本發(fā)明是應(yīng)用于物理濺射成膜領(lǐng)域的一種監(jiān)控靶材消耗狀況的裝置及方法。

背景技術(shù)：

在薄膜晶體管基板制作過程中，需要在玻璃基板上沉積鋁、鉬、鈦、銅等金屬膜以及半導(dǎo)體透明導(dǎo)電膜、igzo等非金屬膜，該制程通常使用物理氣象沉積機(jī)(pvd)完成；物理氣象沉積機(jī)工作原理是利用電漿中的氬離子，對(duì)靶材(target)進(jìn)行轟擊，濺射出靶材原子，轉(zhuǎn)移到玻璃基板表面完成膜層的沉積；機(jī)臺(tái)根據(jù)沉積膜層的需要安裝相應(yīng)的靶材，靶材隨著使用時(shí)間的延長不斷被消耗，目前機(jī)臺(tái)上靶材消耗完畢無法及時(shí)發(fā)現(xiàn)，易發(fā)生靶材被擊穿的狀況，對(duì)背板和產(chǎn)品造成影響，為了防止該情況發(fā)生，需要及時(shí)掌握靶材的消耗情況。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明的目的在與克服靶材消耗完畢無法及時(shí)發(fā)現(xiàn)的缺陷，發(fā)明出一種能夠及時(shí)掌握靶材消耗情況的監(jiān)控靶材消耗狀況的裝置。

一種監(jiān)控靶材消耗狀況的裝置，包括

靶材背板；

靶材，所述靶材通過粘合層粘接到所述靶材背板上；

回路組件，當(dāng)所述靶材未消耗至指定程度時(shí)，所述回路組件能夠與所述靶材構(gòu)成完整的回路，當(dāng)所述靶材消耗至指定程度時(shí)，所述回路組件無法與所述靶材構(gòu)成完整的回路。這樣設(shè)置，能夠在無法構(gòu)成回路時(shí)及時(shí)發(fā)現(xiàn)靶材消耗的程度，方便對(duì)靶材進(jìn)行更換。

所述的監(jiān)控靶材消耗狀況的裝置，其中，所述回路組件包括：

靶材測試探頭，用于測試靶材的消耗狀況；

回路控制器，用于控制所述回路的通斷電；

中央控制系統(tǒng)，所述中央控制系統(tǒng)用于接受和分析所述回路的通斷電狀態(tài)。靶材測試探頭對(duì)靶材消耗程度進(jìn)行有效的監(jiān)控，構(gòu)成的回路通斷狀況能夠及時(shí)有效的反應(yīng)靶材消耗，提醒更換靶材。

所述的監(jiān)控靶材消耗狀況的裝置，其中，所述靶材測試探頭依次貫穿靶材背板和粘合層并部分插入靶材。靶材測試探頭穿過靶材節(jié)省空間同時(shí)與導(dǎo)電的靶材相接觸，構(gòu)成回路，能夠準(zhǔn)確的測量靶材消耗的情況。

所述的監(jiān)控靶材消耗狀況的裝置，其中，所述回路控制器、所述靶材測試探頭以及所述中央控制系統(tǒng)通過導(dǎo)線兩兩連接。與回路控制裝置和中央控制系統(tǒng)構(gòu)成回路，完成對(duì)靶材的監(jiān)控。

所述的監(jiān)控靶材消耗狀況的裝置，其中，當(dāng)所述靶材未消耗至指定程度時(shí)，所述回路控制器、所述靶材測試探頭、所述中央控制系統(tǒng)以及所述靶材構(gòu)成完整的回路，

當(dāng)所述靶材消耗至指定程度時(shí)，所述靶材不再位于電路中，所述回路控制器、所述靶材測試探頭、所述中央控制系統(tǒng)處于斷路狀態(tài)。

所述的監(jiān)控靶材消耗狀況的裝置，其中，所述靶材測試探頭包括可導(dǎo)電的靶材探針和部分包覆靶材探針的絕緣層。將靶材探頭分成導(dǎo)電和絕緣兩部分配合導(dǎo)電的靶材和隔絕導(dǎo)電的粘合層，避免粘合層的導(dǎo)通影響對(duì)靶材的監(jiān)控。

