一種薄膜性能測(cè)試中的制片的方法
【專利摘要】本發(fā)明實(shí)施例公開了一種薄膜性能測(cè)試中的制片的方法。該方法包括：在襯底基板的表面上固定至少一組面積小于所述襯底基板且各自獨(dú)立的基片；將固定有所述基片的所述襯底基板置于鍍膜區(qū)域；按照預(yù)設(shè)的鍍膜工藝參數(shù)進(jìn)行鍍膜；從所述襯底基板上取下鍍膜后的各所述基片以便進(jìn)行薄膜性能測(cè)試。該方案中，是將面積小于襯底基板且各自獨(dú)立的基片固定在襯底基板上，然后進(jìn)行鍍膜，無需對(duì)一整塊基板進(jìn)行鍍膜，因而該塊基板的基片的數(shù)量可供進(jìn)行多次鍍膜，以進(jìn)行薄膜測(cè)試，提高了對(duì)基板的利用率。
【專利說明】
-種薄膜性能測(cè)試中的制片的方法
技術(shù)領(lǐng)域
[0001] 本發(fā)明設(shè)及鍛膜技術(shù)領(lǐng)域，尤其設(shè)及一種薄膜性能測(cè)試中的制片的方法。
【背景技術(shù)】
[0002] 物理氣相沉積(Physical化por D邱osition，PVD)鍛膜工藝，與溶膠-凝膠法W及 化學(xué)氣相沉積(化6111；[。曰1￥曰90'0邱03；[1:;[0]1，00))相比，具有優(yōu)異的可控性^及長(zhǎng)時(shí)間的 工藝穩(wěn)定性，與脈沖激光沉積(Pulsed Laser D邱osition，PLD)等相比，在大面積連續(xù)鍛膜 的領(lǐng)域具有很大的優(yōu)勢(shì)。
[0003] 然而在鍛膜過程中，也存在很多對(duì)薄膜性能影響的因素，例如儀器設(shè)備的穩(wěn)定狀 況，各種工藝參數(shù):鍛膜腔體的真空度、薄膜的沉積速率、基片溫度、退火過程，等等。因而， 需要測(cè)試各種薄膜性能參數(shù)，如果存在不良問題，需要通過改進(jìn)工藝參數(shù)，W滿足產(chǎn)品的實(shí) 際需求。
[0004] 現(xiàn)有的薄膜性能的測(cè)試的制片的方式中，在大玻璃基板上進(jìn)行鍛膜，然后對(duì)其進(jìn) 行裂片。該方式中，對(duì)基板的利用率不高。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005] 本發(fā)明實(shí)施例的目的是提供一種薄膜性能測(cè)試中的制片的方法，用于解決現(xiàn)有技 術(shù)中的制片的方式中對(duì)基板的利用率不高的問題。
[0006] 本發(fā)明實(shí)施例的目的是通過W下技術(shù)方案實(shí)現(xiàn)的：
[0007] -種薄膜性能測(cè)試中的制片的方法，應(yīng)用于物理氣相沉積PVD鍛膜工藝中，該方法 包括：
[000引在襯底基板的表面上固定至少一組面積小于所述襯底基板且各自獨(dú)立的基片；
[0009] 將固定有所述基片的所述襯底基板置于鍛膜區(qū)域；
[0010] 按照預(yù)設(shè)的鍛膜工藝參數(shù)進(jìn)行鍛膜；
[0011] 從所述襯底基板上取下鍛膜后的各所述基片W便進(jìn)行薄膜性能測(cè)試。
[0012] 較佳地，所述襯底基板上預(yù)設(shè)有與所述鍛膜區(qū)域?qū)?yīng)的多個(gè)區(qū)域；
[0013] 在襯底基板的表面上固定至少一組面積小于所述襯底基板且各自獨(dú)立的基片，包 括：
[0014] 將每組所述基片中的各所述基片，分別固定在所述襯底基板的表面上預(yù)設(shè)的、與 所述鍛膜區(qū)域?qū)?yīng)的多個(gè)區(qū)域。
[0015] 較佳地，待測(cè)試的薄膜性能參數(shù)包括膜厚及其均勻性時(shí)，在襯底基板的表面上固 定至少一組面積小于所述襯底基板且各自獨(dú)立的基片之前，該方法還包括：
