蒸發(fā)源的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及蒸發(fā)源。
【背景技術(shù)】
[0002]在蒸鍍裝置中，需要在蒸鍍時使坩禍內(nèi)的蒸鍍材料的溫度分布均勻。這是因為在蒸鍍材料的蒸發(fā)量和溫度之間存在相關(guān)關(guān)系。
[0003]這里，要使坩禍內(nèi)的蒸鍍材料的溫度分布均勻，需要使坩禍的溫度分布均勻。這是因為坩禍內(nèi)的蒸鍍材料接受來自坩禍的熱傳遞和輻射。
[0004]S卩，為了使蒸鍍材料的蒸發(fā)量均勻，需要使坩禍的溫度分布均勻，尤其重要的是使坩禍的蒸鍍材料附近部分的溫度分布均勻化。
[0005]另外，作為坩禍的溫度分布不良的主要原因，可以舉出坩禍與其它部件接觸的情況。例如，在設(shè)置坩禍時，若坩禍底面與蒸發(fā)源支架或絕緣子接觸，則只有接觸部溫度下降。此外，接觸熱阻根據(jù)與蒸發(fā)源保持器或絕緣子的接觸狀態(tài)而發(fā)生變化，因此溫度產(chǎn)生各種變化。
[0006]因此，為了解決上述問題點，提出了例如在專利文獻(xiàn)I中公開的技術(shù)。在該專利文獻(xiàn)I中公開的技術(shù)如下:在收納于被加熱的外殼內(nèi)的坩禍的底面設(shè)置腳部，來在坩禍的底面和外殼的底面之間設(shè)置間隔，由此減緩接觸所導(dǎo)致的熱變動。
[0007]現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)
[0008]專利文獻(xiàn)
[0009]專利文獻(xiàn)1:日本專利第4696710號公報

【發(fā)明內(nèi)容】

[0010]發(fā)明所要解決的課題
[0011]然而，在上述專利文獻(xiàn)I中，腳部設(shè)于蒸鍍材料的正下方，因此認(rèn)為坩禍的腳部附近通過經(jīng)由腳部的熱傳遞而被局部地加熱，與其它部位相比，腳部附近的蒸鍍材料的蒸發(fā)量增加。
[0012]因此，即便設(shè)置腳部的位置是坩禍端部，如果局部的蒸發(fā)量增加，則來自端部附近開口的蒸鍍材料噴出量增加，從而在膜厚分布方面產(chǎn)生波動。
[0013]本發(fā)明是鑒于上述現(xiàn)狀而完成的，其目的在于提供一種蒸發(fā)源，其通過以坩禍的外側(cè)面上比蒸鍍材料的填充面高的位置支承坩禍，而能夠?qū)③岬溤谯岬湹耐獾酌媾c收納體的內(nèi)底面分開的狀態(tài)下收納并配置在收納體內(nèi)，并且能夠使坩禍的與收納體的接觸部位于遠(yuǎn)離蒸鍍材料的位置，從而接觸所導(dǎo)致的熱變動的影響難以波及蒸鍍材料，能夠使蒸鍍材料的溫度分布均勻化，能夠?qū)崿F(xiàn)蒸鍍材料蒸發(fā)量的穩(wěn)定化。
[0014]用于解決課題的手段
[0015]參照附圖對本發(fā)明的要點進行說明。
[0016]本發(fā)明涉及一種蒸發(fā)源，其由如下部分構(gòu)成:坩禍2，其中可填充蒸鍍材料I ;加熱部3，其被設(shè)成包圍該坩禍2 ;和收納體4，其收納并配置所述坩禍2和所述加熱部3，其特征在于，該蒸發(fā)源的構(gòu)成為，在所述坩禍2的外側(cè)面上比所述蒸鍍材料I的填充面Ia高且比坩禍2的開口位置低的位置設(shè)置坩禍承載部5，利用設(shè)于所述收納體4的內(nèi)側(cè)的坩禍支持部6支承所述坩禍承載部5，能夠在所述坩禍2的外底面與所述收納體4的內(nèi)底面分開的狀態(tài)下將所述坩禍2收納并配置于所述收納體4內(nèi)。
[0017]并且，根據(jù)第I方面所述的蒸發(fā)源，其特征在于，所述坩禍承載部5和所述坩禍支承部6的接觸點設(shè)成比所述加熱部3更靠坩禍2偵U。
[0018]并且，根據(jù)第I或2方面所述的蒸發(fā)源，其特征在于，沿長度方向設(shè)有兩個以上的供蒸鍍材料I通過的開口部7。
[0019]并且，根據(jù)第I或2方面所述的蒸發(fā)源，其特征在于，分別設(shè)有兩個以上的所述坩禍承載部5和所述坩禍支承部6。
[0020]并且，根據(jù)第I或2方面所述的蒸發(fā)源，其特征在于，所述蒸發(fā)源的構(gòu)成為，由所述加熱部3對所述坩禍承載部5和所述坩禍支承部6進行加熱。
[0021]并且，根據(jù)第I或2方面所述的蒸發(fā)源，其特征在于，在所述坩禍2的外側(cè)面設(shè)有朝向所述收納體4的內(nèi)側(cè)面突出的突出部8，在該突出部8處設(shè)有所述坩禍承載部5。