所述的監(jiān)控靶材消耗狀況的裝置，其中，所述靶材探針未包覆絕緣層的部分插入靶材。將靶材與靶材探針連通，對(duì)靶材消耗進(jìn)行監(jiān)控。

所述的監(jiān)控靶材消耗狀況的裝置，其中，所述靶材探針包覆絕緣層的部分連同絕緣層貫穿靶材背板和粘合層。準(zhǔn)確有效的測量靶材消耗的情況，避免絕緣層插入靶材造成靶材提前更換而造成浪費(fèi)。

所述的監(jiān)控靶材消耗狀況的裝置，其中，所述靶材探針插入靶材的長度為1-2mm。提前更換靶材，防止靶材被擊穿后造成其他元器件被破壞影響產(chǎn)品質(zhì)量。

所述的監(jiān)控靶材消耗狀況的裝置，其中，所述靶材探針未插進(jìn)靶材的一端穿過絕緣層與導(dǎo)線相連。。探針與導(dǎo)線連接導(dǎo)電構(gòu)成回路，避免導(dǎo)線與靶材、粘合層以及背板接觸導(dǎo)電，影響靶材的監(jiān)控。

本發(fā)明具有以下有益效果：本專利中涉及的一種監(jiān)控靶材消耗狀況的裝置及方法，可以實(shí)時(shí)監(jiān)控靶材消耗狀況，最大程度利用靶材，避免靶材擊穿問題發(fā)生，提高產(chǎn)品良率和靶材使用效率。

附圖說明

在下文中將基于實(shí)施例并參考附圖來對(duì)本發(fā)明進(jìn)行更詳細(xì)的描述。其中：

圖1是本發(fā)明監(jiān)控靶材消耗狀況的裝置的俯視圖；

圖2是本發(fā)明監(jiān)控靶材消耗狀況的裝置的剖視視圖；

圖3是本發(fā)明靶材測試探頭的結(jié)構(gòu)示意圖。

在附圖中，相同的部件使用相同的附圖標(biāo)記。附圖并未按照實(shí)際的比例。

具體實(shí)施方式

下面將結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步說明。

如圖1和圖2所示，分別為本發(fā)明監(jiān)控靶材消耗狀況的裝置的俯視圖和監(jiān)控靶材消耗狀況的裝置的剖視視圖：包括：靶材背板1靶材2，所述靶材通過粘合層3粘接到所述靶材背板1上?；芈方M件(圖中為繪制出)，當(dāng)所述靶材未消耗至指定程度時(shí)，所述回路組件能夠與所述靶材構(gòu)成完整的回路，當(dāng)所述靶材消耗至指定程度時(shí)，所述回路組件無法與所述靶材構(gòu)成完整的回路。這樣設(shè)置，能夠在無法構(gòu)成回路時(shí)及時(shí)發(fā)現(xiàn)靶材消耗的程度，方便對(duì)靶材進(jìn)行更換。

其中，所述回路組件包括：靶材測試探頭5，用于測試靶材的消耗狀況；回路控制器7，用于控制所述回路的通斷電；中央控制系統(tǒng)8，所述中央控制系統(tǒng)用于接受和分析所述回路的通斷電狀態(tài)。靶材測試探頭5對(duì)靶材消耗程度進(jìn)行有效的監(jiān)控，構(gòu)成的回路通斷狀況能夠及時(shí)有效的反應(yīng)靶材3的消耗，提醒更換靶材。所述靶材測試探頭5依次貫穿靶材背板1和粘合層2并部分插入靶材3。靶材測試探頭5穿過靶材，節(jié)省空間同時(shí)與導(dǎo)電的靶材相接觸，構(gòu)成回路，能夠準(zhǔn)確的測量靶材消耗的情況。

所述回路控制器7、所述靶材測試探頭5以及所述中央控制系統(tǒng)8通過導(dǎo)線6兩兩連接。與回路控制裝置和中央控制系統(tǒng)構(gòu)成回路，完成對(duì)靶材的監(jiān)控。當(dāng)所述靶材未消耗至指定程度時(shí)，所述回路控制器、所述靶材測試探頭、所述中央控制系統(tǒng)以及所述靶材構(gòu)成完整的回路，當(dāng)所述靶材消耗至指定程度時(shí)，所述靶材不再位于電路中，所述回路控制器、所述靶材測試探頭、所述中央控制系統(tǒng)處于斷路狀態(tài)。

