專(zhuān)利名稱(chēng)：生產(chǎn)太陽(yáng)能級(jí)硅的系統(tǒng)和方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明總體涉及太陽(yáng)能級(jí)硅的生產(chǎn)，更具體地涉及一種用于
在硅生產(chǎn)中回收和利用廢能的系統(tǒng)和方法.
背景技術(shù)：
對(duì)于生產(chǎn)半導(dǎo)體器件和太陽(yáng)能電池的高純硅材料有很大需 求.硅在太陽(yáng)能電池中用于將太陽(yáng)能轉(zhuǎn)換為電能.在太陽(yáng)能電池中使用 的硅具有標(biāo)明"太陽(yáng)能級(jí)，，的品質(zhì)，該品質(zhì)具有大于99.999%的純度。大多數(shù)硅生產(chǎn)方法涉及二氧化硅或硅石的碳熱還原.碳熱還 原涉及碳和硅的混合物在高溫下反應(yīng)形成單質(zhì)硅和一氧化破的過(guò)程。由 于驅(qū)動(dòng)完成反應(yīng)的極端溫度要求，該過(guò)程是高能耗過(guò)程.例如，在這種 過(guò)程中溫度可大于1950攝氏度。這相當(dāng)于大致11-13千瓦時(shí)的能量來(lái)生 產(chǎn)1千克硅，因此，需要提供一種可以在太陽(yáng)能級(jí)硅的生產(chǎn)中解決一個(gè)或 多個(gè)前述問(wèn)題的系統(tǒng)和方法，

發(fā)明內(nèi)容
根據(jù)本文公開(kāi)的一個(gè)示范性實(shí)施例， 一種方法包括加熱包含 硅石和碳的起始材料以形成中間材料。所述中間材料包含珪石和碳化硅. 所述中間材料反應(yīng)形成硅，通過(guò)加熱所述起始材料以及使中間材料反應(yīng) 所產(chǎn)生的至少一些排放物被收集并用于產(chǎn)生電力.根據(jù)本文公開(kāi)的另 一個(gè)示范性實(shí)施例， 一種系統(tǒng)包括具有第 一爐區(qū)的爐，所述第一爐區(qū)用于產(chǎn)生含有硅石和碳的起始材料.第二爐
的中間材料，第三^區(qū)用于接S所述中;材料并使所述中間材料反應(yīng)形 成硅。 一種發(fā)電系統(tǒng)連接到所述爐并且用于接收從所述爐排出的氫、一 氧化碳或其組合以用于產(chǎn)生電力。


在參考附圖閱讀以下詳細(xì)說(shuō)明時(shí)將更好地理解本發(fā)明的這些 及其它特征、方面和優(yōu)點(diǎn)，在附圖中，同樣的附圖標(biāo)記代表同樣的部件， 其中圖1是圖示出根據(jù)本文公開(kāi)的一個(gè)示范性實(shí)施例的生產(chǎn)硅的 方法所涉及的示范性步驟的流程圖；圖2是根據(jù)本文公開(kāi)的一個(gè)示范性實(shí)施例的用于生產(chǎn)硅的系 統(tǒng)的示意圖；圖3是根據(jù)本文公開(kāi)的另一個(gè)示范性實(shí)施例的用于生產(chǎn)硅的 系統(tǒng)的示意圖；以及圖4是根據(jù)本文公開(kāi)的又一個(gè)示范性實(shí)施例的用于生產(chǎn)硅的 系統(tǒng)的示意圖。
部件清單10生產(chǎn)硅的方法
12提供起始材料的步驟
14加熱起始材料來(lái)形成中間材料的步驟
16使中間材料反應(yīng)形成硅的步驟
18將合成氣從爐供應(yīng)給發(fā)電系統(tǒng)以產(chǎn)生電力的步驟
20將電力供應(yīng)給爐的熱能量源的步驟
22系統(tǒng)
24殼體
26壁
28腔室
30內(nèi)表面
32第一爐區(qū)
34第二爐區(qū)
36第三爐區(qū)
38第一熱能量源
40第二熱能量源
42第三熱能量源
44碰石進(jìn)口
46烴類(lèi)進(jìn)口
48上端
50 氣體出口
52 硅出口
54 氣體進(jìn)口
56 下端
58 發(fā)電系統(tǒng)
60 壓縮機(jī)
62 臨時(shí)存儲(chǔ)單元
