本發(fā)明涉及磁體的制備以及超強(qiáng)磁場產(chǎn)生技術(shù)，具體涉及一種碳納米管磁體及其制備方法和應(yīng)用。

背景技術(shù)：

磁場是決定物質(zhì)狀態(tài)最基本的物理量之一，磁場可以改變物質(zhì)內(nèi)部原子的電子結(jié)構(gòu)并引起能級分裂。隨著研究對象和研究內(nèi)容的不同，對磁場強(qiáng)度的要求也有不同。對于所研究的物理量與磁場呈現(xiàn)線性關(guān)系或者在很低的磁場下就已經(jīng)飽和，且在飽和之后所研究的量不隨磁場發(fā)生變化，一般的磁場強(qiáng)度就足夠了。而超強(qiáng)磁場作為一種極端條件，在凝聚態(tài)物理，材料科學(xué)以及生命科學(xué)研究中具有極為重要的意義，如整數(shù)量子霍爾效應(yīng)，分?jǐn)?shù)量子霍爾效應(yīng)的發(fā)現(xiàn)都需要超強(qiáng)磁場。

一般來講，磁場可以使用電流或永磁體產(chǎn)生。永磁體產(chǎn)生的磁場具有工作溫度高(低于居里溫度就可以)，能耗低的優(yōu)勢(磁化時(shí)需要能量)的優(yōu)勢。但是現(xiàn)有的永磁體最高磁感應(yīng)強(qiáng)度約為2.5T左右，遠(yuǎn)低于超強(qiáng)磁場(磁感應(yīng)強(qiáng)度大于等于5T)。

目前超強(qiáng)磁場的產(chǎn)生方法主要有：超導(dǎo)磁體、水冷磁體或者混合磁體。超導(dǎo)磁體存在磁場上限，超過最高磁場后超導(dǎo)特性消失。超導(dǎo)磁體能耗低，但需要低溫(液氦)，條件苛刻。水冷磁體是利用金屬線圈中的大電流來激發(fā)磁場，這種方法的主要困難有以下三個(gè)方面，第一，線圈中通過的大電流會(huì)由于線圈本身的電阻而消耗巨大的功率；第二，線圈中的電流會(huì)不斷產(chǎn)生大量的焦耳熱，不斷升高的溫度使得磁體無法正常工作，實(shí)際使用過程中必須進(jìn)行水冷；第三，電流與磁場之間存在電磁相互作用力，在產(chǎn)生磁場的同時(shí)線圈要承受巨大的應(yīng)力，如磁場達(dá)到50T、100T后，相應(yīng)的應(yīng)力分別達(dá)到1、4萬大氣壓，超過了大多數(shù)金屬的強(qiáng)度。由于上述問題的存在，獲得穩(wěn)態(tài)超強(qiáng)磁場時(shí)往往需要非常苛刻的條件和磁體設(shè)計(jì)、制造，強(qiáng)制水冷和大功率直流電源的綜合性高技術(shù)。目前世界上可以實(shí)現(xiàn)的最強(qiáng)穩(wěn)態(tài)磁場的磁體在美國國家強(qiáng)磁場實(shí)驗(yàn)室，這個(gè)混合型磁體由一個(gè)11.5T的超導(dǎo)磁體和33.5T的水冷磁體組成，它能達(dá)到的最大磁感應(yīng)強(qiáng)度為45T。然而強(qiáng)磁場的產(chǎn)生需要非常苛刻的條件，例如，其工作溫度為1.8K，從室溫降到工作溫度需要6周，需要2800升液氦，循環(huán)水流量15142升每分鐘，電消耗33MW。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

針對現(xiàn)有技術(shù)中存在的不足，本發(fā)明提供一種碳納米管磁體及其制備方法和應(yīng)用，得到能夠產(chǎn)生45T穩(wěn)態(tài)磁場的碳納米管磁體。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明具有具有磁場強(qiáng)、能耗低、工作溫度高以及重量輕等優(yōu)勢，擁有廣闊的應(yīng)用前景。

