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      一種化學(xué)氣相淀積反應(yīng)管的制作方法

      文檔序號(hào):3390818閱讀:215來(lái)源:國(guó)知局
      專(zhuān)利名稱(chēng):一種化學(xué)氣相淀積反應(yīng)管的制作方法
      技術(shù)領(lǐng)域
      本實(shí)用新型涉及一種用于半導(dǎo)體工藝的臥式矩形化學(xué)氣相淀積反應(yīng)管,特別涉及一種具有全平滑側(cè)壁的臥式矩形化學(xué)氣相淀積反應(yīng)管。
      現(xiàn)有用于半導(dǎo)體工藝的臥式矩形化學(xué)氣相淀積反應(yīng)管,在其小截面進(jìn)氣口與較大矩形截面的反應(yīng)區(qū)之間留有一段緩伸的擴(kuò)展區(qū),擴(kuò)展區(qū)截面的高度與寬度一般是按單一的線性或指數(shù)函數(shù)的形式擴(kuò)展(參閱N.J.Mason and P.J.Walker,″Influence of gas mixing and expansion in horizontal MOVPE reactor″,Journal of Crystal Growth 107(1991) 181-187)。這段擴(kuò)展區(qū)的管壁與等截面矩形反應(yīng)區(qū)的四壁在交接處形成具有一定角度的彎折界面,較小角度的彎折界面往往會(huì)使腔內(nèi)貼壁流動(dòng)的氣體形成離壁的返回渦流,以致影響淀積層的厚度與成分的均勻控制。對(duì)于超薄層淀積的精細(xì)控制,這種影響尤為突出?,F(xiàn)有臥式矩形反應(yīng)管的矩形反應(yīng)區(qū)一般具有較大的寬度高度比,有的比值達(dá)到4左右。在此情況下,在擴(kuò)展區(qū)與反應(yīng)區(qū)之間上下壁面交界處形成的折角較大,產(chǎn)生氣體離壁流動(dòng)的情況往往可以忽略。然而,在擴(kuò)展區(qū)與反應(yīng)區(qū)之間兩側(cè)壁面交界處形成的折角要比上述折角小得多,由此造成的氣體離壁流動(dòng)往往成為影響氣相淀積質(zhì)量控制的重要因素。
      本實(shí)用新型的目的是為克服上述現(xiàn)有技術(shù)的缺陷,設(shè)計(jì)一種具有全平滑側(cè)壁的臥式矩形化學(xué)氣相淀積反應(yīng)管。
      本實(shí)用新型臥式矩形化學(xué)氣相淀積反應(yīng)管的特征為,在反應(yīng)管的擴(kuò)展區(qū)(1)兩側(cè)壁面(2)與其矩形反應(yīng)區(qū)(3)兩側(cè)壁面(4)之間有緩曲的界面(5)。
      與現(xiàn)有技術(shù)相比,本實(shí)用新型為在化學(xué)氣相淀積過(guò)程中避免在反應(yīng)管內(nèi)形成離壁返回渦流、確保淀積層質(zhì)量,提供了更加充分的條件。
      附 圖 說(shuō)明


      圖1為本實(shí)用新型一項(xiàng)實(shí)施例的立體示意圖。
      圖2為
      圖1中I區(qū)的A-A剖面放大圖。
      圖中1為擴(kuò)展區(qū),2為擴(kuò)展區(qū)側(cè)壁,3為矩形反應(yīng)區(qū),4為矩形反應(yīng)區(qū)側(cè)壁,5為緩曲界面,6為小虛線圓(I區(qū)),7為大虛線圓,8為進(jìn)氣口,9為指數(shù)函數(shù)擴(kuò)展,10為兩段函數(shù)擴(kuò)展的連接點(diǎn),11為正弦函數(shù)擴(kuò)展,12為矩形等寬區(qū)的起點(diǎn),13為反應(yīng)管出口。
      在附圖的小虛線圓(6)內(nèi)作出了本實(shí)用新型一項(xiàng)實(shí)施例在反應(yīng)管的擴(kuò)展區(qū)(1)兩側(cè)壁面(2)與其矩形反應(yīng)區(qū)(3)兩側(cè)壁面(4)之間有緩曲界面(5)的示意結(jié)構(gòu)。在大虛線園(7)內(nèi)作出了與小虛線園(6)對(duì)應(yīng)部位反應(yīng)管的水平剖面輪廓示意圖。擴(kuò)展區(qū)(1)的寬度從進(jìn)氣口(8)開(kāi)始先按指數(shù)函數(shù)的形式(9)擴(kuò)展一段距離后,再按照一個(gè)以連接點(diǎn)(10)為切點(diǎn)的正弦函數(shù)形式(11)繼續(xù)擴(kuò)展,并在矩形等寬區(qū)的起始處(12)使此正弦函數(shù)擴(kuò)展為峰值寬度。這樣,因在兩段函數(shù)擴(kuò)展的連接處兩段擴(kuò)展區(qū)的側(cè)壁相切,無(wú)彎折;在擴(kuò)展區(qū)與等寬反應(yīng)區(qū)的交界處兩段側(cè)壁也是相切,仍無(wú)彎折,從而實(shí)現(xiàn)了全平滑側(cè)壁的臥式矩形化學(xué)氣相淀積反應(yīng)管。
      權(quán)利要求1.一種用于半導(dǎo)體工藝的臥式矩形化學(xué)氣相淀積反應(yīng)管,其特征為,在反應(yīng)管的擴(kuò)展區(qū)兩側(cè)壁面與其矩形反應(yīng)區(qū)兩側(cè)壁面之間有緩曲的界面。
      2.按照權(quán)利要求1所述臥式矩形化學(xué)氣相淀積反應(yīng)管,其特征為,所述擴(kuò)展區(qū)的寬度從所述反應(yīng)管的進(jìn)氣口開(kāi)始先按指數(shù)函數(shù)的形式擴(kuò)展一段距離后,再按照一個(gè)以連接點(diǎn)為切點(diǎn)的正弦函數(shù)形式繼續(xù)擴(kuò)展,并在所述反應(yīng)管的矩形等寬區(qū)起始處使此正弦函數(shù)擴(kuò)展為峰值寬度。
      專(zhuān)利摘要本實(shí)用新型公開(kāi)了一種用于半導(dǎo)工藝、具有全平滑側(cè)壁的臥式矩形化學(xué)氣相淀積反應(yīng)管。這種反應(yīng)管的擴(kuò)展區(qū)兩側(cè)壁面與其矩形反應(yīng)區(qū)兩側(cè)壁面之間有緩曲的界面。它可以避免在反應(yīng)管內(nèi)形成離壁返回渦流,為確保淀積層的質(zhì)量控制創(chuàng)造了良好的條件。
      文檔編號(hào)C23C16/00GK2117380SQ9122953
      公開(kāi)日1992年9月30日 申請(qǐng)日期1991年12月3日 優(yōu)先權(quán)日1991年12月3日
      發(fā)明者陸大成, 汪度, 昝育德, 劉祥林 申請(qǐng)人:中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所
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