[0016] 利用標(biāo)記筆在各所述基片上做十字標(biāo)記；
[0017] 按照預(yù)設(shè)的鍛膜工藝參數(shù)進(jìn)行鍛膜之后，該方法還包括:利用無水乙醇去除所述 基片上的十字標(biāo)記形成階梯W便測(cè)試膜厚。
[0018] 較佳地，在襯底基板的表面上固定至少一組面積小于所述襯底基板且各自獨(dú)立的 基片之前，該方法還包括:在所述基片上的部分區(qū)域形成前層結(jié)構(gòu)；
[0019] 在襯底基板的表面上固定至少一組面積小于所述襯底基板且各自獨(dú)立的基片，包 括：
[0020] 將部分區(qū)域形成有前層結(jié)構(gòu)的每組所述基片固定在所述襯底基板的表面上。
[0021 ]較佳地，待測(cè)試的薄膜性能參數(shù)包括薄膜在有機(jī)膜層上的特性；
[0022] 在所述基片上的部分區(qū)域形成前層結(jié)構(gòu)，包括：
[0023] 在所述基片的邊緣涂布有機(jī)膜層。
[0024] 較佳地，所述襯底基板分為N個(gè)區(qū)域;每組所述基片包括M個(gè)基片且均勻分布在各 個(gè)區(qū)域;襯底基板上的基片的總數(shù)量為M*n;每個(gè)區(qū)域的基片的數(shù)量為M*n/N;其中，n為基片 的組數(shù)。
[0025] 較佳地，所述襯底基板按照九宮格的方式分為九格;每組所述基片包括9個(gè)基片且 均勻分布在每格中；襯底基板上的基片的總數(shù)量為化;每格的基片的數(shù)量為n。
[0026] 較佳地，待測(cè)試的薄膜性能參數(shù)包括膜厚和光學(xué)透過率;所述基片的組數(shù)為一組。
[0027] 較佳地，在襯底基板的表面上固定至少一組面積小于所述襯底基板且各自獨(dú)立的 基片，包括：
[0028] 在所述襯底基板的表面上，利用膠帶固定至少一組所述基片。
[0029] 較佳地，所述膠帶為鐵氣龍膠帶。
[0030] 較佳地，在襯底基板的表面上固定至少一組面積小于所述襯底基板且各自獨(dú)立的 基片之前，該方法還包括：
[0031] 利用標(biāo)記筆在各所述基片上做編號(hào)標(biāo)記。
[0032] 較佳地，在襯底基板的表面上固定至少一組面積小于所述襯底基板且各自獨(dú)立的 基片之前，該方法還包括：
[0033] 利用無水乙醇和去離子水分別清洗所述基片并烘干。
[0034] 較佳地，所述基片的形狀為圓形、方形或菱形。
[00巧]較佳地，所述襯底基板的尺寸至少為1100mm*1350mm。
[0036] 較佳地，所述基片的面積范圍是10cm2~200cm2。
[0037] 較佳地，所述PVD工藝為磁控瓣射鍛膜工藝。
[0038] 本發(fā)明實(shí)施例的有益效果如下：
[0039] 本發(fā)明實(shí)施例中，是將面積小于襯底基板且各自獨(dú)立的基片固定在襯底基板上， 然后進(jìn)行鍛膜，無需對(duì)一整炔基板進(jìn)行鍛膜，因而該炔基板的基片的數(shù)量可供進(jìn)行多次鍛 膜，W進(jìn)行薄膜測(cè)試，提高了對(duì)基板的利用率;并且襯底基板只是用于固定基片，可W重復(fù) 利用，也提高了利用率，降低了生成成本。
【附圖說明】
[0040] 圖1為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種薄膜性能測(cè)試中的制片的方法流程圖；
[0041] 圖2為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種對(duì)基片做十字標(biāo)記和編號(hào)標(biāo)記的示意圖；