為達(dá)此目的，本發(fā)明采用以下技術(shù)方案：

第一方面，本發(fā)明提供一種碳納米管磁體，所述磁體為定向化后經(jīng)過開口處理的單壁碳納米管。

單壁碳納米管沿直徑方向斷開后，開口端的碳原子(具有懸鍵的邊緣碳原子)具有非常大的磁矩。結(jié)果顯示，單壁碳納米管每個(gè)邊緣碳原子的磁矩達(dá)到40-45μ_B(玻爾磁子)。這可能有兩個(gè)原因：一是碳管中電子的有效質(zhì)量遠(yuǎn)遠(yuǎn)小于電子的靜止質(zhì)量，因此其具有很大的磁矩。二是與多壁碳納米管相比，單壁碳納米管直徑更小，曲率(直徑的倒數(shù))更大，導(dǎo)致單壁碳納米管開口端的碳原子具有更大的磁矩，從而能夠產(chǎn)生超強(qiáng)磁場。

根據(jù)本發(fā)明，所述單壁碳納米管可以為一根或至少兩根。

根據(jù)本發(fā)明，所述單壁碳納米管單根的直徑為1.5-2.5nm，例如可以是1.5nm、1.6nm、1.7nm、1.8nm、1.9nm、2.0nm、2.1nm、2.2nm、2.3nm、2.4nm或2.5nm，以及上述數(shù)值之間的具體點(diǎn)值，限于篇幅及出于簡明的考慮，本發(fā)明不再窮盡列舉所述范圍包括的具體點(diǎn)值。

第二方面，本發(fā)明提供一種如第一方面所述的碳納米管磁體的制備方法，所述方法包括以下步驟：

(1)將單壁碳納米管定向化；

(2)對步驟(1)得到的定向化的單壁碳納米管進(jìn)行開口處理，得到所述碳納米管磁體。

本發(fā)明所述定向化是指：當(dāng)對至少兩根單壁碳納米管進(jìn)行處理時(shí)，使每根碳納米管的排列方向高度一致，緊鄰的碳納米管之間相交的角度小于10°；當(dāng)對單根單壁碳納米管進(jìn)行處理時(shí)，使碳納米管無彎曲。

定向化的目的是使單根碳納米管無彎曲或使多根碳納米管中方向不同的碳管取向一致，得到每根碳管方向相同，緊密排列、密度大的碳管聚集體，以便于同時(shí)開口處理多根碳管，且每根碳管的磁場能夠合成，在較大的空間內(nèi)產(chǎn)生磁場。

本發(fā)明所述開口處理是指：將碳管沿直徑方向斷開。

根據(jù)本發(fā)明，得到步驟(2)所述碳納米管磁體后，將其進(jìn)行封裝。

封裝的目的是為了使碳納米管磁體隔絕空氣，保護(hù)碳納米管在開口處理之后得到的邊緣原子的懸掛鍵不會(huì)被空氣中的氧氣等吸附飽和，進(jìn)而使磁體穩(wěn)定工作。

本發(fā)明對碳納米管磁體的封裝方式不做特殊限定，只要能達(dá)到將碳納米管磁體隔絕空氣的目的即可。

示例性的，將步驟(2)得到的碳納米管磁體封裝在液體、非氧化性氣氛或真空中，但非僅限于此。所述液體為去離子水和/或無水乙醇。

本發(fā)明選用本領(lǐng)域公知的手段制備單壁碳納米管，對于具體的制備方法并不進(jìn)行特殊限定，只要能得到單壁碳納米管的方法均適合本發(fā)明。

示例性的，本發(fā)明可以選用化學(xué)氣相沉積法、電弧放電法或激光濺射法制備步驟(1)所述的單壁碳納米管，但非僅限于此。

根據(jù)本發(fā)明，當(dāng)選用化學(xué)氣相沉積法時(shí)，步驟(1)所述單壁碳納米管為化學(xué)氣相沉積法制備的單壁碳納米管粉末、薄膜或陣列。

本發(fā)明選用本領(lǐng)域公知的手段對單壁碳納米管進(jìn)行定向化，對于具體的方法并不進(jìn)行特殊限定，只要能使單根單壁碳納米管無彎曲或多根碳納米管的排列方向高度一致，緊鄰的碳納米管之間相交的角度小于10°即可。

示例性的，步驟(1)中可以通過壓片機(jī)對單壁碳納米管進(jìn)行壓片處理實(shí)現(xiàn)定向化，但非僅限于此。

示例性的，當(dāng)步驟(1)所述單壁碳納米管為使用化學(xué)氣相沉積法制備的碳納米管薄膜時(shí)，通過拉絲模處理對碳納米管薄膜進(jìn)行定向化，但非僅限于此。

