專利名稱：：交聯(lián)的聚硅氧烷/聚酰亞胺共聚物、制備方法、其共混物、及由其得到的制品的制作方法交聯(lián)的聚硅氧烷/聚酰亞胺共聚物、制備方法、其共混物、及由其得到的制品
背景技術：
：本發(fā)明涉及聚硅氧烷/聚酰亞胺嵌段共聚物。具體地，本發(fā)明涉及交聯(lián)的(固化的)聚硅氧烷/聚醚酰亞胺嵌段共聚物。聚硅氧烷/聚酰亞胺嵌段共聚物因其阻燃性和高溫穩(wěn)定性已經(jīng)得到應用。在一些應用中，高溫穩(wěn)定性和撓性是期望的。這一性能組合可能難以獲得，因為許多柔性的聚合物材料不具有高溫穩(wěn)定性，而具有高溫穩(wěn)定性的聚合物材料不具有撓性。因此，一直需要具有期望的低可燃性、高溫穩(wěn)定性和撓性性能組合的聚硅氧烷/聚酰亞胺嵌段共聚物組合物。發(fā)明簡述一種組合物，包括交聯(lián)的聚硅氧烷/聚酰亞胺嵌段共聚物，其硅氧烷含量占嵌段共聚物總重量的10~45wt%，其中所述交聯(lián)的聚硅氧烷/聚酰亞胺嵌段共聚物在0.44兆帕測量的熱變形溫度比交聯(lián)前該聚硅氧烷/聚酰亞胺嵌段共聚物的熱變形溫度高至少5攝氏度，以及其中交聯(lián)的聚硅氧烷/聚酰亞胺嵌段共聚物在30攝氏度測量的E，模量大于或等于交聯(lián)前該聚硅氧烷/聚酰亞胺在30攝氏度測量的E，模量的115%。所述聚硅氧烷/聚酰亞胺嵌段共聚物包括式(I)的重復單元f/4、R3、fWgOO,V、.N-OO-R1i~|o-*-"3乂一d-R6(I)其中R"6在每次出現(xiàn)時獨立地選自具有5~45個碳原子的單環(huán)基團，具有10~45個碳原子的多環(huán)基團，具有1~30個碳原子的烷基和具有2~30碳原子的鏈烯基，V是四價連接基，選自具有550個碳原子的單環(huán)基團，具有650個碳原子的多環(huán)基團，具有130個碳原子的烷基，具有230碳原子的鏈烯基，和包含至少一種前述連接基的組合，g等于130,以及d大于或等于1。該組合物可以通過以下方法制備，所述方法包括用16130兆戈的輻射量照射組合物，所述組合物包括聚硅氧烷/聚酰亞胺嵌段共聚物。所述聚硅氧烷/聚酰亞胺嵌段共聚物的硅氧烷含量占嵌段共聚物總重量的10~45wt。/。并包括式(I)的重復單元。該組合物可以用于包護的導體中，所述包護的導體包括導體和布置在所述導體上的護層(covering)。該包護的導體可以通過用組合物擠出貼合導體而制備，所述組合物包括聚硅氧烷/聚酰亞胺嵌段共聚物，其硅氧烷含量占嵌段共聚物總重量的1045wt。/。并包括式(I)的重復單元。在擠出貼合之后，用16130兆戈(megaGray)的輻射量照射該擠出貼合的導體。附圖簡述圖1是導線截面的示意圖。圖2和3是具有多個層的導線的透視圖。發(fā)明詳述本文使用的術語"第一"、"第二"等，"主要"、"次要"等不表示任何順序、數(shù)量或重要性，而是用于區(qū)別一種要素和另一種要素。措詞"一個，，和"一種"("a"和"an")不表示數(shù)量的限制，而是表示存在至少一個所指項。"任選的"或"任選地，，是指，隨后描述的事件或情形可發(fā)生或可不發(fā)生，和該描述包括其中該事件發(fā)生的情形和其中不發(fā)生該事件的情形。術語"烷基"擬包括具有規(guī)定碳原子數(shù)的Cwo支化和直鏈的飽和脂肪烴基團。烷基的實例包括但不限于，曱基、乙基、正丙基、異丙基、正丁基、仲丁基、叔丁基、正戊基、仲戊基、正己基和仲己基、正庚基和仲庚基、以及正辛基和仲辛基。烷基可以是取代的或未取代的。術語"鏈烯基"定義為在兩個或更多個碳原子之間具有一個或多個雙鍵的支化或直鏈的不飽和脂肪烴基團。