一種線路板開孔金屬化的連續(xù)鍍膜設(shè)備及其方法
【專利摘要】本發(fā)明涉及一種線路板開孔金屬化的連續(xù)鍍膜設(shè)備，包括依次連接的進(jìn)片室、前過渡室、前緩沖室、鍍膜室、后緩沖室、后過渡室、出片室；進(jìn)片室的入口處設(shè)有真空鎖，進(jìn)片室和前過渡室之間設(shè)有真空鎖，前過渡室和前緩沖室之間設(shè)有真空鎖，后緩沖室和后過渡室之間設(shè)有真空鎖，后過渡室和出片室之間設(shè)有真空鎖，出片室的出口處設(shè)有真空鎖；連通的前緩沖室、鍍膜室、后緩沖室形成相通的真空室；鍍膜室內(nèi)設(shè)有鍍膜源。所述進(jìn)片室的入口端設(shè)有進(jìn)料架，出片室的出口端設(shè)有出料架。本發(fā)明還涉及一種線路板開孔金屬化的連續(xù)鍍膜方法，本發(fā)明能采用環(huán)保的方式對線路板的開孔進(jìn)行金屬化的處理，屬于線路板開孔的金屬化處理的技術(shù)領(lǐng)域。
【專利說明】
一種線路板開孔金屬化的連續(xù)鍍膜設(shè)備及其方法
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本發(fā)明涉及線路板開孔的金屬化處理的技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種線路板開孔金屬化的連續(xù)鍍膜設(shè)備及其方法。
【背景技術(shù)】
[0002]現(xiàn)有的線路板，在設(shè)計線路定型后，線路板上下表面需連通位置或者安裝電子元件時，需在線路板上設(shè)置貫通的開孔，再將此線路板開孔進(jìn)行金屬化處理?，F(xiàn)行的開孔金屬化處理方式基本上都是采用化學(xué)鍍或者水電鍍的方法。但是因為化學(xué)鍍或者水電鍍的制作過程不環(huán)保，甚至還會產(chǎn)生廢水、廢渣或污染、腐蝕性氣體。因此采用環(huán)保式干法處理是一個必由趨勢。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]針對現(xiàn)有技術(shù)中存在的技術(shù)問題，本發(fā)明的目的是:提供一種線路板開孔金屬化的連續(xù)鍍膜設(shè)備，能采用環(huán)保的方式對線路板的開孔進(jìn)行金屬化的處理；
[0004]本發(fā)明的另一目的在于提供一種線路板開孔金屬化的連續(xù)鍍膜方法，能采用環(huán)保的方式對線路板的開孔進(jìn)行金屬化的處理，且獲得高質(zhì)量的產(chǎn)品。
[0005]為了達(dá)到上述目的，本發(fā)明采用如下技術(shù)方案:
[0006]—種線路板開孔金屬化的連續(xù)鍍膜設(shè)備，包括依次連接的進(jìn)片室、前過渡室、前緩沖室、鍍膜室、后緩沖室、后過渡室、出片室;進(jìn)片室的入口處設(shè)有真空鎖，進(jìn)片室和前過渡室之間設(shè)有真空鎖，前過渡室和前緩沖室之間設(shè)有真空鎖，后緩沖室和后過渡室之間設(shè)有真空鎖，后過渡室和出片室之間設(shè)有真空鎖，出片室的出口處設(shè)有真空鎖;連通的前緩沖室、鍍膜室、后緩沖室形成相通的真空室;鍍膜室內(nèi)設(shè)有鍍膜源。線路板依次經(jīng)過各個真空室，即可實現(xiàn)線路板開孔的金屬化處理。
[0007]進(jìn)一步的是:所述進(jìn)片室的入口端設(shè)有進(jìn)料架，出片室的出口端設(shè)有出料架。
[0008]進(jìn)一步的是:所述的鍍膜源為磁控濺射陰極或電弧離子陰極。
[0009]進(jìn)一步的是:所述的進(jìn)片室、前過渡室、前緩沖室、鍍膜室、后緩沖室、后過渡室、出片室均設(shè)置有抽真空機(jī)組。抽真空機(jī)組用于保證各個真空室內(nèi)處于真空環(huán)境。
[0010]進(jìn)一步的是:所述的鍍膜室內(nèi)充入惰性氣體。
[0011]進(jìn)一步的是:所述進(jìn)片室和出片室的工作壓力的范圍為O?lOOPa，前過渡室和后過渡室的工作壓力<10—1Pa,所述線路板在鍍膜室的移動速度的范圍為0.05?5m/min。