根據(jù)本發(fā)明，步驟(2)中沿所述定向化的單壁碳管的徑向進(jìn)行開口處理。

本發(fā)明對定向化后的單壁碳納米管開口處理的方式并不進(jìn)行特殊限定，可以使用本領(lǐng)域公知的切割碳管開口技術(shù)對其進(jìn)行開口處理，也可以使用未來新的使碳管開口技術(shù)對其進(jìn)行處理，只要能達(dá)到使定向化后的單壁碳納米管開口的效果即可。出于詳細(xì)描述碳納米管磁體的制備方法的目的，本發(fā)明例舉以下方式對定向化的單壁碳納米管進(jìn)行開口處理，但非僅限于此。

示例性的，步驟(2)所述開口處理的方式為機(jī)械力作用或激光刻蝕，但非僅限于此。

示例性的，所述機(jī)械力作用的實(shí)施方式包括切割、球磨機(jī)處理或拋光機(jī)處理等，所述切割的方式包括剪刀剪切、刀片切割等，但非僅限于此。

上述球磨機(jī)處理的方式為：將碳管與陶瓷球相混合，利用球磨時(shí)陶瓷球之間的撞擊，將陶瓷球之間的碳管撞斷，實(shí)現(xiàn)碳管開口處理。

上述拋光機(jī)處理的方式為：利用拋光盤與碳納米管之間的摩擦作用，去除一部分碳納米管，剩余的碳納米管獲得開口端。

上述激光刻蝕的方式為：利用高功率激光輻照使單壁碳納米管溫度上升，在空氣氣氛下與氧氣反應(yīng)、燒蝕碳管，碳管沒有燒蝕的部分獲得開口端。

作為優(yōu)選的技術(shù)方案，步驟(2)中使用切片機(jī)對定向化的單壁碳納米管進(jìn)行開口處理，包括以下操作：將步驟(1)得到的定向化的單壁碳納米管固定在包埋劑中，使用切片機(jī)沿徑向進(jìn)行切割，得到碳納米管磁體。

根據(jù)本發(fā)明，所述包埋劑為無磁性的包埋劑。

本發(fā)明中所述包埋劑優(yōu)選為石蠟、明膠、環(huán)氧樹脂或OCT冷凍包埋劑中的任意一種或至少兩種的組合，例如可以是石蠟、明膠、環(huán)氧樹脂或OCT冷凍包埋劑中的任意一種，典型但非限定的組合為：石蠟和明膠；環(huán)氧樹脂和OCT冷凍包埋劑；石蠟和環(huán)氧樹脂；石蠟和OCT冷凍包埋劑；明膠和環(huán)氧樹脂；明膠和OCT冷凍包埋劑；石蠟、明膠和環(huán)氧樹脂；石蠟、明膠、環(huán)氧樹脂和OCT冷凍包埋劑等，限于篇幅及出于簡明的考慮，本發(fā)明不再窮盡例舉。

根據(jù)本發(fā)明，所述切片機(jī)為常溫切片機(jī)或冷凍切片機(jī)。

第三方面，本發(fā)明提供如第一方面所述的碳納米管磁體的應(yīng)用，利用所述碳納米管磁體產(chǎn)生磁場。

本發(fā)明通過對定向化的單壁碳納米管進(jìn)行開口處理，得到碳納米管磁體。室溫時(shí)，該碳納米管磁體開口端邊緣碳原子的磁矩約為40-45μ_B(磁矩越大產(chǎn)生的磁場越強(qiáng))，遠(yuǎn)高于鐵原子的2.16μ_B。本發(fā)明制備的碳納米管磁體可以產(chǎn)生高達(dá)45T的穩(wěn)態(tài)磁場。

單根碳納米管開口端產(chǎn)生的磁場強(qiáng)度雖然很大，但其磁場強(qiáng)度隨著距離的三次方衰減。為了增加磁場的空間，一般可以選擇制備一束碳納米管(沿管束直徑方向切斷每一根碳管)或多個(gè)碳納米管磁體的集合，以此來增大具有磁場的范圍。當(dāng)采用多個(gè)碳納米管磁體時(shí)，為有效合成每個(gè)磁體的磁場，通常利用外加磁場使每個(gè)碳納米管磁體磁場與外場同向，進(jìn)而獲得磁場強(qiáng)度大、作用范圍廣的穩(wěn)態(tài)磁場。

