技術(shù)特征：

1.一種多孔殼層結(jié)構(gòu)co3o4-sno2面內(nèi)異質(zhì)結(jié)，其特征在于：所述多孔殼層結(jié)構(gòu)中co3o4和sno2均勻分布在每個殼層的二維平面中，形成二維平面異質(zhì)結(jié)構(gòu)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多孔殼層結(jié)構(gòu)co3o4-sno2面內(nèi)異質(zhì)結(jié)的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的多孔殼層結(jié)構(gòu)co3o4-sno2面內(nèi)異質(zhì)結(jié)的制備方法，其特征在于：所述步驟（1）中的碳源為蔗糖、果糖、葡萄糖、乳糖、單寧酸、多巴胺、玉米淀粉中的至少兩種，濃度為0.1g/ml?~?0.5g/ml。

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的多孔殼層結(jié)構(gòu)co3o4-sno2面內(nèi)異質(zhì)結(jié)的制備方法，其特征在于：所述步驟（1）水熱反應溫度為160-200℃，反應時間為1-5h。

5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的多孔殼層結(jié)構(gòu)co3o4-sno2面內(nèi)異質(zhì)結(jié)的制備方法，其特征在于：步驟（2）和步驟（3）中有機溶劑采用乙醇、丙醇、丙三醇和四氫呋喃中的一種或多種。

6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的多孔殼層結(jié)構(gòu)co3o4-sno2面內(nèi)異質(zhì)結(jié)的制備方法，其特征在于：所述步驟（2）中的錫化合物為sncl2、snso4、sncl4或sn(no3)2中的一種或幾種，錫化合物與碳球的質(zhì)量比為1:5~?1:20，陳化時間0.5-3h。

7.根據(jù)權(quán)利要求2所述的多孔殼層結(jié)構(gòu)co3o4-sno2面內(nèi)異質(zhì)結(jié)的制備方法，其特征在于：所述步驟（3）中多殼層結(jié)構(gòu)sno2前驅(qū)體與鈷化合物的質(zhì)量比為1:0.1~?1:0.3；鈷化合物為cocl2、coso4、co(no3)2、乙酰丙酮鈷的一種或幾種；混合溶液b中多殼層結(jié)構(gòu)sno2前驅(qū)體和鈷化合物的總濃度為0.1?g/ml?~?0.22?g/ml。

8.根據(jù)權(quán)利要求2所述的多孔殼層結(jié)構(gòu)co3o4-sno2面內(nèi)異質(zhì)結(jié)的制備方法，其特征在于：所述步驟（2）和步驟（3）中煅燒溫度為400-600℃，升溫速率為1℃/min?~?5℃/min，煅燒時間為1-2h。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的所述的多孔殼層結(jié)構(gòu)co3o4-sno2面內(nèi)異質(zhì)結(jié)作為氣敏元件在高靈敏度氫氣傳感器方面的應用。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的應用，其特征在于：工作溫度為170°c時，多孔殼層結(jié)構(gòu)co3o4-sno2面內(nèi)異質(zhì)結(jié)作為氣敏元件對氫氣有較好的選擇性并且對50ppm的氫氣的靈敏度達到8.63。

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明公開了一種多孔殼層結(jié)構(gòu)Co<subgt;3</subgt;O<subgt;4</subgt;?SnO<subgt;2</subgt;面內(nèi)異質(zhì)結(jié)、制備方法及作為氫氣傳感器的應用，該材料通過模板法合成，且成功構(gòu)建了Co<subgt;3</subgt;O<subgt;4</subgt;和SnO<subgt;2</subgt;二維平面異質(zhì)結(jié)構(gòu)。將兩種及以上的碳源溶于水中，攪拌后進行水熱反應，將反應后的混合溶液離心干燥得到碳球，將錫化合物與碳球溶于有機溶劑中，超聲攪拌?陳化?離心?干燥?煅燒得到多孔殼層結(jié)構(gòu)SnO<subgt;2</subgt;前驅(qū)體；并基于Gavanic置換反應合成多孔殼層結(jié)構(gòu)Co<subgt;3</subgt;O<subgt;4</subgt;?SnO<subgt;2</subgt;面內(nèi)異質(zhì)結(jié)材料。本發(fā)明利用不同碳源對錫源前驅(qū)體的吸附力不同，在控制煅燒階段后形成了多殼層結(jié)構(gòu)SnO<subgt;2</subgt;前驅(qū)體，且制備的二維面內(nèi)異質(zhì)結(jié)構(gòu)暴露了較多晶界和缺陷位點，提高了對氫氣的選擇性以及穩(wěn)定性，工作溫度為170℃時對氫氣有較好的選擇性和優(yōu)異的穩(wěn)定性。

技術(shù)研發(fā)人員：張永輝,楊玄宇,劉思雨,岳麗娟,鞏飛龍,王培遠,陳俊利,張浩力,魏世忠
受保護的技術(shù)使用者：鄭州輕工業(yè)大學
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2024/11/18