鏈烯基的實例包括乙烯基、丙烯基、丁烯基、戊烯基、己烯基、庚烯基、辛烯基和壬烯基以及相應的C2.20二烯、三烯和四烯。鏈烯基可以是取代的或未取代的。術語"炔基，，定義為在兩個或多個碳原子之間具有一個或多個三鍵的Cw。支化或直鏈不飽和脂族烴基。炔基的實例包括乙炔基、丙炔基、丁炔基、戊炔基、己炔基、庚炔基、辛炔基和壬炔基。術語"取代的"指在分子、分子的一部分、或原子上的一個或多個氫被取代基團代替，條件是不超過原子的正常化學價，并且該取代得到穩(wěn)定的化合物。此"取代基團"可選自-OR、-NR'R、-C(O)R、-SR、-卣素、-CN、-N02、-S02、磷?；?、亞氨基、硫酯基、碳環(huán)基團、芳基、雜芳基、烷基、烯基、二環(huán)基團和三環(huán)基團。當取代基為酮基團(即，O)時，則原子上的兩個氫被取代。在芳族部分不存在酮取代基?；鶊FR和R'指可以相同或不同的烷基。這些描述擬包括上述式I指定的主鏈單元上的取代基團的所有排列(permutation)和組合，條件是通過指定合適的R或取代基團可以選擇各牌排列或組合。因此，例如，術語"取代的Cwo烷基"指含有飽和一建和一個或多個氫被例如如下基團置換的烷基部分卣素、羰基、烷氧基、酯、醚、氰基、磷?；?、亞氨基、烷基硫基、硫酯基、磺酰基、硝基、雜環(huán)基、芳基或雜芳基。本文使用的術語"卣"或"卣素"指氟、氯、溴和碘。本文使用的術語"單環(huán)"指包含單個環(huán)體系的基團。該環(huán)體系可以是芳環(huán)、雜環(huán)、芳族雜環(huán)、飽和環(huán)烷基或不飽和環(huán)烷基。單環(huán)基團可以是取代的或未:f又代的。單環(huán)的烷基可以具有5~12個環(huán)成員。本文使用的術語"多環(huán)基，，指含有多個環(huán)體系的基團。這些環(huán)可以是稠合的或未稠合的。多環(huán)基團可以是芳族基團、雜環(huán)基團、芳族雜環(huán)基團、飽和環(huán)烷基、不飽和環(huán)烷基、或前述兩種或更多種的組合。該多環(huán)基團可以是取代的或未取代的。多環(huán)基團可以具有6~20個環(huán)成員。術語"芳基"意指含有規(guī)定碳原子數(shù)的芳族基團，例如但不限于苯基、環(huán)庚三烯酮(tropone)、2,3-二氫化茚基或萘基。術語"環(huán)烷基"意指任何穩(wěn)定的環(huán)體系，其可以是飽和的或部分不飽和的。它們的實例包括但不限于環(huán)丙基、環(huán)戊基、.環(huán)己基、降冰片烷基、二環(huán)[2.2.2]壬烷、金剛烷基或四氫萘基(l,2,3,4-四氫化萘)。本文使用的術語"雜環(huán)，，或"雜環(huán)體系"意指由碳原子和1~4個獨立選自N、O和S的雜原子組成的，飽和、部分不飽和、不飽和或芳族的穩(wěn)定的5至7元單環(huán)或7至IO元雙環(huán)雜環(huán)，包括以上定義的任意雜環(huán)與苯環(huán)稠合的任何二環(huán)基團。雜原子氮和硫任選可被氧化。雜環(huán)基團的環(huán)可以在任何雜原子或碳原子上連接其側基，產(chǎn)生穩(wěn)定的結構。在這點上，雜環(huán)中的氮可任選被季化。當雜環(huán)中的S和O原子的總數(shù)超過1時，則這些雜原子彼此不相鄰。在一些實施方式中，在雜環(huán)中的S和O的總數(shù)不大于1。本文中使用的術語"芳族雜環(huán)體系"意指由碳原子和14個獨立地選自N、O和S的雜原子組成的穩(wěn)定的5至7元單環(huán)或7至10元雙環(huán)雜環(huán)芳環(huán)。在一些實施方式中，在芳族雜環(huán)中的S和O的總數(shù)不大于1。