[0042] 圖3為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種基片在襯底基板上的分布示意圖；
[0043] 圖4a~圖4d為本發(fā)明實(shí)施例中對(duì)薄膜的結(jié)晶狀況的觀察結(jié)果示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0044] 下面結(jié)合附圖和實(shí)施例對(duì)本發(fā)明提供的一種薄膜性能測(cè)試中的制片的方法進(jìn)行 更詳細(xì)地說明。
[0045] 本發(fā)明實(shí)施例提供一種薄膜性能測(cè)試中的制片的方法，應(yīng)用于物理氣相沉積PVD 鍛膜工藝中，如圖1所示，該方法至少包括如下步驟：
[0046] 步驟110、在襯底基板的表面上固定至少一組面積小于襯底基板且各自獨(dú)立的基 片；
[0047] 步驟120、將固定有基片的襯底基板置于鍛膜區(qū)域；
[004引步驟130、按照預(yù)設(shè)的鍛膜工藝參數(shù)進(jìn)行鍛膜；
[0049] 步驟140、從襯底基板上取下鍛膜后的各基片W便進(jìn)行薄膜性能測(cè)試。
[0050] 本發(fā)明實(shí)施例中，是將面積小于襯底基板且各自獨(dú)立的基片固定在襯底基板上， 然后進(jìn)行鍛膜，與現(xiàn)有技術(shù)的方案相比，無需對(duì)一整炔基板進(jìn)行鍛膜，因而該炔基板的基片 的數(shù)量可供進(jìn)行多次不同的鍛膜，W進(jìn)行更多的薄膜測(cè)試，提高了對(duì)基板的利用率;并且襯 底基板只是用于固定基片，可W重復(fù)利用，也提高了利用率，降低了生成成本。
[0051] 其中，基片可W但不限于是通過預(yù)先對(duì)一整炔基板分割得到的。
[0052] 具體實(shí)施時(shí)，較佳地，襯底基板上預(yù)設(shè)有與鍛膜區(qū)域?qū)?yīng)的多個(gè)區(qū)域；上述步驟 110中，在襯底基板的表面上固定至少一組面積小于襯底基板且各自獨(dú)立的基片，具體可W 是:將每組基片中的各基片，分別固定在襯底基板的表面上預(yù)設(shè)的、與鍛膜區(qū)域?qū)?yīng)的多個(gè) 區(qū)域。本實(shí)施例中，由于在與鍛膜區(qū)域?qū)?yīng)的多個(gè)區(qū)域都固定有基片，可W測(cè)試不同的區(qū)域 的差異，兼顧了不同鍛膜區(qū)域?qū)鶆蛐缘挠绊懀ＷC了后續(xù)的薄膜性能測(cè)試結(jié)果的準(zhǔn)確性。 例如，可W測(cè)試膜厚的差異，W檢測(cè)均勻性。
[0053] 如果待測(cè)試的薄膜性能參數(shù)包括膜厚及其均勻性時(shí)，上述步驟110中，在襯底基板 的表面上固定至少一組面積小于襯底基板且各自獨(dú)立的基片之前，本發(fā)明實(shí)施例提供的制 片的方法還包括:利用標(biāo)記筆在各基片上做十字標(biāo)記;上述步驟120按照預(yù)設(shè)的鍛膜工藝參 數(shù)進(jìn)行鍛膜之后，本發(fā)明實(shí)施例提供的制片的方法還包括:利用無水乙醇去除基片上的十 字標(biāo)記形成階梯W便測(cè)試膜厚。本實(shí)施例中，在十字標(biāo)記的區(qū)域也會(huì)有鍛膜，利用無水乙醇 去除十字標(biāo)記，在十字標(biāo)記區(qū)域的鍛膜就會(huì)被去除，基片上的膜層在十字標(biāo)記區(qū)域的邊界 就會(huì)形成一個(gè)斷面，即上述階梯，利用該階梯就可W測(cè)試膜厚了。
