓力校正用夾具400的內(nèi)部的開閉閥的控制信號(hào)的連接目的地被變更。其他構(gòu)成由于與第一實(shí)施方式相同，故僅說明與第一實(shí)施方式不同的部分。

流動(dòng)控制部410包含：設(shè)在多個(gè)第一流路440-1～440-3的各個(gè)第一流路且對(duì)多個(gè)第一流路440-1～440-3進(jìn)行開閉的多個(gè)第一開閉閥412-1～412-3。第一開閉閥412-1～412-3是常開且在空氣加壓時(shí)形成為閉的常開(NO)的開閉閥。

針對(duì)主流路370-1，在主流路370-1中的開閉閥340與壓力調(diào)節(jié)器320之間設(shè)有流量計(jì)330，在主流路370-1設(shè)有繞過流量計(jì)330及開閉閥340的旁通流路380。在旁通流路380設(shè)有對(duì)旁通流路380進(jìn)行開閉的開閉閥(第三開閉閥)342。此外，旁通流路380是為了加快對(duì)氣囊310-1的加壓開始，換言之，為了抑制當(dāng)對(duì)氣囊310-1加壓開始時(shí)因流量計(jì)330的節(jié)流而使開始變慢的情況而設(shè)置的。主流路370-2、370-3與主流路370-1相同。

多個(gè)第一開閉閥412-1～412-3與第三開閉閥同步動(dòng)作。具體而言，針對(duì)主流路370-1，開閉閥342基于從電磁閥(SV2)354輸出的控制空氣壓來進(jìn)行開閉。從電磁閥354輸出的控制空氣壓經(jīng)由復(fù)式連接器360、420而與開閉閥412-1連接。由此，開閉閥342(電磁閥354)與開閉閥412-1為同步。此外，開閉閥342為常閉的開閉閥，開閉閥412-1為常開的開閉閥，因此若開閉閥342形成為開，則開閉閥412-1形成為閉，若開閉閥342形成為閉，則開閉閥412-1形成為開。關(guān)于主流路370-2、370-3也相同。

以上，通過第二實(shí)施方式，與第一實(shí)施方式同樣地，可簡化氣囊的校準(zhǔn)作業(yè)。另外，在第二實(shí)施方式中，使壓力校正用夾具400內(nèi)的開閉閥412與旁通流路380的開閉閥342(電磁閥354)同步，因此可防止在壓力校正用夾具400內(nèi)的第一流路440間的漏泄。即，電磁閥352存在如下情況：當(dāng)對(duì)氣囊310加壓時(shí)被設(shè)定為ON，當(dāng)吸附氣囊310時(shí)被設(shè)定為OFF，在未進(jìn)行加壓或吸附的自由時(shí)，則被設(shè)定為ON。此時(shí)，在進(jìn)行加壓的狀態(tài)與自由的狀態(tài)下，電磁閥352的動(dòng)作相同，因此若使開閉閥412與電磁閥352同步，會(huì)有壓力校正用夾具400內(nèi)的全部開閉閥412打開而發(fā)生第一流路440間的漏泄風(fēng)險(xiǎn)。

相對(duì)于此，電磁閥354當(dāng)對(duì)氣囊310加壓時(shí)被設(shè)定為OFF，當(dāng)吸附氣囊310時(shí)被設(shè)定為OFF，在未進(jìn)行加壓或吸附的自由時(shí)，則被設(shè)定為ON。由此，在進(jìn)行加壓的狀態(tài)與自由的狀態(tài)下，電磁閥354的動(dòng)作不同，因此可將與壓力校正對(duì)象的氣囊對(duì)應(yīng)的第一流路形成為開，除此之外的第一流路形成為閉。結(jié)果，針對(duì)與壓力校正對(duì)象的氣囊對(duì)應(yīng)的第一流路，可使流體從氣囊向第二流路的方向流通，并且針對(duì)除此之外的第一流路，可阻止流體從第二流路向氣囊的方向流動(dòng)。

＜第三實(shí)施方式＞

接著，說明第三實(shí)施方式的氣囊的壓力校準(zhǔn)。圖6表示第三實(shí)施方式的壓力校正用夾具及CMP裝置的構(gòu)成的圖。第三實(shí)施方式與第一實(shí)施方式相比，不同點(diǎn)在于：第一流路440-1～440-3的連接目的地被變更；及對(duì)壓力校正用夾具400的內(nèi)部的開閉閥的控制空氣壓的連接目的地被變更。其他構(gòu)成由于與第一實(shí)施方式相同，故僅說明與第一實(shí)施方式不同的部分。

