專利名稱：富勒烯衍生物的制造方法
技術領域：
本發(fā)明涉及富勒烯衍生物的制造方法。
背景技術：
在過去的幾年里，例如有機發(fā)光二極管(OLED)和有機太陽能電池的有機半導體組件的性能和工作壽命已經(jīng)經(jīng)歷了重大改善。一種關鍵因素是由有機材料構成的電荷傳輸層的傳導率增加了 [K. Walzer, B. Maennig, M. Pfeiffer, K. Leo, Chem. Rev. 107， 1233 (2007) ]0為此目的，電荷傳輸層的ρ-和η-摻雜的觀念是恰當?shù)?。分子摻雜使得基質中的電荷載流子的密度増加，且這補償了基質的不良的本征電荷載流子遷移率。分子摻雜的觀念使得傳輸層的傳導率増加幾個數(shù)量級[M.Pfeiffer，K. Leo, X. Zhou, J. S. Huang, M. Hofmann, A. Werner, J. Blochwitz-Nimoth, Org. Electron. 4，89 (2003)]。因為 OLED 的工作電壓減小且有機太陽能電池的串聯(lián)電阻降低，從而這導致性能大幅増加。用于電荷載流子的注入勢壘降低且形成耗盡區(qū)，所述耗盡區(qū)能通過隧道エ藝由電荷載流子容易地克月艮。[J. Blochwitz, T. Fritz, Μ. Pfeiffer, K. Leo, D. Μ. Alloway, P. A. Lee, N. R. Amstrong, Org. Electron. 2，97 (2001) ] ·且現(xiàn)在可用的最有效的單色[R. Meerheim, R. Nitsche, K. Leo, Appl. Phys. Lett. 93，043310 (2008)]禾ロ 白色[S. Reineke, F. Lindner, G. Schwartz, N. Seidler, K. Walzer, B. Lussem, K. Leo, Nature 459，234 Q009) ] OLED 和有機太陽能電池 [2010年4月由Heliatek GmbH新聞發(fā)布http://heliatek. de]使用這種摻雜層?？梢酝ㄟ^同時蒸發(fā)兩種材料來實現(xiàn)摻雜。氣相摻雜劑以低比率與基質混合且被沉積在ー個表面上。如果是P型摻雜(空穴傳輸)，這種基質可包含例如N，N，N'，N’-四-甲氧基苯基) 對ニ氨基聯(lián)苯(MeO-TPD)。為了使摻雜可能基質必須具有等于(+/-0. 3eV)或小于摻雜劑的電子親和勢的電離能。相對于ニ茂鐵(Fc/Fc+)，p-摻雜劑(富勒烯衍生物)應當具有大于或等于約-0. 3V、優(yōu)選大于或等于約0. 0V、更優(yōu)選大于或等于約0. 24V的還原電勢。摻雜分子應當能夠均勻地進入到基質中且應當具有低擴散傾向。具有高電子親和勢(Ea)的ー些 P-摻雜分子是公知的，例如相對弱的電子受體四氰基對苯ニ醌ニ甲烷(TCNQ) [M. Maitrot, G. Guillaud, B. Boudjema, J. J. Andre, J. Simon, J. App丄· Pnys. 60, 2396 (1986) ；R. C. Weland, J. L. Gillson, J.Am. Chem. Soc. 98,3916(1976)]或氟化改性 3,6- ニ氟-2,5,7,7,8,8,-六氰基對苯ニ醌ニ甲烷(F2-HCNQ) [Z. Q. Gao, B. X. Mi，G. Ζ. Xu, Y. Q. Wan, Μ. L. Gong, K. W. Cheah, C. H. Chen, Chem. Commun. ,117(2008)]和經(jīng)常使用的 2,3,5,6-四氟 _7，7，8，8_ 四氰基對苯 ニ醌ニ甲烷(F4-TCNQ) [J. Blochwitz, Μ. Pfeiffer, Τ. Fritz, K. Leo, Appl. Phys. Lett. 73， 729 (1998) ；W. Y. Gao 和 A. Kahn, Appl. Phys. Lett. 79,4040 (2001)]。由于它的低分子量，這種材料類具有高蒸氣壓且趨向于引起氣相沉積腔以及其后沉積的層的非受控污染。在這種情況下，組件的各層的污染會導致激子受到抑制，且因此損害組件性能[B.X.Mi，Ζ. Q. Gao, K. W. Cheah, C. H. Chen, Appl. Phys. Lett. 94,073507 (2009) ] 摻雜有這種材料類的層也具
