專(zhuān)利名稱(chēng):濾光片生產(chǎn)中用的掩膜的制作方法
本發(fā)明是關(guān)于生產(chǎn)濾光片時(shí)用的掩膜，特別是關(guān)于用以固定安裝在基片上的掩膜，該掩膜能使基片在蒸涂的過(guò)程中，所蒸涂的金屬不會(huì)復(fù)蓋到基片上欲切割開(kāi)的部分。
在以熱傳感器作紅外探測(cè)裝置用的領(lǐng)域中，該熱傳感器的光接收表面上粘附有一多層干涉濾光片，作為僅允許透過(guò)持定波長(zhǎng)的濾光片。由于該熱傳感器很小，因此濾光片也必須小至數(shù)平方毫米。生產(chǎn)如此小尺寸的濾光片一直是通過(guò)下述方法來(lái)完成的。首先，制造出具有較大直徑(16毫米或20毫米)的濾光片。然后，用切割器切成小塊。然而，不論切割裝置如何，總會(huì)存在下述缺陷，即當(dāng)切割濾光片時(shí)，蒸涂的金屬會(huì)從濾光片的切口邊緣剝落，結(jié)果使合格率降低。這樣，上述方法并不適用于大批量生產(chǎn)。此外，由切割而剝落的部分涂層會(huì)對(duì)濾發(fā)片的特性產(chǎn)生有害影響。
為此，必須采用掩膜來(lái)遮蔽基片的切割部分，使在小尺寸的濾光片生產(chǎn)中，不致將金屬蒸涂到基片的這一切割部分。
如圖4所示，在蒸涂基片的過(guò)程中，當(dāng)掩膜較厚而用作涂層的金屬又是以斜方向進(jìn)引噴涂時(shí)，在掩膜(1)上的孔(2)附近會(huì)形成一遮蔽區(qū)(4)，以致在基片(4)上會(huì)產(chǎn)生一些未能蒸涂上的部份這類(lèi)缺陷。
另一方面，若是為了消除上述缺陷而減小掩膜的厚度，則當(dāng)在蒸涂過(guò)程中基片的溫度達(dá)到200℃或更高時(shí)，由于存在掩膜因受熱而彎曲的缺陷，結(jié)果會(huì)破壞基片和掩膜的粘接性。
本發(fā)明的目的即在于提供一種結(jié)構(gòu)新穎的掩膜，借此，一舉消除較厚掩膜和較薄掩膜兩方面所產(chǎn)生的缺陷。
為了達(dá)到上述目的，在本發(fā)明所提出的掩膜上設(shè)有許多孔，而且這樣的掩膜還可防止在蒸涂過(guò)程中有金屬蒸涂到基片的切割部分上。這里的掩膜是固定裝設(shè)在基片上，它使蒸涂的金屬只能到達(dá)為掩膜的孔所暴露的基片部分，而本發(fā)明的特征即在于此掩膜上的孔之邊緣已加工成較掩膜本身更薄的階梯形。
圖1表明了根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)優(yōu)選的實(shí)施例來(lái)生產(chǎn)濾光片的所用的掩膜的截面圖。
圖2是圖1的平面圖。
現(xiàn)參看圖1和圖2，掩膜(1)由一耐熱金屬板構(gòu)成并帶有許多小(2)……，小孔在掩膜上排列成行。掩膜(1)應(yīng)具有適當(dāng)厚度，以保證它可在200℃或更高的溫度下不致彎曲。在本發(fā)明優(yōu)選的實(shí)施例中，采用具有0.5毫米厚的金屬板作為掩膜(1)。上述孔(2)的尺寸是根據(jù)擬生產(chǎn)的濾光片之尺寸而定的。在該實(shí)施例中，為了生產(chǎn)出可粘接到熱傳感器光接收表面上的濾光片，孔(2)的尺寸應(yīng)取2至3平方毫米?？?2)的邊緣通過(guò)切削出一階梯部份(3)而變得更薄一些。切削出的階梯部份之寬度和厚度要選擇得能達(dá)到如下所要求的程度，即使蒸涂的物質(zhì)按最傾斜的方向噴鍍也足以防止產(chǎn)生圖4所示的那種遮蔽部份(A)。在該同一實(shí)施例中，所選定的階梯(3)的寬度為從孔(2)的邊緣算起寬1毫米，其厚度為0.2毫米。階梯(3)可以用例如蝕刻的方法形成。