流動(dòng)控制部410包含：被設(shè)在多個(gè)第一流路440-1～440-3的各個(gè)第一流路且對(duì)多個(gè)第一流路440-1～440-3進(jìn)行開閉的多個(gè)開閉閥410-1～410-3。針對(duì)主流路370-1，吸引用流路390從主流路370-1中的開閉閥340的氣囊310-1側(cè)分支。在吸引用流路390設(shè)有對(duì)吸引用流路390進(jìn)行開閉的開閉閥(第四開閉閥)344。開閉閥344基于從電磁閥(SV3)356輸出的控制空氣壓進(jìn)行開閉。關(guān)于主流路370-2、370-3，與主流路370-1相同。

從主流路370-1～370-3分支的多個(gè)吸引用流路390在1條吸引用流路392合流。當(dāng)將晶片W吸附在頂環(huán)31時(shí)，氣囊310經(jīng)由吸引用流路392而被真空抽吸。在吸引用流路392設(shè)有對(duì)吸引用流路392進(jìn)行開閉的開閉閥(第五開閉閥)346。開閉閥346基于從電磁閥(SV4)358輸出的控制空氣壓進(jìn)行開閉。

多個(gè)開閉閥410-1～410-3與開閉閥344同步動(dòng)作。具體而言，針對(duì)主流路370-1，開閉閥344基于從電磁閥(SV3)356輸出的控制空氣壓來進(jìn)行開閉。從電磁閥356輸出的控制空氣壓經(jīng)由復(fù)式連接器360、420而與開閉閥410-1連接。由此，開閉閥344(電磁閥356)與開閉閥410-1同步。此外，開閉閥344是常開的開閉閥，開閉閥410-1是常閉的開閉閥，因此若開閉閥344形成為開，則開閉閥410-1形成為閉，若開閉閥344形成為閉，則開閉閥410-1形成為開。進(jìn)行氣囊310-1的校準(zhǔn)時(shí)，與主流路370-1連通的開閉閥344形成為閉，開閉閥410-1形成為開。另外，在進(jìn)行氣囊310-1的校準(zhǔn)時(shí)，與主流路370-2、370-3連通的開閉閥344形成為開，開閉閥410-2、410-3形成為閉。關(guān)于主流路370-2、370-3也相同。

另外，多個(gè)第一流路440-1～440-3被連接在主流路370-1～370-3中的開閉閥340與壓力調(diào)節(jié)器320之間。更具體而言，多個(gè)第一流路440-1～440-3被連接在主流路370-1～370-3中的開閉閥340與流量計(jì)330之間。

以上，通過第三實(shí)施方式，與第一實(shí)施方式同樣地，可簡化氣囊的校準(zhǔn)作業(yè)。另外，在第三實(shí)施方式中可防止在進(jìn)行氣囊的校準(zhǔn)作業(yè)時(shí)，由于為了防止空氣從氣囊310漏泄而將晶片W按壓于研磨墊10而造成的研磨墊10的變形等。即，在進(jìn)行氣囊的校準(zhǔn)作業(yè)時(shí)，若晶片W未被設(shè)置在氣囊時(shí)，空氣會(huì)從氣囊漏泄。為了消除問題，考慮設(shè)置晶片W而將晶片W按壓在研磨墊10，但是，此時(shí)必須準(zhǔn)備晶片W，且存在因按壓而產(chǎn)生研磨墊10變形的風(fēng)險(xiǎn)。

相對(duì)于此，在第三實(shí)施方式中，第一流路440-1～440-3被連接在主流路370-1～370-3中的開閉閥340與壓力調(diào)節(jié)器320之間。因此，在第三實(shí)施方式中，開閉閥410-1～410-3與開閉閥344同步動(dòng)作。因此，通過第三實(shí)施方式，在進(jìn)行氣囊的校準(zhǔn)作業(yè)時(shí)，可防止準(zhǔn)備晶片W、或產(chǎn)生研磨墊10變形。

除此之外，在第三實(shí)施方式中，可防止在校準(zhǔn)時(shí)，氣囊意外地被真空吸附。即，在校準(zhǔn)時(shí)，開閉閥346形成為閉。開閉閥346是如真空吸附的總開關(guān)那樣的開閉閥，因此通過使開閉閥346形成為閉，即使吸引用流路390中的任一者為開，也可防止氣囊意外地被真空吸附。