具體實(shí)施例方式如下文所詳述的，本發(fā)明的實(shí)施例提供一種包括提供起始材 料的方法。在一個(gè)示例中，在第一爐區(qū)內(nèi)生產(chǎn)該起始材料且該起始材料 包含硅石和碳，該起始材料然后在第二爐區(qū)中加熱形成中間材料。該中 間材料包含硅石和碳化硅.該中間材料在笫三爐區(qū)中反應(yīng)形成太陽(yáng)能級(jí) 硅。通過(guò)加熱起始材料以及使中間材料反應(yīng)所產(chǎn)生的至少一些排放物被 收集并用于產(chǎn)生電力。在另一個(gè)示范性實(shí)施例中，還公開(kāi)了一種與廢能 回收系統(tǒng)一體形成的生產(chǎn)太陽(yáng)能級(jí)硅的系統(tǒng)。硅基太陽(yáng)能工業(yè)的發(fā)展在一定程度上受太陽(yáng)能級(jí)硅的成本限 制。太陽(yáng)能級(jí)硅的成本歸因于用于制造的原料的成本以及工藝過(guò)程中涉 及的成本.用于硅生產(chǎn)的代表性原料包括硅源和碳源。使用不太昂責(zé)的 原料的方法一般需要更昂貴的工藝條件來(lái)精煉生成的硅.本發(fā)明的實(shí)施 例解決了這些及其它問(wèn)題.根據(jù)本發(fā)明的示范性實(shí)施例，在生產(chǎn)硅時(shí)，使用烴類(lèi)或碳材 料的硅石的碳熱還原的結(jié)果產(chǎn)生合成氣(一氧化碳和氬)，該合成氣包 括供應(yīng)到發(fā)電系統(tǒng)并轉(zhuǎn)換為電力的可燃燃料。在一個(gè)示范性實(shí)施例中， 該發(fā)電系統(tǒng)包括內(nèi)燃機(jī)驅(qū)動(dòng)的發(fā)電機(jī)，在下文稱(chēng)作"ICE發(fā)電機(jī)"，電力 被供給到用于生產(chǎn)硅的爐.廢能的回收使得所述爐在生產(chǎn)硅的過(guò)程中的 總能量用量降低。在美國(guó)專(zhuān)利申請(qǐng)?zhí)?1/497876中公開(kāi)了一種工藝，其中，從甲 烷或另一種烴獲得碳熱還原過(guò)程中的碳材料，在此以參見(jiàn)的方式引入該 專(zhuān)利申請(qǐng)。初始烴裂化過(guò)程的主要副產(chǎn)物是氫.當(dāng)與來(lái)自碳熱反應(yīng)的一氧化碳混合時(shí)，生成的排氣流可包括 大約70%的一氧化碳和30%的氫(按摩爾計(jì)).被稱(chēng)為合成氣體(合成
氣)的該流出物在成分上類(lèi)似于煤氣化過(guò)程中產(chǎn)生的氣體.該流出物是 可燃燃料，其能量可被回收并返回到工藝過(guò)程，從而降低能量需求.現(xiàn)在參考附圖，圖1是圖示出在生產(chǎn)硅的方法中涉及的示范 性步驟的流程圖10.如步驟12所示，該方法包括在爐內(nèi)提供包含硅石和 碳的起始材料，在一個(gè)實(shí)施例中，該起始材料的硅石包含具有許多顆粒 的硅砂.如本文使用的，術(shù)語(yǔ)"顆粒"指的A^始材料的個(gè)體單元，與例 如固體材料連續(xù)體(例如較大塊體)形成對(duì)比；本文使用的術(shù)語(yǔ)包括從 具有微米尺度(例如325目粉末)大小的極小粉末微粒直到具有厘米尺 度大小的比較大的材料球團(tuán)范圍內(nèi)的單元.在另一個(gè)示范性實(shí)施例中， 所述起始材料的硅石包含硅膠，該硅膠是硅石的粒狀多孔形式.硅膠可 以更具體地描述為膠體硅石的球形顆粒的粘結(jié)的剛性連續(xù)三維網(wǎng)絡(luò).在某些示范性實(shí)施例中，提供起始材料的步驟包括使硅石材 料的至少一部分上的烴類(lèi)材料分解.烴類(lèi)材料的分解也稱(chēng)作"烴類(lèi)材料的 裂解"，其中，烴類(lèi)材料分解以在硅石材料的至少一部分上形成包含碳的 涂層。烴類(lèi)材料可包含氣體或液體. 一種這樣的分解反應(yīng)的示例可由以 下化學(xué)方程式表示
<formula>formula see original document page 7</formula>