采用上述結(jié)構(gòu)的掩膜(1)生產(chǎn)濾光片時(shí)，首先，將掩膜(1)按圖3(a)所示的配位關(guān)系固定安裝在基片(4)上;掩膜(1)和基片(4)這兩者可用聚酰亞胺粘接膠帶通過(guò)它們周邊若干位置將其粘連。當(dāng)掩膜(1)固定安裝在基片(4)上后，再將此兩者一同固定安裝到支持體(5)上，如圖3(b)和圖3(c)所示，最后，將裝好的組件裝設(shè)到涂膜設(shè)備的球面載物盤(pán)上，使之在指定的位置上進(jìn)行蒸涂。然后，交替地將折射率較高和較低的物質(zhì)從蒸發(fā)源噴涂到待涂覆的面上。這時(shí)，由于帶有孔(2)的掩膜(1)固定安裝在基片(4)上，待蒸涂的物質(zhì)就只能蒸涂到通過(guò)掩膜(1)上的孔(2)暴露出來(lái)的基片部份，也就是說(shuō)，只能蒸涂到除了掩膜(1)上孔(2)以外的區(qū)域。此外，由于掩膜(1)上的孔(2)沿孔的周邊加工出階梯(3)，故蒸涂的物質(zhì)可以涂到孔(2)后面的基片的全部表面，而不會(huì)在孔(2)的周邊形成遮蔽部分。至于蒸涂材料，可用鍺作為高折射率的物質(zhì)，而用硫化鋅作為低折射率的物質(zhì)。
在規(guī)定時(shí)間內(nèi)完成交替地蒸涂過(guò)程后，基片的反面同樣也需要蒸涂。這時(shí)，掩膜(1)固定安裝在基片(4)反面的配合位置，然后，進(jìn)引蒸涂，使蒸涂物質(zhì)可涂到基片(4)兩面的相同位置上。
在完成基片(4)兩面的蒸涂后，將基片(4)從支持體(5)上取下，再?gòu)幕?4)上揭去掩膜(1)〔參見(jiàn)圖3(d)〕。最后，將基片(4)沿?cái)M進(jìn)行切割的部位(9)進(jìn)行切割，由于該部份并未涂上蒸涂物質(zhì)(8)〔參見(jiàn)圖3(e)〕，因此不存在蒸涂物質(zhì)剝落的問(wèn)題。
由于按照本發(fā)明生產(chǎn)濾光片時(shí)用的掩膜通過(guò)在其孔的邊緣切出階梯而使其變得較薄，所以，不會(huì)形成遮蔽區(qū)，因而，既使蒸涂物質(zhì)按傾斜方向噴涂，也可蒸涂到所有孔后面的基片上。另外，由于孔的周邊以外部分沒(méi)有階梯，因此具有必要的厚度，這樣既使蒸涂過(guò)程中的溫度較高，掩膜也不會(huì)彎曲，結(jié)果可獲得掩膜同基片之間的牢固粘接。
圖1表明了根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)優(yōu)選的實(shí)施例來(lái)生產(chǎn)濾光片所用掩膜的截面圖;
圖2為上述掩膜的平面圖;
圖3為采用所掩膜來(lái)生產(chǎn)濾光片的工藝流程圖;
圖4為掩膜厚度加大時(shí)產(chǎn)生缺陷的示意圖(1)……掩膜;
(2)……孔;
(3)……階梯;
(4)……基片;
權(quán)利要求
1.應(yīng)用在濾光片生產(chǎn)中的一種掩膜，此種掩膜帶有許多孔，能防止蒸涂的金屬涂到基片的被切割部份，通過(guò)使用固定安裝在基片上這種掩膜，就能使擬蒸涂的金屬只能蒸涂到基片上為掩膜孔所暴露出的部份，該掩膜的特征在于已將其孔的邊緣通過(guò)加工成階梯形而變得較薄一些。
專(zhuān)利摘要
一種在濾光片生產(chǎn)中采用的帶有許多孔的掩膜，它可以防止蒸涂的金屬覆蓋到基片的被切割部分而僅僅能覆蓋到基片上為掩膜孔所暴露的部分。掩膜孔的邊緣加工成薄的階梯形，這樣的結(jié)構(gòu)能夠消除所謂的遮蔽部分和避免掩膜的彎曲。
文檔編號(hào)C23C14/04GK85104654SQ85104654
公開(kāi)日1986年12月24日 申請(qǐng)日期1985年6月17日
發(fā)明者山岸豐, 石田正彥 申請(qǐng)人:株式會(huì)社堀場(chǎng)制作所導(dǎo)出引文BiBTeX, EndNote, RefMan