研磨墊的研磨層的制作方法
【專利摘要】本實用新型提供一種研磨墊的研磨層，包括承載層以及多個鑲嵌部。鑲嵌部埋設(shè)在承載層中，且鑲嵌部位于研磨層的一研磨面中，其中在研磨層的研磨面中，每兩個相鄰的鑲嵌部之間的承載層中具有一溝槽。本實用新型的研磨層具有新穎結(jié)構(gòu)，且可制造出具有綜合特性的研磨墊，以提供產(chǎn)業(yè)的選擇。
【專利說明】
研磨墊的研磨層
技術(shù)領(lǐng)域
[0001] 本實用新型是有關(guān)于一種研磨墊的研磨層，且特別是有關(guān)于一種使得研磨墊具有 綜合特性的研磨層。
【背景技術(shù)】
[0002] 在產(chǎn)業(yè)的元件制造過程中，研磨制程是現(xiàn)今較常使用來使待研磨的物件表面達(dá)到 平坦化的一種技術(shù)。在研磨制程中，物件是通過其本身與研磨墊彼此進(jìn)行相對運動，以及選 擇在物件表面及研磨墊之間提供一研磨液來進(jìn)行研磨。
[0003] 研磨制程中所使用研磨墊的研磨層所具有的材料性質(zhì)，可提供相對應(yīng)的研磨特 性。對于某些研磨制程而言，可能需求兩種不同的研磨特性，因而會需要使用兩種分別具有 不同材料性質(zhì)的研磨墊。然而，如此一來，將會增加生產(chǎn)管理上的復(fù)雜度，并影響生產(chǎn)效率。
[0004] 因此，需要一種具有綜合特性的研磨墊，以供產(chǎn)業(yè)所選擇。 【實用新型內(nèi)容】
[0005] 本實用新型提供一種研磨墊的研磨層，其可使得研磨墊具有綜合特性。
[0006] 本實用新型的研磨墊的研磨層包括承載層以及多個鑲嵌部。鑲嵌部埋設(shè)在承載層 中，且鑲嵌部位于研磨層的一研磨面中，其中在該研磨面中，每兩個相鄰的鑲嵌部之間的承 載層中具有一溝槽。
[0007] 本實用新型的另一研磨墊的研磨層包括承載層以及多個鑲嵌部。鑲嵌部埋設(shè)在承 載層中，且鑲嵌部位于研磨層的一研磨面中，其中該研磨面中具有表面圖案，表面圖案沿一 方向的剖面具有多個溝槽位于承載層中，且鑲嵌部及溝槽彼此交錯排列。
[0008] 基于上述，本實用新型的研磨層為一具有新穎結(jié)構(gòu)的研磨層，其包括承載層以及 埋設(shè)在承載層中且位于一研磨面中的多個鑲嵌部，其中在沿特定方向的剖面中，多個鑲嵌 部及多個溝槽彼此交錯排列。另外，在本實用新型的研磨層中，通過承載層與鑲嵌部之間具 有至少一個不相同的材料性質(zhì)，使得研磨層能夠綜合承載層與鑲嵌部所展現(xiàn)的特性，進(jìn)而 可制造出具有綜合特性的研磨墊，以提供產(chǎn)業(yè)的選擇。
[0009] 為讓本實用新型的上述特征和優(yōu)點能更明顯易懂，下文特舉實施方式，并配合附 圖作詳細(xì)說明如下。
【附圖說明】

[0010] 圖1是本實用新型一實施例的研磨層的上視示意圖；
[0011] 圖2是沿圖1中剖線Ι-Γ的剖面示意圖；
[0012] 圖3A至圖3D是圖1的研磨層沿剖線Ι-Γ的一實施例的制造流程剖面圖；
[0013]圖4A至圖4D是圖1的研磨層沿剖線Ι-Γ的另一實施例的制造流程剖面圖；
[0014] 圖5是本實用新型另一實施例的研磨層的上視示意圖；
[0015] 圖6是本實用新型一實施例的研磨方法的流程圖。
[0016] 附圖標(biāo)記說明：
[0017] 1〇〇:研磨層；
[0018] 102:承載層；
[0019] 104:鑲嵌部；