在前述示例中，甲烷用作烴類(lèi)材料并且分解形成碳，所述碳沉積在 硅石材料的至少一部分上，伴隨有氬氣的釋放。當(dāng)包含碳的涂層沉積在 包含硅石的顆粒上時(shí)，可用于與硅石進(jìn)一步反應(yīng)的碳的表面積顯著大于 不使用該涂層的傳統(tǒng)工藝中可用的碳的表面積，這可導(dǎo)致太陽(yáng)能級(jí)硅的 較好的產(chǎn)量，在某些示范性實(shí)施例中，分解烴類(lèi)材料包括將該烴類(lèi)材料加 熱至大于600攝氏度的溫度。在一些實(shí)施例中，烴類(lèi)材料包括烷烴、烯 烴、炔烴、芳香烴或其任何組合.烴類(lèi)材料的示例包括但不限于天然 氣、甲烷、丁烷、丙烷、乙炔或其任何組合，在步驟14，起始材料被加 熱形成包含硅石和碳化硅的中間材料.在一些實(shí)施例中，該中間材料包 含選自合成氧化硅、碳化硅、碳氧化硅或其任何組合的至少一種材料. 在某些示范性實(shí)施例中，該起始材料被加熱至大于1600攝氏度的溫度。 包括形成中間材料的反應(yīng)由以下方程表示
3肪，+ 6C 4加，+ 2&'C + 4CO
在前述反應(yīng)中，硅石與碳反應(yīng)形成碳化硅和硅石，除此以外 還伴隨有一氧化碳?xì)怏w的釋放.在某些實(shí)施例中， 一氧化碳的分壓保持 低于50千帕，在一些實(shí)施例中，爐內(nèi)的總壓力可大于或等于IOO千帕. 在步驟16，中間材料例如被加熱至大于2000攝氏度的溫度以反應(yīng)形成硅. 硅石與碳化硅反應(yīng)形成硅，包括形成太陽(yáng)能級(jí)珪的反應(yīng)由以下方程表示在圖示的實(shí)施例中，通過(guò)加熱起始材料以及使中間材料反應(yīng) 所產(chǎn)生的至少一些排放物被收集.在步驟18，所述排放物(即合成氣(包 含氫、 一氧化碳))從爐供應(yīng)給發(fā)電系統(tǒng)(例如ICE發(fā)電機(jī))以產(chǎn)生電 力.在一些實(shí)施例中，氫和一氧化碳同時(shí)從所述爐供應(yīng)給發(fā)電系統(tǒng).在 某些其它示范性實(shí)施例中，氫和一氧化碳分別從所述爐供應(yīng)給發(fā)電系統(tǒng)。 而且，在某些實(shí)施例中，氫和一氧化碳在供應(yīng)給發(fā)電系統(tǒng)之前被壓縮并 臨時(shí)存儲(chǔ)在存儲(chǔ)單元中.在步驟20，電力被供應(yīng)給所述爐.結(jié)果，來(lái)自 所述爐的廢能的回收促使所述爐在生產(chǎn)硅的過(guò)程中的總能量用量降低。 電力可從外部電網(wǎng)提供給所述爐以補(bǔ)充電力需求.在某些情況中，電力 可從發(fā)電系統(tǒng)提供給電網(wǎng)。在一些實(shí)施例中，合成氣和/或燃燒產(chǎn)物氣體 的至少一部分用于預(yù)熱至少一些起始材料(在圖1中未示出)，以便進(jìn) 一步利用廢能。例如，來(lái)自發(fā)電的廢氣可穿過(guò)熱交換器47來(lái)預(yù)熱硅石和 /或烴類(lèi)氣體.參考圖2，圖示出根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)示范性實(shí)施例的用于生產(chǎn) 太陽(yáng)能級(jí)硅的系統(tǒng)22.系統(tǒng)22是一種爐，該爐用來(lái)在其一端接收包含硅 石和含碳材料的起始材料，并在其相對(duì)端生成包含硅的產(chǎn)物材料。在圖 示的實(shí)施例中，系統(tǒng)22包括多區(qū)爐，在該多區(qū)爐中，每個(gè)爐區(qū)的溫度是 可獨(dú)立控制的。系統(tǒng)22包括殼體24，殼體24具有限定腔室28的壁26. 在一些實(shí)施例中，可沿壁26的內(nèi)表面30提供可拆襯套(未示出)以避 免污染而且防止所述壁26的內(nèi)表面上的材料沉積.在圖示的實(shí)施例中，系統(tǒng)22的殼體24是圓筒形的.殼體24 具有豎直取向的構(gòu)造.在其它實(shí)施例中，還可以想到殼體的其它形狀和 取向。例如，所述殼體相對(duì)于水平面可以是水平或傾斜的.系統(tǒng)22的腔 室28根據(jù)爐區(qū)中發(fā)生的反應(yīng)進(jìn)一步分成第一爐區(qū)32(涂敷爐區(qū))、第二 爐區(qū)34 (加熱爐區(qū))和第三爐區(qū)36 (反應(yīng)爐區(qū)).第一、第二和第三爐 區(qū)32、 34、 36通常(但不必)是一體的.如本文使用的，"一體"的意思
