發(fā)光元件材料和發(fā)光元件的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明通過使用含有特定的具有咔唑骨架的化合物的發(fā)光元件材料，提供兼具高發(fā)光效率和耐久性的有機薄膜發(fā)光元件。
【專利說明】發(fā)光元件材料和發(fā)光元件
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及可以將電能轉(zhuǎn)換為光的發(fā)光元件以及其中所用的發(fā)光元件材料。更詳細地說，本發(fā)明涉及可利用于顯示元件、平板顯示器、背光、照明、室內(nèi)裝飾、標(biāo)識、廣告牌、電子照相機和光信號發(fā)生器等領(lǐng)域的發(fā)光元件以及其中所用的發(fā)光元件材料。
【背景技術(shù)】
[0002]近年來，有機薄膜發(fā)光元件的研究進展活躍，其中所述有機薄膜發(fā)光元件是由陰極注入的電子和由陽極注入的空穴在被兩極夾持的有機發(fā)光體內(nèi)復(fù)合時發(fā)光的元件。該發(fā)光元件具有薄型，且在低驅(qū)動電壓下高亮度發(fā)光和通過選擇發(fā)光材料可以實現(xiàn)多色發(fā)光的特征，因而受到人們的重視。
[0003]該研究自柯達公司的C.W.Tang等人揭示了有機薄膜元件可高亮度發(fā)光以來，進行了大量的實用化研究，有機薄膜發(fā)光元件在手機的主顯示器等中的應(yīng)用等實用化正在確實地發(fā)展。但是，技術(shù)上的課題仍然很多，其中一大課題是元件的高效率化和長壽命化的兼顧。
[0004]元件的驅(qū)動電壓受到將空穴、電子之類的載流子傳輸至發(fā)光層的載流子傳輸材料的很大影響。其中，作為傳輸空穴的材料(空穴傳輸材料)，已知具有咔唑骨架的材料(例如參照專利文獻I?2)。另外，上述具有咔唑骨架的材料由于具有高三線態(tài)能級，所以作為發(fā)光層的主體材料被公眾熟知(例如參照專利文獻3)。
[0005]專利文獻1:日本專利特開平8-3547號公報
[0006]專利文獻2:大韓民國專利申請公開第2010-0079458號公報
[0007]專利文獻3:日本專利特開2003-133075號公報

【發(fā)明內(nèi)容】

[0008]然而，通過現(xiàn)有技術(shù)難以充分降低元件的驅(qū)動電壓，而且即使能降低驅(qū)動電壓，元件的發(fā)光效率、耐久壽命也不足。如上所述，尚未發(fā)現(xiàn)能同時實現(xiàn)高發(fā)光效率以及耐久壽命的技術(shù)。
[0009]本發(fā)明的目的在于，解決所述現(xiàn)有技術(shù)的問題，提供改善了發(fā)光效率和耐久壽命的有機薄膜發(fā)光元件。
[0010]本發(fā)明是一種發(fā)光元件材料，其特征在于，含有下述通式(I)表示的具有咔唑骨架的化合物，
[0011][0012](R1~R8分別可以相同也可以不同，選自由氫、烷基、環(huán)烷基、雜環(huán)基、鏈烯基、環(huán)烯基、炔基、烷氧基、烷硫基、芳基醚基、芳基硫醚基、芳基、雜芳基、鹵素、羰基、羧基、氧基羰基、氨基甲酰基、氨基、甲硅烷基、-P(=0)R9R1(l及下述通式(3)表示的基團組成的組；R9及Rki為芳基或雜芳基；其中，R1~R8中的任一個為下述通式(3)表示的基團，并與通式(3)中的R51~R58中的任一個位置連接，或者與R59表示的基團中的任一個位置連接；需要說明的是，R1~R8除了為通式(3)表示的基團的情況外，不含二苯并呋喃骨架、二苯并噻吩骨架及咔唑骨架；另外，R1~Rki不含蒽骨架及芘骨架；A為下述通式(2)表示的基團；
[0013]
【權(quán)利要求】
1.一種發(fā)光元件材料，其特征在于，含有下述通式(I)表示的具有咔唑骨架的化合物，
2.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光元件材料，其特征在于，所述通式⑴中，A與R59為不同的基團。
3.如權(quán)利要求1或2所述的發(fā)光元件材料，其特征在于，所述通式(I)中，R11~R15中的至少兩個分別獨立地為苯基、被烷基取代的苯基或被鹵素取代的苯基。
4.如權(quán)利要求1~3中任一項所述的發(fā)光元件材料，其特征在于，所述通式(I)表示的具有咔唑骨架的化合物為下述通式(4)表示的咔唑骨架，
5.一種發(fā)光元件，其是在陽極與陰極之間存在有機層且通過電能而發(fā)光的發(fā)光元件，其特征在于，所述陽極與陰極之間的任一層含有權(quán)利要求1~4中任一項所述的發(fā)光元件材料。
6.一種發(fā)光元件，其是在陽極與陰極之間至少存在空穴傳輸層且通過電能而發(fā)光的元件，其特征在于，空穴傳輸層含有權(quán)利要求1~4中任一項所述的發(fā)光兀件材料。
7.一種發(fā)光元件，其是在陽極與陰極之間至少存在空穴傳輸層及發(fā)光層且通過電能而發(fā)光的兀件，其特征在于，空穴傳輸層含有權(quán)利要求1~4中任一項所述的發(fā)光兀件材料,發(fā)光層含有三線態(tài)發(fā)光材料。
8.如權(quán)利要求7所述的發(fā)光兀件,其特征在于,發(fā)光層含有主體材料和三線態(tài)發(fā)光性摻雜材料，權(quán)利要求1~4中任一項所述的發(fā)光元件材料是主體材料。
9.如權(quán)利要求5~8中任一項所述的發(fā)光兀件,其特征在于,在所述空穴傳輸層與陽極之間存在空穴注入層，空穴注入層含有受主性化合物。
10.如權(quán)利要求5~9中任一項所述的發(fā)光元件，其特征在于，在發(fā)光層與陰極之間至少存在電子傳輸層，電子傳輸層含有具有雜芳環(huán)結(jié)構(gòu)的化合物，所述雜芳環(huán)結(jié)構(gòu)含有電子接受性氮，且由選自碳、氫、氮、氧、硅、`磷中的元素構(gòu)成。
【文檔編號】C07D209/86GK103518271SQ201280022884
【公開日】2014年1月15日 申請日期:2012年5月8日 優(yōu)先權(quán)日:2011年5月12日
【發(fā)明者】長尾和真, 富永剛, 權(quán)晉友 申請人:東麗株式會社