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      高壓電性能釩摻雜LiNbO3壓電涂層及其制備方法

      文檔序號(hào):40401390發(fā)布日期:2024-12-20 12:25閱讀:4來源:國知局
      高壓電性能釩摻雜LiNbO3壓電涂層及其制備方法

      本發(fā)明涉及鈮酸鋰涂層及傳感器,特別涉及高壓電性能釩摻雜linbo3壓電涂層的制備技術(shù)。


      背景技術(shù):

      1、能夠高溫、輻照等環(huán)境下長期可靠穩(wěn)定運(yùn)行的超聲波傳感器的開發(fā),是核電站等特殊應(yīng)用場景實(shí)現(xiàn)應(yīng)力在線監(jiān)測的前提條件。壓電薄膜是超聲波傳感器中最重要的組成部件。壓電薄膜發(fā)射超聲波的能力主要取決于其壓電常數(shù)d33。工業(yè)領(lǐng)域常用的超聲波傳感器中,所選用的壓電薄膜材料主要包括鋯鈦酸鉛(pzt)、氧化鋅(zno)、氮化鋁(aln)和鈮酸鋰(linbo3)等。

      2、pzt薄膜材料具有優(yōu)異的壓電特性且應(yīng)用廣泛,但其使用溫度一般低于200℃,不適合核電站高溫應(yīng)用。zno薄膜材料容易制備而多用于高頻超聲器件,但是其壓電常數(shù)較低,使用溫度也相對(duì)不高,無法滿足核反應(yīng)堆400℃以上的高溫環(huán)境。例如,美國cannata等人利用濺射方法在鋁基體上制備100mhz的(zno)超聲薄膜傳感器,使用溫度一般低于400℃。aln薄膜材料因其具備較高的使用溫度(居里溫度~2800℃),成為高溫超聲波探頭的主要選擇。英國kirk等人利用射頻濺射的方式,在鋁合金和低碳鋼基體上沉積制備出可以在600℃條件下長時(shí)間使用的高溫超聲傳感器。但是aln薄膜材料的最大問題在于其壓電常數(shù)很低(d33值~7?pc/n),且基于超聲波傳播距離長且材料衰減,超聲回波信號(hào)較弱且難以識(shí)別等原因,將其直接應(yīng)用于大尺寸的核電螺栓時(shí)具有一定困難。linbo3薄膜材料的使用溫度高(1110℃),可以解決核電站的高溫環(huán)境使用要求。英國mohimi發(fā)現(xiàn)linbo3傳感器可以在600℃下長時(shí)間工作。加拿大castilla研究發(fā)現(xiàn)溶膠凝膠法制備的linbo3壓電涂層應(yīng)用溫度達(dá)到750℃。美國atsushi制備了工作溫度高達(dá)1000℃的單晶linbo3高溫傳感器。但linbo3最大問題也在于其壓電常數(shù)很低(d33值~6?pc/n)。

      3、因此,針對(duì)某些特殊的高溫應(yīng)用環(huán)境,如何制備一種薄膜涂層,以及相應(yīng)的超聲波傳感器,使其在滿足高溫應(yīng)用場景的同時(shí),還具有更優(yōu)異的壓電性能,是目前亟待解決的技術(shù)難題。


      技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

      1、本發(fā)明提供了高壓電性能釩摻雜linbo3壓電涂層的制備方法。本發(fā)明制備的釩摻雜linbo3壓電涂層,通過摻雜一定量的釩,取代了部分鈮,其壓電常數(shù)d33相比于純鈮酸鋰晶體和純linbo3涂層均大幅提升;超聲信號(hào)極強(qiáng),顯著優(yōu)于純linbo3涂層。具體通過以下技術(shù)實(shí)現(xiàn)。

      2、高壓電性能釩摻雜linbo3壓電涂層的制備方法,包括以下步驟:

      3、設(shè)計(jì)釩摻雜鈮酸鋰靶材;清潔襯底和磁控濺射設(shè)備;

      4、在所述磁控濺射設(shè)備中安裝所述釩摻雜鈮酸鋰靶材和襯底,將所述襯底的正面(即用于沉積釩摻雜linbo3壓電涂層的表面)和所述釩摻雜鈮酸鋰靶材的表面設(shè)置成非相對(duì)狀態(tài);

      5、對(duì)所述磁控濺射設(shè)備抽真空至理想真空度,并加熱至目標(biāo)溫度;