是區(qū)域32、 34和36—起形成整體單元.第一、第二和笫三熱能量源38、 40、 42 (例如加熱器)分別設(shè)置在區(qū)域32、 34、 36的附近并且構(gòu)造成能 夠?qū)^(qū)域32、 34、 36加熱至不同溫度.硅石進(jìn)口 44和烴類(lèi)進(jìn)口 46通過(guò)殼體24的上端48延伸進(jìn)入腔 室28中并且構(gòu)造成將硅石和烴類(lèi)材料引導(dǎo)到腔室28中.烴類(lèi)材料ii^ 腔室28的流率可調(diào)整以便在起始材料上大范圍的均勻形成碳涂層.提供 了氣體出口 50，該氣體出口 50延伸穿過(guò)殼體24的上端48并與腔室28 連通，硅出口 52和延伸穿過(guò)殼體24的下端56的氣體出口 54通過(guò)第三 爐區(qū)36與腔室28連通.硅石進(jìn)口 44構(gòu)造成將硅石材料引導(dǎo)進(jìn)入腔室28中.第一熱能 量源38被啟動(dòng)以使第一爐區(qū)32處的溫度提升到預(yù)定水平.在某些示范 性實(shí)施例中，第一爐區(qū)溫度大于600攝氏度。烴類(lèi)材料被分解以在硅石 材料的至少一部分上形成涂層，同時(shí)伴隨有氫氣的釋放.第二爐區(qū)34接 收包含硅石和碳的起始材料.在第二爐區(qū)34通過(guò)啟動(dòng)熱能量源40使起 始材料的溫度增加.在一些實(shí)施例中，笫二爐區(qū)的溫度大于1600攝氏度。 硅石和碳在第二爐區(qū)34中反應(yīng)形成包含硅石和碳化硅的中間材料，同時(shí) 伴隨一氧化碳?xì)怏w的釋放.笫三爐區(qū)36接收該中間材料。通過(guò)啟動(dòng)笫三 熱能量源42使第三爐區(qū)36處的溫度增加.在一些實(shí)施例中，第三爐區(qū) 的溫度大于2000攝氏度.硅石與碳化硅反應(yīng)形成太陽(yáng)能級(jí)硅，同時(shí)伴隨 一氧化碳的釋放。通過(guò)硅出口 52提出硅。在此應(yīng)當(dāng)注意，根據(jù)應(yīng)用要求， 進(jìn)口 44、 46和54以及出口50、 52的位置可以改變.在圖示的實(shí)施例中，通過(guò)提供起始材料、加熱起始材針以及 使中間材料反應(yīng)所產(chǎn)生的排放物(例如氫和一氧化碳)同時(shí)從爐供應(yīng)給 發(fā)電系統(tǒng)58.發(fā)電系統(tǒng)58具有燃燒室或燃燒器(未示出)，在該燃燒室 或燃燒器中，合成氣(包含氫和一氧化碳)與高壓空氣結(jié)合并燃燒.由 此產(chǎn)生的高溫廢氣經(jīng)由動(dòng)力渦輪(未示出)膨脹以產(chǎn)生電力，所產(chǎn)生的 電力供應(yīng)給第一、第二和第三熱能量源38、 40和42中的一個(gè)或多個(gè). 對(duì)來(lái)自爐的廢能的回收降低了系統(tǒng)在生產(chǎn)硅期間的總能量用量.硅的碳 熱還原是高耗能過(guò)程，通常需要11-13千瓦時(shí)的能量來(lái)生產(chǎn)1千克的硅. 通過(guò)從廢氣回收廢能，系統(tǒng)22的總能量用量顯著減少.另外，溫室氣體 排放減少，參考圖3,圖示出根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)示范性實(shí)施例的用于生 產(chǎn)太陽(yáng)能級(jí)硅的系統(tǒng)22.