所述靶材測試探頭5依次貫穿靶材背板1和粘合層2并部分插入靶材3，所述靶材測試探頭5位于靶材背板1的一端通過導(dǎo)線6與所述回路控制器7相連構(gòu)成回路，所述中央控制系統(tǒng)8與回路控制器7連接，用于檢測靶材消耗情況。由于靶材和粘合層是導(dǎo)電的，基臺(tái)上的靶材消耗情況需要被監(jiān)控，以避免靶材被擊穿的情況發(fā)生。為了防止靶材被擊穿，需要在靶材被擊穿前即使發(fā)現(xiàn)以便及時(shí)更換靶材。將所述的靶材測試探頭依次貫穿靶材背板和粘合層并部分插入靶材，能夠?qū)胁南那闆r即使有效的反饋至回路控制器，及時(shí)有效的掌握靶材消耗情況。

所述靶材測試探頭5為兩個(gè)，但不限于此，可根據(jù)需要增加或減少。所述的回路探頭分別設(shè)置在靶材上的回路測量區(qū)域4上。所述回路測量區(qū)域4位于靶材消耗相對(duì)較快的區(qū)域，所述測量區(qū)域?qū)ΨQ設(shè)置在靠近靶材兩短邊的中央。將測量區(qū)域設(shè)置在靶材消耗快的區(qū)域，這樣設(shè)置可以更有效的避免靶材擊穿造成背板損失和產(chǎn)品異常。

如圖3所示，為本發(fā)明靶材測試探頭的結(jié)構(gòu)示意圖，其中靶材測試探頭5包括可導(dǎo)電的靶材探針51和部分包覆靶材探針51的絕緣層52?？蓪?dǎo)電的探針為銅等可導(dǎo)電金屬，由于粘合層導(dǎo)電，為了隔斷探針和粘合層，在探針未接觸靶材的部位設(shè)置絕緣層。

所述靶材探針51未包覆絕緣層的部分垂直插入靶材3。靶材探針與靶材和回路控制系統(tǒng)構(gòu)成一個(gè)回路，當(dāng)靶材消耗到探針露頭時(shí)，回路則中斷，中央控制系統(tǒng)得到反饋，提醒更換靶材。

所述的監(jiān)控靶材消耗狀況的裝置，其中：所述靶材探針51包覆絕緣層52的部分連同絕緣層52貫穿粘合層和靶材背板。由于粘合層導(dǎo)電，絕緣層隔斷探針和粘合層。

所述靶材探針未包覆絕緣層的部分插入靶材，其未包覆絕緣層的部分的長度為1-2mm，但不限于此，可根據(jù)實(shí)際情況調(diào)整其未包覆絕緣層部分的長度，目前為了防止靶材被擊穿，通常在靶材剩余2mm即更換靶材，所以其為包覆絕緣層部分的探針長度設(shè)置為1-2mm。

所述靶材探針51未插進(jìn)靶材的一端穿過絕緣層52與導(dǎo)線6相連。用于將靶材消耗的情況及時(shí)反饋到回路控制裝置中。

可以實(shí)時(shí)監(jiān)控靶材消耗狀況，最大程度利用靶材，避免靶材擊穿問題發(fā)生，提高產(chǎn)品良率和靶材使用效率。

雖然已經(jīng)參考優(yōu)選實(shí)施例對(duì)本發(fā)明進(jìn)行了描述，但在不脫離本發(fā)明的范圍的情況下，可以對(duì)其進(jìn)行各種改進(jìn)并且可以用等效物替換其中的部件。尤其是，只要不存在結(jié)構(gòu)沖突，各個(gè)實(shí)施例中所提到的各項(xiàng)技術(shù)特征均可以任意方式組合起來。本發(fā)明并不局限于文中公開的特定實(shí)施例，而是包括落入權(quán)利要求的范圍內(nèi)的所有技術(shù)方案。