此外，在第三實(shí)施方式中，在不進(jìn)行校準(zhǔn)的通常操作時(shí)對(duì)氣囊進(jìn)行加壓之際，開閉閥340被控制為開、開閉閥342、344、346被控制為閉。另外，在通常操作時(shí)對(duì)氣囊進(jìn)行吸附之際，開閉閥340、342被控制為閉、開閉閥344、346被控制為開。在通常操作時(shí)不對(duì)氣囊進(jìn)行加壓或吸附之際，開閉閥340、342被控制為開、開閉閥344、346被控制為閉。

此外，在第三實(shí)施方式中，在進(jìn)行校準(zhǔn)的模式中，實(shí)際上正在進(jìn)行例如氣囊310-1的校準(zhǔn)時(shí)，開閉閥340、342被控制為閉、開閉閥344、346被控制為閉、開閉閥410-1被控制為開、開閉閥410-2、410-3被控制為閉。另外，在進(jìn)行校準(zhǔn)的模式中，未進(jìn)行校準(zhǔn)之際，開閉閥340、342、346被控制為閉、開閉閥344被控制為開、開閉閥410-1～410-3被控制為閉。

＜第四實(shí)施方式＞

接著，說明第四實(shí)施方式的氣囊的壓力校準(zhǔn)。圖7是表示第四實(shí)施方式的壓力校正用夾具及CMP裝置的構(gòu)成的圖。第四實(shí)施方式與第一實(shí)施方式相比，不同點(diǎn)在于：壓力校正用夾具400內(nèi)的開閉閥被變更為逆止閥；用于控制壓力校正用夾具400內(nèi)的開閉閥的控制空氣管線被刪除。其他構(gòu)成由于與第一實(shí)施方式相同，故僅說明與第一實(shí)施方式不同的部分。

流動(dòng)控制部410包含：設(shè)在多個(gè)第一流路440-1～440-3中的各個(gè)第一流路，且使流體僅從氣囊310向第二流路450的方向流通的多個(gè)逆止閥(止回閥(check valve))414-1～414-3。

在第四實(shí)施方式中，設(shè)在主流路370-1～370-3的開閉閥340中的、與校準(zhǔn)對(duì)象的氣囊對(duì)應(yīng)的開閉閥340被控制為開，與并非為校準(zhǔn)對(duì)象的氣囊對(duì)應(yīng)的開閉閥340被控制為閉。

例如，若氣囊310-1為校準(zhǔn)對(duì)象，被設(shè)置在主流路370-1的開閉閥340形成為開，被設(shè)置在主流路370-2、370-3的開閉閥形成為閉。通過主流路370-1的流體經(jīng)由第一流路440-1、逆止閥414-1、及第二流路450而被供給至校正用壓力傳感器500。在此，在第一流路440-2、440-3設(shè)有逆止閥414-2、414-3，因此流體不從第二流路450向氣囊310-2、310-3的方向流動(dòng)。結(jié)果，可準(zhǔn)確進(jìn)行氣囊310-1的壓力的校準(zhǔn)。

如以上所示，通過第四實(shí)施方式，在將CMP裝置側(cè)形成為一次、校正用壓力傳感器500側(cè)形成為二次側(cè)時(shí)，以加壓流體僅從一次側(cè)向二次側(cè)的方向流動(dòng)的方式進(jìn)行控制，由此可防止流體漏出至加壓中以外的區(qū)域。另外，通過第四實(shí)施方式，與第一～第三實(shí)施方式相比，由于不需要進(jìn)行壓力校正用夾具400內(nèi)的閥的開閉控制，因此可簡化壓力校正用夾具400的構(gòu)造。

此外，若在壓力校正用夾具400內(nèi)的第一流路(配管)440-1～440-3插入止回閥，由于無法排出已進(jìn)入至夾具配管內(nèi)的流體，因此即使在氣囊加壓中以外時(shí)，流體也繼續(xù)停留。因此，為了排出未加壓的狀態(tài)下的配管內(nèi)的流體，可在校正用壓力傳感器500的附近使排氣用氣動(dòng)閥分支。具體而言，設(shè)置將二次側(cè)形成為向大氣開放的常開閥，與僅在氣囊加壓時(shí)進(jìn)行打開動(dòng)作的CMP裝置側(cè)閥的操作空氣配管連接。連接的配管將各氣囊的配管全部合流而連接。即，常開閥的動(dòng)作為在任何氣囊加壓時(shí)形成為閉、除此之外的情況則形成為開，因此在未加壓的情況下，可將殘留在配管的流體進(jìn)行大氣開放。