      6、設(shè)置環(huán)境參數(shù),對(duì)所述釩摻雜鈮酸鋰靶材的表面進(jìn)行清洗;

      7、完成所述釩摻雜鈮酸鋰靶材的清洗后,將所述襯底的正面和所述釩摻雜鈮酸鋰靶材的表面設(shè)置成相對(duì)狀態(tài)并調(diào)節(jié)間距,設(shè)置環(huán)境參數(shù)進(jìn)行沉積,制得釩摻雜linbo3壓電涂層;

      8、所述釩摻雜鈮酸鋰靶材為摻雜釩的鈮酸鋰靶材,釩的摻雜原子數(shù)量占比為1.3-3.9%,即釩原子數(shù)量占靶材中l(wèi)i、nb、v、o所有原子總數(shù)的1.3-3.9%。

      9、設(shè)置環(huán)境參數(shù)包括引入ar氣和o2氣并控制通入流量,設(shè)置射頻功率和偏置電壓。

      10、采用本發(fā)明提供的上述制備方法制備的釩摻雜linbo3壓電涂層,從其微觀形貌結(jié)構(gòu)可以看到涂層具有球狀晶粒形態(tài)和明顯的柱狀晶結(jié)構(gòu),不含nbo、nb2o5、linb3o8等雜質(zhì)相,接近理想形態(tài)。

      11、本發(fā)明提供的上述釩摻雜linbo3壓電涂層的制備方法中,在進(jìn)行磁控濺射之前,需要對(duì)靶材、襯底和磁控濺射設(shè)備進(jìn)行清潔/清洗。

      12、在本發(fā)明的一些實(shí)施案例中,對(duì)襯底的清潔方式可選擇為:采用特定目數(shù)(例如600-2000目)的砂紙打磨襯底的表面與背面。打磨襯底的表面和背面目的在于,去除襯底表面的自然氧化層或其他雜質(zhì),提高釩摻雜linbo3壓電涂層與襯底的結(jié)合力,提升襯底導(dǎo)電性能,便于襯底處于均勻的偏壓環(huán)境中。

      13、容易知曉的是,磁控濺射設(shè)備包括但不限于樣品架(即放置襯底的支架)、支撐座、靶材固定圈等不同部件。

      14、因此,在本發(fā)明的一些實(shí)施案例中,對(duì)磁控濺射設(shè)備上述不同部件的清潔方式可選擇為:采用打磨帶手動(dòng)打磨、電動(dòng)打磨機(jī)打磨等方式,打磨磁控濺射設(shè)備的各個(gè)部件,以提高導(dǎo)電性;打磨靶材固定圈能防止鍍膜過程中濺射出雜質(zhì)污染物。

      15、在本發(fā)明的一些實(shí)施案例中,對(duì)靶材的清洗,是將靶材和襯底裝入磁控濺射設(shè)備中,為了避免在清洗靶材時(shí),靶材上的雜質(zhì)污染物被濺射到襯底上,需要將靶材表面和襯底的正面設(shè)置呈不相對(duì)的狀態(tài)。

      16、在本發(fā)明的一些實(shí)施案例中,本發(fā)明提供的靶材的制備方法為:

      17、(1)按照nb2o5/li2o=1:1(摩爾比)比例,以及按照需要的摻雜量摻入v,配好各原料,裝入球磨罐混合4-8?h,形成均勻的原料;

      18、(2)取出過篩后稱重裝模,形成直徑介于14.6cm-19.6cm、厚度介于4.1-5.0mm的圓柱形靶材;

      19、(3)依次進(jìn)行900℃、60?min,以及1100℃、2h的退火處理;

      20、熱處理可以有效降低靶材硬度、增大靶材晶粒的平均晶粒尺寸、提高晶粒尺寸均勻性和長徑,使得鍍膜時(shí)獲得更高的濺射涂層率;

      21、(4)自然降溫冷卻后,脫膜加工圓柱形靶材的平面和外圓,采用耐高溫膠將其綁定在直徑介于15cm-20cm、厚度介于3.1-4.0mm的圓柱形銅背板上,清洗烘干,形成所需的釩摻雜鈮酸鋰靶材。