[0012]進(jìn)一步的是:所述的進(jìn)片室或者前過渡室設(shè)有等離子清洗裝置。
[0013]進(jìn)一步的是:所述鍍膜室的下部設(shè)有傳動輥，線路板通過托盤放置在傳動輥上。
[0014]—種線路板開孔金屬化的連續(xù)鍍膜方法，包括以下步驟:
[0015](I)將線路板放置在托盤上，線路板隨托盤從進(jìn)料架進(jìn)入進(jìn)片室，對進(jìn)片室進(jìn)行初步抽真空處理，線路板再進(jìn)入前過渡室，對前過渡室進(jìn)行進(jìn)一步的抽真空處理；
[0016](2)然后將線路板送入前緩沖室，線路板在前緩沖室停留設(shè)定的時間后，再將線路板送入鍍膜室，線路板隨托盤在鍍膜室內(nèi)運(yùn)動，鍍膜室內(nèi)的鍍膜源對線路板進(jìn)行鍍膜；
[0017](3)完成鍍膜后，將線路板送入后緩沖室，線路板在后緩沖室停留設(shè)定的時間后，再將線路板送入后過渡室，然后由后過渡室進(jìn)入出片室，最終從出片室輸送到出料架。
[0018]進(jìn)一步的是:所述的步驟(2)中，在對線路板進(jìn)行鍍膜時，向鍍膜室充入惰性氣體，線路板在鍍膜室的移動速度的范圍為0.05?5m/min。
[0019]總的說來，本發(fā)明具有如下優(yōu)點:
[0020]1.本發(fā)明中線路板開孔的金屬化處理，是在真空環(huán)境下完成的，沒有任何污染液體和氣體，而且真空過程中也無廢氣排放入空氣中，實現(xiàn)了環(huán)保無污染，提升了產(chǎn)品市場的競爭力。
[0021]2.本發(fā)明采用磁控濺射陰極或電弧離子陰極的鍍膜方法，可以獲得線路板開孔處的金屬層，開孔處的金屬層厚度能保持一致，提高了產(chǎn)品的質(zhì)量。
[0022]3.采用磁控濺射陰極或電弧離子陰極的鍍膜方法可以獲得致密和高純度的膜層，確保了產(chǎn)品的質(zhì)量。
【附圖說明】
[0023]圖1是本發(fā)明的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0024]圖2是傳動輥、托盤、線路板和鍍膜源處的結(jié)構(gòu)原理圖。
[0025]其中，I為進(jìn)料架，2為真空鎖，3為進(jìn)片室，4為抽真空機(jī)組，5為前過渡室，6為前緩沖室，7為鍍膜室，8為后緩沖室，9為后過渡室，10為出片室，11為出料架，12為鍍膜源，13為線路板，14為托盤，15為傳動輥。
【具體實施方式】
[0026]下面將結(jié)合附圖和【具體實施方式】來對本發(fā)明做進(jìn)一步詳細(xì)的說明。
[0027 ]為敘述方便，下文所說的左右方向與圖1本身的左右方向一致。
[0028]結(jié)合圖1所示，一種線路板開孔金屬化的連續(xù)鍍膜設(shè)備，包括依次連接的進(jìn)片室、前過渡室、前緩沖室、鍍膜室、后緩沖室、后過渡室、出片室;進(jìn)片室的入口處(即進(jìn)片室的左端)設(shè)有真空鎖，進(jìn)片室和前過渡室之間設(shè)有真空鎖，前過渡室和前緩沖室之間設(shè)有真空鎖，后緩沖室和后過渡室之間設(shè)有真空鎖，后過渡室和出片室之間設(shè)有真空鎖，出片室的出口處(即出片室的右端)設(shè)有真空鎖;連通的前緩沖室、鍍膜室、后緩沖室形成相通的真空室，即前緩沖室、鍍膜室、后緩沖室之間是相通的;鍍膜室內(nèi)設(shè)有鍍膜源。進(jìn)片室是線路板進(jìn)入鍍膜設(shè)備的第一個室，在進(jìn)片室或者前過渡室可以設(shè)置等離子清洗裝置，對線路板進(jìn)行離子處理，保障鍍膜的結(jié)合力。前緩沖室、鍍膜室和后緩沖室是連通的，在這個區(qū)域完成膜層的沉積。后過渡室為了實現(xiàn)真空隔離，即將后緩沖室和出片室隔離開來，保障鍍膜品質(zhì)和提高工作效率。出片室則實現(xiàn)將加工完成的產(chǎn)品輸送出來。
[0029]所述進(jìn)片室的入口端設(shè)有進(jìn)料架，進(jìn)料架設(shè)置在進(jìn)片室的左邊，出片室的出口端設(shè)有出料架，出料架設(shè)置在出片室的右邊。
