本公開涉及一種成膜方法和基板處理裝置。

背景技術：

1、在專利文獻1中公開有一種半導體裝置的制造方法，所述半導體裝置的制造方法包括：第一氣體供給工序，對收容在處理室內的基板供給原料氣體；以及第二氣體供給工序，對所述基板供給反應氣體，在所述半導體裝置的制造方法中，交替地進行所述第一氣體供給工序和所述第二氣體供給工序來在所述基板上形成膜，在所述第二氣體供給工序中，從用于供給所述反應氣體的反應氣體供給系統(tǒng)對所述基板供給所述反應氣體，并且從與所述反應氣體供給系統(tǒng)不同的供給系統(tǒng)對所述基板供給非活性氣體以使得所述反應氣體容易到達所述基板的中心部。

2、現(xiàn)有技術文獻

3、專利文獻

4、專利文獻1：國際公開第2020/066800號

技術實現(xiàn)思路

1、發(fā)明要解決的問題

2、在一個側面中，本公開提供一種調整膜厚的面內分布的成膜方法和基板處理裝置。

3、用于解決問題的方案

4、為了解決上述問題，根據(jù)一個方式，提供一種成膜方法，所述成膜方法是切換向處理容器內的基板供給的氣體來在所述基板形成膜的成膜方法，在所述成膜方法中，在從第一噴射器向所述處理容器內供給某一氣體時，從與所述第一噴射器不同的第二噴射器向所述處理容器內供給被加熱得比所述基板的溫度熱的稀釋氣體。

5、發(fā)明的效果

6、根據(jù)一個側面，能夠提供一種調整膜厚的面內分布的成膜方法和基板處理裝置。

技術特征：

1.一種成膜方法，是切換向處理容器內的基板供給的氣體來在所述基板形成膜的成膜方法，在所述成膜方法中，

2.根據(jù)權利要求1所述的成膜方法，其中，

3.根據(jù)權利要求2所述的成膜方法，其中，

4.根據(jù)權利要求3所述的成膜方法，其中，

5.根據(jù)權利要求4所述的成膜方法，其中，

6.根據(jù)權利要求1至5中的任一項所述的成膜方法，其中，

7.根據(jù)權利要求1所述的成膜方法，其中，

8.根據(jù)權利要求7所述的成膜方法，其中，

9.根據(jù)權利要求8所述的成膜方法，其中，

10.根據(jù)權利要求9所述的成膜方法，其中，

11.根據(jù)權利要求10所述的成膜方法，其中，

12.根據(jù)權利要求7至11中的任一項所述的成膜方法，其中，

13.一種基板處理裝置，具備：

14.根據(jù)權利要求13所述的基板處理裝置，其中，

技術總結
本公開提供一種成膜方法和基板處理裝置，調整膜厚的面內分布。成膜方法是切換向處理容器內的基板供給的氣體來在所述基板形成膜的成膜方法，在該成膜方法中，在從第一噴射器向所述處理容器內供給某一氣體時，從與所述第一噴射器不同的第二噴射器向所述處理容器內供給被加熱得比所述基板的溫度熱的稀釋氣體。

技術研發(fā)人員：村上博紀
受保護的技術使用者：東京毅力科創(chuàng)株式會社
技術研發(fā)日：
技術公布日：2024/11/26