與現(xiàn)有技術(shù)方案相比，本發(fā)明至少具有以下創(chuàng)新效果：

(1)磁矩大：在室溫時(shí)，本發(fā)明制備的碳納米管磁體開口端邊緣碳原子的磁矩為40-45μ_B，碳納米管磁體可以產(chǎn)生高達(dá)45T的穩(wěn)態(tài)磁場。

(2)能耗低：本發(fā)明利用碳管自身的磁矩來產(chǎn)生磁場，不需要大電流、低溫等苛刻條件，沒有焦耳熱，只是磁化時(shí)需要能量，進(jìn)而大大的節(jié)約了能源。

(3)重量輕：本發(fā)明制備的碳納米管磁體比重在1.5-2.2g/cm³之間，遠(yuǎn)遠(yuǎn)小于傳統(tǒng)的金屬及釹鐵硼合金。

附圖說明

圖1(a)為化學(xué)氣相沉積法制備的碳納米管薄膜示意圖，其中每根黑色直線代表單根單壁碳納米管；

圖1(b)為定向化處理過的單壁碳納米管示意圖；

圖1(c)為定向化的單壁碳納米管經(jīng)過一次開口處理示意圖；

圖1(d)為封裝好的碳納米管磁體及其開口端示意圖；

圖2為本發(fā)明實(shí)施例1制備的碳納米管薄膜的掃描電鏡照片；

圖3為本發(fā)明實(shí)施例1制備的碳納米管磁體(束狀)的掃描電鏡照片；

圖4為本發(fā)明實(shí)施例2制備的碳納米管磁體(片狀)的掃描電鏡照片；

圖5為在2T外加磁場下，本發(fā)明實(shí)施例2制備的碳納米管磁體開口端邊緣原子的平均玻爾磁子數(shù)隨溫度變化關(guān)系圖。

下面對本發(fā)明進(jìn)一步詳細(xì)說明。但下述的實(shí)例僅僅是本發(fā)明的簡易例子，并不代表或限制本發(fā)明的權(quán)利保護(hù)范圍，本發(fā)明的保護(hù)范圍以權(quán)利要求書為準(zhǔn)。

具體實(shí)施方式

為更好地說明本發(fā)明，便于理解本發(fā)明的技術(shù)方案，下面對本發(fā)明進(jìn)一步詳細(xì)說明。但下述的實(shí)施例僅僅是本發(fā)明的簡易例子，并不代表或限制本發(fā)明的權(quán)利保護(hù)范圍，本發(fā)明保護(hù)范圍以權(quán)利要求書為準(zhǔn)。

本發(fā)明具體實(shí)施例部分提供了一種碳納米管磁體的制備方法，所述方法包括以下步驟：

(1)將單壁碳納米管定向化；

(2)對步驟(1)得到的定向化的單壁碳納米管進(jìn)行開口處理，得到所述碳納米管磁體。

本發(fā)明的典型但非限制性的實(shí)施例如下：

實(shí)施例1

本實(shí)施例以化學(xué)氣相沉積法制備的碳納米管薄膜為例，詳細(xì)說明碳納米管磁體的制備方法，所述方法包括以下步驟：

(1)利用化學(xué)氣相沉積方法制備單壁碳納米管薄膜：

a)向CVD管式爐的第一溫區(qū)中放入足量的催化劑(二茂鐵與硫粉的混合物)，連接好氣路；

b)向CVD管式爐的石英管中通入氬氣，氣體流量為1000sccm，并設(shè)置主溫區(qū)溫度為1100℃，升溫時(shí)間為1h，保溫時(shí)間2h；

c)待主溫區(qū)溫度達(dá)到目標(biāo)溫度后，將第一溫區(qū)溫度設(shè)置為70℃，并在氬氣中加入碳源氣體甲烷，甲烷氣體流量為5-8sccm；