＜流程圖＞

接著，說明使用第一～第四實(shí)施方式的壓力校正用夾具的校準(zhǔn)處理流程。圖8使用壓力校正用夾具的校準(zhǔn)的流程圖。

如圖8所示，校準(zhǔn)方法中首先選擇單元(步驟S101)。具體而言，校準(zhǔn)方法中，從CMP裝置的第一研磨單元3A、第二研磨單元3B、第三研磨單元3C、及第四研磨單元3D之中選擇作為校準(zhǔn)對(duì)象的單元。

接著，校準(zhǔn)方法中，將外部連接器閉止用插座卸下(步驟S102)。通常CMP裝置在復(fù)式連接器360安裝有外部連接器閉止用插座，以避免多連接器360的端子露出。在校準(zhǔn)時(shí)，外部連接器閉止用插座被卸下。

接著，校準(zhǔn)方法中，將壓力校正用夾具400、及校正用壓力傳感器500連接(步驟S103)。接著，校準(zhǔn)方法中，選擇氣囊(步驟S104)。若以圖4～圖7的例而言，選擇氣囊310-1～310-3中的作為校準(zhǔn)對(duì)象的氣囊。

接著，校準(zhǔn)方法中，執(zhí)行校準(zhǔn)(步驟S105)。關(guān)于校準(zhǔn)的順序，如上所述。

接著，校準(zhǔn)方法中，判定校準(zhǔn)對(duì)象的研磨單元內(nèi)的全部氣囊的校準(zhǔn)是否已結(jié)束(步驟S106)。

校準(zhǔn)方法中，當(dāng)判定為全部氣囊的校準(zhǔn)未結(jié)束時(shí)(步驟S106，否)，返回至步驟S104，選擇未實(shí)施校準(zhǔn)的氣囊。

另一方面，校準(zhǔn)方法中，當(dāng)判定為全部氣囊的校準(zhǔn)已結(jié)束時(shí)(步驟S106，是)，將壓力校正用夾具400、及校正用壓力傳感器500卸下(步驟S107)。接著，校準(zhǔn)方法中，安裝外部連接器閉止用插座(步驟S108)。

接著，校準(zhǔn)方法中，判定全部研磨單元的校準(zhǔn)是否已完成(步驟S109)。校準(zhǔn)方法中，當(dāng)判定為全部研磨單元的校準(zhǔn)未完成時(shí)(步驟S109，否)，返回至步驟S101，選擇未實(shí)施校準(zhǔn)的研磨單元。

另一方面，校準(zhǔn)方法中，當(dāng)判定為全部研磨單元的校準(zhǔn)已完成時(shí)(步驟S109，是)，結(jié)束校準(zhǔn)處理。

以上，通過第一～第四實(shí)施方式的壓力校正用夾具400，可將各研磨臺(tái)內(nèi)的全部氣囊與校正用壓力傳感器500總括連接，而且可僅自動(dòng)選擇作為測定對(duì)象的氣囊壓力。

即，壓力測定及CMP裝置內(nèi)參數(shù)的變更作業(yè)可通過使用CMP裝置內(nèi)的自動(dòng)校準(zhǔn)工具而半自動(dòng)化。可在CMP裝置內(nèi)自動(dòng)實(shí)施現(xiàn)有方法中的壓力實(shí)測值的取得、從實(shí)測值到校正后參數(shù)的計(jì)算、參數(shù)的適用等一連串手動(dòng)作業(yè)，由此可縮短作業(yè)時(shí)間。但是，即使將校準(zhǔn)自動(dòng)化，也必須以手動(dòng)切換作為對(duì)象的氣囊與校正用壓力傳感器500的連接，因此作業(yè)者必須交替反復(fù)進(jìn)行裝置的操作與連接變更。通過省略該工序，期待更進(jìn)一步的作業(yè)縮短。

這一點(diǎn)也考慮到由于省略將研磨單元分解而在每次進(jìn)行測定時(shí)將各氣囊與校正用壓力傳感器500連接的作業(yè)，所以將配管從氣囊分支至研磨單元之外，可在外部配置總括連接的連接器。通過在該連接器連接校正用壓力傳感器500，可將研磨臺(tái)內(nèi)的全氣囊與校正用壓力傳感器500連接。但是，僅將全部氣囊與校正用壓力傳感器500連接，會(huì)導(dǎo)致在加壓時(shí)加壓流體在氣囊之間漏泄，因此無法測定準(zhǔn)確的壓力。因此，通過在連接器與校正用壓力傳感器500之間設(shè)置第一～第四實(shí)施方式的壓力校正用夾具400，可僅將作為測定對(duì)象的氣囊與校正用壓力傳感器500連接。

