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      一種外加磁場(chǎng)作用下的c?軸取向型Zn?ZSM?5分子篩的合成方法與流程

      文檔序號(hào):11454571閱讀:978來源:國(guó)知局
      一種外加磁場(chǎng)作用下的c?軸取向型Zn?ZSM?5分子篩的合成方法與流程

      本發(fā)明涉及一種zn-zsm-5分子篩的合成方法,特別是一種外加磁場(chǎng)作用下的c-軸取向型zn-zsm-5分子篩的合成方法。



      背景技術(shù):

      zsm-5屬于mfi型分子篩,孔道結(jié)構(gòu)由截面呈橢圓形的直筒形a軸孔道(孔道尺寸為0.54nm×0.56nm)和截面近似為圓形的z字型b軸孔道(孔道尺寸為0.52nm×0.58nm)交叉所組成;不同軸取向zsm-5分子篩納米級(jí)孔道結(jié)構(gòu)的差異性造成化學(xué)分子在分子篩孔道內(nèi)的傳質(zhì)特性、吸附特性和反應(yīng)特性存在巨大差異。由于苯(b)、甲苯(t)和二甲苯(x)分子大小與zsm-5分子篩孔道直徑大小相近,負(fù)載zn或ga的zsm-5分子篩應(yīng)用于甲醇制芳烴(mta)反應(yīng)表現(xiàn)了良好的擇型催化性能。研究發(fā)現(xiàn)不同孔道取向zsm-5分子篩的結(jié)構(gòu)存在的巨大差異,會(huì)嚴(yán)重影響分子篩在甲醇芳構(gòu)化反應(yīng)中的催化性能。由于btx在常規(guī)zsm-5分子篩孔道中擴(kuò)散阻力較大,容易在孔道內(nèi)結(jié)焦積碳,降低分子篩催化反應(yīng)性能。而具有c軸取向孔道結(jié)構(gòu)的zsm-5分子篩可以使反應(yīng)物分子易于達(dá)到催化活性位,并且生成的產(chǎn)物能夠很快從孔道擴(kuò)散。

      近年來,人們一直關(guān)注取向型分子篩的合成,對(duì)于合成具有取向型的hzsm-5做了不少的嘗試。例如:ryoo等(nature,461(2009)246)使用有疏水性長(zhǎng)鏈取代的己二胺衍生物為有機(jī)模板劑,利用有機(jī)模板的兩個(gè)氨基的空間定位作用引導(dǎo)ac面上mfi結(jié)構(gòu)形成,利用另一段為長(zhǎng)度22個(gè)碳的疏水長(zhǎng)鏈抑制mfi結(jié)構(gòu)沿b軸向生長(zhǎng),成功合成了在b軸方向上為納米尺度的zsm-5沸石。shan等(chem.commun,47(2011)1048)在合成起始硅-鈦凝膠中加入尿素和含氟表面活性劑fc-4,合成出b-軸取向生長(zhǎng)的片狀或鏈狀ts-1分子篩。liu等(j.am.chem.soc.,134(2012)4557)采用陽離子聚合物copolymerpolystyrene-co-4-polyvinylpyridine(pst-co-p4vp)為介孔模板制備了含有序晶內(nèi)介孔的zsm-5沸石單晶,其中孔徑在10-50nm的介孔沿著沸石b軸方向生長(zhǎng)。綜上可見,目前的取向型zsm-5分子篩多為b-軸取向型分子篩材料合成,而且方法多需要采用價(jià)格昂貴的有機(jī)模板劑生產(chǎn)成本非常高,不符合工業(yè)生產(chǎn)要求。