[0020] 106:溝槽；
[0021] 108:表面圖案；
[0022] 110、120:鑲嵌層；
[0023] 112、114:凹陷部；
[0024] D:深度；
[0025] PS:研磨面；
[0026] S1:第一表面；
[0027] S2:第二表面；
[0028] S10、S12、S14:步驟；
[0029] T:厚度。
【具體實施方式】
[0030] 圖1是本實用新型一實施例的研磨層的上視示意圖。圖2是沿圖1中剖線Ι-Γ的剖 面示意圖。詳細(xì)而言，圖1中的剖線Ι-Γ是沿著半徑方向而設(shè)置，亦即圖2是沿半徑方向的剖 面示意圖。
[0031] 請同時參照圖1及圖2,本實施例的研磨層100包括承載層102以及多個鑲嵌部104。 鑲嵌部104埋設(shè)在承載層102中，且位于研磨層100的一研磨面PS中。詳細(xì)而言，研磨面PS上 的承載層102與鑲嵌部104是共平面的。也就是說，當(dāng)使用研磨層100對一物件進(jìn)行研磨程序 時，物件會同時與研磨面PS上的承載層102及鑲嵌部104接觸。
[0032]另外，承載層102與鑲嵌部104例如皆是由聚合物材料所構(gòu)成，聚合物材料例如是 聚酯（polyester)、聚醚(polyether)、聚胺酯（polyurethane)、聚碳酸酯（polycarbonate)、 聚丙稀酸酯(polyacrylate )、聚丁二稀(polybutadiene )、或其余經(jīng)由合適的熱固性樹脂 (thermosetting resin)或熱塑性樹脂(thermoplastic res in)所合成的聚合物材料等，但 不以此限定本實用新型。詳細(xì)而言，構(gòu)成承載層102與鑲嵌部104的聚合物材料可相同或不 相同，但承載層102與鑲嵌部104之間至少具有一個不相同的材料性質(zhì)。在一實施例中，可選 擇通過調(diào)整制造配方的方式，以利用相同材料制作出具有不相同的材料性質(zhì)。以上所述的 材料性質(zhì)例如是滲水率、孔隙率、孔隙尺寸、孔隙密度、親疏水性、硬度、密度、壓縮率、模數(shù)、 延展性、消耗率、或粗糙度等性質(zhì)，但不以此限定本實用新型。
[0033] 如表一所示，在本實用新型的一實施例中，研磨墊的相對研磨率為97%，以及相對 滲水率為44%。詳細(xì)而言，本實用新型研磨墊的研磨層100中的鑲嵌部104具有較大的孔隙 率，使研磨層100表面與物件之間可容納較多研磨液，使得物件具有較高的研磨率;而承載 層102具有較小的滲水率，可避免因滲水至研磨層100背面而與基底層或黏著層脫離，使得 研磨墊的使用壽命較長。因此，以此研磨層100所制成之研磨墊，使得物件的研磨率及研磨 墊的使用壽命能兼具。其中，具有較小滲水率特性的承載層102例如是具有較小的孔隙率、 較疏水性、較大的密度、或其組合，但不以此限定本實用新型。相對而言，第一傳統(tǒng)研磨墊的 研磨層若僅具有較大孔隙率的單一材料性質(zhì)，使研磨層表面與物件之間可容納較多研磨 液，可使得物件具有較高的研磨率，但相對地此研磨層具有較高的滲水率，而影響研磨墊的 使用壽命。如表一所示，第一傳統(tǒng)研磨墊的相對研磨率為100%，而相對滲水率亦為100%。 第二傳統(tǒng)研磨墊的研磨層若僅具有較小滲水率的單一材料性質(zhì)，可使得研磨墊的使用壽命 較長，但相對地此研磨層使得物件的研磨率較低，而影響生產(chǎn)效率。如表一所示，第二傳統(tǒng) 研磨墊的相對滲水率為31 %，然相對研磨率僅為84%。