      22、通過試驗(yàn)發(fā)現(xiàn),隨著釩的摻雜量逐漸增加,其縱波信號(hào)、壓電常數(shù)均顯著提高。當(dāng)釩摻雜原子數(shù)量占比為1.8%時(shí),縱波信號(hào)、壓電常數(shù)均達(dá)到最大值;當(dāng)釩摻雜原子數(shù)量占比高于1.8%時(shí),其縱波信號(hào)、壓電常數(shù)逐漸下降;理想的釩的摻雜原子數(shù)量占比為1.3-3.9%。

      23、在本發(fā)明的一些實(shí)施案例中,對(duì)所述磁控濺射設(shè)備進(jìn)行抽真空的理想真空度,可以選擇為(1-5)×10-3?pa。

      24、在本發(fā)明的一些實(shí)施案例中,對(duì)所述磁控濺射設(shè)備進(jìn)行加熱的目標(biāo)溫度,可以選擇為100-200℃;

      25、進(jìn)一步地,設(shè)置環(huán)境參數(shù)中,引入的ar氣和o2氣的流量體積比為(4-6):1,ar氣和o2氣的總流量為0.9-2.0?pa。

      26、本發(fā)明提供的上述釩摻雜linbo3壓電涂層的制備方法中,可以通過調(diào)節(jié)偏置電壓來調(diào)控縱波、橫波信號(hào)強(qiáng)度。

      27、進(jìn)一步地,設(shè)置環(huán)境參數(shù)中,射頻功率為800-900?w,偏置電壓7-27?v。

      28、進(jìn)一步地,所述襯底的正面和所述釩摻雜鈮酸鋰靶材的表面的間距為4.5-7?cm。

      29、進(jìn)一步地,所述釩摻雜鈮酸鋰靶材表面清洗時(shí)間為5-15?min。

      30、進(jìn)一步地,沉積所述釩摻雜鈮酸鋰靶材的時(shí)間為8-12?h。

      31、進(jìn)一步地,在所述磁控濺射設(shè)備中安裝所述釩摻雜鈮酸鋰靶材和襯底時(shí),將所述襯底的正面和所述釩摻雜鈮酸鋰靶材的表面設(shè)置成非相對(duì)狀態(tài);或者,將所述襯底的背面和所述釩摻雜鈮酸鋰靶材的表面設(shè)置成相對(duì)的狀態(tài)。

      32、容易知曉的是,上述釩摻雜linbo3壓電涂層的制備方法中,所使用的襯底包括實(shí)驗(yàn)用襯底或工業(yè)用襯底。其中,實(shí)驗(yàn)用襯底可以選擇單晶硅片、玻璃片、硬質(zhì)合金塊、銅片或不銹鋼片,用于表測量涂層表面形貌、截面形貌、薄膜厚度、晶體結(jié)構(gòu)、元素成分、超聲信號(hào)、壓電常數(shù)等信息,為工業(yè)應(yīng)用提供參考。工業(yè)用襯底主要為螺栓、螺母、螺桿等緊固件或轉(zhuǎn)子葉片,用于測量超聲信號(hào),檢驗(yàn)涂層的壓電性能和高溫穩(wěn)定性,并開展實(shí)際應(yīng)用。

      33、本發(fā)明還提供了一種釩摻雜linbo3壓電涂層,是采用上述任意一種制備方法制備獲得。

      34、與現(xiàn)有技術(shù)相比,本發(fā)明的有益之處在于:

      35、1、本發(fā)明提供的釩摻雜linbo3壓電涂層具有明顯的球狀晶粒和柱狀晶結(jié)構(gòu),并且不含nbo、nb2o5、linb3o8等雜質(zhì)相,o/nb原子比達(dá)到2.9,接近理想形態(tài)。

      36、2、本發(fā)明通過設(shè)計(jì)特定含量的釩摻雜鈮酸鋰靶材,使得沉積制備的linbo3壓電涂層中摻雜釩元素,即制備出釩摻雜linbo3壓電涂層,制備的釩摻雜linbo3壓電涂層的壓電常數(shù)d33大幅提升,釩摻雜linbo3壓電涂層壓電常數(shù)d33是純鈮酸鋰晶體的2.3倍,是同實(shí)驗(yàn)條件下制備的純linbo3壓電涂層的4.7倍。

      37、3、本發(fā)明提供的釩摻雜linbo3壓電涂層具有極強(qiáng)的超聲信號(hào),是同實(shí)驗(yàn)條件下制備的純linbo3壓電涂層的10.4倍。

      38、4、本發(fā)明提供的釩摻雜linbo3壓電涂層耐溫性能優(yōu)良。

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