本發(fā)明涉及鍍膜領(lǐng)域，更具體地說，它涉及一種貴金屬合金材料超低損耗的退火方法。
背景技術(shù)：
1、貴金屬靶材有多種，常見有金、銀、鉑、鈀、銠，其薄膜性能通常較為單一。
2、為了追求卓越的薄膜綜合性能，貴金屬合金靶材應(yīng)運而生。貴金屬靶材的制作難點，除了控制質(zhì)量規(guī)格外，還有一個重要點就是低損耗的控制。晶粒大小是靶材的一個核心指標(biāo)，鍍膜時往往細(xì)小均勻的晶粒能夠獲得良好的薄膜。而控制晶粒常用的方法就是形變與退火工藝。由于貴金屬合金靶材沒有單質(zhì)貴金屬的較強(qiáng)的抗氧化能力，在退火過程中會出現(xiàn)氧化，甚至掉皮現(xiàn)象，這些氧化皮難以收集且提純成本較高。
3、因此需要提出一種新的方案來解決這個問題。
技術(shù)實現(xiàn)思路
1、針對現(xiàn)有技術(shù)存在的不足，本發(fā)明的目的在于提供一種貴金屬合金材料超低損耗的退火方法，可以有效解決損耗問題且同時可滿足晶粒要求。
2、本發(fā)明的上述技術(shù)目的是通過以下技術(shù)方案得以實現(xiàn)的：一種貴金屬合金材料超低損耗的退火方法，包括以下步驟：
3、s1：準(zhǔn)備貴金屬合金材料；
4、s2：將s1所述的貴金屬合金材料放置于金屬腔室，鎖固密封；
5、s3：將s2所述的腔室進(jìn)行抽真空；
6、s4：將s3所述的腔室通入高純氫氣；
7、s5：將s4所述的腔室進(jìn)行升溫加熱并保溫；
8、s6：將s5所述的腔室進(jìn)行降溫；
9、s7：將s6所述的腔室進(jìn)行拆開，取出貴金屬合金材料。
10、本發(fā)明進(jìn)一步設(shè)置為：所述貴金屬合金材料包括主成分貴金屬，所述貴金屬包括金、銀、鉑、鈀、銠。
11、本發(fā)明進(jìn)一步設(shè)置為：所述貴金屬合金材料還包括主成分非貴金屬，所述非貴金屬包括銅、鋁、鎳、鐵、鋯。
12、本發(fā)明進(jìn)一步設(shè)置為：在s3中，抽真空的真空度<0.01pa。
13、本發(fā)明進(jìn)一步設(shè)置為：在s4中，氫氣純度>99.999％。
14、本發(fā)明進(jìn)一步設(shè)置為：在s5中，升溫速率>500℃/h。
15、本發(fā)明進(jìn)一步設(shè)置為：在s5中，保溫時間30～200min。
16、本發(fā)明進(jìn)一步設(shè)置為：在s6中，降溫速率>100℃/h。
17、綜上所述，本發(fā)明具有以下有益效果：降低甚至消除貴金屬合金材料在退火過程中會出現(xiàn)的氧化皮，從而降低貴金屬合金材料的制作成本。
1.一種貴金屬合金材料超低損耗的退火方法，其特征在于，包括以下步驟：
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種貴金屬合金材料超低損耗的退火方法，其特征在于：所述貴金屬合金材料包括主成分貴金屬，所述貴金屬包括金、銀、鉑、鈀、銠。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的一種貴金屬合金材料超低損耗的退火方法，其特征在于：所述貴金屬合金材料還包括主成分非貴金屬，所述非貴金屬包括銅、鋁、鎳、鐵、鋯。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種貴金屬合金材料超低損耗的退火方法，其特征在于：在s3中，抽真空的真空度<0.01pa。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種貴金屬合金材料超低損耗的退火方法，其特征在于：在s4中，氫氣純度>99.999％。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種貴金屬合金材料超低損耗的退火方法，其特征在于：在s5中，升溫速率>500℃/h。
7.根據(jù)權(quán)利要求1或6所述的一種貴金屬合金材料超低損耗的退火方法，其特征在于：在s5中，保溫時間30～200min。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種貴金屬合金材料超低損耗的退火方法，其特征在于：在s6中，降溫速率>100℃/h。