d)保溫結(jié)束后，停止通入甲烷氣體，并調(diào)小氬氣流量，同時(shí)停止對第一溫區(qū)加溫，石英管自然冷卻至室溫；

e)利用長鉤子取出石英管內(nèi)部表面沉積的碳納米管薄膜。

如圖1(a)的示意圖和圖2的掃描照片所示，本實(shí)施例得到的碳納米管薄膜由許多排列無序的單壁碳納米管組成。

在上述制備方法中，碳納米管薄膜生長的時(shí)間在1-4h內(nèi)均可，并不構(gòu)成對本發(fā)明的限制。

除了上述方法外，本發(fā)明還可以使用其他方法制備單壁碳納米管，示例性的，可以使用電弧放電法或激光濺射法進(jìn)行制備，但非僅限于此。作為現(xiàn)有技術(shù)，上述方法為本領(lǐng)域所公知的技術(shù)手段，限于篇幅及出于簡明的考慮，不再一一列舉。

(2)利用拉絲模對上述碳納米管薄膜進(jìn)行定向處理：

a)將步驟(1)得到的碳納米管薄膜展開在去離子水表面，利用無磁的剪刀和鑷子取下尺寸3cm×2cm的薄膜；

b)利用直徑為100μm的U形銅線將碳納米管薄膜從中間撈起，碳納米管薄膜合成一束掛在U型銅線底部；

c)將銅線連帶碳納米管束一同穿過內(nèi)徑為1.2mm的金剛石拉絲模具的孔，以此縮緊碳管之間的間隙，排除多余的水，并起到定向作用；

d)逐漸減小拉絲模具的內(nèi)徑至0.2mm，得到定向化的單壁碳納米管束。

如圖1(b)所示，單壁碳納米管實(shí)現(xiàn)了定向化，得到了單壁碳納米管束。

在上述處理方法中，銅線的直徑與長度并不構(gòu)成對本發(fā)明的限制，以便于操作為宜。

在上述處理方法中，金剛石拉絲模具的選取并不構(gòu)成對本發(fā)明的限制，應(yīng)當(dāng)根據(jù)樣品的狀態(tài)進(jìn)行調(diào)整，只要能使樣品實(shí)現(xiàn)良好的定向化即可。

(3)利用鈦或含有金剛石鍍層的金屬剪刀對定向碳管束進(jìn)行剪切處理：

a)將步驟(2)得到的定向化的單壁碳納米管束浸入酒精(或去離子水)中，形成剪切時(shí)的保護(hù)環(huán)境。

b)利用無磁剪刀(如鈦、具有金剛石鍍層的金屬剪刀)將碳管束沿直徑方向剪斷，形成碳納米管磁體，在剪切斷面，含有邊緣原子的碳管產(chǎn)生穩(wěn)態(tài)磁場。

如圖1(c)所示，定向化的單壁碳納米管束受到剪切，在剪切斷面上，每根碳管被剪斷，得到具有開口端的單壁碳納米管。

在上述處理方法中，切割后單壁碳納米管的長度并不構(gòu)成對本發(fā)明的限制。切割后單壁碳納米管的長度越小，得到開口的單壁碳納米管就越多，有利于產(chǎn)生大范圍的強(qiáng)磁場。

任選地，將步驟(3)得到的碳納米管磁體在真空中干燥后進(jìn)行封裝。

如圖1(d)所示，將碳納米管磁體封裝后能夠隔絕空氣，延長其使用壽命。

本實(shí)施例制備的碳納米管磁體的形貌如圖3所示。圖中，單壁碳管定向化后形成管束，管束直徑50微米左右，箭頭所示處為單壁碳納米管束被剪斷的截面，穩(wěn)態(tài)磁場在斷面處產(chǎn)生。

實(shí)施例2

本實(shí)施例以化學(xué)氣相沉積法制備的單壁碳納米管為例，詳細(xì)說明碳納米管磁體的制備方法，所述方法包括以下步驟：

(1)利用化學(xué)氣相沉積方法制備單壁碳納米管薄膜，制備方法同實(shí)施例1步驟(1)；

(2)利用壓片機(jī)對上述碳納米管進(jìn)行定向處理：

a)將步驟(1)中得到的單壁碳納米管薄膜使用電子天平稱量質(zhì)量并記錄；

b)將稱量好的單壁碳納米管薄膜均勻鋪在直徑為5mm的壓片機(jī)模具中，使用壓片機(jī)對樣品的壓強(qiáng)增加至300MPa，靜置1min，得到定向化的單壁碳納米管片；所述單壁碳納米管片呈圓片狀，直徑為5mm，厚度取決于碳管質(zhì)量。