[0054] 具體實(shí)施時(shí)，較佳地，上述步驟110在襯底基板的表面上固定至少一組面積小于襯 底基板且各自獨(dú)立的基片之前，本發(fā)明實(shí)施例提供的制片的方法還包括:在基片上的部分 區(qū)域形成前層結(jié)構(gòu);上述步驟110中，在襯底基板的表面上固定至少一組面積小于襯底基板 且各自獨(dú)立的基片，具體可W是:將部分區(qū)域形成有前層結(jié)構(gòu)的每組基片固定在襯底基板 的表面上。
[0055] 如果待測(cè)試的薄膜性能參數(shù)包括薄膜在有機(jī)膜層上的特性;在基片上的部分區(qū)域 形成前層結(jié)構(gòu)，具體可W是:在基片的邊緣涂布有機(jī)膜層。
[0056] 實(shí)施中，可W觀察膜層在涂布有機(jī)膜層的區(qū)域和沒有涂布有機(jī)膜層的區(qū)域的結(jié)晶 狀況。結(jié)晶狀況良好，說明薄膜在有機(jī)膜層上性能良好，如果結(jié)晶狀況不佳，說明薄膜在有 機(jī)膜層膜層特性較差，在后制程中膜層出現(xiàn)附著等異常。
[0057] 其中，薄膜在有機(jī)膜層上的特性包括在有機(jī)膜層上的附著性能和耐腐蝕性能。
[0058] 具體實(shí)施時(shí)，較佳地，每組基片均勻分布在襯底基板上。
[0059] 具體實(shí)施時(shí)，各基片在襯底基板上的均勻分布的方式有多種，較佳地，其中一種分 布的方式可W是:襯底基板分為N個(gè)區(qū)域;每組基片包括M個(gè)基片且均勻分布在各個(gè)區(qū)域;襯 底基板上的基片的總數(shù)量為M*n;每個(gè)區(qū)域的基片的數(shù)量為M*n/N;其中，n為基片的組數(shù)。其 中，N和M均為正整數(shù)。
[0060] 較佳地，襯底基板按照九宮格的方式分為九格;每組基片包括9個(gè)基片且均勻分布 在每格中；襯底基板上的基片的總數(shù)量為化;每格的基片的數(shù)量為n。
[0061] 具體實(shí)施時(shí)，較佳地，每組基片至少可W用于測(cè)試一組薄膜性能參數(shù)。
[0062] -般，有些薄膜性能參數(shù)測(cè)試時(shí)需要對(duì)薄膜進(jìn)行一些處理，會(huì)對(duì)其它薄膜性能參 數(shù)的測(cè)試有影響，有些不需要進(jìn)行處理，對(duì)其它薄膜性能參數(shù)的測(cè)試沒有影響，運(yùn)樣的薄膜 可W測(cè)試兩種W上的薄膜性能參數(shù)，W節(jié)省基片。例如，實(shí)施中，待測(cè)試的薄膜性能參數(shù)包 括膜厚和光學(xué)透過率;基片的組數(shù)為一組。
[0063] 上述步驟110中，在襯底基板的表面上固定至少一組面積小于襯底基板且各自獨(dú) 立的基片，其中固定基片的具體實(shí)現(xiàn)方式有多種，其中一種實(shí)現(xiàn)方式可W是:在襯底基板的 表面上，利用膠帶固定至少一組上述基片。
[0064] 由于在鍛膜的過程中，會(huì)存在室溫~250攝氏度的溫度環(huán)境，因而需要上述膠帶可 W耐高溫。較佳地，膠帶為鐵氣龍膠帶。鐵氣龍膠帶可W承受300攝氏度的高溫，不會(huì)影響固 定效果。
[0065] 實(shí)施中，在后續(xù)對(duì)基片進(jìn)行薄膜測(cè)試的過程中，如果測(cè)量到某一個(gè)基片的薄膜性 能參數(shù)不滿足需求，就需要對(duì)相應(yīng)的位置的工藝參數(shù)進(jìn)行調(diào)整，重新制片，運(yùn)種情況下，為 了方便獲得基片的位置，可W對(duì)薄膜進(jìn)行編號(hào)標(biāo)記，因而，較佳地，上述步驟110在襯底基板 的表面上固定至少一組面積小于襯底基板且各自獨(dú)立的基片之前，本發(fā)明實(shí)施例提供的方 法還包括:利用標(biāo)記筆在各基片上做編號(hào)標(biāo)記。