在圖示的實(shí)施例中，系統(tǒng)22包括多區(qū)爐，在該 多區(qū)爐中，每個(gè)爐區(qū)的溫度是可獨(dú)立控制的.系統(tǒng)22根據(jù)爐區(qū)中發(fā)生的 反應(yīng)進(jìn)一步分成第一爐區(qū)32、第二爐區(qū)34和第三爐區(qū)36.在圖示的實(shí) 施例中，笫一、第二和第三爐區(qū)32、 34、 36不是一體的，即，分別提供 區(qū)域32、 34、 36.換句話(huà)說(shuō)，區(qū)域32、 34、 36作為分開(kāi)的單元來(lái)提供. 在此應(yīng)當(dāng)注意，可以想到任何數(shù)量的整體式或分離式爐區(qū)的組合.困示 的區(qū)域32、 34、 36具有豎直取向.第一、第二和笫三熱能量源38、 40、 42分別設(shè)置在區(qū)域32、 34、 36的附近并且構(gòu)造成將區(qū)域32、 34、 36加 熱至不同溫度。在爐中通過(guò)加熱起始材料以及使中間材料反應(yīng)所產(chǎn)生的 包含氫和一氧化碳的合成氣經(jīng)由壓縮機(jī)60和至少一個(gè)臨時(shí)存儲(chǔ)單元62 供應(yīng)給發(fā)電系統(tǒng)58。在圖示的實(shí)施例中，氫和一氣化碳分別從分離的區(qū) 域32、 34和36供應(yīng)給壓縮機(jī)60,在壓縮機(jī)60中，廢氣被壓縮并隨后臨 時(shí)存儲(chǔ)在臨時(shí)存儲(chǔ)單元62中。在另一實(shí)施例中，分開(kāi)的存儲(chǔ)單元可用于 存儲(chǔ)氫和一氧化碳.所述廢氣然后經(jīng)由發(fā)電系統(tǒng)58來(lái)燃燒并膨脹以產(chǎn)生 電力，在一些實(shí)施例中，只有氫供應(yīng)給發(fā)電系統(tǒng).在一些其它實(shí)施例中， 氫和一氧化碳的組合供應(yīng)給發(fā)電系統(tǒng)58.然后電力被供應(yīng)給熱能量源38、 40和42中的一個(gè)或多個(gè)。參考圖4，圖示出根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)示范性實(shí)施例的用于生 產(chǎn)太陽(yáng)能級(jí)硅的系統(tǒng)22。類(lèi)似于前述實(shí)施例，圖示的實(shí)施例具有進(jìn)一步 分成笫一爐區(qū)32、笫二爐區(qū)34和第三爐區(qū)36的系統(tǒng)22。第一、第二和 笫三爐區(qū)32、 34、 36互相分離.圖示的區(qū)域32、 34、 36具有水平取向. 在一些實(shí)施例中，所述取向可相對(duì)于水平面稍微傾斜，因此重力輔助材 料運(yùn)動(dòng)經(jīng)過(guò)所述爐區(qū).在一些實(shí)施例中，所述區(qū)域可包括水平或近似水 平和豎直取向的區(qū)域的組合。區(qū)域取向的所有這樣的變換和組合是可以 想到的.在某些其它示范性實(shí)施例中，區(qū)域32、 34、 36可包括旋轉(zhuǎn)式爐 區(qū).在爐中通過(guò)加熱起始材料以及使中間材料反應(yīng)所產(chǎn)生的包含氫和一 氧化碳的合成氣經(jīng)由壓縮機(jī)60和臨時(shí)存儲(chǔ)單元62供應(yīng)給發(fā)電系統(tǒng)58以 產(chǎn)生電力.然后，電力供應(yīng)給熱能量源38、 40和42。在圖示于圖3和4 的實(shí)施例中，可以經(jīng)由連接管進(jìn)行區(qū)域32、 34和36之間的材料傳遞.雖然在本文僅僅圖示和描述了本發(fā)明的某些特^，但是本領(lǐng) 域技術(shù)人員可以想到很多改進(jìn)和改變，因此，應(yīng)當(dāng)理解，所附權(quán)利要求 用來(lái)涵蓋落入本發(fā)明的本質(zhì)精神內(nèi)的所有這樣的改進(jìn)和改變.