イ氏白勺個生[P. ffellmann, M. Hofmann, 0. Zeika, A. Werner, J. Birnstock, R. Meerheim, G. He, K. Walzer, M. Pfeiffer, K. Leo, J. Soc. Inf. Disp. 13，393 (2005)]。這縮短了組件的エ作壽命。全氟富勒烯也具有相似的約5eV的電子親和勢[N. Liu, Y. Morio, F. Okino,
H.Touhara, 0. V. Boltalina, V. K. Pavlovich, Synth. Metals 86,2289(1997)]。之前已經(jīng)研究將全氟富勒烯C6c^6用作通過基于溶液的エ藝沉積的聚合物層中的ρ-摻雜劑
。文獻包含少量的關于氟化富勒烯的制造的公開報道。Boltalina 等人使用各種氟鉛酸鹽[P. A. Troshin, 0. V. Boltalina,N. V. Polykova, Ζ. Ε. Klinkina, J. Fluor. Chem. 110，157，(2001)]、鑭系元素的氟化物[A. A. Goryunkov, Ζ. Mazej, B. Zemva, S. H. Strauss, 0. V. Boltalina, Mendeleev Commun. 16,159 (2006)] 或者過渡金屬氟化物與氟氣體結合[N. S. Chilingarov, Α. V. Nikitin, J. V. Rau,
I.V. Golyshevsky, Α. V. Kepman, F. M. Spiridonov, L. N. Sidorov, J. Fluor. Chem. 113, 219(2002)]以合成氟化富勒烯。前述所引用的所有方法是基于在氟化期間或用于合適試劑氟化的合成期間使用分子氟氣體。氟被歸類為高毒性且對在設備設置中通常使用的非常多的材料產生腐蝕作用。必須的車間安全防范使得這些制造實例很不切合實際且昂貴得驚人。同吋，這些方法顯示出僅僅對C6c^6具有中等優(yōu)良的選擇性且具有小于30%的非常低至中等的產率。Boltalina等人公開了另一種用于合成C6tlFsi的不使用氟氣體的方法，其中一端被封閉的鎳管填充有粉狀氟化錳(III)和C6Q
。將填充的鎳管放置在玻璃升華管中。在管狀爐中，在10_2毫巴的壓カ下，在30分鐘內將所述玻璃管加熱到330°C，且將其保持在該溫度M小吋。在這段時間內，各種氟化富勒烯混合物凝結在冷的玻璃壁上。根據(jù)質譜儀分析， 這種混合物由51 %的C6QF36、33 %的C6tl (未反應的富勒烯)、8 %的C6tlF34以及15 %的C6tlF32 組成。所描述的所有的方法都具有無法加大量到毫摩爾級的缺點。

發(fā)明內容
因此本發(fā)明的目的是提供一種用于制造富勒烯衍生物的改進的方法。通過根據(jù)權利要求1和相應從屬權利要求的制造方法來實現(xiàn)該目的。在用于制造富勒烯衍生物的方法中，使富勒烯與至少ー種鹵素在反應器中反應， 其中至少ー種另外的化學元素也被添加到反應器中。本方法的優(yōu)點包括制造不涉及使用氟氣體，提高了產率，以及所制造的物質具有更高的純度。富勒烯優(yōu)選選自公式Cm，其中m選自36、60、70、76、78、80、82、84、86、90、94或能夠形成這種球形分子的任何整數(shù)。優(yōu)選，m = 60、70、76、80、82、84、86、90或者94。所述鹵素選自F、Cl、Br，優(yōu)選F。