專利名稱:一種硅的提純方法
技術領域：
本發(fā)明涉及一種冶金技術，尤其是高純硅的提煉方法。
背景技術：
目前的高純硅基本是采用西門子法，通過電弧初步提純至98％，然后通過制作成化學氣體三氯氫硅，再使用氫氣進行還原。這種方式消耗電力巨大，產量都有很大限制，而且生產成本居高不下。

發(fā)明內容本發(fā)明的任務是設計出經濟的、能耗小的硅的提純方法。
本發(fā)明是采用密封的鎢爐中將高純二氧化硅和焦炭在電爐中強熱制得碳化硅，然后再與高溫氫氣化合后得到甲硅烷，再次采用臨界液化和堿洗方式再次提純，然后進行高溫裂解得到高純硅。
采用熔融提純和氣化提純，可以大量減少能源消耗，降低成本。
具體實施方式具體制作中，首先在1650攝氏度將石英砂敞開燒除雜質，再密封在1750攝氏度熔融進行初步提純，得到液態(tài)二氧化硅，再將焦碳加入化合得到碳化硅。
然后將高溫氫氣與熾熱的碳化硅反應，得到的氣體為氫氣，水蒸汽、硅烷和碳氫化合物。再通過臨界液化法進行提純，再在氫氧化鈉溶液中清洗得到比較純的甲硅烷，然后將低硅烷在溫度高于500℃情況下裂解得到高純硅。
權利要求
1.一種高純硅的提煉方法，其特征是采用密封的鎢爐中將高純二氧化硅和焦炭在電爐中強熱制得碳化硅，然后再與高溫氫氣化合后得到甲硅烷，再次采用臨界液化和堿洗方式再次提純，然后進行高溫裂解得到高純硅。
2.如權利要求
1所述，其特征是在1650攝氏度將石英砂敞開燒除雜質，再密封在1750攝氏度熔融進行初步提純，得到液態(tài)二氧化硅，再將焦碳加入化合得到碳化硅。
3.如權利要求
1所述，其特征是通過臨界液化法進行提純，再在氫氧化鈉溶液中清洗得到比較純的甲硅烷。
專利摘要
一種高純硅的提煉方法，為解決目前硅提純過程中消耗電力巨大，產量都有很大限制，而且生產成本居高不下的問題，本發(fā)明采用陶瓷窯內使用氬氣密封的鎢爐熔融高純二氧化硅進行初步提純，再采用高溫氫氣化合后得到硅烷再次采用臨界液化方式再次提純，然后進行還原得到高純硅，這樣就可以使高純度硅的生產成本大幅度降低，適合太陽能發(fā)電及半導體工業(yè)。
文檔編號C01B33/00GK1994878SQ200610166374
公開日2007年7月11日 申請日期2006年12月25日
發(fā)明者楊貽方 申請人:楊貽方導出引文BiBTeX, EndNote, RefMan