[0034] 表一
[0035]
[0036] -般而言，不相同的材料性質(zhì)可使得研磨層展現(xiàn)不相同的特性。有鑒于此，通過承 載層102與鑲嵌部104之間至少具有一個不相同的材料性質(zhì)，使得研磨層100能夠綜合承載 層102與鑲嵌部104所展現(xiàn)的特性，進(jìn)而可制造出具有綜合特性的研磨墊，以提供產(chǎn)業(yè)的選 擇。
[0037] 接著，請再次參照圖2,在研磨層100的研磨面PS中，每兩個相鄰的鑲嵌部104之間 的承載層102中具有一溝槽106。換言之，在沿著半徑方向的剖線Ι-Γ的剖面中，研磨面PS中 具有多個溝槽106,且每一溝槽106皆位于鄰接的鑲嵌部104之間。也就是說，在沿著半徑方 向的剖線Ι-Γ的剖面中，鑲嵌部104及溝槽106彼此交錯排列。
[0038] 進(jìn)一步而言，如圖2所示，溝槽106與鑲嵌部104彼此是分離開來的。在一實施例中， 每一鑲嵌部104與鄰接的溝槽106之間是通過承載層102而分離開來。更詳細(xì)而言，每一溝槽 106的底部與兩側(cè)壁為承載層102所圍繞。另外，每一鑲嵌部104的底部與兩側(cè)壁為承載層 102所圍繞。圖2的溝槽106配置于承載層102中，且皆左右對稱于鄰接的鑲嵌部104,但本實 用新型不限于此。在一實施例中，溝槽106的配置位置也可選擇為呈不對稱，甚至是溝槽106 其中一側(cè)壁緊鄰鑲嵌部104。換句話說，溝槽106的底部及至少一側(cè)壁為承載層102所圍繞， 而鑲嵌部104的底部與至少一側(cè)壁為承載層102所圍繞。特別值得說明的是，最主要的滲水 路徑為通過溝槽106的底部滲透至研磨層100背面，如表一所示本實用新型的實施例，由于 溝槽106的底部為承載層102,且承載層102具有較小滲水率，因此可避免滲水至研磨層100 背面而與基底層或黏著層脫離。此外，具有較大孔隙率的鑲嵌部104位于研磨面中，使得研 磨層100與物件之間可容納較多研磨液，而具有較高的研磨率。
[0039] 另外，如圖2所示，在一實施例中，每一鑲嵌部104的厚度T等于鄰接的溝槽106的深 度D，鑲嵌部104的厚度T與溝槽106的深度D皆小于研磨層100的厚度。然而，本實用新型并不 限于此。在其他實施例中，每一鑲嵌部104的厚度T也可以是大于或小于鄰接的溝槽106的深 度D。
[0040]從另一觀點而言，請再次參照圖1，多個溝槽106在研磨面PS中構(gòu)成一表面圖案 108。詳細(xì)而言，在本實施例中，每一溝槽106的形狀為圓環(huán)狀，而由多個溝槽106構(gòu)成的表面 圖案108則呈同心圓狀分布在研磨面PS中。另外，當(dāng)使用研磨層100對一物件進(jìn)行研磨程序 時，溝槽106主要是用來提供研磨液的傳輸以及分布。
[0041 ]以下，為了更清楚描述研磨層100，將參照圖3A至圖3D來說明研磨層100的制造方 法。圖3A至圖3D是圖1的研磨層沿剖線Ι-Γ的一實施例的制造流程剖面圖。同樣地，如前文 所述，圖3A至圖3D分別皆為沿半徑方向的剖面圖。
[0042]首先，請參照圖3A，提供鑲嵌層110,其中鑲嵌層110具有第一表面S1以及第二表面 S2,且第一表面S1上沿半徑方向具有多個凹陷部112。詳細(xì)而言，鑲嵌層110的第一表面S1上 具有凹陷部112的形成方式例如是機(jī)械方式、化學(xué)方式、激光加工方式、壓印方式、模印方 式、或其組合，但不以此限定本實用新型。