[0066] 基于W上任意實(shí)施例，為了去除基片上的灰塵雜質(zhì)，較佳地，上述步驟110在襯底 基板的表面上固定至少一組面積小于襯底基板且各自獨(dú)立的基片之前，本發(fā)明實(shí)施例提供 的制片的方法還包括：
[0067] 利用無水乙醇和去離子水分別清洗基片并烘干。
[0068] 其中，對(duì)基片進(jìn)行烘干的步驟可W是:將基片置于70攝氏度~100攝氏度的保溫箱 中保溫至少30min。
[0069] 較佳地，保溫箱中的溫度為80攝氏度。
[0070] 基于W上任意實(shí)施例，較佳的，基片的形狀可W但不限于為圓形、方形或菱形。
[0071] 本發(fā)明實(shí)施例的方案可W適用于大面積鍛膜中，較佳地，襯底基板的尺寸至少為 1100mm*1350mm。
[0072] 基于W上任意實(shí)施例，較佳地，基片的面積范圍是10cm2~200cm2。
[0073] 基于W上任意實(shí)施例，較佳地，PVD工藝可W但不限于為磁控瓣射鍛膜工藝。
[0074] 下面通過兩個(gè)具體的場(chǎng)景，對(duì)本發(fā)明實(shí)施例提供的一種薄膜性能測(cè)試中的制片的 方法進(jìn)行更加詳細(xì)地說明。
[0075] 本實(shí)施例中，待測(cè)試的薄膜性能為一種作為導(dǎo)電引線的薄膜的膜厚及其均勻性， 對(duì)應(yīng)的制片的方法步驟如下：
[0076] 步驟一、將9個(gè)邊長(zhǎng)為10cm的基片用無水乙醇和去離子水各清洗兩遍，然后置于80 °C保溫箱內(nèi)保溫30min，使其烘干。
[0077] 該步驟中，使用的基片為菱形的玻璃基片，是預(yù)先對(duì)一個(gè)尺寸為1850mm*1500mm的 整塊的玻璃基板分割得到的，由于本實(shí)施例中只是測(cè)試膜厚，因而只利用該玻璃基板分割 的部分?jǐn)?shù)量的基片即可，剩余的基片可W供其它的薄膜性能測(cè)試中制片時(shí)使用。
[0078] 步驟二、如圖2所示，用標(biāo)記筆在每個(gè)基片01表面做十字標(biāo)記02,并對(duì)每個(gè)基片做 編號(hào)標(biāo)記03。
[0079] 其中的編號(hào)標(biāo)記可W是1、2、3……，運(yùn)樣的數(shù)字標(biāo)記。
[0080] 步驟S、如圖3所示，利用鐵氣龍高溫膠帶04將干燥潔凈的9個(gè)基片01固定在襯底 基板05表面，使其在襯底基板上按照九宮格的方式均勻分布。
[0081] 該步驟中的襯底基板為玻璃基板，該玻璃基板僅是對(duì)各個(gè)基片起到承載的作用， 可W重復(fù)多次使用。該玻璃基板的尺寸為1850mm*1500mm。
[0082] 步驟四、按預(yù)設(shè)的磁控瓣射鍛膜工藝參數(shù)進(jìn)行鍛膜。
[0083] 該步驟中，具體的：
[0084] 磁控瓣射鍛膜儀先預(yù)打祀化，基板溫度為30°C，祀材轉(zhuǎn)速為lOr/min，玻璃基板的 移動(dòng)速率為1.7m/min。
[0085] 在鍛膜過程共有六只祀材，分別是：用于形成黑化層的鋼妮(MoNb)祀、用于形成底 層鋼的MoNb祀、用于形成S層侶的侶(A1)祀-A1祀-A1祀、用于形成頂層鋼的MoNb祀;六只祀 材對(duì)應(yīng)的功率范圍分別為1~50kW、l~20kW、l~50kW、l~50kW、l~50kW、l~40kW;
[0086] 其中，形成黑化層時(shí)，設(shè)備腔體內(nèi)氣(Ar)的流量為100-500sccm、氧(02)的流量為 100-500sccm。其中，設(shè)備腔體內(nèi)有主氧管道，在腔體內(nèi)上部區(qū)域、中部區(qū)域和下部區(qū)域的流 量范圍相同，均為80sccm-400sccm;腔體內(nèi)的上部區(qū)域、中部區(qū)域和下部區(qū)域還分別設(shè)置有 可調(diào)的氧管道，對(duì)應(yīng)的流量范圍分別為：l〇sccm-100sccm、80sccm-400sccm、lOsccm- lOOsccm。形成其他膜層時(shí)，Ar的流量范圍為100-500sccm;
