技術(shù)特征：

1.細(xì)菌包埋的微納結(jié)構(gòu)基底的制備方法，其特征在于，包括如下步驟：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的細(xì)菌包埋的微納結(jié)構(gòu)基底的制備方法，其特征在于，金屬膜的厚度為50-200nm。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的細(xì)菌包埋的微納結(jié)構(gòu)基底的制備方法，其特征在于，金屬膜的金屬選自鋁、銅、銀或者金。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的細(xì)菌包埋的微納結(jié)構(gòu)基底的制備方法，其特征在于，多光束的激光干涉光刻技術(shù)的條件為：工作波長(zhǎng)1064nm，脈寬6ns，頻率10hz，每個(gè)單激光的能量均為0.01-1j/cm2，脈沖持續(xù)時(shí)間7-9ns，曝光時(shí)間10-40s。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的細(xì)菌包埋的微納結(jié)構(gòu)基底的制備方法，其特征在于，多光束的激光干涉光刻技術(shù)中，光束≥2。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的細(xì)菌包埋的微納結(jié)構(gòu)基底的制備方法，其特征在于，采用酸液對(duì)預(yù)處理基底表面進(jìn)行清洗，直至預(yù)處理基底上無金屬。

7.一種權(quán)利要求1-6任一項(xiàng)所述制備方法制得的細(xì)菌包埋的微納結(jié)構(gòu)基底，其特征在于，微納結(jié)構(gòu)的周期范圍為0.5-10μm，微納結(jié)構(gòu)的深度為0.05-2μm。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的細(xì)菌包埋的微納結(jié)構(gòu)基底，其特征在于，微納結(jié)構(gòu)的形狀包括錐形、楔形、金字塔形、倒金字塔形、半圓形、六邊柱形和圓柱形。

9.一種權(quán)利要求7所述的細(xì)菌包埋的微納結(jié)構(gòu)基底在制備細(xì)菌包埋的微納結(jié)構(gòu)基底@包埋細(xì)菌材料中的應(yīng)用，其特征在于，細(xì)菌包埋的微納結(jié)構(gòu)基底@包埋細(xì)菌材料按照如下步驟制備：

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的應(yīng)用，其特征在于，包埋的方法為：將細(xì)菌滴加于修飾細(xì)菌包埋的微納結(jié)構(gòu)基底上，然后采用去離子水對(duì)細(xì)菌進(jìn)行液封。

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明涉及微納結(jié)構(gòu)制造技術(shù)領(lǐng)域，具體來說是細(xì)菌包埋的微納結(jié)構(gòu)基底及其制備方法和應(yīng)用。本發(fā)明先于石英材料上蒸鍍金屬膜，然后將多光束激光干涉光刻技術(shù)作用于金屬膜表面，通過干涉光疊加光場(chǎng)再分布的光場(chǎng)與金屬膜之間產(chǎn)生相互作用，在金屬膜與石英材料基底表面的界面處形成新的能量分布，利用光與金屬膜之間的作用將微納結(jié)構(gòu)轉(zhuǎn)移至石英材料表面，進(jìn)而改變石英材料表面的結(jié)構(gòu)，再通過化學(xué)方法將石英材料表面的金屬膜去除，實(shí)現(xiàn)石英材料表面微納結(jié)構(gòu)的制備，獲得細(xì)菌包埋的微納結(jié)構(gòu)基底。本發(fā)明制備方法簡(jiǎn)便，所需設(shè)備相對(duì)廉價(jià)，有效降低了細(xì)菌包埋的微納結(jié)構(gòu)基底的制備成本，且對(duì)石英材料的平整度要求不高，實(shí)現(xiàn)大面積微納結(jié)構(gòu)的制備。

技術(shù)研發(fā)人員：胡翠華,董麗彤,張思亮,王璐,陳玉娟,田立國,王作斌,衣同輝,董秋香
受保護(hù)的技術(shù)使用者：長(zhǎng)春理工大學(xué)
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2024/12/19