[0043]接著，請參照圖3B，在鑲嵌層110的第一表面S1上形成承載層102,其中承載層102 填滿凹陷部112。詳細(xì)而言，承載層102的形成方式例如是灌注方式、沉積方式、噴涂方式、壓 模方式、押出方式、或其組合，但不以此限定本實用新型。
[0044] 然后，請參照圖3C，自鑲嵌層110的第二表面S2移除鑲嵌層110的部分厚度，直到承 載層102暴露出來，并在半徑方向上形成彼此分開的鑲嵌部104,以形成研磨層100,其中鑲 嵌部104是位于研磨層100的一研磨面PS中。詳細(xì)而言，自鑲嵌層110的第二表面S2移除部分 厚度的方法例如是機(jī)械切割、化學(xué)蝕刻、激光加工、磨除、或是其它適合的制程，但不以此限 定本實用新型，其中圖3C為圖3B經(jīng)過以上制程后的反向結(jié)構(gòu)圖。
[0045] 之后，請參照圖3D，在研磨層100的研磨面PS中，于每兩個相鄰的鑲嵌部104之間的 承載層102中形成一溝槽106。詳細(xì)而言，溝槽106的形成方法例如是機(jī)械切割、化學(xué)蝕刻、激 光加工、或是其它適合的制程，但不以此限定本實用新型。值得一提的是，圖3D即為圖2,而 在前文中，已參照圖1及圖2，針對研磨層100中承載層102及鑲嵌部104的材料及其性質(zhì)，以 及承載層102、鑲嵌部104及溝槽106的配置關(guān)系及功效等進(jìn)行詳盡地說明，故于此便不再贅 述。
[0046]以下，為了更清楚描述研磨層100,將參照圖4A至圖4D來說明研磨層100的制造方 法。圖4A至圖4D是圖1的研磨層沿剖線Ι-Γ的另一實施例的制造流程剖面圖。同樣地，如前 文所述，圖4A至圖4D分別皆為沿半徑方向的剖面圖。
[0047]首先，請參照圖4A，提供承載層102,其中承載層102的表面上沿半徑方向具有多個 凹陷部114。詳細(xì)而言，承載層102的表面上具有凹陷部114的形成方式例如是機(jī)械方式、化 學(xué)方式、激光加工方式、壓印方式、模印方式、或其組合，但不以此限定本實用新型。
[0048]接著，請參照圖4B，在承載層102上形成鑲嵌層120,其中鑲嵌層120填滿凹陷部 114。詳細(xì)而言，鑲嵌層120的形成方式例如是灌注方式、沉積方式、噴涂方式、壓模方式、押 出方式、或其組合，但不以此限定本實用新型。
[0049]然后，請參照圖4C，移除鑲嵌層120的部分厚度，直到承載層102暴露出來，并在承 載層102上形成埋設(shè)在凹陷部114中的鑲嵌部104,以形成研磨層100,其中鑲嵌部104是位于 研磨層100的一研磨面PS中。詳細(xì)而言，移除鑲嵌層120部分厚度的方法例如是機(jī)械切割、化 學(xué)蝕刻、激光加工、磨除、或是其它適合的制程，但不以此限定本實用新型。
[0050] 之后，請參照圖4D，在研磨層100的研磨面PS中，在每兩個相鄰的鑲嵌部104之間的 承載層102中形成一溝槽106。詳細(xì)而言，溝槽106的形成方法例如是機(jī)械切割、化學(xué)蝕刻、激 光加工、或是其它適合的制程，但不以此限定本實用新型。值得一提的是，圖4D即為圖2,而 在前文中，已參照圖1及圖2，針對研磨層100中承載層102及鑲嵌部104的材料及其性質(zhì)，以 及承載層102、鑲嵌部104及溝槽106的配置關(guān)系及功效等進(jìn)行詳盡地說明，故于此便不再贅 述。