[0087] 其中，黑化層、底層鋼、=層侶、頂層鋼各鍛膜一次，達(dá)到膜層測(cè)試需求。
[0088] 步驟五、鍛膜完成后，從玻璃基板上取下各基片。
[0089] 步驟六、將各基片上的十字標(biāo)記用沾有無水乙醇的無塵布將其擦去。
[0090] W上就完成了制片的過程，然后用臺(tái)階儀(a-step)測(cè)每個(gè)基片的膜厚，膜厚測(cè)試 結(jié)果如下表。
[0091] 表1膜厚測(cè)試結(jié)果
[0092]
[0093] 根據(jù)W上測(cè)試結(jié)果體現(xiàn)的膜厚及其均勻性程度，判斷磁控瓣射鍛膜工藝參數(shù)是否 滿足需求，如果不滿足需求，可W進(jìn)行相應(yīng)的調(diào)整。
[0094] 本實(shí)施例中，待測(cè)試的薄膜性能為一種作為導(dǎo)電引線的薄膜在有機(jī)膜層上的附著 性能和耐腐蝕性能，對(duì)應(yīng)的制片的方法步驟如下：
[00M] 步驟一、在1個(gè)邊長(zhǎng)為10cm的基片的四周涂布有機(jī)膜層黑矩陣(BlackMatrix，BM)。
[0096] 步驟二、將基片用無水乙醇和去離子水各清洗兩遍，然后置于80°C保溫箱內(nèi)保溫 30min，使其烘干。
[0097] 該步驟中，使用的基片為菱形的玻璃基片，是預(yù)先對(duì)一個(gè)尺寸為1850mm*1500mm的 整塊的玻璃基板分割得到的，由于本實(shí)施例中只是測(cè)試膜厚，因而只利用該玻璃基板分割 的部分?jǐn)?shù)量的基片即可，剩余的基片可W供其它的薄膜性能測(cè)試中制片時(shí)使用。
[0098] 步驟=、如圖3所示，將干燥潔凈的1個(gè)基片用鐵氣龍高溫膠帶固定在襯底基板表 面上的中部區(qū)域。
[0099] 該步驟中的襯底基板為玻璃基板，該玻璃基板僅是對(duì)各個(gè)基片起到承載的作用， 可W重復(fù)多次使用。該玻璃基板的尺寸為1850mm*1500mm。
[0100] 步驟四、按預(yù)設(shè)的磁控瓣射鍛膜工藝參數(shù)進(jìn)行鍛膜。
[0101] 該步驟中，具體的：
[0102] 磁控瓣射鍛膜儀先預(yù)打祀0 .化，基板溫度為30°C，祀材轉(zhuǎn)速為lOr/min，玻璃基板 的移動(dòng)速率為1.7m/min。
[0103] 在鍛膜過程共有六只祀材，分別是：用于形成黑化層的鋼妮(MoNb)祀、用于形成底 層鋼的MoNb祀、用于形成S層侶的侶(A1)祀-A1祀-A1祀、用于形成頂層鋼的MoNb祀;六只祀 材對(duì)應(yīng)的功率范圍分別為1~50kW、l~20kW、l~50kW、l~50kW、l~50kW、l~40kW;
[0104] 其中，形成黑化層時(shí)，設(shè)備腔體內(nèi)氣(Ar)的流量為100-500sccm、氧(02)的流量為 100-500sccm。其中，設(shè)備腔體內(nèi)有主氧管道，在腔體內(nèi)上部區(qū)域、中部區(qū)域和下部區(qū)域的流 量范圍相同，均為80sccm-400sccm;腔體內(nèi)的上部區(qū)域、中部區(qū)域和下部區(qū)域還分別設(shè)置有 可調(diào)的氧管道，對(duì)應(yīng)的流量范圍分別為：l〇sccm-100sccm、80sccm-400sccm、lOsccm- lOOsccm。形成其他膜層時(shí)，Ar的流量范圍為100-500sccm;