      尹棋亞等(尹棋亞.材料科學(xué)與工程學(xué)報(bào),2007,25(5):788-804)。指出,在磁場(chǎng)下的粒子比不加磁場(chǎng)的粒子更有序,這是由于帶電粒子如電子和離子等以及某些極性分子的運(yùn)動(dòng)在磁場(chǎng)特別是強(qiáng)磁場(chǎng)中會(huì)發(fā)生根本性變化,可以使催化劑能夠便于分離,提高利用率。ohgakik等(ohgakik,chemengsci,1994,9(6):911-913)認(rèn)為磁場(chǎng)的作用會(huì)改變鍵能,從而改變界面結(jié)構(gòu),影響晶體生長(zhǎng)過程,使晶體沿某一方向生長(zhǎng)。chao等(chaokjetal.advmater,1996,8(12):1008—1012)利用陽極氧化鋁載體的垂直孔道限制afi分子篩晶體的取向生長(zhǎng),分別得到沿孔道方向c-軸取向、緊密排列的vapo4-5和alpo4-5晶體層。在合成過程中,晶核首先滲入載體孔道內(nèi),然后沿孔道方向生長(zhǎng)出c-軸取向的晶體并伸出孔道。



      技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素:

      本發(fā)明的目的是要提供一種外加磁場(chǎng)作用下的c-軸取向型zn-zsm-5分子篩的合成方法,解決現(xiàn)有合成納米zsm-5分子篩水熱合成法中存在的模板劑用量過大、以及c-軸zsm-5的晶相生長(zhǎng)和抗積炭、甲醇轉(zhuǎn)化率的問題。

      為解決上述技術(shù)問題,本發(fā)明的目的是這樣實(shí)現(xiàn)的:

      本發(fā)明采用的技術(shù)方案如下:

      一、silicalite-1晶種制備:a、將硅源、模板劑和去離子水混合均勻,形成具有如下摩爾配比的混合物,模板劑:sio2:h2o=1:(20~40):(70~100),對(duì)混合物進(jìn)行老化;b、將步驟a中老化后的凝膠轉(zhuǎn)入晶化釜進(jìn)行晶化,得到預(yù)制晶種懸浮液;

      二、混合凝膠制備:將硅源、鋁源、堿源、鋅源和去離子水混合均勻,形成具有如下摩爾配比的初始凝膠混合物,sio2:al2o3:na2o:zno:h2o=(100~150):(2~4):6:1:(900~1500);向初始凝膠混合物中添加預(yù)制晶種懸浮液,攪拌均勻;

      三、老化:將步驟二得到的混合物玻璃容器置于恒溫浴槽中,向混合物中加入模板劑,恒溫浴槽外加外加磁場(chǎng),并連續(xù)緩慢攪拌下老化24-36h;

      四、晶化:將老化后的混合物轉(zhuǎn)入晶化釜中進(jìn)行晶化,自然冷卻至室溫,然后進(jìn)行過濾、洗滌,干燥、煅燒得到具有c-軸向結(jié)構(gòu)的zn-zsm-5分子篩。

      步驟一中,晶化條件,晶化溫度為80~120℃,晶化時(shí)間為4~8h,晶化溫度為不能高于120℃,晶化溫度選取較高時(shí)其晶化時(shí)間應(yīng)縮短,以控制得到的晶種懸浮液中的晶種粒度小于30nm。

      步驟一和步驟二中,硅源為硅溶膠、硅凝膠、正硅酸乙酯、正硅酸甲酯中一種或幾種;模板劑為四丙基氫氧化銨、四丙基溴化銨、1,6-己二胺、正丁胺中一種或幾種;步驟二中鋁源為異丙醇鋁、硝酸鋁、偏鋁酸鈉和硫酸鋁中一種或幾種;鋅源為硝酸鋅,氯化鋅或硫酸鋅中的一種。