權(quán)利要求
1. 一種方法，包括加熱包含硅石的材料和烴類(lèi)材料以形成包含硅石和碳的起始材料；使所述包含硅石和碳的起始材料反應(yīng)形成包含硅石和碳化硅的中間材料；使所述中間材料反應(yīng)形成硅；收集通過(guò)形成所述起始材料以及使所述起始材料或所述中間材料反應(yīng)所產(chǎn)生的至少一些排放物；以及使用所收集的排放物來(lái)產(chǎn)生電力。
2. 根據(jù)權(quán)利要求l所述的方法，其特征在于，在電爐(32、 34、 36) 中發(fā)生加熱所述起始材料、使所述起始材料反應(yīng)和使所述中間材料反應(yīng) 中的至少一種，并且還包括將所產(chǎn)生的電力供給所述電爐(32、 34、 36).
3. 根據(jù)權(quán)利要求l所述的方法，其特征在于，使所述中間材料反應(yīng) 包括使硅石與碳化硅反應(yīng)形成硅。
4. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所收集的排放物的至少一部;'一
5. —種系統(tǒng)(22)，包括 爐，包括第一爐區(qū)(32)，用于產(chǎn)生包含硅石和碳的起始材料；第二爐區(qū)(34)，用于接收所述起始材料并使所述起始材料反應(yīng)形成包含硅石和碳化硅的中間材料；第三爐區(qū)(36)，用于接收所述中間材料并使所述中間材料反應(yīng)形成珪；以及發(fā)電系統(tǒng)(58)，連接到所述爐并且用于接收從所述爐排出到所述 發(fā)電系統(tǒng)(58)的氫、 一氧化碳或其組合以用于產(chǎn)生電力.
6. 根據(jù)權(quán)利要求5所述的系統(tǒng)(22)，其特征在于，所述第一、第 二和笫三爐區(qū)(32、 34、 36)是一體的，
7. 根據(jù)權(quán)利要求5所述的系統(tǒng)(22),其特征在于，所述第一、第 二和第三爐區(qū)(32、 34、 36)是分開(kāi)提供的.
8. 根據(jù)權(quán)利要求5所述的系統(tǒng)(22),其特征在于，所述第一、第 二和第三爐區(qū)(32、 34、 36)沿豎直方向、水平方向或其組合來(lái)取向.
9. 根據(jù)權(quán)利要求5所述的系統(tǒng)(22)，其特征在于，還包括壓縮機(jī) (60)，用于在從所述爐排出的氫、 一氧化碳或其組合供應(yīng)給所述發(fā)電系統(tǒng)(58)之前壓縮所述氫、 一氧化碳或其組合.
10. 根據(jù)權(quán)利要求9所述的系統(tǒng)(22)，其特征在于，還包括至少 一個(gè)存儲(chǔ)單元(62)，用于在壓縮后的氫、 一氣化碳或其組合供應(yīng)給所 述發(fā)電系統(tǒng)(58)之前臨時(shí)存儲(chǔ)所述壓縮后的氫、 一氧化碳或其組合.
全文摘要
生產(chǎn)太陽(yáng)能級(jí)硅的系統(tǒng)和方法，其中包含硅石和碳的起始材料被加熱形成中間材料。該中間材料包含硅石和碳化硅。所述中間材料反應(yīng)形成硅。通過(guò)加熱起始材料以及使中間材料反應(yīng)所產(chǎn)生的至少一些排放物被收集并用于產(chǎn)生電力。
文檔編號(hào)C01B33/025GK101386412SQ20081021593
公開(kāi)日2009年3月18日 申請(qǐng)日期2008年9月12日 優(yōu)先權(quán)日2007年9月14日
發(fā)明者B·G·諾爾曼, M·P·德艾芙琳, R·舒巴, T·F·麥努爾蒂 申請(qǐng)人:通用電氣公司