[0105] 其中，黑化層、底層鋼、=層侶、頂層鋼各鍛膜一次。
[0106] 步驟五、鍛膜完成后，從玻璃基板上取下基片。
[0107] W上就完成了制片的過程，然后用掃描電子顯微鏡（S C a n n i n g ElectronMicroscopy，SEM)對(duì)涂布有機(jī)膜層BM區(qū)域W及沒有涂布有機(jī)膜層BM區(qū)域的膜層表 面及其斷面的形貌進(jìn)行觀察，結(jié)果如圖4a~圖4d:圖4a為涂布有機(jī)膜層BM區(qū)域膜層的表面 形貌，圖4b為沒有涂布有機(jī)膜層BM區(qū)域膜層的表面形貌，對(duì)比分析可W得出圖4a BM上金屬 晶體顆粒較大，而圖4b上結(jié)晶顆粒較小，晶粒間縫隙較大，此時(shí)膜層的附著性能和耐腐蝕性 能會(huì)變差，改善方法為通過改變基底表面粗糖度，提高金屬膜層的附著性能和耐腐蝕性能； 圖4c為涂布有機(jī)膜層BM區(qū)域膜層的斷面形貌，圖4d為沒有涂布有機(jī)膜層BM區(qū)域膜層的斷面 形貌，通過對(duì)比分析也可W得出圖4c晶粒好于圖4d，膜層的附著性能和耐腐蝕性能較好。
[0108] 顯然，本領(lǐng)域的技術(shù)人員可W對(duì)本發(fā)明進(jìn)行各種改動(dòng)和變型而不脫離本發(fā)明的精 神和范圍。運(yùn)樣，倘若本發(fā)明的運(yùn)些修改和變型屬于本發(fā)明權(quán)利要求及其等同技術(shù)的范圍 之內(nèi)，則本發(fā)明也意圖包含運(yùn)些改動(dòng)和變型在內(nèi)。
【主權(quán)項(xiàng)】
1. 一種薄膜性能測(cè)試中的制片的方法，應(yīng)用于物理氣相沉積PVD鍍膜工藝中，其特征在 于，該方法包括： 在襯底基板的表面上固定至少一組面積小于所述襯底基板且各自獨(dú)立的基片； 將固定有所述基片的所述襯底基板置于鍍膜區(qū)域； 按照預(yù)設(shè)的鍍膜工藝參數(shù)進(jìn)行鍍膜； 從所述襯底基板上取下鍍膜后的各所述基片以便進(jìn)行薄膜性能測(cè)試。2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述襯底基板上預(yù)設(shè)有與所述鍍膜區(qū)域?qū)?應(yīng)的多個(gè)區(qū)域； 在襯底基板的表面上固定至少一組面積小于所述襯底基板且各自獨(dú)立的基片，包括： 將每組所述基片中的各所述基片，分別固定在所述襯底基板的表面上預(yù)設(shè)的、與所述 鍍膜區(qū)域?qū)?yīng)的多個(gè)區(qū)域。3. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，待測(cè)試的薄膜性能參數(shù)包括膜厚及其均勻 性時(shí)，在襯底基板的表面上固定至少一組面積小于所述襯底基板且各自獨(dú)立的基片之前， 該方法還包括： 利用標(biāo)記筆在各所述基片上做十字標(biāo)記； 按照預(yù)設(shè)的鍍膜工藝參數(shù)進(jìn)行鍍膜之后，該方法還包括:利用無水乙醇去除所述基片 上的十字標(biāo)記形成階梯以便測(cè)試膜厚。4. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，在襯底基板的表面上固定至少一組面積小 于所述襯底基板且各自獨(dú)立的基片之前，該方法還包括:在所述基片上的部分區(qū)域形成前 層結(jié)構(gòu)； 在襯底基板的表面上固定至少一組面積小于所述襯底基板且各自獨(dú)立的基片，包括： 將部分區(qū)域形成有前層結(jié)構(gòu)的每組所述基片固定在所述襯底基板的表面上。5. