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      一種石墨烯薄膜的制備方法與流程

      文檔序號(hào):11193398閱讀:753來(lái)源:國(guó)知局
      一種石墨烯薄膜的制備方法與流程

      本發(fā)明涉及石墨烯薄膜制備技術(shù)領(lǐng)域,特別涉及一種石墨烯薄膜的制備方法。



      背景技術(shù):

      石墨烯是優(yōu)秀的新型功能材料,廣泛應(yīng)用于太陽(yáng)能電池、傳感器、微電子、柔性顯示、能量存儲(chǔ)等領(lǐng)域,目前主要以常規(guī)cvd法進(jìn)行制備,即將石墨烯箔帶加熱到工藝要求的溫度,然后通入工藝氣體,通過(guò)在石墨烯箔帶表面的自發(fā)反應(yīng)生長(zhǎng)形成石墨烯薄膜。

      由于現(xiàn)有技術(shù)采用的石墨烯薄膜生產(chǎn)裝置,是通過(guò)自發(fā)反應(yīng)來(lái)實(shí)現(xiàn)的。因此存在生長(zhǎng)速度慢、成膜不均勻、工藝氣體浪費(fèi)大等問(wèn)題,直接影響到石墨烯薄膜的質(zhì)量和生產(chǎn)成本。



      技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素:

      本發(fā)明的目的是提供一種石墨烯薄膜的制備方法,通過(guò)使石墨烯箔帶中產(chǎn)生電流,在電流的作用下促進(jìn)石墨烯薄膜的優(yōu)化生長(zhǎng)。

      為達(dá)到上述目的,本發(fā)明采用的技術(shù)方案是:

      一種石墨烯薄膜的制備方法,包括以下步驟:

      (1)設(shè)置真空腔體;

      (2)在所述真空腔體內(nèi)設(shè)置用于傳送石墨烯箔帶的傳送機(jī)構(gòu),設(shè)置使得所述傳送機(jī)構(gòu)包括設(shè)于所述石墨烯箔帶傳送始端的第一傳送組件、設(shè)于所述石墨烯箔帶傳送末端的第二傳送組件;其中,所述第一傳送組件和所述第二傳送組件均具有導(dǎo)電性;

      (3)在所述真空腔體內(nèi)設(shè)置位于所述第一傳送組件和所述第二傳送組件之間的用于對(duì)所述石墨烯箔帶加熱的加熱機(jī)構(gòu);

      (4)在所述真空腔體內(nèi)設(shè)置用于對(duì)進(jìn)入所述加熱機(jī)構(gòu)中的石墨烯箔帶輸送用于配合的生長(zhǎng)石墨烯薄膜的工藝氣體的輸氣機(jī)構(gòu);

      (5)設(shè)置電源組件,使得所述第一傳送組件與所述電源組件的正極或負(fù)極導(dǎo)通,并使得所述第二傳送組件與所述電源組件的負(fù)極或正極導(dǎo)通;

      (6)開(kāi)啟所述傳送機(jī)構(gòu)、所述加熱機(jī)構(gòu)、所述輸氣機(jī)構(gòu)、所述電源組件,使得所述石墨烯箔帶在所述真空腔體中生長(zhǎng)形成所述石墨烯薄膜。

      優(yōu)選地,設(shè)置使得所述第一傳送組件沿所述石墨烯箔帶的傳送方向依次包括放卷輪、第一導(dǎo)向輪。

      更優(yōu)選地,設(shè)置使得所述放卷輪和所述第一導(dǎo)向輪均具有導(dǎo)電性。

      優(yōu)選地,設(shè)置使得所述第二傳送組件沿所述石墨烯箔帶的傳送方向依次包括第二導(dǎo)向輪、收卷輪。

      更優(yōu)選地,設(shè)置使得所述第二導(dǎo)向輪和所述收卷輪均具有導(dǎo)電性。

      優(yōu)選地,設(shè)置使得所述加熱機(jī)構(gòu)包括對(duì)稱(chēng)的設(shè)于所述石墨烯箔帶一側(cè)表面的第一加熱組件和設(shè)于所述石墨烯箔帶另一側(cè)表面的第二加熱組件。

      優(yōu)選地,所述電源組件選用直流電源、交流電源或脈沖電源中的一種。

      由于上述技術(shù)方案的運(yùn)用,本發(fā)明與現(xiàn)有技術(shù)相比具有下列優(yōu)點(diǎn):本發(fā)明一種石墨烯薄膜的制備方法,通過(guò)使石墨烯箔帶中產(chǎn)生電流,在電流的作用下促進(jìn)石墨烯薄膜的優(yōu)化生長(zhǎng);解決了現(xiàn)有技術(shù)存在的石墨烯薄膜生長(zhǎng)速度慢、成膜不均勻、工藝氣體浪費(fèi)大等問(wèn)題。

      附圖說(shuō)明

      附圖1為應(yīng)用本發(fā)明方法的一個(gè)實(shí)施例裝置的結(jié)構(gòu)示意圖。

      其中:1、真空腔體;2、噴氣嘴;3、電源組件;4、放卷輪;5、第一導(dǎo)向輪;6、第二導(dǎo)向輪;7、收卷輪;8、第一加熱組件;9、第二加熱組件;10、石墨烯箔帶。

