專利名稱：：硅噴動流化床的制作方法
技術領域：
：本發(fā)明涉及含硅氣體在流化床中高溫分解以生產(chǎn)多晶硅。
背景技術：
：多晶硅對于半導體和光電工業(yè)兩種工業(yè)都是關鍵原料。盡管對于具體應用具有替換物，但是，在可預見的未來多晶硅將是優(yōu)選的原料。因此，改進生產(chǎn)多晶硅的可利用性和經(jīng)濟性將增加這兩種工業(yè)的成長機會。大多數(shù)多晶硅是通過Siemens熱絲方法用硅垸或三氯硅烷作為含硅氣源生產(chǎn)。通?；旌显谄渌栊曰蚍磻獨怏w中的含硅氣體高溫分解并沉積到加熱的硅細絲上。需要仔細地控制細絲溫度以均勻地沉積多晶硅，并且因此生產(chǎn)光滑的多晶硅棒。Siemens過程每生產(chǎn)lkg多晶硅需要大量的能量，然后需要大量的手工努力以將多晶硅棒轉化成晶體生長需要的較小塊。由于質(zhì)量熱量傳遞優(yōu)異、用于沉積的表面增加和生產(chǎn)連續(xù)，所以許多人認為含硅氣體在流化床中高溫分解是生產(chǎn)用于光電和半導體工業(yè)的多晶硅的有吸引力的替換方案。與Siemens型反應器相比，流化床反應器在一部分能耗下提供相當高的生產(chǎn)率。流化床反應器可以是連續(xù)并高度自動化以顯著地降低勞動力成本。與含硅氣體的高溫分解相關的大多數(shù)現(xiàn)有流化床反應器使用傳統(tǒng)的分布板以引入流化氣體。以足夠的總流速注入流化氣體以流化硅粒子，該流化氣體通常是含硅氣體和其它氣體的組合。分布板含有大量的孔，通常水平或向下地定向。對分布板有共同的穩(wěn)壓作用使得所有流化氣體同時進入分布板孔。因為不控制孔之間的氣體分布，所以它們本質(zhì)上不穩(wěn)定。分布器設計易于硅沉積在板上和高的粉末生產(chǎn)。在一些情況中已經(jīng)用水冷分布器板降低沉積。但是，這產(chǎn)生大的散熱，該散熱顯著地降低流化床反應器的能量效率。美國專利No.5,810,934描述了一種具有用于流化氣體的單噴嘴的流化床反應器。不像通常的分布器孔，使噴嘴向上定向以促進噴動循環(huán)方式。像傳統(tǒng)流化床那樣，噴動排到上面的床中。這種系統(tǒng)這里稱為"淹沒式噴動床"。在流化床區(qū)域給接觸熱硅顆粒的硅粉末的完全轉化和"清除"提供停留時間的同時，噴動在下面區(qū)域中提供控制良好的循環(huán)。現(xiàn)有的硅噴嘴設計包括在噴動基礎中及其周圍粒子運動降低的區(qū)域。降低的運動可以使最近形成的具有非鍵合電子的硅粉末粘附到噴動腔室表面和形成不需要的硅沉積。噴嘴附近的沉積可以完全吞沒它并降低硅生產(chǎn)效率和持續(xù)時間?，F(xiàn)有的設計提及冷卻噴嘴以保持含硅氣體入口溫度低于一定的溫度以防止硅在噴嘴里沉積，但是不能解決硅在噴動腔室內(nèi)的噴嘴表面上及其周圍沉積的根本問題。這樣仍繼續(xù)需要用含硅氣體的高溫分解和硅沉積到流化的硅粒子上來高效地形成多晶硅。在附圖中圖1是具有橢圓體腔室、三個噴嘴和中心排出管的用于硅生產(chǎn)的開口構造多倍擴張的淹沒式噴動流化床反應器的示意截面正視圖。圖2A是圖1的噴動腔室的放大局部示意截面正視圖。圖2B是圖1的噴動腔室的放大局部示意截面正視圖，描繪可以發(fā)生不控制的硅沉積的區(qū)域(陰影)。圖2C是圖1的一個噴嘴的放大局部示意截面正視圖。圖3是沿圖1的線3-3獲取的放大示意截面圖。圖4A是用于具有單噴嘴和側排出管的硅生產(chǎn)用的淹沒式噴動流化床反應器的橢圓底噴動腔室的示意截面正視圖。圖4B是用于具有單個突出噴嘴和側排出管的硅生產(chǎn)用的淹沒式噴動流化床反應器的平底噴動腔室的示意截面正視圖。圖5是用于硅生產(chǎn)用的淹沒式噴動流化床反應器的具有二級孔的噴動流化床噴嘴的示意截面正視圖。圖6A是用于具有單個突出噴嘴、豎直的下二級孔、成角度的上二級孔和側排出管的硅生產(chǎn)用的淹沒式噴動流化床反應器的圓錐底噴動腔室的示意截面正視圖。圖6B是用于具有單個噴嘴、成角度的二級孔和側排出管的硅生產(chǎn)用的淹沒式噴動流化床反應器的圓錐底噴動腔室的示意截面正視圖。圖7是從淹沒式噴動流化床反應器上方看到的示意截面圖，描繪具有六個二級孔的噴動流化床噴嘴。圖8是具有多個橢圓底噴動腔室，每個具有單噴嘴、側排出管和可能的中心溢流排出管的用于硅生產(chǎn)的封閉構造多倍擴張的淹沒式噴動流化床反應器的示意截面正視圖。圖9A是沿圖8的線9-9獲得的且描繪具有四個單個的噴動腔室、每個具有至中心出口的側排出管的實施方案的簡化的示意截面圖。圖9B是沿圖8的線9-9獲得的且描繪具有六個單個的噴動腔室、每個具有至中心出口的側排出管的實施方案的簡化的示意截面圖。圖9C是沿圖8的線9-9獲得的且描繪具有十個單個的噴動腔室、每個具有至中心出口的側排出管的實施方案的放大的示意截面圖。圖io是用于具有三個獨立控制的噴嘴和三套獨立控制的二級孔的硅生產(chǎn)用的開口構造的多倍擴展的淹沒式噴動流化床反應器的流動控制系統(tǒng)的示意圖。具體實施方式這里描述了高效的技術和設備，其使用用于通過含硅氣體高溫分解并將硅沉積到由反應器里的一個或多個噴動而循環(huán)的流化硅粒子或顆粒上而形成多晶硅的淹沒式噴動床技術。多種描述的技術和設備構造提高硅生產(chǎn)效率。為了最好的結果，用來生產(chǎn)淹沒式噴動床的噴嘴應不大于平均粒徑的25倍，并且噴嘴速度被限制。