[0022]并且，根據(jù)第I或2方面所述的蒸發(fā)源，其特征在于，所述坩禍2以使兩個以上的分割體2a、2b彼此相互抵接的方式形成，在該分割體2a、2b彼此的抵接部處設(shè)有密封部件9。
[0023]并且，根據(jù)第I或2方面所述的蒸發(fā)源，其特征在于，所述蒸發(fā)源具備針對所述坩禍承載部5和所述坩禍支承部6的溫度調(diào)節(jié)機構(gòu)。
[0024]并且，根據(jù)第I或2方面所述的蒸發(fā)源，其特征在于，所述坩禍支承部6是所述加熱部3。
[0025]并且，根據(jù)第I或2方面所述的蒸發(fā)源，其特征在于，在所述收納體4和所述加熱部3之間設(shè)有熱反射部件。
[0026]發(fā)明效果
[0027]本發(fā)明如上述那樣構(gòu)成，由此形成蒸發(fā)源，該蒸發(fā)源使接觸導(dǎo)致的熱變動的影響難以波及蒸鍍材料，能夠使蒸鍍材料的溫度分布均勻化，能夠?qū)崿F(xiàn)蒸鍍材料蒸發(fā)量的穩(wěn)定化。
【附圖說明】
[0028]圖1是實施例1的示意性剖視圖。
[0029]圖2是實施例1的主要部分的示意性立體圖。
[0030]圖3是實施例2的示意性橫剖視圖。
[0031]圖4是實施例2的主要部分的示意性立體圖。
[0032]圖5是實施例2的其它例的示意性橫剖視圖。
[0033]圖6是實施例2的其它例的主要部分的示意性立體圖。
【具體實施方式】
[0034]基于附圖，示出本發(fā)明的作用，并簡單說明據(jù)認(rèn)為是優(yōu)選的本發(fā)明的實施方式。
[0035]利用加熱部3加熱坩禍2使蒸鍍材料I蒸發(fā)，來對基板等被蒸鍍物進行蒸鍍。
[0036]此時，坩禍2的外底面不與收納坩禍2的收納體4的內(nèi)底面接觸，且坩禍承載部5設(shè)于比蒸鍍材料I的填充面Ia高的位置，因此能夠盡可能地減小坩禍2的收納體4與蒸鍍材料I的接觸所導(dǎo)致的熱變動的影響。
[0037]S卩，在坩禍2和收納體4的接觸部處因熱傳遞而產(chǎn)生局部的熱變動，但由于以比蒸鍍材料I的填充高度高且遠(yuǎn)離蒸鍍材料I的位置支承坩禍2，所以能夠盡可能減小該熱變動對蒸鍍材料I的蒸發(fā)量造成的影響。
[0038]因此，本發(fā)明能夠利用加熱部3使坩禍2的溫度分布均勻從而使填充在坩禍2中的蒸鍍材料I的溫度分布均勻，實現(xiàn)蒸鍍材料蒸發(fā)量的穩(wěn)定化。
[0039]并且，例如，在沿長度方向設(shè)置兩個以上的供蒸鍍材料I通過的開口部7的線形蒸發(fā)源(即所謂的線性源(line source))的情況下，蒸鍍材料I的蒸發(fā)量變得均勻且與坩禍2內(nèi)的位置無關(guān)，因此能夠以均勻的膜厚分布形成膜。
[0040]并且，坩禍承載部5和坩禍支承部6位于比開口低的位置，因此能夠避免來自蒸鍍材料I的污染。
[0041]實施例1
[0042]基于圖1、2對本發(fā)明的具體實施例1進行說明。
[0043]實施例1為一種蒸發(fā)源，其由如下部分構(gòu)成:坩禍2，其可填充蒸鍍材料I ;加熱部3，其被設(shè)成包圍該坩禍2 ;和收納體4，其收納并配置所述坩禍2和所述加熱部3，該蒸發(fā)源的構(gòu)成為，在所述坩禍2的外側(cè)面上比所述蒸鍍材料I的填充面Ia高且比坩禍2的開口位置低的位置設(shè)置坩禍承載部5，利用設(shè)于所述收納體4的內(nèi)側(cè)的坩禍支承部6支承所述坩禍承載部5，能夠?qū)⑺鲔岬?在所述坩禍2的外底面與所述收納體4的內(nèi)底面分開的狀態(tài)下收納并配置于所述收納體4內(nèi)。
[0044]具體地，如圖1、2所示，實施例1是具有筒狀的坩禍2的蒸發(fā)源，在具備排氣機構(gòu)的真空槽內(nèi)，設(shè)成與基板等被蒸鍍物對置的狀態(tài)。
[0045]具體對各部分進行說明。
[0046]坩禍2為鈦制，在其上端面設(shè)有圓形的開口部7。另外，不限于鈦，也可以使用鉭、鉬或鎢等其它材料。
[0047]并且，實施例1的坩禍2以將上下分割開的分割體2a、2b抵接連結(jié)的方式構(gòu)成。具體地，在分割體2a、2b上分別設(shè)置外螺紋部和內(nèi)螺紋部，并使它們螺合連結(jié)。從而，在要將蒸鍍材料I填充到坩禍2時，使分割體2a、2b分離，可以在不經(jīng)由開口部7的條件下向坩禍2的底部直接填充蒸鍍材料I。
[0048]另外，蒸鍍材料I一般是粉狀體或粒狀體，在實施例1中，將向坩禍2填充該蒸鍍材料I時的露出面(上端面)作為填充面la。
[0049]收納體4是不銹鋼制的在上部有開口的筒狀體，在內(nèi)側(cè)面突出設(shè)置有坩禍支承部
6。另外，不限于不銹鋼制，也可以是鋁制。
[0050]坩禍支承部6是方棒