      步驟二中,晶種添加量為1%~10%,晶種懸浮液質(zhì)量與初始凝膠混合物中sio2的質(zhì)量比。

      步驟三中,外加磁場(chǎng)的強(qiáng)度為30mt~60mt。

      步驟三中,以20-60轉(zhuǎn)/分鐘連續(xù)緩慢攪拌。

      步驟四中,晶化條件為晶化溫度為140~170℃,晶化時(shí)間為10~24h;其中,晶化溫度不能超過170℃。

      有益效果,由于采用了上述方案,在磁場(chǎng)作用下c-軸取向型zsm-5分子篩材料合成方法,通過特定的外加磁場(chǎng)作用,有效解決了zsm-5在晶體生長(zhǎng)過程中形貌結(jié)構(gòu)取向性擇優(yōu)生長(zhǎng)的問題。該技術(shù)的特點(diǎn)是特定強(qiáng)度的外加磁場(chǎng)對(duì)分子篩晶粒生長(zhǎng)的導(dǎo)向作用明顯,將其放置水平磁感線位置合成分子篩單體具有c-軸取向結(jié)構(gòu),同時(shí)不需要二次處理,通過一次摻雜就可以成功合成具有c-軸取向結(jié)構(gòu)的鋅型zsm-5分子篩新材料,合成工藝簡(jiǎn)單,重復(fù)性好,且新材料比表面積較大,應(yīng)用于甲醇芳構(gòu)化反應(yīng)中表現(xiàn)出優(yōu)異的甲醇轉(zhuǎn)化率和芳烴收率、抗積碳性能和穩(wěn)定性。解決了現(xiàn)有技術(shù)合成納米zsm-5分子篩水熱合成法中存在的模板劑用量過大、以及c-軸zsm-5的晶相生長(zhǎng)和抗積炭、甲醇轉(zhuǎn)化率的問題,達(dá)到了本發(fā)明的目的。

      優(yōu)點(diǎn):本發(fā)明合成工藝簡(jiǎn)單,重復(fù)性好,且新材料比表面積較大,應(yīng)用于甲醇芳構(gòu)化反應(yīng)中表現(xiàn)出優(yōu)異的甲醇轉(zhuǎn)化率和芳烴收率、抗積碳性能和穩(wěn)定性。

      附圖說明:

      圖1是本發(fā)明實(shí)例1條件下制備的具有c-軸取向型zn-zsm-5分子篩的sem結(jié)構(gòu)圖。

      圖2是本發(fā)明實(shí)例1條件下制備的具有c-軸取向型zn-zsm-5分子篩的tem結(jié)構(gòu)圖。

      圖3為本發(fā)明實(shí)例1條件下制備的具有c-軸取向型zn-zsm-5分子篩的xrd圖。

      圖4為本發(fā)明實(shí)例的條件下制備的具有c-軸取向型zn-zsm-5分子篩和常規(guī)zn/zsm-5分子篩(采用浸漬法負(fù)載zn)的甲醇轉(zhuǎn)化率和芳烴產(chǎn)率對(duì)比圖。

      具體實(shí)施方式

      本發(fā)明采用的技術(shù)方案如下:

      一、silicalite-1晶種制備,所述的silicalite-1晶種為一種全硅型晶種:a、將硅源、模板劑和去離子水混合均勻,形成具有如下摩爾配比的混合物,模板劑:sio2:h2o=1:(20~40):(70~100),對(duì)混合物進(jìn)行老化;b、將步驟a中老化后的凝膠轉(zhuǎn)入晶化釜進(jìn)行晶化,得到預(yù)制晶種懸浮液;

      二、混合凝膠制備:將硅源、鋁源、堿源、鋅源和去離子水混合均勻,形成具有如下摩爾配比的初始凝膠混合物,sio2:al2o3:na2o:zno:h2o=(100~150):(2~4):6:1:(900~1500);向初始凝膠混合物中添加預(yù)制晶種懸浮液,攪拌均勻;

      三、老化:將步驟二得到的混合物玻璃容器置于恒溫浴槽中,向混合物中加入模板劑,恒溫浴槽外加外加磁場(chǎng),并連續(xù)緩慢攪拌下老化24-36h;

      四、晶化:將老化后的混合物轉(zhuǎn)入晶化釜中進(jìn)行晶化,自然冷卻至室溫,然后進(jìn)行過濾、洗滌,干燥、煅燒得到具有c-軸向結(jié)構(gòu)的zn-zsm-5分子篩。