[0030]所述的鍍膜源為磁控濺射陰極或電弧離子陰極。
[0031]所述的進(jìn)片室、前過渡室、前緩沖室、鍍膜室、后緩沖室、后過渡室、出片室均設(shè)置有抽真空機(jī)組。抽真空機(jī)組的一種設(shè)置方式是:進(jìn)片室和出片室設(shè)有一個抽真空機(jī)組，前過渡室、前緩沖室、后緩沖室、后過渡室分別設(shè)有兩個抽真空機(jī)組，鍍膜室設(shè)有六個抽真空機(jī)組。抽真空機(jī)組的數(shù)量可根據(jù)實際需要合理設(shè)置。
[0032]所述的鍍膜室內(nèi)充入惰性氣體，該惰性氣體為氬氣。
[0033]所述進(jìn)片室和出片室的工作壓力的范圍為O?lOOPa，前過渡室和后過渡室的工作壓力 <10—1Pa13
[0034]所述線路板在鍍膜室的移動速度的范圍為0.05?5m/min。
[0035]結(jié)合圖2所示，所述鍍膜室的下部設(shè)有傳動輥，線路板通過托盤放置在傳動輥上。
[0036]使用該鍍膜設(shè)備進(jìn)行鍍膜時，方法如下:
[0037](I)將線路板放置在托盤上，線路板隨托盤一起從進(jìn)料架進(jìn)入進(jìn)片室，對進(jìn)片室進(jìn)行初步抽真空處理(即粗真空的排氣)，打開進(jìn)片室和前過渡室之間的真空鎖，線路板再進(jìn)入前過渡室，進(jìn)入前過渡室后，關(guān)閉進(jìn)片室和前過渡室之間的真空鎖，對前過渡室進(jìn)行進(jìn)一步的抽真空處理(即尚真空的排氣);
[0038](2)然后將線路板送入前緩沖室，線路板在前緩沖室停留設(shè)定的時間后(該設(shè)定的時間一般很短，只是稍作停留)，再將線路板送入鍍膜室，線路板隨托盤在鍍膜室內(nèi)運(yùn)動，鍍膜室內(nèi)的鍍膜源對線路板進(jìn)行鍍膜；
[0039](3)完成鍍膜后，將線路板送入后緩沖室，線路板在后緩沖室停留設(shè)定的時間后，再將線路板送入后過渡室，然后由后過渡室進(jìn)入出片室，最終從出片室輸送到出料架。
[0040]在線路板進(jìn)出進(jìn)片室和出片室、前過渡室和后過渡室、前緩沖室和后緩沖室，均需要打開或關(guān)閉相應(yīng)的真空鎖。在線路板進(jìn)入前緩沖室后，由于前過渡室和前緩沖室之間的真空鎖被打開，使得鍍膜室的真空環(huán)境被改變，所以需要在前緩沖室停留設(shè)定的時間，直至鍍膜室回復(fù)到適合鍍膜的真空環(huán)境。在線路板鍍膜完成后，也需要在后緩沖室停留設(shè)定的時間，等后緩沖室和后過渡室之間的真空鎖打開后，線路板再進(jìn)入后過渡室，此時向后過渡室處于高真空的狀態(tài)，線路板進(jìn)入出片室后，向出片室充氣。后過渡室和出片室是逐步接近大氣環(huán)境的過程，進(jìn)片室和前過渡室是逐步接近真空環(huán)境的過程。后過渡室可以將后緩沖室和出片室隔離開，避免出片室的雜質(zhì)氣體污染鍍膜室。
[0041]在對線路板進(jìn)行鍍膜時，向鍍膜室充入惰性氣體，線路板在鍍膜室的移動速度的范圍為0.05?5m/min。
[0042]有些線路板上設(shè)有開孔，本發(fā)明用于對線路板上開孔位置的孔洞進(jìn)行開孔的金屬化處理。線路板在鍍膜室的鍍膜過程中，向鍍膜室充入惰性氣體(本發(fā)明充入氬氣)，氬氣在一定的壓力下放電形成等離子體，再由等離子體中離子轟擊磁控濺射陰極的靶材，濺射出靶材原子或分子形成膜層，線路板經(jīng)過鍍膜源下端時被鍍上金屬薄膜，即完成線路板開孔的金屬化處理，鍍膜完成后經(jīng)過后緩沖室，進(jìn)入后過渡室，再到出片室，最后破除真空出到出料架上，線路板完成進(jìn)行包裝或進(jìn)入下一道工序。
[0043]若鍍膜室里的鍍膜源為電弧離子陰極，則電弧離子鍍膜的原理是，鍍膜室內(nèi)充入惰性氣體，在一定的工作壓強(qiáng)下，通過電弧放電產(chǎn)生等離子體，電弧離子陰極的靶材粒子在電弧的局部高溫作用下，實現(xiàn)了粒子的熱噴射，而形成膜層。