這樣，單個噴嘴僅可以以給定平均尺寸的粒子給容器提供有限量的流化氣體。為了克服該限制，可以在單個較大直徑的流化床內(nèi)淹沒多個平行的噴動。該方法將單個控制良好的噴動區(qū)域的過程好處與大流化床的經(jīng)濟性組合用于優(yōu)異且經(jīng)濟的設計。具有多個噴動的系統(tǒng)這里稱為"多淹沒式噴動床"。根據(jù)容器直徑和形狀，用于生產(chǎn)硅的多淹沒式噴動床可以具有2個至io個或更多個淹沒式噴動。當由分開的氣體供應給每個單個噴動供料使得可以獨立地控制每個噴動的流量和組成時，獲得最好的結果。這是與具有其中所有孔都從中心穩(wěn)壓室接受氣體并且不控制孔之間的氣體分布的分布板的流化床反應器的顯著差別。多噴動與分布板之間的另一個顯著差別是間距。噴嘴最好間隔開足夠的距離以使噴動之間的干擾危險最小化。多個噴動床中噴嘴之間的最小距離應為約10cm，每平方米的噴嘴數(shù)目應不大于50。相反，分布板孔通常間隔近得多。用噴嘴附近的射流提高噴動設計可以解決沉積問題。射流飽和并流化噴動周圍的粒子以保持噴嘴周圍的噴動基礎表面限制在含硅氣體和硅粉末中，否則其將沉積。這保持生產(chǎn)速率和確保多晶硅粒子的長期連續(xù)生產(chǎn)。這些布置在噴嘴附近的射流這里稱為"二級射流"，表示一級流在噴嘴中。使用一個或多個淹沒式噴動和二級射流的技術這里稱為"擴展的淹沒式噴動流化床"。含有被來自多個淹沒式噴動和二級孔的向上流動的流化氣體懸浮的流化硅粒子的容器這里稱為"多擴展淹沒式噴動流化床"反應器。可以以大量組合使用二級孔的形狀、與噴動的接近、數(shù)量和定向以控制噴嘴附近的粒子和氣體循環(huán)，并且實際上排除了硅沉積在噴動腔室內(nèi)的噴嘴表面上。也可以通過將噴嘴突出到噴動腔室中因此改進噴動周圍的運動并減少含硅氣體與腔室壁之間的接觸，而減少噴動腔室沉積的可能性?？梢栽O計突出的噴嘴以在使自突起周圍的粒子運動的浸蝕最小化的同時，使硅粒子或粉末可以粘附的停滯區(qū)域最小化。可以加入二級孔以進一步減少一級噴嘴周圍沉積的危險。這樣通過使用噴嘴附近的二級射流、噴動腔室設計、噴嘴設計及其組合消除每個噴嘴上或附近的停滯區(qū)，可以達到減少或消除噴動腔室中硅沉積物的形成。為進一步減少沉積的危險，可以冷卻噴嘴。為實現(xiàn)在反應器中硅沉積在粒子上，流化氣體將包括"含硅氣體"，也就是，選自下列組的氣體，該組包括硅垸(SiH4)、二硅烷(Si2H6)、高級硅烷(SinH2n+2)、二氯硅垸(SiH2Cl2)、三氯硅垸(SiHCl3)、四氯化硅(SiCU)、二溴硅垸(SiH2Br2)、三溴硅烷(SiHBr3)、四溴化硅(SiBr4)、二碘硅垸(SiH2I2)、三碘硅烷(SiHI3)、四碘化硅(Sil4)及其混合物。流化氣體也可以包括"含鹵氣體"，例如下列組中的任意氣體，該組包括氯氣(Cl2)、氯化氫(HC1)、溴氣(Br2)、溴化氫(HBr)、碘氣(12)、碘化氫(HI)及其混合物。最后，流化氣體可以包括"惰性氣體"，例如氮氣(N2)、氫氣(H2)、氦氣(He)、氬氣(Ar)、氖氣(Ne)或它們的混合物。通過任意套噴嘴和孔傳遞到反應器中的總氣體構成流化氣體。流化氣體的傳遞量最好在使大粒子分離到用于排出的底部的同時，足以使容器中至少大部分粒子流化。并且，傳遞到噴動(多個)的含硅氣體的量應足以維持硅需要地沉積到反應器里的粒子上。來自含硅氣體的硅通過化學氣相沉積作為多晶硅沉積到床中的硅粒子上，但是也可以均相地分解以形成硅粉末，該硅粉末通過清除沉積到硅粒子上、聚集到小粒子或作為灰塵隨排出氣體排出?；瘜W氣相沉積和清除都使反應容器中的硅粒子生長。通過優(yōu)先地去除較大粒子、在反應器內(nèi)產(chǎn)生新的小粒子(種子)(自接種)、循環(huán)從去除的產(chǎn)物分離的晶種、循環(huán)壓碎一部分去除的產(chǎn)物所產(chǎn)生的晶種或它們的任意組合，將反應器內(nèi)的平均粒徑維持在需要的尺寸周圍。可以以幾種方式中的任意一種將分解熱供應給反應器，所述方式包括用壁加熱器、用例如但不局限于微波的其它能源、通過預熱含硅氣體和其它流化氣體、熱氣體加到反應器的段和用它們的組合。另一種熱源是通過至少一個二級孔注入反應性物質(zhì)以通過反應性物質(zhì)在噴動區(qū)域的放熱反應釋放的能量加熱噴動區(qū)域，從而加熱噴動中的粒子。反應器溫度應在用于正在使用的含硅氣體的分解和沉積溫度范圍中。對于用硅垸或高級硅烷作為含硅氣體的生產(chǎn)，最佳性能是在45(TC上方的溫度下。根據(jù)含硅氣體和其它生產(chǎn)要求，操作壓力可以為0.1bar10bar。圖1表示用于硅生產(chǎn)的多擴展淹沒式噴動流化床反應容器10。圖2和3表示所述容器的底部的細節(jié)。所述容器限定腔室，所述腔室從底部(氣體入口)到頂部(氣體和粉末出口)包括四個區(qū)域。最低的區(qū)域是流入流化氣體通過噴嘴IS進入的噴動腔室(I)。所示的系統(tǒng)具有在單噴動腔室中產(chǎn)生三個平行噴動12的三個噴嘴。如這里討論的，其它構造在一個或多個分開的噴動腔室的每個中可以使用一個或多個單獨控制的平行噴動。噴動腔室14由為穩(wěn)定噴動循環(huán)而成型的壁16限定，并且包括由一個或多個二級孔20圍繞的噴嘴18?？梢耘鋫湟粋€或多個產(chǎn)物出口22以通過出口管線24排出可以累積在反應器底部的較大粒子。