      步驟一中,晶化條件,晶化溫度為80~120℃,晶化時(shí)間為4~8h,晶化溫度為不能高于120℃,晶化溫度選取較高時(shí)其晶化時(shí)間應(yīng)縮短,以控制得到的晶種懸浮液中的晶種粒度小于30nm。

      步驟一和步驟二中,硅源為硅溶膠、硅凝膠、正硅酸乙酯、正硅酸甲酯中一種或幾種;模板劑為四丙基氫氧化銨、四丙基溴化銨、1,6-己二胺、正丁胺中一種或幾種;步驟二中鋁源為異丙醇鋁、硝酸鋁、偏鋁酸鈉和硫酸鋁中一種或幾種;鋅源為硝酸鋅,氯化鋅或硫酸鋅中的一種。

      步驟二中,晶種添加量為1%~10%,晶種懸浮液質(zhì)量與初始凝膠混合物中sio2的質(zhì)量比。

      步驟三中,外加磁場(chǎng)的強(qiáng)度為30mt~60mt。mt為磁場(chǎng)強(qiáng)度單位:毫特斯拉。

      步驟三中,以20-60轉(zhuǎn)/分鐘連續(xù)緩慢攪拌。

      步驟四中,晶化條件為晶化溫度為140~170℃,晶化時(shí)間為10~24h;其中,晶化溫度不能超過170℃。

      下面是本發(fā)明的實(shí)施例,但本發(fā)明并不局限于這些實(shí)施例。

      實(shí)施例1:

      (1)將15ml無水乙醇、30ml去離子水和25ml正硅酸乙酯在室溫下混合攪拌均勻。

      (2)向步驟(1)得到的溶液中緩慢滴加4.4ml四丙基氫氧化銨,室溫下攪拌4h。

      (3)將步驟(2)得到溶液轉(zhuǎn)入含聚四氟乙烯襯管的反應(yīng)釜中,80℃下老化24h,然后在120℃下晶化4h,得到晶種懸浮液。

      (4)將6ml的1mol/lal(no3)3溶液、6ml的1mol/lzn(no3)2溶液、36ml的2mol/lnaoh溶液和78ml去離子水混合攪拌均勻。

      (5)向步驟(4)得到的溶液中攪拌滴加72g硅溶膠(50%sio2)。

      (6)向步驟(5)得到的溶液中緩慢滴加10%晶種懸浮液。

      (7)向步驟(6)得到的溶液中添加3ml的1,6-己二胺,充分?jǐn)嚢杈鶆颉?/p>

      (8)將步驟(7)得到的溶液在恒溫浴槽置于50.3mt強(qiáng)度的外加磁場(chǎng)中,以20轉(zhuǎn)/分鐘攪拌速率緩慢攪拌老化30h。

      (9)將步驟(8)得到的溶液加入聚四氟乙烯內(nèi)襯的合成釜內(nèi),于160℃晶化24h。

      (10)將步驟(9)得到的樣品離心過濾的固體樣品

      (11)將步驟(10)得到的固體樣品經(jīng)110℃下干燥12h,550℃下空氣氣氛中焙燒6h,制得c-軸取向型zn-zsm-5分子篩。

      實(shí)施例2:本實(shí)施方式與具體實(shí)施例1不同的是步驟(3)中100℃下晶化6h。其它步驟及參數(shù)與具體實(shí)施例1相同。

      實(shí)施例3:本實(shí)施方式與具體實(shí)施例1不同的是步驟(6)中緩慢滴加5%晶種懸浮液。其它步驟及參數(shù)與具體實(shí)施例1相同。

      實(shí)施例4:本實(shí)施例與具體實(shí)施例1不同的是步驟(8)中的外加磁場(chǎng)強(qiáng)度55mt,攪拌速率為30轉(zhuǎn)/分鐘。其它步驟及參數(shù)與具體實(shí)施例1相同。

      實(shí)施例5:本實(shí)施例與具體實(shí)施例1不同的是步驟(9)中170℃晶化15h。其它步驟及參數(shù)與具體實(shí)施例1相同。

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