第一～第三實(shí)施方式的壓力校正用夾具400在壓力校正用夾具400內(nèi)設(shè)置歧管閥。閥每氣囊一區(qū)域準(zhǔn)備一臺(tái)，以在加壓時(shí)形成為開、除此之外的情況則形成為閉的方式進(jìn)行操作。閥的種系設(shè)為氣動(dòng)式，利用CMP裝置內(nèi)的操作空氣來使其動(dòng)作。具體而言，通過將在各氣囊加壓時(shí)進(jìn)行動(dòng)作的裝置側(cè)閥的操作空氣配管與壓力校正用夾具400側(cè)閥相連來使動(dòng)作同步。通過該方法，可僅使正在加壓的氣囊的閥自動(dòng)形成為開，可形成與校正用壓力傳感器500連接的狀態(tài)。以所使用的壓力校正用夾具400側(cè)閥的操作方式而言，常閉(NC)與常開(NO)的任何方式均可。當(dāng)利用NC閥時(shí)，在操作空氣加壓時(shí)形成為開且除此之外的情況形成為閉，因此在CMP裝置內(nèi)閥中，可通過與僅在氣囊加壓時(shí)進(jìn)行動(dòng)作的閥同步來操作。另一方面，當(dāng)利用NO閥時(shí)，在操作空氣加壓時(shí)形成為閉、且除此之外的情況形成為開、進(jìn)行與NC閥相反的動(dòng)作，因此可通過與氣囊加壓時(shí)關(guān)閉的閥同步來進(jìn)行目的操作。

第四實(shí)施方式是在壓力校正用夾具400內(nèi)的各氣囊配管設(shè)置回止閥的方法。通過將CMP裝置側(cè)形成為一次、校正用壓力傳感器500側(cè)形成為二次側(cè)，以加壓流體從CMP裝置僅向校正用壓力傳感器500的方向流動(dòng)的方式進(jìn)行控制。由此，可防止流體漏出至加壓中之外的區(qū)域。

通過以上任何實(shí)施方式，不需要進(jìn)行配管的重連、及CMP裝置以外的獨(dú)立操作，就可計(jì)測指定氣囊加壓時(shí)壓力。另外，在現(xiàn)有的校準(zhǔn)方法中，每一臺(tái)研磨臺(tái)所需的作業(yè)時(shí)間為以2人作業(yè)3小時(shí)左右。相對(duì)于此，通過使用本實(shí)施方式的手段，每一臺(tái)研磨臺(tái)可縮短至1人作業(yè)45分鐘左右。因此，期待研磨裝置的開始、或維護(hù)的作業(yè)效率大幅改善。

另外，在現(xiàn)有的方法中，將氣囊的薄膜附近的氣囊配管卸下而與校正用壓力傳感器500連接，因此要考慮在校準(zhǔn)后再次連接時(shí)的誤配管等危險(xiǎn)性，但是在本實(shí)施方式中，由于通過壓力校正用夾具400進(jìn)行總括連接，可期待防止配管連接時(shí)的作業(yè)錯(cuò)誤的效果。另外，在進(jìn)行壓力校準(zhǔn)時(shí)，在現(xiàn)有的方法中，由作業(yè)者自身進(jìn)行校正用壓力傳感器500的值的計(jì)測，因此根據(jù)作業(yè)者的不同而計(jì)測結(jié)果會(huì)產(chǎn)生偏差。在本實(shí)施方式中，由于自動(dòng)進(jìn)行壓力計(jì)測及參數(shù)計(jì)算，因此可防止結(jié)果產(chǎn)生偏差，校準(zhǔn)穩(wěn)定性會(huì)提升。

【符號(hào)說明】

31A、31B、31C、31D 頂環(huán)

310 氣囊

320 壓力調(diào)節(jié)器

340、342、344、346 開閉閥

352、354、356 電磁閥

360、420 復(fù)式連接器

370-1～370-3 主流路

380 旁通流路

390、392 吸引用流路

400 壓力校正用夾具

410 控制部

410-1～410-3 開閉閥

412 開閉閥

414 逆止閥

430 連接器

440-1～440-3 第一流路

450 第二流路

500 校正用壓力傳感器

W 晶片