該產(chǎn)物出口管線24可以具有通過氣體供應管線27注入的逆流氣流26以在產(chǎn)物粒子因重力流到產(chǎn)物處理時對產(chǎn)物粒子除塵。氣流26將最好由含鹵氣體、惰性氣體或它們的混合物組成?？梢允褂幂^高速率攜帶較小粒子并將它們循環(huán)回反應器中。通過噴嘴18進入的氣體用來自所述噴嘴的氣體與粒子的稀釋向上流(噴動)12和圍繞噴動并由腔室壁16限定的環(huán)形區(qū)域28中粒子的密集向下流在腔室14內(nèi)產(chǎn)生淹沒式噴動循環(huán)。在環(huán)形28中向下流的粒子被攜帶回到從噴嘴18向上移動的氣體中，這樣重新進入噴動12用于另一循環(huán)。大部分含硅氣體到硅的轉化在噴動區(qū)域14中發(fā)生，大多數(shù)在噴動12內(nèi)發(fā)生;硅沉積到粒子上或通過成核或磨損轉化成粉末。噴動腔室的上端位于過渡區(qū)域(II)的開端。每個噴動30的頂部釋放到該過渡區(qū)域(II)中。這是下面的展開噴動12和上方的展開的共同流化床區(qū)之間的區(qū)域。從相關性估計并在冷惰性試驗中證實，該過渡位于最大噴動高度附近。噴動頂部30最好位于過渡區(qū)域中。限定該區(qū)域的壁32可以是圓筒形或錐形或它們的任意組合，但是，在過渡區(qū)域內(nèi)使用某種錐形膨脹達到最好結果。錐形可以具有寬范圍的角度，從豎直(0°)到陡峭(約45')，但是通常在特定休止角附近或比其更陡峭。如果該角度太小，則膨脹效果有限，而如果該角度太淺，則粒子可以沉降并聚集在過渡壁32上。錐形膨脹增加總面積以減少氣體速率，使得大粒子因重力向下分離回到噴動腔室，其中它們可以在噴動中繼續(xù)生長并最終去除。過渡區(qū)域將氣體和粉末轉移到上方的密集流化床區(qū)域(III)并與其交換粒子。確定流化床區(qū)域(III)中的反應器壁的尺寸和形狀以在鼓泡流化床中含有珠子。特別地，流化床區(qū)域的面積設計有足以維持慢鼓泡床的表觀速率，使得在較大粒子分離向底部并通過所述過渡進入噴動床的同時，混合好大多數(shù)粒子。目的是維持密集相鼓泡流化床中的粒子，在該床中限定為鼓泡40的氣體與粒子的稀釋袋向上流動并攪動限定為乳液42的粒子與氣體的密集連續(xù)區(qū)。減小的氣體速率增加氣體停留時間以允許剩余的含硅氣體再轉化。鼓泡作用引起的有力混合產(chǎn)生氣體內(nèi)粉末與熱粒子之間的優(yōu)異接觸，使得它們可以通過清除和退火到現(xiàn)有粒子上捕獲粉末。粉末粒子也可以聚集到它們自身上以形成可以充當種子材料的小粒子。來自未轉化的含硅氣體的硅沉積進一步增強這兩種機理。噴動與流化床之間通過規(guī)則的混合也有一些粒子交換。當鼓泡40通過該床上升時，它們合并并生長。根據(jù)需要的床高度，在床區(qū)域內(nèi)可以有一個或多個另外的錐形膨脹以進一步減小上面的流化速率。應維持氣體通過噴嘴和二級孔的充分總流量以流化鼓泡流化床中噴動上方的粒子。但是，在流化床區(qū)域中可以有幾個開口44通過容器壁?？梢酝ㄟ^這些開口將另外的氣體加到流化床區(qū)域以提供熱或額外的流化或促進用于自接種的磨損。也可以使用開口循環(huán)用于種子的小粒子或聚集粉末，引入特定的儀器或可以排出粒徑分布與噴動腔室中產(chǎn)物出口22排出的不同的產(chǎn)物。如果需要，可以將內(nèi)部零件加到該區(qū)域以促進更光滑的流化和加入額外的加熱表面。鼓泡40從流化床釋放到稀釋自由空間區(qū)域(IV)中，在這里小顆?？梢耘c氣體一起排出該床(m)，但是較大粒子釋放出并落回到該床中。最終速率小于氣體速率的小粒子或粉末可以被排出的氣體攜帶出。同樣在自由空間區(qū)域有幾個開口。兩個主要開口是粒子進料口46和氣體出口48。粒子進料口最好位于飛濺區(qū)上方，并且氣體出口最好位于傳輸釋放高度上方，該高度是攜帶穩(wěn)定的高度。如在流化床區(qū)域(III)中，可以加入其它開口44例如以循環(huán)小粒子或加入儀器。噴動腔室上方的三個區(qū)域區(qū)域(II)、(III)和(IV)這里通稱為"上層區(qū)域"?？梢杂迷陬A期壓力、溫度和應力要求或其它建造約束內(nèi)可接受的任何材料建造容器IO和這里描述的其它容器。所述容器可以用具有高硅含量的材料例如高溫石英制造。備選地，容器結構可以用高溫金屬合金，例如但不局限于Incoloy⑧和1^51311(^@合金建造。內(nèi)容器壁50可以部分地用承受操作溫度和保護硅粒子不接觸結構容器壁的材料內(nèi)襯或不內(nèi)襯。這樣的內(nèi)襯可以是任何高硅的材料，例如但不局限于單晶硅和多晶硅(Si)、碳化硅(SiC)、涂覆碳化硅的石墨(C)、二氧化硅(Si02)和氮化硅(SiN)。其它非硅材料包括但不局限于碳化鎢(WC)和鉬(Mo)。該內(nèi)襯的主要目的是在容器或容器區(qū)域內(nèi)提供面對硅粒子的非污染表面，大多數(shù)在粒子密度最高的區(qū)域(I)至(III)內(nèi)。通常用例如電阻壁加熱器52加熱任何區(qū)域中的反應器的內(nèi)壁50而將熱加到反應器。其它方法也是可以的，例如但不局限于預熱進入反應器的氣體、微波加熱氣體或反應器的多個部分、輻射加熱或化學反應加熱。為在反應器內(nèi)保持加入的能量，應用絕緣體51圍繞反應器。圖2A、4A和4B表示一些噴動腔室細節(jié)。