優(yōu)選以鹵素-金屬離子-鹽化合物(上下文中被稱為鹵素化合物)的形式使用鹵素。金屬離子可以選自如下離子鉻(Cr)、錳(Mn)、釕 (Ru)、鉬(Mo)、鐵(Fe)、鎢(W)、鈷(Co)、銠(1 )、銥(Ir)、鎳(Ni)、鈀(Pd)、鉬(Pt)、銅(Cu)、 銀(Ag)、金(Au)、鉈(Tl)、錫(Sn)、銻(Sb)、碲(Te)、鉛(Pb)、鉍(Bi)、鑭(La)、鈰(Ce)、 鐠(Pr)、釹(Nd)、釤(Sm)、銪(Eu)、釓(Gd)、鋱(Tb)、摘(Dy)、鈥(Ho)、鉺(Er)、銩(Tm)、鐿 (Yb)、镥(Lu)。優(yōu)選化合物為MnF3。以任何尺寸的線材、切屑或粉末的形式使用所述另外的化學元素。能夠以純的形
4式、作為合金或作為混合物將其加入。所述另外的化學元素優(yōu)選選自如下元素鈦(Ti)、鋯(Zr)、釩(V)、鈮(Nb)、鉭 (Ta)、鉻(Cr)、鉬(Mo)、鎢(W)、錳(Mn)、錸(Re)、鐵(Fe)、釕(Ru)、鋨(Os)、鈷(Co)、銠(Rh)、 銥(Ir)、鎳(Ni)、鈀(Pd)、鉬(Pt)、銅(Cu)、銀(Ag)、金(Au)、鋅(Zn)、鎘(Cd)、鋁(Al)、 鎵(Ga)、銅(In)、鉈(Tl)、鍺(Ge)、錫(Sn)、鉛(Pb)、砷(As)、銻(Sb)、鉍(Bi)、硒(Se)、 碲 CTe)、鑭(La)、鋪(Ce)、鐠(ft·)、釹(Nd)、釤(Sm)、銪(Eu)、釓(Gd)、鋱(Tb)、摘(Dy)、鈥 (Ho)、鉺(Er)、銩(Tm)、鐿( )、镥(Lu)。特別優(yōu)選鎳(Ni)。富勒烯-鹵素衍生物優(yōu)選具有通式CmFn，其中η可以為1至m。C60F36(m = 60,η = 36)和 C6tlF34 至 48 (m = 60，η = 34)。在本發(fā)明的一個實施方式中，在反應前將富勒烯與至少ー種另外的化學元素混合。優(yōu)選在反應前將富勒烯、至少ー種另外的化學元素和鹵素化合物混和。反應器是在反應期間與外界環(huán)境(例如，大氣)隔絕的化學反應器。所述化學反應器可以是例如鍋爐、管或一些其它容器。也可以使用許多被連接起來的容器。在本發(fā)明的ー個優(yōu)選構造中，反應器是延長的容器，例如升華管。其中通過升華進行制造同時分離。公開了所述富勒烯衍生物用于有機半導體層中。所述富勒烯衍生物可以形成有機半導體層。與本發(fā)明一致的是有機半導體層是由作為基質的有機空穴傳輸半導體材料和作為P-摻雜劑的富勒烯衍生物構成的摻雜層?？赏ㄟ^執(zhí)行本發(fā)明的方法制造具有増大的電荷載流子密度和有效的電荷載流子遷移率的摻雜半導體材料。所述富勒烯衍生物可有利地作為有機ニ極管、有機光敏組件的成分，尤其是太陽能電池、光探測器或發(fā)光二極管的成分。包含至少ー種有機半導體層的組件被認為是有機組件。為了本發(fā)明的目的，富勒烯及其衍生物也被包含在有機的定義中。有機半導體層也包含被稱為“小分子”的有機分子，或者也包含有機聚合物，其中所述有機分子和有機聚合物可以是單層或者與其它有機 (例如US2005 0110009中所述)或具有半導體或類金屬性能的無機材料的混合。有機發(fā)光 ニ極管通常由許多不同的有機材料層構成，至少ー層(發(fā)光層)含有當對其施加電壓時可被誘導發(fā)光的電致發(fā)光物質(Tang，US 4，769，四幻。例如US 7，074，500中描述了ー種高效率的0LED。太陽能電池的構造是本領域技術人員公知的，參見EP1861886和EP1859494。 特別優(yōu)選的組件是Walzer等人所描述的摻雜組件[Chem. Rev. 107，1233 (2007)]。有利地所述富勒烯衍生物構成電池的一部分，優(yōu)選為陰極[N. Liu, H. Touhara, F. Okino, S. Kawasaki, Y. Nakacho, J. Electrochem. Soc. 143, 2267 (1996)]。