在上述處理方法中，壓片機(jī)模具的直徑大小并不構(gòu)成對本發(fā)明的限制，應(yīng)當(dāng)根據(jù)碳納米管質(zhì)量大小進(jìn)行調(diào)整，以能夠?qū)悠肪鶆蜾佋谀＞邇?nèi)為宜。

在上述處理方法中，對碳納米管樣品施加的壓強(qiáng)與靜置時(shí)間并不構(gòu)成對本發(fā)明的限制，目的是使減小碳納米管之間的間隙便于切片開口處理。

(3)利用切片機(jī)對定向化的單壁碳納米管進(jìn)行開口處理：

a)在冷凍切片機(jī)的樣品臺(tái)上加入足量的OCT包埋劑，將步驟(2)得到的直徑為5mm的定向化的單壁碳納米管片垂直于樣品臺(tái)的方向浸入包埋劑；

b)將冷凍切片機(jī)預(yù)冷至-25℃，并在切片腔室內(nèi)通入保護(hù)性的非氧化性氣體(氮?dú)?；

c)待單壁碳納米管片固定后，加入足量的OCT包埋劑將單壁碳納米管全部包覆起來，在冷凍切片機(jī)內(nèi)放置60min；

e)放置結(jié)束后，將包覆單壁碳納米管片的樣品臺(tái)調(diào)整至單壁碳納米管與無磁刀片垂直的方向，進(jìn)行切割；

f)切割完成后，迅速取出樣品置于去離子水溶液中，多次換水溶解去除OCT包埋劑，得到經(jīng)過開口處理的定向化單壁碳納米管，即所述碳納米管磁體。

在上述處理方法中，切割單壁碳納米管的長度并不構(gòu)成對本發(fā)明的限制，以便于操作為宜。

在上述處理方法中，所述OCT包埋劑可以用其他冷凍包埋劑代替，只要能夠固定單壁碳納米管便于開口即可。

在上述處理方法中，單壁碳納米管樣品預(yù)冷的溫度與時(shí)間長度并不構(gòu)成對本發(fā)明的限制，應(yīng)當(dāng)根據(jù)樣品的狀態(tài)進(jìn)行調(diào)整，以能整齊的切下樣品切片為宜。

在上述處理方法中，切割后單壁碳納米管的長度并不構(gòu)成對本發(fā)明的限制。切割后單壁碳納米管的長度越小，開口的碳管越多，有利于產(chǎn)生大范圍的強(qiáng)磁場

本實(shí)施例制備的碳納米管磁體的形貌如圖4所示，圖中，單壁碳納米管沿垂直于斷面的方向定向排列，切片開口后的單壁碳納米管樣品表面平整，在切片的邊緣(箭頭所示)單壁碳納米管形成平整的開口，穩(wěn)態(tài)磁場在斷面處產(chǎn)生。

對本實(shí)施例制備的碳納米管磁體施加2T的外加磁場，得到其開口端邊緣原子的平均玻爾磁子數(shù)隨溫度變化關(guān)系圖。如圖5所示，在溫度為200-220K時(shí)，碳納米管磁體的磁化強(qiáng)度最高，隨著溫度的升高，磁體的磁化強(qiáng)度逐漸降低。

以上詳細(xì)描述了本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施方式，但是，本發(fā)明并不限于上述實(shí)施方式中的具體細(xì)節(jié)，在本發(fā)明的技術(shù)構(gòu)思范圍內(nèi)，可以對本發(fā)明的技術(shù)方案進(jìn)行多種簡單變型，這些簡單變型均屬于本發(fā)明的保護(hù)范圍。

另外需要說明的是，在上述具體實(shí)施方式中所描述的各個(gè)具體技術(shù)特征，在不矛盾的情況下，可以通過任何合適的方式進(jìn)行組合，為了避免不必要的重復(fù)，本發(fā)明對各種可能的組合方式不再另行說明。

此外，本發(fā)明的各種不同的實(shí)施方式之間也可以進(jìn)行任意組合，只要其不違背本發(fā)明的思想，其同樣應(yīng)當(dāng)視為本發(fā)明所公開的內(nèi)容。