含硅氣體、含鹵氣體、惰性氣體或它們的任意混合物通過豎直噴嘴18、18a、18b以足以在噴動腔室14、14a、14b內(nèi)產(chǎn)生典型的噴動循環(huán)方式的流速進入反應器。循環(huán)方式特征在于氣體與粒子的稀釋混合物在噴動腔室14、14a、14b中自噴嘴18、18a、18b向上流動。這是噴動12、12a、12b，并且由于它是窄并延長，沒有射流的典型扇形，因此不同于流化床分布器射流。并且，噴動是連續(xù)和穩(wěn)定的，沒有分布器射流的波動特征。當淹沒式噴動到達最大高度并分散進入上方的過渡區(qū)時，它最終破壞。稀釋的噴動被沿噴動腔室的壁16、16a、16b同心、環(huán)形、密集地向下流回噴動入口18、18a、18b的粒子28、28a、28b圍繞。設定通過噴嘴18、18a、18b的氣體流速以在保持"最大噴動高度"的同時獲得在"最小噴動速度"上方的流速，使得噴動30的頂部基本不延伸過噴動腔室的末端至過渡區(qū)域(II)。最小噴動速度和最大噴動高度都從噴動床文獻中的相互關系估計并在試驗中驗證。合適設計的噴嘴提供穩(wěn)定的噴動。通常地，給噴嘴設計髙速度但有限的壓降以允許最大控制。在噴嘴排放附近具有節(jié)流56、56a、56b以盡可能多地穩(wěn)定噴動是有利的，但是不總是需要的。該節(jié)流可以如所示地為錐形縮小，但是許多其它構造也是可以的，從非節(jié)流到銳邊孔和具有加入旋轉或另外的移動以提高噴動性能的節(jié)流的復雜設計。圖5更詳細地表示噴嘴，噴嘴可以在噴嘴18周圍具有冷卻通道58。當預熱噴嘴氣體盡可能地接近沉積溫度時，該布置維持表面溫度低于硅在噴嘴18周圍沉積的溫度，而且二級射流溫度可以在該溫度上方。維持表面溫度低于硅沉積溫度避免硅沉積在噴嘴表面上。如圖4B和6A所示，噴嘴18b可以突出到噴動腔室中。這進一步阻止含硅氣體與熱噴動腔室壁之間的接觸。該突起可以是任意長度，只要噴嘴18b的尖端19b，其被限定為氣體迸入容器的點，仍在噴動腔室內(nèi)。這樣，尖端不延伸到過渡區(qū)域中。圍繞每個噴嘴的是圖2C和3中最好的描述的一個或多個二級孔20。惰性氣體、含鹵氣體或它們的混合物通過二級孔20進入以產(chǎn)生射流60,該射流60在環(huán)形區(qū)域和噴嘴附近促進并維持粒子運動，這是因為停滯可以導致硅沉積和生產(chǎn)中斷。這些二級射流60的主要應用是稀釋噴嘴18附近的區(qū)域、促進粒子循環(huán)和增強噴嘴周圍的粒子運動，使得不形成枝狀晶體形成位。當含硅氣體在臨界成核溫度上方引入到反應器和對沉積敏感時，二級射流特別有用。與停滯區(qū)域組合的這樣的沉積可以最終導致大量硅沉積，該硅沉積可以停止生產(chǎn)。合適放置的二級射流防止硅沉積的生長。最可能聚集和硅沉積的區(qū)域62表示在圖2B中。盡管最顯著的區(qū)域在噴嘴18附近，此處高濃度含硅氣體可以接觸溫度比臨界成核溫度高的壁或停滯粒子，但是該區(qū)域包括大多數(shù)噴動腔室壁16。因為二級射流60促進粒子攜帶到噴動12中，所以它們增加噴動粒子密度。這改進硅沉積速率，將轉化轉移到粒子生長而不是粉末生產(chǎn)。這樣，二級射流60在通常的操作和控制中也是有用的。18圖5表示二級孔20的豎直定向a，而圖7表示水平射流方向0。圖5表示射流60傾斜向噴動18以使噴動附近的粒子流到噴動中的一個實施方案。相對于豎直的角度a可以在約15°和165'之間變化，90°是豎直，即如圖5所示與噴嘴中心線64平行。圖4A表示基本豎直延伸的射流60a。圖7表示從上方向下看的可能的射流定向。當從頂部看時，每個射流60可以在任何地方從噴嘴的中心線64徑向向內(nèi)(水平角/3=0°)指向相反定向，徑向向外(/3=180')。換句話說，二級孔60布置成將氣體向上噴射到腔室中作為射流，該射流在相對于孔中心線與噴嘴產(chǎn)生的噴動的中心線64之間的線成從(T至18(T角度的水平方向上延伸，其中(T是所述線本身。在圖7中，對每個孔20表示了可能的水平定向中的兩個。第一種說明的可能的射流定向是徑向向內(nèi)，水平角/3=0'。第二種說明的可能的射流定向是水平角/3=約50°，其促進噴動周圍的旋渦運動。應理解，盡管為了解釋起見，圖7表示了兩種射流定向，但是實際上每個說明的孔20僅產(chǎn)生單一射流。任何給定射流的方向可以是上述豎直角a和水平角/3的任何變體。二級孔方便地可以都位于相同高度上，如圖1-3所示?；驗榱烁蟮目刂?，二級射流可以布置在兩個或多個高度上。例如，圖6A表示具有單個突出噴嘴、產(chǎn)生豎直定向的射流60c的豎直的下二級孔20c和產(chǎn)生成角度的射流60a的成角度的上二級孔20a的系統(tǒng)。二級孔設計的例子表示在圖5中。通常地，氣體進料通道的長度是二級孔20直徑的至少幾倍，這樣允許產(chǎn)生適合消除枝狀晶體的方向射流?？?0可以是圓形、橢圓形、長方形或否則根據(jù)需要的流動方案和總噴動腔室設計而成型。通常地，在二級孔中沒有內(nèi)部零件，但是替代包括加入內(nèi)部零件以便以促進噴動穩(wěn)定性、噴動循環(huán)和噴動環(huán)形質(zhì)量傳遞的方式調(diào)節(jié)流量。每個孔20與噴嘴18橫向地隔開，從該孔到噴嘴開口的水平距離最好為約0.2cm或更大。二級孔最好位于比噴嘴表面高的高度處，并且位于距離噴嘴的一定距離處使得二級孔產(chǎn)生的射流影響噴動形狀和/或噴動循環(huán)。