      具體實(shí)施方式

      下面結(jié)合附圖來(lái)對(duì)本發(fā)明的技術(shù)方案作進(jìn)一步的闡述。

      參見(jiàn)圖1所示,上述一種石墨烯薄膜的制備方法,包括以下步驟:

      (1)設(shè)置真空腔體1。

      (2)在真空腔體1內(nèi)設(shè)置用于傳送石墨烯箔帶10的傳送機(jī)構(gòu),設(shè)置使得該傳送機(jī)構(gòu)包括設(shè)于石墨烯箔帶10傳送始端(參見(jiàn)圖1所示,該傳送始端即為圖1中的右端)的第一傳送組件、設(shè)于石墨烯箔帶10傳送末端的第二傳送組件;其中,第一傳送組件和第二傳送組件均具有導(dǎo)電性。

      在本實(shí)施例中,石墨烯箔帶10沿水平方向傳送;該第一傳送組件沿石墨烯箔帶10的傳送方向依次包括放卷輪4、第一導(dǎo)向輪5,該放卷輪4和該第一導(dǎo)向輪5均具有導(dǎo)電性;該第二傳送組件沿石墨烯箔帶10的傳送方向依次包括第二導(dǎo)向輪6、收卷輪7,該第二導(dǎo)向輪6和收卷輪7均具有導(dǎo)電性。其中,放卷輪4、第一導(dǎo)向輪5、第二導(dǎo)向輪6、收卷輪7的軸心線(xiàn)方向均沿水平方向分布且相互平行,放卷輪4、第一導(dǎo)向輪5、第二導(dǎo)向輪6、收卷輪7的上側(cè)邊緣位于同一水平線(xiàn)上。

      (3)在真空腔體1內(nèi)設(shè)置位于第一傳送組件和第二傳送組件之間的用于對(duì)石墨烯箔帶10加熱的加熱機(jī)構(gòu);在本實(shí)施例中,該加熱機(jī)構(gòu)包括對(duì)稱(chēng)的設(shè)于該石墨烯箔帶10上側(cè)表面的第一加熱組件8和設(shè)于該石墨烯箔帶10下側(cè)表面的第二加熱組件9。

      (4)在真空腔體1內(nèi)設(shè)置用于對(duì)進(jìn)入加熱機(jī)構(gòu)中的石墨烯箔帶10輸送工藝氣體的輸氣機(jī)構(gòu);該工藝氣體用于在加熱環(huán)境中配合石墨烯薄膜的生長(zhǎng);該輸氣機(jī)構(gòu)位于該加熱機(jī)構(gòu)的右端(參見(jiàn)圖1所示,該右端即為圖1中的右端),輸氣機(jī)構(gòu)包括噴氣嘴2,該噴氣嘴2位于第一加熱組件8和第二加熱組件9之間。

      (5)設(shè)置電源組件3,使得該第一傳送組件與該電源組件3的正極導(dǎo)通,同時(shí)使得該第二傳送組件與電源組件3的負(fù)極導(dǎo)通;也可以使得該第一傳送組件與該電源組件3的負(fù)極導(dǎo)通,同時(shí)使得該第二傳送組件與電源組件3的正極導(dǎo)通。第一傳送組件可以通過(guò)放卷輪4或第一導(dǎo)向輪5與電源組件3導(dǎo)通,而第二傳送組件可以通過(guò)第二導(dǎo)向輪6或收卷輪7與電源組件3導(dǎo)通。電源組件3選用直流電源、交流電源或脈沖電源中的一種,在本實(shí)施例中,該電源組件3選用直流電源,該電流的開(kāi)閉和大小均可根據(jù)需要進(jìn)行調(diào)節(jié)。

      (6)對(duì)該真空腔體1抽真空,并開(kāi)啟傳送機(jī)構(gòu)、加熱機(jī)構(gòu)、輸氣機(jī)構(gòu)、電源組件3,使得石墨烯箔帶10在真空腔體1中生長(zhǎng)形成石墨烯薄膜。通過(guò)使石墨烯箔帶10中產(chǎn)生電流,在電流的作用下促進(jìn)石墨烯薄膜的優(yōu)化生長(zhǎng)。

      上述實(shí)施例只為說(shuō)明本發(fā)明的技術(shù)構(gòu)思及特點(diǎn),其目的在于讓熟悉此項(xiàng)技術(shù)的人士能夠了解本發(fā)明的內(nèi)容并加以實(shí)施,并不能以此限制本發(fā)明的保護(hù)范圍,凡根據(jù)本發(fā)明精神實(shí)質(zhì)所作的等效變化或修飾,都應(yīng)涵蓋在本發(fā)明的保護(hù)范圍內(nèi)。



      技術(shù)特征:

      技術(shù)總結(jié)
      本發(fā)明公開(kāi)了一種石墨烯薄膜的制備方法,通過(guò)使石墨烯箔帶中產(chǎn)生電流,在電流的作用下促進(jìn)石墨烯薄膜的優(yōu)化生長(zhǎng);解決了現(xiàn)有技術(shù)存在的石墨烯薄膜生長(zhǎng)速度慢、成膜不均勻、工藝氣體浪費(fèi)大等問(wèn)題。

      技術(shù)研發(fā)人員:李留臣;周正星;蒲紅斌
      受保護(hù)的技術(shù)使用者:江蘇星特亮科技有限公司
      技術(shù)研發(fā)日:2017.07.11
      技術(shù)公布日:2017.09.29
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