圖1 用于在毫摩爾級別制造C6c^6的設備的示意圖。圖2 反應產品的質譜儀分析。圖3 :p-摻雜劑C6tlF36的分子結構以及ρ-摻雜劑F4-TCNQ和MeO-TPD的結構的 ORTEP 圖。圖4 使用UPS和XPS的ρ-摻雜劑F4-TCNQ和C6tlF36的污染情況的測量。
圖 5 =BF-DPB 的結構。圖6 含有F4-TCNQ或C6tlF36的空穴傳輸層的熱穩(wěn)定性。圖7 =OLED的層構造和組成，以及Bphen，螺TAD，α -NPD和Ir (MDQ) 2acac的結構。圖8 =OLED的電致發(fā)光光譜的對比。圖9 兩個OLED的特性I (V)曲線和發(fā)光對比。圖10 =OLED的能量產額和外量子效率的對比。圖11 有機太陽能電池的層結構和組成，以及SiPc的結構。圖12 使用太陽光模擬器(AMI. 5)發(fā)光下以及在黑暗中的兩個有機太陽能電池的特性I (V)曲線的對比，以及所有的特性性能參數(shù)的對比。圖13 以年代順序排列的老化期間，特性參數(shù)的對比。
具體實施例方式合成C6c^6的實施例在M小時內、10—3毫巴的壓カ以及200°C的溫度下，從用于合成的MnF3(ABCR, 98% )中萃取微量的水和氧。從化學供應商(例如美國Dye Source公司)處購買富勒烯 C60,以及通過三次升華純化。在氮氣氣氛中將富勒烯C6tl (1. OOg ；1. 388mmol)和MnF3 (5. 59g ； 60. 15mmol)放入磨齒機中徹底地粉碎。在鎳坩堝中將鎳粉末(6. 6g ；10% )加入到混合物中且將被填充的鎳坩堝放置到圖1所示的升華裝置中。在4X10_4毫巴的壓カ下將升華管加熱到330°C，持續(xù)M小吋，在這段時間內氟化反應產物在升華管的冷卻器部分上凝結成微黃色-白色固體(0.76g)形式。使與冷凝物一起裝載的環(huán)形物經(jīng)歷另一升華步驟，最后分離出0.75g(0.534mmOl，38%的理論產率)的產品。為了分析殘留的升華產品，將樣品完全溶解到甲苯中且在質譜儀中完全蒸發(fā)。圖2中測量且示出了整個全部的離子電流。存在于樣品中的所有化合物的強度比對應如下組成84%的C6tlF36.14%的C6tlF34和2%的C6tl。處理實施例1將摻雜劑C6tlF36的污染特性信息與F4-TCNQ對比。此目的是為了檢查摻雜劑C6tlF36 和F4-TCNQ的揮發(fā)性以及提供如下證據(jù)，與F4-TCNQ不同，C60F36不顯示任何腔室污染。使用X-射線光電光譜法(XPS)，在未摻雜的MeO-TPD層中通過它們的氟信息來檢查摻雜劑C6tlF36和F4-TCNQ的揮發(fā)性。圖4顯示了在IOnm厚本征MeO-TPD層上XPS測量獲得的Is氟核心信號的對比。在未加熱源下不含有兩種摻雜劑或含有兩個之一的腔室中制造這些產品。結合能為689. 5eV的顯著氟信號僅在腔室中存在F4-TCNQ的經(jīng)過蒸發(fā)的層上可觀測到。在紫外光電子能譜(UPQ中此層也以朝向MeO-TPD的最高占有分子軌道(HOMO) 的費米能量 B = 0eV)有0.53eV的顯著偏移的形式表現(xiàn)出摻雜效應。這種污染證明了 F4-TCNQ的污染能與在C6c^6存在的情況下經(jīng)歷蒸發(fā)的樣品相反。在來自具有C6c^6的腔室的樣品中，在XPS中沒有觀測到氟信號以及在UPS中沒有觀測到HOMO偏移，也就是說觀測到在MeO-TPD層上沒有污染。與F4-TCNQ相比，C6tlF^5的非常低的揮發(fā)性在處理空穴傳輸層的問題中表現(xiàn)出顯著的優(yōu)點。處理實施例2具有C6tlF36-摻雜空穴傳輸層的熱穩(wěn)定信息與F4-TCNQ對比。目的是介紹摻雜有 C60F36的空穴傳輸層的熱穩(wěn)定性。