[0051] 另外，在圖1的實施例中，溝槽106的分布形狀均為同心圓，但本實用新型并不限于 此。在其他實施例中，溝槽的分布也可為不同心圓、橢圓、多角環(huán)、螺旋環(huán)、不規(guī)則環(huán)、平行線 狀、放射線狀、放射弧狀、螺旋狀、點狀、XY格子狀、多角格狀、不規(guī)則狀、或其組合，但不以此 限定本實用新型。以下，將參照圖5,對本實用新型的研磨層的溝槽為XY格子狀的實施例進(jìn) 行詳細(xì)說明。
[0052]圖5是本實用新型另一實施例的研磨層的上視示意圖。其中，圖5中剖線Ι-Γ的剖 面請參考圖2。詳細(xì)而言，圖5的實施例與圖1的實施例相似，因此在此與圖1相同的構(gòu)成元件 以相同的符號表示，且相同構(gòu)成元件所具有的相同特征不再重復(fù)贅述。圖5的實施例與圖1 的實施例不同之處在于，圖5中的剖線Ι-Γ是沿著平行于X軸方向而設(shè)置，而圖1中的剖線I-Γ是沿著半徑方向而設(shè)置。也就是說，圖5的沿剖線Ι-Γ的剖面是沿著平行于X軸方向的剖 面，而圖1的沿剖線Ι-Γ的是沿著半徑方向的剖面圖。從另一觀點而言，圖5及圖1的研磨層 1〇〇具有如圖2所示的相同剖面結(jié)構(gòu)。
[0053] 進(jìn)一步而言，在圖5的研磨層100中，若沿著平行于Y軸方向而取得剖面，其亦具有 如圖2所示的相同剖面結(jié)構(gòu)。換句話說，圖5的鑲嵌部104的上下左右方向的四個邊皆為溝槽 106所環(huán)繞，而圖1的鑲嵌部104的內(nèi)徑方向與外徑方向的兩個邊皆為溝槽106所環(huán)繞。此表 示在本實用新型的研磨層中，不論研磨面中的鑲嵌部的分布形狀為何，在一特定方向的剖 面中，皆能夠呈現(xiàn)出多個鑲嵌部及多個溝槽彼此交錯排列，其中溝槽使得相鄰的鑲嵌部彼 此分離開來的剖面結(jié)構(gòu)。詳細(xì)而言，特定方向例如是平行于X軸方向、平行于Y軸方向、與X軸 方向具有一夾角的方向、半徑方向、圓周方向、或其組合，但本實用新型并不限于此。
[0054] 另外，如前文所述，本實用新型的研磨層中的鑲嵌部及溝槽并不以圖1及圖5中所 繪者為限，且隨著鑲嵌部及溝槽的分布形狀或尺寸的不同，所能呈現(xiàn)出如圖2所示沿著特定 方向的剖面結(jié)構(gòu)可能不同。舉例而言，在鑲嵌部及溝槽皆呈放射狀分布的情況下，所選擇的 特定方向的剖面是沿著同一半徑的圓周方向的剖面。
[0055] 另外，根據(jù)上述關(guān)于圖1、圖2、圖3A至圖3D以及圖4A至圖4D的內(nèi)容，所屬技術(shù)領(lǐng)域 中具有通常知識者應(yīng)可理解圖5的研磨層100的制造方法，故便不再贅述。
[0056] 圖6是本實用新型一實施例的研磨方法的流程圖。此研磨方法適用于研磨物件。詳 細(xì)而言，此研磨方法可應(yīng)用于制造工業(yè)元件的研磨制程，例如是應(yīng)用于電子產(chǎn)業(yè)的元件，其 可包括半導(dǎo)體、積體電路、微機(jī)電、能源轉(zhuǎn)換、通訊、光學(xué)、儲存硬盤、及顯示器等元件，而制 作這些元件所使用的物件可包括半導(dǎo)體晶圓、mv族晶圓、儲存元件載體、陶瓷基底、高分 子聚合物基底、及玻璃基底等，但并非用以限定本實用新型的范圍。