在一些情況中，至少一個二級孔布置成噴射含鹵氣體而在噴動區(qū)域中保持容器壁蝕刻是有用的。最好的放置將依賴于需要的流動方式和總體噴動腔室設計。圖4-6表示用于氣體傳遞到圍繞噴嘴18的該套二級孔20的共同開口穩(wěn)壓室66。其它選擇方案包括但不局限于給二級穩(wěn)壓室66添加內(nèi)部零件以提供旋渦作用而穩(wěn)定噴動或增加噴動與環(huán)形之間的質(zhì)量傳遞。另一個選擇方案是添加穩(wěn)壓內(nèi)部零件以確保對每個孔的均勻分布，包括去除穩(wěn)壓室和對每個孔20使用單獨的流量控制的方案。最好選擇噴動腔室14的形狀以促進環(huán)形28中良好的連續(xù)粒子流動。使連續(xù)的密集顆粒沿著圍繞向上的噴動流的環(huán)形向下流動是理想的。如果粒子具有聚集的趨勢，那么避免具有停滯面積可能是重要的。應將粒子導向用于重新攜帶到噴動中的噴嘴。圖4A和4B描繪了解決該問題的許多方案中的兩種。如圖4A中的陡峭橢圓形確保沿著環(huán)形壁16a和所有返回噴嘴18a順利流動。如圖6A和6B所示，具有角度7的圓錐底形狀可以獲得同類型的流動；但是，陡峭的角度可能產(chǎn)生將容納停滯粒子的區(qū)。在噴動腔室中，最好維持從噴動到反應器的安全距離，這是因為噴動將具有高濃度的含硅氣體，使得如果它接近加熱的反應器壁，那么它可以引起過分的沉積。因此，除了促迸順利的粒子流動，從壁到噴動最好保持一些距離。這是為什么在腔室底部的噴嘴附近推薦陡峭較低或甚至平表面的原因。圓錐底的極端情況是當錐角7為0'時。這稱為平底噴動腔室，它的例子出現(xiàn)在圖4B中。另一種方法是提供具有多個增加陡度的錐體的底部。設計噴動腔室使得在避免粒子可以引起過分侵蝕的高壓縮或高速率的可能區(qū)域的同時，維持流量可以是有用的。如圖6A所示的突出的噴嘴18b也將增加到壁的距離和減少壁沉積的危險。也可以考慮其它，包括材料的選擇，以避免含鹵氣體可以累積并可能促進腐蝕的面積。如果噴動腔室直徑太寬，那么在壁16附近可以具有停滯的粒子層，其將減少熱傳遞和甚至可以引起聚集并最終形成枝狀晶體。精確尺寸將依賴于需要的噴動尺寸和流速，并且熟悉噴動床的人員可以從噴動床文獻和試驗中的關聯(lián)估計它。當直徑需要是寬的以避免接觸含硅氣體時，也可以用另外的二級氣體引起運動以流化該環(huán)形。如圖1-3所示，位于噴動腔室底部附近的產(chǎn)物出口22可以在噴動12附近以確保優(yōu)先排出噴動腔室中分離出的較大粒子。應仔細以使產(chǎn)物排出不干擾噴動粒子運動?？梢詮呐懦鰵怏w進入口27將小的向上流量引入到產(chǎn)物出口22以使隨產(chǎn)物離開的灰塵量最小。該流量最好足以脫塵，同時足夠低以不干擾噴動循環(huán)。出口22可以是到噴動腔室14的三個葉瓣的共用出口。在這種情況中，在噴動腔室和出口設計中應注意以使來自出口和共用段的效果最小化。在噴動腔室中沒有另外的插件或開口以使對循環(huán)和噴動穩(wěn)定性的影響最小化?？梢砸栽S多方式將熱加到反應器，例如如美國專利No.5,810,934中描述的。加熱的主要方式是預熱通過噴嘴和/或二級孔注入的氣體和如圖1所示用壁加熱器52加熱反應器壁50?？梢匝刂磻鞑贾盟羞@些加熱器52,但是最好僅沿著其中具有大密度的混合好的粒子的壁(區(qū)域i-m)布置，這是因為這里熱傳遞效率最高，但是這不是限制。也可以通過流化床區(qū)域中的另外開口44加入熱氣體。應該用絕緣體54圍繞反應器以使熱損失最小化。絕緣體54可以是大量材料中的許多種?？梢栽趦蓚€主要類別開口或封閉構造內(nèi)以許多不同的方式布置多個噴動。圖l-3描繪具有噴動腔室14的開口構造設計，該噴動腔室14具有三個同心地圍繞共用中心底出口22的相同葉瓣。每個葉瓣清楚地成型以促進噴嘴周邊的噴動/環(huán)形粒子運動，同時一部分周邊朝向與其它腔室共用的中心出口開口。因為腔室14朝向中心出口22開口，所以它們共用容器中心的向下流動的環(huán)形部分29。每個噴動12都是獨特的并且最好用單獨的氣體控制。盡管在單個的噴動12之間可以具有一些粒子混合，但是，這不引起噴動不穩(wěn)定，這是因為根據(jù)多個噴動床設計標準將它們間隔開。為使一個噴動對另一個的影響最小化，從噴嘴中心線到噴嘴中心線的距離應不小于約10cm，并且在大的商業(yè)反應器情況中，最好維持孔的密度低于每平方米50個噴動。圖2表示葉瓣的一個中獨立的噴動流動方式。該開口設計不局限于所示的三葉瓣噴動腔室，但是對于用合理的生產(chǎn)控制維持更多的單個葉瓣可以具有一些實際限制。每個噴嘴可以配備一個或多個二級孔20。當配備大于一個二級孔20時，二級孔間隔開以圍繞噴嘴18。開口構造的另外的好處是可以增加磨損和因此增加自接種程度的共用環(huán)形區(qū)之間的相互作用的效果。封閉的構造，其在圖8和9最好的描繪，具有兩個或更多個分開的噴動腔室。每個所示的噴動腔室114、114a、114b、114c完全與其它分開。在所示的系統(tǒng)中，每個噴動腔室含有一個噴動，但是在另一個實施方案中，在噴動腔室中可以含有兩個或更多個噴動。每個噴動腔室可以具有它自己的與供應到共同出口170的噴嘴相鄰的產(chǎn)物出口122。該系統(tǒng)也可以設計有釋放到共同流化床區(qū)域(IIIb)的分開的過渡區(qū)域(II)和/或流化床區(qū)域(IIIa)。