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，待測(cè)試的薄膜性能參數(shù)包括薄膜在有機(jī)膜 層上的特性； 在所述基片上的部分區(qū)域形成前層結(jié)構(gòu)，包括： 在所述基片的邊緣涂布有機(jī)膜層。6. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述襯底基板分為N個(gè)區(qū)域;每組所述基片 包括Μ個(gè)基片且均勻分布在各個(gè)區(qū)域;襯底基板上的基片的總數(shù)量為M*n;每個(gè)區(qū)域的基片 的數(shù)量為M*n/N;其中，η為基片的組數(shù)。7. 根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其特征在于，所述襯底基板按照九宮格的方式分為九 格;每組所述基片包括9個(gè)基片且均勻分布在每格中；襯底基板上的基片的總數(shù)量為9η;每 格的基片的數(shù)量為η。8. 根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其特征在于，待測(cè)試的薄膜性能參數(shù)包括膜厚和光學(xué)透 過率;所述基片的組數(shù)為一組。9. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，在襯底基板的表面上固定至少一組面積小 于所述襯底基板且各自獨(dú)立的基片，包括： 在所述襯底基板的表面上，利用膠帶固定至少一組所述基片。10. 根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其特征在于，所述膠帶為鐵氟龍膠帶。11. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，在襯底基板的表面上固定至少一組面積 小于所述襯底基板且各自獨(dú)立的基片之前，該方法還包括： 利用標(biāo)記筆在各所述基片上做編號(hào)標(biāo)記。12. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，在襯底基板的表面上固定至少一組面積 小于所述襯底基板且各自獨(dú)立的基片之前，該方法還包括： 利用無水乙醇和去離子水分別清洗所述基片并烘干。13. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述基片的形狀為圓形、方形或菱形。14. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述襯底基板的尺寸至少為1100mm* 1350mm〇15. 根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，其特征在于，所述基片的面積范圍是10cm2~200cm2。16. 根據(jù)權(quán)利要求1~15任一項(xiàng)所述的方法，其特征在于，所述PVD工藝為磁控濺射鍍膜 工藝。
【文檔編號(hào)】C23C14/54GK106048553SQ201610666186
【公開日】2016年10月26日
【申請(qǐng)日】2016年8月12日 公開號(hào)201610666186.3, CN 106048553 A, CN 106048553A, CN 201610666186, CN-A-106048553, CN106048553 A, CN106048553A, CN201610666186, CN201610666186.3
【發(fā)明人】申昌軍, 田興奎, 鄭董文, 劉大剛, 楊文娟
【申請(qǐng)人】京東方科技集團(tuán)股份有限公司, 合肥鑫晟光電科技有限公司