[0057] 請參照圖6，首先，進(jìn)行步驟S10，提供研磨墊。詳細(xì)而言，在本實施例中，研磨墊包 括例如是圖1及圖5的實施例中的研磨層100。另外一提的是，在本實施例中，研磨墊可于所 述研磨層100的下方包括基底層、黏著層或其組合。
[0058] 接著，進(jìn)行步驟S12,對物件施加壓力，借此物件會被壓置于所述研磨墊上，并與所 述研磨墊接觸。詳細(xì)而言，如前文所述，物件是與研磨層100中的研磨面PS。更詳細(xì)而言，物 件會同時與研磨面PS上的承載層102及鑲嵌部104接觸。另外，對物件施加壓力的方式例如 是使用能夠固持物件的載具來進(jìn)行。
[0059] 之后，進(jìn)行步驟S14,對物件及研磨墊提供相對運動，以利用研磨墊對物件進(jìn)行研 磨程序，而達(dá)到平坦化的目的。詳細(xì)而言，對物件及研磨墊提供相對運動的方法例如是:通 過承載臺進(jìn)行旋轉(zhuǎn)來帶動固定于承載臺上的研磨墊旋轉(zhuǎn)。
[0060] 本實用新型上述實施例中的研磨層通過能綜合承載層的較小滲水率與鑲嵌部的 較大孔隙率而具有不相同的材料性質(zhì)，借此使得所制成的研磨墊具有綜合滲水率及研磨率 的特性。但本實用新型不限于此，對于某些研磨制程而言，承載層與鑲嵌部之間可具有不相 同的其他材料性質(zhì)。舉例而言，鑲嵌部可具有較大的硬度或較小的壓縮率，以使得研磨物件 具有較好的平坦化效果，而承載層可具有較小的硬度或較大的壓縮率，以使得物件具有較 低的缺陷率。如此一來，所制成的研磨墊具有綜合平坦化效果及缺陷率的特性。也就是說， 根據(jù)本實用新型所提供的新穎結(jié)構(gòu)的研磨層所制成的研磨墊，可視不同研磨制程的需求， 而選擇搭配所需不相同材料性質(zhì)的承載層與鑲嵌部。
[0061] 綜上所述，本實用新型的研磨層為一具有新穎結(jié)構(gòu)的研磨層，其包括承載層以及 埋設(shè)在承載層中且位于一研磨面中的多個鑲嵌部，其中在沿特定方向的剖面中，多個鑲嵌 部及多個溝槽彼此交錯排列。另外，在本實用新型的研磨層中，通過承載層與鑲嵌部之間具 有至少一個不相同的材料性質(zhì)，使得研磨層能夠綜合承載層與鑲嵌部所展現(xiàn)的特性，進(jìn)而 可提供具有綜合特性的研磨墊，以提供產(chǎn)業(yè)的選擇。
[0062] 最后應(yīng)說明的是：以上各實施例僅用以說明本實用新型的技術(shù)方案，而非對其限 制;盡管參照前述各實施例對本實用新型進(jìn)行了詳細(xì)的說明，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員應(yīng)當(dāng) 理解:其依然可以對前述各實施例所記載的技術(shù)方案進(jìn)行修改，或者對其中部分或者全部 技術(shù)特征進(jìn)行等同替換；而這些修改或者替換，并不使相應(yīng)技術(shù)方案的本質(zhì)脫離本實用新 型各實施例技術(shù)方案的范圍。
【主權(quán)項】