過渡區(qū)的所示的尺寸僅是例子，并且其它高度或形狀是可以的。共同產(chǎn)物出口頭172可以具有來自排出氣體噴射嘴176的強逆流氣流174以將所有尺寸不足的粒子通過豎直或接近豎直的開口178吹回到反應器自由空間和主流化床中。也可以使用該開口178以通過溢流確保主流化床的最大床高度。對于三個示例性構造，圖9A、9B和9C說明具有過渡區(qū)域的多噴動腔室怎樣連接到共同流化床。各種所示系統(tǒng)僅是例子，并且不限制或排除其它構造。對于到每個噴動腔室的氣體流量，反應器可以具有分開的控制以允許完全控制噴動穩(wěn)定性。圖IO說明用于圖1-3中描繪的開口構造反應器的這樣的可能的流量控制系統(tǒng)。例如，可以使用每個氣源進料管線82上分開的流量控制80將含硅氣體、含鹵氣體和惰性氣體的預熱混合物引入到每個噴嘴18以確保到每個噴嘴18的足夠且穩(wěn)定的流量。進一步可以分開地控制到每個噴嘴的每種氣體的流量，甚至溫度。這樣構造的好處是，如果在任何噴動觀察到任何壓力或流量異常，在將惰性氣體良好地維持在噴動速度內(nèi)的同時，可以關閉含硅氣體和含鹵氣體。如圖1-3中的開口設計大多受益于這樣的氣體流量控制安排，這是因為所有三個噴嘴上的噴動連續(xù)將幫助維持最佳的流動方式。像圖8的封閉的設計將更寬容，并且可以承受表現(xiàn)不好的噴動完全關閉?？梢允褂妹總€二級氣體供應管線86上的分開的流量控制84以確保到每個二級孔的足夠且穩(wěn)定的氣體流量。二級流量的壓力或流量異常也可以保證停止到那個噴動腔室的含硅氣體或含鹵氣體。如以前提及的，盡管通常對于每個噴動腔室僅控制到那個噴動腔室內(nèi)的該套孔的總流量將是足夠的，但是也控制每個獨立的二級孔是可選的。獨立的氣體進料控制的其它方面也是有用的。控制通過二級孔20引入的氣體，通常為含鹵氣體和惰性氣體的預熱混合物，可以控制溫度?；蛘?，合適時可以通過二級孔注入冷卻氣體?？梢酝ㄟ^二級孔注入例如惰性氣體、特別是氬氣、氮氣或它們的混合物等氣體以減少反應容器內(nèi)氫氣的分壓。并且，如前面提及的，通過一個或多個二級孔選擇地注入含鹵氣體以保持噴動區(qū)域中容器壁蝕刻有時是有用的。實施例1-冷卻噴嘴對消除枝狀晶體形成的影響反應器系統(tǒng)是如圖1-3所示具有三個圍繞共同中心出口的噴動的開口構造系統(tǒng)。每個噴嘴尖端水冷卻以維持表面溫度在IOO'C上方不多。每個噴嘴供應預熱到300'C的600slm氫氣和100slm硅烷的混合物。將預熱到200'C的約100slm氫氣分布到周圍噴嘴的每套六個二級孔。自由空間區(qū)域(IV)的壓力控制在0.35barg。在流化床區(qū)域的壁溫度完全地在700'C上方的同時，噴動區(qū)域的壁為約65(TC。測定的床溫度為約69070(TC。在操作幾天后，在一級噴嘴上或其附近沒有沉積跡象。當關閉噴嘴冷卻時，在相同條件下僅幾天后就發(fā)生顯著的沉積。實施例2-二級氣體對突出噴嘴的影響反應器系統(tǒng)是如實施例1中的開口構造，但是沒有噴嘴尖端的冷卻。如圖4B所示，噴嘴突出到噴動中數(shù)英寸。每個噴嘴供應預熱到150。C的600slm氫氣和100slm硅烷的混合物。沒有氫氣分布到圍繞每個噴嘴的六個二級孔。自由空間區(qū)域(IV)的壓力控制在0.35barg。將噴動區(qū)域(I)的壁加熱到臨界成核溫度上方但低于Tamman溫度以使沉積最小化，同時將流化床區(qū)域(III)的壁溫度加熱到完全地在Tamman溫度上方以促進清除和退火粉末。測定的噴動環(huán)形溫度為675。C，床過渡溫度為690'C，并且流化床溫度為710°C。當僅幾天的操作后停止生產(chǎn)時，在圍繞噴嘴的表面上有顯著的沉積，0.3kg/噴嘴，并且開始生長到噴嘴上。這表明需要二級氣體以消除沉積。當在相同條件下操作但對圍繞每個噴嘴的該套六個二級孔中的每個用約IOOslm時，在操作14天之多后，在噴嘴上或其附近沒有沉積跡象。實施例3-噴動穿透的證實和單個噴動行為反應器系統(tǒng)類似于實施例1和2，但是用透明的膠質(zhì)玻璃柱代替反應器。一級噴嘴直徑為0.375"。所有流量都是環(huán)境溫度的氮氣，并且床上方的壓力為0.2atm。這些試驗的目的是證實噴動穿透高度與文獻關聯(lián)的比較。通過對給定粒徑分布和床水平增加一級噴嘴流速確定噴動穿透流量。噴動穿透該床的流量將是那個噴動高度的最小流量。第一組試驗是用平均直徑0.95mm的珠子。1)50kg珠子裝到反應器中，產(chǎn)生45cm的靜態(tài)床高度。2)在至二級孔的總氮氣流量在100和300slm之間變化的同時，至這三個一級噴嘴的總氮氣流量在1000slm和1700slm之間變化。3)在45cm下完成試驗之后去除17kg，將靜態(tài)水平降至約33cm。重復流量變化。4)在45cm下完成試驗之后去除13kg，將靜態(tài)水平降至約20cm。重復流量變化。第二套試驗是用平均尺寸約0.5mm的珠子。1)50kg珠子裝到反應器中，產(chǎn)生45cm的靜態(tài)床高度。2)在至二級孔的總氮氣流量在IOO和300slm之間變化的同時，至這三個一級噴嘴的總氮氣流量在1000slm和1700slm之間變化。3)在45cm下完成試驗之后去除17kg，將靜態(tài)水平降至約33cm。重復流量變化。4)在45cm下完成試驗之后去除13kg,將靜態(tài)水平降至約20cm。重復流量變化。