[0044]因為線路板在該鍍膜設(shè)備上經(jīng)過各個真空室時，由于內(nèi)部是真空環(huán)境，是環(huán)保無污染的，在磁控濺射區(qū)域(即鍍膜室內(nèi))鍍膜時，磁控濺射陰極在工作過程只需充入惰性氣體，無需任何化學(xué)藥劑等，而且整個過程都在干燥、潔凈的空間內(nèi)完成，所以此方法是干式鍍膜法，從而實現(xiàn)了線路板開孔金屬化的環(huán)保型干式鍍膜。
[0045]上述實施例為本發(fā)明較佳的實施方式，但本發(fā)明的實施方式并不受上述實施例的限制，其他的任何未背離本發(fā)明的精神實質(zhì)與原理下所作的改變、修飾、替代、組合、簡化，均應(yīng)為等效的置換方式，都包含在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。
【主權(quán)項】
1.一種線路板開孔金屬化的連續(xù)鍍膜設(shè)備，其特征在于:包括依次連接的進(jìn)片室、前過渡室、前緩沖室、鍍膜室、后緩沖室、后過渡室、出片室;進(jìn)片室的入口處設(shè)有真空鎖，進(jìn)片室和前過渡室之間設(shè)有真空鎖，前過渡室和前緩沖室之間設(shè)有真空鎖，后緩沖室和后過渡室之間設(shè)有真空鎖，后過渡室和出片室之間設(shè)有真空鎖，出片室的出口處設(shè)有真空鎖;連通的前緩沖室、鍍膜室、后緩沖室形成相通的真空室;鍍膜室內(nèi)設(shè)有鍍膜源。2.按照權(quán)利要求1所述的一種線路板開孔金屬化的連續(xù)鍍膜設(shè)備，其特征在于:所述進(jìn)片室的入口端設(shè)有進(jìn)料架，出片室的出口端設(shè)有出料架。3.按照權(quán)利要求1所述的一種線路板開孔金屬化的連續(xù)鍍膜設(shè)備，其特征在于:所述的鍍膜源為磁控濺射陰極或電弧離子陰極。4.按照權(quán)利要求1所述的一種線路板開孔金屬化的連續(xù)鍍膜設(shè)備，其特征在于:所述的進(jìn)片室、前過渡室、前緩沖室、鍍膜室、后緩沖室、后過渡室、出片室均設(shè)置有抽真空機(jī)組。5.按照權(quán)利要求1所述的一種線路板開孔金屬化的連續(xù)鍍膜設(shè)備，其特征在于:所述的鍍膜室內(nèi)充入惰性氣體。6.按照權(quán)利要求1所述的一種線路板開孔金屬化的連續(xù)鍍膜設(shè)備，其特征在于:所述進(jìn)片室和出片室的工作壓力的范圍為O?lOOPa，前過渡室和后過渡室的工作壓力<10—1Pa,所述線路板在鍍膜室的移動速度的范圍為0.05?5m/min。7.按照權(quán)利要求1所述的一種線路板開孔金屬化的連續(xù)鍍膜設(shè)備，其特征在于:所述的進(jìn)片室或者前過渡室設(shè)有等離子清洗裝置。8.按照權(quán)利要求1所述的一種線路板開孔金屬化的連續(xù)鍍膜設(shè)備，其特征在于:所述鍍膜室的下部設(shè)有傳動輥，線路板通過托盤放置在傳動輥上。9.按照權(quán)利要求1?8任一項所述鍍膜設(shè)備實現(xiàn)的鍍膜方法，其特征在于:包括以下步驟: (1)將線路板放置在托盤上，線路板隨托盤從進(jìn)料架進(jìn)入進(jìn)片室，對進(jìn)片室進(jìn)行初步抽真空處理，線路板再進(jìn)入前過渡室，對前過渡室進(jìn)行進(jìn)一步的抽真空處理； (2)然后將線路板送入前緩沖室，線路板在前緩沖室停留設(shè)定的時間后，再將線路板送入鍍膜室，線路板隨托盤在鍍膜室內(nèi)運(yùn)動，鍍膜室內(nèi)的鍍膜源對線路板進(jìn)行鍍膜； (3)完成鍍膜后，將線路板送入后緩沖室，線路板在后緩沖室停留設(shè)定的時間后，再將線路板送入后過渡室，然后由后過渡室進(jìn)入出片室，最終從出片室輸送到出料架。10.按照權(quán)利要求9所述的鍍膜方法，其特征在于:所述的步驟(2)中，在對線路板進(jìn)行鍍膜時，向鍍膜室充入惰性氣體，線路板在鍍膜室的移動速度的范圍為0.05?5m/min。
【文檔編號】C23C14/35GK106011751SQ201610504225
【公開日】2016年10月12日
【申請日】2016年6月28日
【發(fā)明人】朱文廓, 朱剛勁, 朱剛毅
【申請人】廣東騰勝真空技術(shù)工程有限公司