1. 一種研磨墊的研磨層，其特征在于，包括： 一承載層；以及 多個鑲嵌部，所述多個鑲嵌部埋設(shè)在該承載層中，且所述多個鑲嵌部位于該研磨層的 一研磨面中， 其中在該研磨層的該研磨面中，每兩個相鄰的鑲嵌部之間的該承載層中具有一溝槽。2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的研磨墊的研磨層，其特征在于，該承載層與所述多個鑲嵌部具 有至少一材料性質(zhì)不相同。3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的研磨墊的研磨層，其特征在于，該研磨面上的該承載層與所述 多個鑲嵌部共平面。4. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的研磨墊的研磨層，其特征在于，每一所述多個溝槽的底部與至 少一側(cè)壁為該承載層所圍繞。5. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的研磨墊的研磨層，其特征在于，每一所述多個鑲嵌部的底部與 至少一側(cè)壁為該承載層所圍繞。6. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的研磨墊的研磨層，其特征在于，每一所述多個溝槽與鄰接的所 述多個鑲嵌部之間是通過該承載層而隔離開來。7. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的研磨墊的研磨層，其特征在于，每一所述多個溝槽與鄰接的所 述多個鑲嵌部之間為對稱或不對稱配置于該承載層中。8. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的研磨墊的研磨層，其特征在于，每一所述多個鑲嵌部的厚度大 于、等于、或小于鄰接的所述多個溝槽的深度。9. 一種研磨墊的研磨層，其特征在于，包括： 一承載層；以及 多個鑲嵌部，所述多個鑲嵌部埋設(shè)在該承載層中，且所述多個鑲嵌部位于該研磨層的 一研磨面中， 其中該研磨面中具有一表面圖案，該表面圖案沿一方向的剖面具有多個溝槽位于該承 載層中，其中所述多個鑲嵌部及所述多個溝槽彼此交錯排列。10. 根據(jù)權(quán)利要求9所述的研磨墊的研磨層，其特征在于，該承載層與所述多個鑲嵌部 具有至少一材料性質(zhì)不相同。11. 根據(jù)權(quán)利要求9所述的研磨墊的研磨層，其特征在于，該研磨面上的該承載層與所 述多個鑲嵌部共平面。12. 根據(jù)權(quán)利要求9所述的研磨墊的研磨層，其特征在于，該方向為平行于X軸方向、平 行于Y軸方向、與X軸方向具有一夾角的方向、半徑方向、圓周方向、或其組合。13. 根據(jù)權(quán)利要求9所述的研磨墊的研磨層，其特征在于，每一所述多個溝槽的底部與 至少一側(cè)壁為該承載層所圍繞。14. 根據(jù)權(quán)利要求9所述的研磨墊的研磨層，其特征在于，每一所述多個鑲嵌部的底部 與至少一側(cè)壁為該承載層所圍繞。15. 根據(jù)權(quán)利要求9所述的研磨墊的研磨層，其特征在于，每一所述多個溝槽與鄰接的 所述多個鑲嵌部之間是通過該承載層而隔離開來。16. 根據(jù)權(quán)利要求9所述的研磨墊的研磨層，其特征在于，每一所述多個溝槽與鄰接的 所述多個鑲嵌部之間為對稱或不對稱配置于該承載層中。17.根據(jù)權(quán)利要求9所述的研磨墊的研磨層，其特征在于，每一所述多個鑲嵌部的厚度 大于、等于、或小于鄰接的所述多個溝槽的深度。
【文檔編號】B24D7/14GK205703794SQ201620553242
【公開日】2016年11月23日
【申請日】2016年6月8日
【發(fā)明人】白昆哲, 潘毓豪
【申請人】智勝科技股份有限公司