為了測試熱穩(wěn)定性，選擇基質材料為N，N’ -((聯(lián)苯基-N，N’ - ニ)9，9，- ニ甲基-芴-2-基)-對ニ氨基聯(lián)苯(BF-DPB)，這是因為它具有高的玻璃化轉變溫度(Te = 1600C ) (US20020171358A1)。因此依賴于溫度直到Te的它的導電性能可歸因于摻雜劑。具有^mol %比的F4-TCNQ和具有21mol %比的C6ciF^5的兩層展示出在室溫下類似的傳導率 3X KT6ScnT1 (圖6)。在此上下文中，C6c^6的較低摻雜是摻雜劑的較高摻雜效率的表達。由于F4-TCNQ的LUMO能量上近似等同于通過UPS確定的BF-DPB (-5. 23eV)的HOMO能級，因而在此系統(tǒng)中所導致的電荷傳輸是低效率的。因而可以假設C6c^6比F4-TCNQ具有更強的電子親和勢。隨著溫度升高，兩個層的傳導率増大，對于F4-TCNQ和C6tlF36具有和69aneV 直到最大的激活能，且如果溫度繼續(xù)升高則傳導率崩潰(collapse)。在BF_DPB/F4_TCNQ層中觀測到較低穩(wěn)定性，在145°C傳導率下降。在BF-DPB/CJ^層中，直到180°C才會發(fā)生崩潰，因而高于基質材料的Te。因此傳導率的下降不直接歸因于C6tlFsi摻雜劑。處理實施例3在OLED中使用C6tlF36-摻雜空穴傳輸層的信息與F4-TCNQ對比。具有橙紅發(fā)射光的磷光p-i-n OLED用于與組件中的摻雜劑對比。在圖7中圖示了所制造的組件的層結構。有機層位于玻璃襯底上，且在90nm厚的氧化銅錫(ITO)陽極和IOOnm厚的銀覆蓋接觸之間。60nm厚的MeO-TPD層摻雜有1重量％ 的F4-TCNQ或8重量％的C6tlF^5用作空穴傳輸層(HTL)，從而獲得約2 X KT5Scm1的傳導率。 65nm厚的銫摻雜的4，7-聯(lián)苯基-1，10-鄰ニ氮雜菲(BPhen)用作電子傳輸層(ETL)，且具有類似的傳導率。為了將注入電荷集中到發(fā)射層(EML)中，2，2’，7，7’ -四-(N，N-ニ苯基氨基)-9，9，-螺ニ芴(螺-TAD)和BPhen構成的IOnm厚的電子和空穴阻擋層(EBL，HBL)包含在EML的ー側。20nm厚的EML由N，N’ - ニ(萘-2-基)-N，N’ -聯(lián)苯基-對ニ氨基聯(lián)苯 (α-NPD)組成，其摻雜有10重量％的三線態(tài)發(fā)光體ニ 甲基ニ苯并-[f，h]喹喔啉)乙酰丙酮合銥(III) (Ir (MDQ)2(acac))。如圖8所示，兩個OLED顯示出同樣的電致發(fā)光光譜， 這防止了 C6c^6的寄生吸收。兩個對比組件的電流-電壓曲線是類似的(圖9)，但是具有 C6tlFsi摻雜劑的I (V)特性曲線更陡峭，這表明對于相同的層傳導率，其空穴注入更好。更大的空穴注入増大了電荷載流子密度且改變了電荷載流子在EML中的平衡，這使得C6tlF36OLED 的效率更高(圖10)。處理實施例4在有機太陽能電池中使用C6c^6摻雜的空穴傳輸層的信息與F4-TCNQ對比。獲得的組件的工作壽命測量因此顯示出使用酞菁鋅(ZnPc)混合層和C6tl作為施體-受體-吸收對的組件的穩(wěn)定性。圖11中顯示了由此制造的組件的層結構。摻雜有2重量％的F4-TCNQ或8重量％ 的C6tlF^5的60nm厚的MeO-TPD層用作空穴傳輸層(HTL)。30nm厚的C6tl和ZnPc (1 1)混合層用作吸收層，其鄰近30nm厚的本征C6tl層。摻雜有3重量％的3，6-ニ(ニ甲基氨基) 吖啶(AOB)的15nm厚的C6tl層確保電子的傳輸。反射電極由IOOnm厚的鋁層形成。如圖 12所示，兩個太陽能電池的所有參數(shù)是類似的且僅表現(xiàn)出最小的不同，這落在測量誤差的范圍之內。斷路端電壓(open terminal voltage) (Voc)不受摻雜物質的影響。摻雜C6tlF36 使得非常輕微地降低了串聯(lián)電阻。太陽能電池在50°C時且在為具有輸出為500mWcnT2的白光LED供電發(fā)光的條件下老化。圖13圖示了有機太陽能電池的耐用性的不同。由于ろ-TCNQ的低的玻璃化轉變溫度， 所以具有這種摻雜劑的太陽能電池具有小于100小時的使用壽命，使得這種材料完全不適合商業(yè)使用。相反地，含有C6tlFsi的電池具有超過500小時時段的恒定電池參數(shù)。因而，這些電池的穩(wěn)定性顯著大于含有F4-TCNQ的電池。 考慮到它作為p-i-n OLED和有機太陽能電池中的ρ-摻雜劑的使用，因而可以斷定代替F4-TCNQ與改進的組件性能以及組件的更好的穩(wěn)定性相關。此外，C6tlF36摻雜劑的低的蒸氣壓意味著在制造ェ藝中不會污染腔室。