表I關聯(lián)值與測定和觀察結果的比較<table>tableseeoriginaldocumentpage26</column></row><table>在每個床水平下測定的噴動穿透流量與文獻的幾個關聯(lián)值一起顯示在表I中。主要觀察為用0.95mm的珠子，系統(tǒng)表現(xiàn)得像好的噴動床，在所有三個噴嘴都具有清晰的噴動。噴動高度和流量匹配用于大規(guī)模系統(tǒng)的關聯(lián)。用較小的顆粒，實際上沒有噴動，但是床流化得好。這符合孔徑需要小于用于合適噴動的平均粒徑25倍大的關系。在這種情況中，噴嘴約是平均粒徑的20倍大，使得如果存在下述情況，則噴動將很小。存在二級流量的顯著影響。通過增加噴動中固體量，增加的二級流量加寬噴動并減慢噴動速度。當噴動更占優(yōu)勢時，該影響更說明粒子更大。盡管這里公開了各種實施方案，但是根據(jù)本領域技術人員的常識，在本發(fā)明的范圍內(nèi)可以作出許多改變和修改。為了以基本相同的方式達到相同的結果，這樣的修改包括用已知的等價物替換本發(fā)明的任何方面。權利要求1.一種加熱的硅沉積反應器系統(tǒng)，包含多個硅粒子；容器，該容器具有限定腔室的壁，所述腔室含有所述粒子；至少一個噴嘴，所述噴嘴具有開口，該開口布置成將含硅氣體向上噴射到所述腔室中以在淹沒式噴動中循環(huán)所述粒子；和至少一個二級孔，所述二級孔與所述噴嘴橫向間隔開并布置成將氣體噴射到所述腔室中作為向著所述噴動或與所述噴動并排地向上延伸的射流。2.如權利要求l所述的反應器系統(tǒng)，包含在每個噴嘴周圍的間隔開的多個二級孔。3.如權利要求1-2中任一項所述的反應器系統(tǒng)，其中至少一個二級孔布置成將氣體向上噴射到所述腔室中作為基本豎直延伸的射流。4.如權利要求1-3中任一項所述的反應器系統(tǒng)，其中至少一個二級孔被布置成將氣體向上噴射到所述腔室中作為射流，該射流相對于水平線以15'至165'的角度延伸，9(T平行于所述噴嘴中心線。5.如權利要求1-4中任一項所述的反應器系統(tǒng)，其中至少一個二級孔布置成將氣體向上噴射到所述腔室中作為射流，該射流在相對于孔中心線和所述噴嘴產(chǎn)生的所述噴動的中心線之間的線成0'至180°的角度的所述水平方向上延伸，(T為所述線本身。6.如權利要求1-5中任一項所述的反應器系統(tǒng)，其中至少一個二級孔布置成在所述射流影響所述噴動的形狀的位置噴射氣體作為射流。7.如權利要求1-6中任一項所述的反應器系統(tǒng)，包含至少兩個噴嘴；和流量控制器，該流量控制器連接到每個噴嘴并可用于分開地控制通過每個噴嘴的氣體的流量。8.如權利要求l-7中任一項所述的反應器系統(tǒng)，包含鄰近所述噴嘴的一組至少兩個二級孔；和流量控制器，該流量控制器連接到圍繞所述噴嘴的所述二級孔的一個或多個并可用于分開地控制到達所述二級孔的一個或多個的氣體的所述流量。9.如權利要求1-8中任一項所述的反應器系統(tǒng)，其中至少一個二級孔水平地布置成離所述噴嘴的周邊不小于0.2cm并且離所述噴嘴足夠近以影響所述噴動。10.如權利要求1-9中任一項所述的反應器系統(tǒng)，其中所述腔室構造成具有至少兩個區(qū)域，所述至少兩個區(qū)域包括至少一個噴動腔室，所述噴動腔室含有所述至少一個噴嘴和淹沒式噴動；和上層區(qū)域，所述上層區(qū)域與所述至少一個噴動腔室連通并位于其上方以接收從所述至少一個噴動腔室向上移動的氣體。11.如權利要求IO所述的反應器系統(tǒng)，其中至少一個噴嘴具有位于所述腔室的底部上方且位于所述上層區(qū)域下方的尖端。12.—種加熱的硅沉積反應器系統(tǒng)，包含多個硅粒子；容器，該容器具有限定腔室的壁，所述腔室含有所述粒子；和至少兩個間隔開的噴嘴，每個噴嘴布置成將含硅氣體向上噴射到所述腔室中以在淹沒式噴動中圍繞所述噴嘴循環(huán)粒子。13.如權利要求12所述的反應器系統(tǒng)，還包含流量控制器，該流量控制器連接到每個噴嘴并可用于分開地控制通過每個噴嘴的氣體的流量。14.如權利要求12-13中任一項所述的反應器系統(tǒng)，包含至少三個間隔開的噴嘴，每個噴嘴具有開口，該開口布置成將氣體向上地噴射到所述腔室中以在淹沒式噴動中圍繞所述噴嘴循環(huán)粒子，所述噴嘴布置成使得所述噴嘴中的每個噴嘴的中心線離最接近的兩個其他噴嘴的中心線的水平距離基本相等。15.如權利要求12-14中任一項所述的反應器系統(tǒng)，其中噴嘴之間的最小水平距離為10cm;并且所述噴嘴的水平間隔使得每平方米的噴嘴的數(shù)目不大于50個。16.如權利要求12-15中任一項所述的反應器系統(tǒng)，其中所述腔室構造成具有至少兩個區(qū)域，所述至少兩個區(qū)域包括一個或多個噴動腔室，所述噴動腔室含有所述噴嘴和淹沒式噴動；和上層區(qū)域，所述上層區(qū)域與所述一個或多個噴動腔室連通并位于其上方以接受從所述一個或多個噴動腔室向上移動的氣體。17.如權利要求16所述的反應器系統(tǒng)，其中至少一個二級孔與所述噴嘴中的至少一個橫向地間隔開并布置成將氣體噴射到所述腔室中作為射流，該射流向著所述噴動或與所述噴動并排地向上延伸。18.如權利要求16所述的反應器系統(tǒng)，其中所述壁限定至少兩個分開的噴動腔室，所述噴動腔室的每一個含有所述噴嘴中的至少一個。19.如權利要求18所述的反應器系統(tǒng)，其中每個噴動腔室含有單個噴嘴。