權利要求
1.一種用于制造富勒烯衍生物的方法，其中在反應器中使富勒烯與至少ー種鹵原子反應，其特征在于向所述反應器中添加至少ー種另外的化學元素。
2.根據(jù)權利要求1所述的用于制造富勒烯衍生物的方法，其特征在于所述至少ー種鹵原子選自F、Cl、Br。
3.根據(jù)前述權利要求中任一項所述的用于制造富勒烯衍生物的方法，其特征在于所述富勒烯是具有通式Cm的球形碳簇，其中m選自36、60、70、76、78、80、82、84或者適于形成此種球形分子的任何其它自然數(shù)。
4.根據(jù)前述權利要求中任一項所述的用于制造富勒烯衍生物的方法，其特征在于所述鹵原子以至少ー種鹽或鹽混合物的形式使用，其中所述鹽包含金屬離子且其中所述金屬離 チit 自 Cr、Mn、Ru, Mo、Fe、W、Co、Rh, Ir、Ni、Pd、Pt、Cu、Ag、Au、Tl、Sn、Sb、Te、Pb、Bi、La、 Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu。
5.根據(jù)前述權利要求中任一項所述的用于制造富勒烯衍生物的方法，其特征在于所述至少ー種另外的化學元素是以任何尺寸的線材、切屑或者粉末的形式的如下元素或這些元素的混合物Ti、Zr、V、Nb、Ta、Cr、Mo、W、Mn、Re、Fe、Ru、Os、Co、Rh、Ir、Ni、Pd、Pt、Cu、Ag、 Au、Zn、Cd、Al、Ga、In、Ti、Ge、Sn、Pb、As、Sb、Bi、Se、Te、La、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Td、Dy、 Ho、Er、Tm、Yb、Lu。
6.根據(jù)前述權利要求中任一項所述的用于制造富勒烯衍生物的方法，其中所述另外的化學元素是鎳。
7.根據(jù)前述權利要求中任一項所述的用于制造富勒烯衍生物的方法，其中通過升華進行制造同時分離。
8.一種有機半導體層，特征在于其含有根據(jù)前述權利要求1至7中任一項所述的方法制造的材料。
9.一種摻雜的有機半導體層，特征在于其含有有機空穴傳輸半導體材料和根據(jù)前述權利要求1至7中至少ー項所述的方法制造的富勒烯衍生物。
10.根據(jù)權利要求9所述的摻雜有機半導體層，其特征在于所述富勒烯衍生物是用于有機空穴傳輸半導體材料的P-摻雜劑。
11.具有多層結構的有機ニ極管、有機光敏組件，尤其是太陽能電池、光探測器或發(fā)光 ニ極管，其中至少ー個層含有根據(jù)前述權利要求中任一項所述制得的富勒烯衍生物。
12.—種含有富勒烯衍生物的電池，其由根據(jù)前述權利要求1至7中任一項所述的方法制造。
全文摘要
本發(fā)明涉及富勒烯衍生物的制造方法。特別地，本發(fā)明描述了一種用于制造鹵化富勒烯的改進方法，特征在于使富勒烯與至少一種鹵原子反應。本發(fā)明包括一種用于選擇性地獲得鹵化富勒烯且同時分離由此制得的鹵化富勒烯的制造方法。本發(fā)明包括一種如下的制造方法，由其可以反應且同時分離相對大量的材料。本發(fā)明描述了使用富勒烯C60F36作為用于半導體有機組件中的空穴傳輸層的p-摻雜劑，其中所述半導體有機組件具有這種層布置其包括電極和對電極，以及布置在電極和對電極之間的一系列有機層。
文檔編號C01B31/00GK102557000SQ20111034873
公開日2012年7月11日 申請日期2011年9月22日 優(yōu)先權日2010年9月22日
發(fā)明者塞利娜·奧瑟夫, 塞巴斯蒂安·斯科爾茨, 安妮特·彼得里希, 本杰明·弗瑞比, 里科·梅爾赫, 馬丁·赫梅諾, 馬庫斯·赫默特 申請人:諾瓦萊德公開股份有限公司