20.如權利要求18所述的反應器系統(tǒng)，其中每個噴動腔室含有至少兩個噴嘴。21.如權利要求16-20中任一項所述的反應器系統(tǒng)，其中-所述上層區(qū)域的至少一部分形成適當?shù)某叽绾托螤钜栽诠呐萘骰仓泻兄樽?；并且所述反應器系統(tǒng)還包含氣源，所述氣源將足以流化所述上層區(qū)域的所述部分中的粒子的總流量的氣體供應到所述容器中，所述上層區(qū)域的所述部分形成適當?shù)某叽绾托螤钜栽谒龉呐萘骰仓泻辛Ｗ印?2.如權利要求16所述的反應器系統(tǒng)，其中所述壁限定含有所有所述噴嘴的單個噴動腔室。23.如權利要求22所述的反應器系統(tǒng)，其中所述噴動腔室含有三個噴嘴。24.如權利要求1-23中任一項所述的反應器系統(tǒng)，其中所述噴嘴具有尖端，該尖端位于所述腔室的所述底部上方且位于所述上層區(qū)域下方。25.—種用于在容器內(nèi)將硅沉積到粒子上的方法，所述方法包含通過噴嘴將含硅氣體向上噴射到含有硅粒子的腔室中以在所述腔室中提供噴動并將粒子維持在淹沒式噴動床中；將所述粒子維持在足以使硅從所述含硅氣體沉積到粒子上的溫度；和通過至少一個二級孔噴射氣體，所述二級孔與所述噴嘴橫向地間隔開并具有孔，所述孔布置成將氣體噴射到所述腔室中作為射流，該射流與所述噴動并排、向著所述噴動或離開所述噴動向上延伸。26.如權利要求25所述的方法，還包含調(diào)節(jié)和引導通過所述至少一個二級孔的氣流以產(chǎn)生影響所述噴動的形狀的至少一個射流。27.如權利要求25-26中的一項所述的方法，還包含調(diào)節(jié)和導向通過所述至少一個二級孔的所述氣流以產(chǎn)生阻止硅沉積生長的至少一個射流。28.如權利要求25-27中任一項所述的方法，還包含在通過所述至少一個二級孔進行噴射之前加熱所述氣體。29.如權利要求25-28中任一項所述的方法，還包含在通過所述至少一個二級孔進行噴射之前冷卻所述氣體。30.如權利要求25-29中任一項所述的方法，其中通過所述至少一個二級孔噴射的所述氣體包含適合于減小所述容器中的氫氣的分壓的氣體。31.如權利要求25-30中任一項所述的方法，其中通過所述至少一個二級孔噴射的所述氣體包含氬氣、氮氣或它們的混合物。32.如權利要求25-31中任一項所述的方法，還包含通過所述至少一個二級孔噴射含鹵氣體以在所述噴動的區(qū)域中保持容器壁被蝕刻。33.如權利要求25-32中任一項所述的方法，還包含通過所述至少一個二級孔噴射反應性物質(zhì)以利用所述反應性物質(zhì)在所述噴動的所述區(qū)域中的放熱反應釋放的能量加熱所述噴動的所述區(qū)域，所述反應產(chǎn)生的能量的量足以加熱所述噴動中的所述粒子。34.如權利要求25-33中任一項所述的方法，還包含維持通過噴嘴和孔的足夠的氣體總流量以在所述鼓泡流化床中流化噴動上方的粒子。35.—種用于在容器內(nèi)將硅沉積到粒子上的方法，所述方法包含通過至少兩個噴嘴將含硅氣體向上噴射到含有硅粒子的腔室中以在所述腔室中提供至少兩個淹沒式噴動；和將所述粒子維持在足以使硅從所述含硅氣體沉積到粒子上的溫度。36.如權利要求35所述的方法，還包含通過至少一個二級孔噴射氣體，所述二級孔與所述噴嘴中的至少一個橫向地間隔開并具有孔，所述孔布置成將氣體噴射到所述腔室中作為射流，該射流與所述噴動并排地、向著所述噴動或離開所述噴動向上延伸。37.如權利要求35-36中任一項所述的方法，還包含調(diào)節(jié)和引導通過所述至少一個二級孔的氣流以產(chǎn)生影響所述噴動的形狀的至少一個射流。38.如權利要求35-37中任一項所述的方法，還包含調(diào)節(jié)和引導通過所述至少一個二級孔的所述氣流以產(chǎn)生阻止硅沉積生長的至少一個射流。39.如權利要求35-38中任一項所述的方法，還包含在通過所述至少一個二級孔進行噴射之前加熱所述氣體。40.如權利要求35-39中任一項所述的方法，還包含在通過所述至少一個二級孔進行噴射之前冷卻所述氣體。41.如權利要求35-40中任一項所述的方法，其中通過所述至少一個二級孔噴射的氣體包含適合于降低所述容器中的氫氣的分壓的氣體。42.如權利要求35-41中任一項所述的方法，其中通過所述至少一個二級孔噴射的所述氣體包含氬氣、氮氣或它們的混合物。43.如權利要求35-42中任一項所述的方法，還包含通過所述至少一個二級孔噴射含鹵氣體以在所述噴動的區(qū)域中保持容器壁被蝕刻。44.如權利要求35-43中任一項所述的方法，還包含通過所述至少一個二級孔噴射反應性物質(zhì)以利用所述反應性物質(zhì)在所述噴動的所述區(qū)域中的放熱反應釋放的能量加熱所述噴動的所述區(qū)域，所述反應產(chǎn)生的能量的量足以加熱所述噴動中的所述粒子。45.如權利要求35-44中任一項所述的方法，還包含維持通過噴嘴和孔的足夠的氣體總流量以在所述鼓泡流化床中流化噴動上方的粒子。全文摘要通過含硅氣體的高溫分解和硅沉積到流化的硅粒子上而形成多晶硅。公開了多淹沒式噴動流化床反應器(10)和具有二級孔(20)的反應器。文檔編號C01B33/02GK101316651SQ200680026513公開日2008年12月3日申請日期2006年7月19日優(yōu)先權日2005年7月19日發(fā)明者保爾·愛德華·埃格,杰弗里·A·漢森,萊維·C·艾倫申請人:瑞科硅公司