術語"獨立地選自"、"在每次出現(xiàn)時獨立地為"或類似語言指標示的R取代基在相同結構中可出現(xiàn)大于一次且出現(xiàn)多次時可以相同或相異。因此，W可以與116相同或相異，如果在式1的給定排列中標示的116取代基團出現(xiàn)四次，則這些標示的116取代基各自可以是例如落入116定義內(nèi)的不同烷基。聚硅氧烷/聚酰亞胺嵌段共聚物包括聚硅氧烷嵌段和聚酰亞胺嵌段。在無規(guī)聚硅氧烷/聚酰亞胺嵌段共聚物中，硅氧烷嵌^a的大小由用于形成該嵌段共聚物的單體中的曱硅烷氧基單元的數(shù)量(類似于式(I)的g)決定。在一些非-無規(guī)聚硅氧烷/聚酰亞胺嵌段共聚物中，單體中的甲硅烷氧基單元的數(shù)量不僅決定聚酰亞胺嵌段和聚硅氧烷嵌段的順序，而且還決定硅氧烷嵌段的大小。相反，本文所述的聚硅氧烷/聚酰亞胺嵌段共聚物具有伸長的(extended)硅氧烷嵌段。兩個或更多個硅氧烷單體連接在一起形成伸長的硅氧烷低聚物，然后用于形成嵌段共聚物。具有伸長的硅氧烷嵌段且硅氧烷含量占嵌段共聚物總重10wt%~45wt。/。的聚硅氧烷/聚酰亞胺嵌段共聚物令人驚訝地具有高的抗沖強度。具有伸長的硅氧烷嵌段的交聯(lián)的聚硅氧烷/聚酰亞胺嵌段共聚物具有顯著較高的熱變形溫度和E，模量值。具有伸長的硅氧烷嵌段的聚硅氧烷/聚酰亞胺嵌段共聚物通過如下方法制得形成伸長的硅氧烷低聚物，然后使用該伸長的硅氧烷低聚物制備嵌段共聚物。伸長的硅氧烷低聚物通過使二氨基硅氧烷和二酐反應制得，其中存在的二氨基硅氧烷或二酐摩爾過量10-50%,或者更具體地摩爾過量1025%。上下文使用的"摩爾過量"定義為超過其他反應物。例如，如果存在的二氨基硅氧烷摩爾過量10%,則對于存在的100摩爾二肝，有110摩爾二氨基硅氧烷。二氨基硅氧乾具有式(n)結構ii<formula>formulaseeoriginaldocumentpage12</formula>其中R"和g如上定義。在一種實施方式中，R"是曱基且R^和RS是亞烷基。二氨基硅氧烷的合成在本領域是已知的，例如教導于美國專利5,026,890、6,339,137和6,353,073中。在一種實施方式中，Ri和R6是具有310個碳原子的亞烷基。在一些實施方式中，W和I^相同，而在一些實施方式中，RJ和RS相異?？捎糜谛纬缮扉L的硅氧烷低聚物的二酐具有式(III)結構<formula>formulaseeoriginaldocumentpage12</formula>其中V為上面所述的四價連接基。合適的取代基和/或連接基包括但不限于，碳環(huán)基團、芳基、醚、砜、硫化物、酰胺、酯、和包含至少一種前述基團的組合。示例性的連接基包括但不限于，式(IV)的四價芳族基團，例如<formula>formulaseeoriginaldocumentpage12</formula>其中W為二價基團如-O-、-S畫、-C(O)-、-SOr、-SO-、-CyH2y-(y為1~20的整數(shù))，及其卣化衍生物(包括全氟亞烷基)，或者式-O-Z-O-的基團，其中一O-或-O-Z-O-基團的二價鍵合在3,3'、3,4'、4,3'或4，4'位，且Z包括但不限于式(V)的二價基團其中Q包括但不限于，包括-O-、-S-、畫C(0)陽、-S02-、-SO-、-CyH2y-(y為120的整數(shù))的二價基團，及其卣化衍生物，包括全氟亞烷基。在一些實施方式中，該四價連接基V不含卣素。在一種實施方式中，所述二酐包括芳族二(醚酐)。具體的芳族二(醚酐)的實例例如披露于美國專利3,972,902和4,455,410中。說明性的芳族二(醚酐)的實例包括2,2-二[4-(3,4-二羧基苯氧基)苯基]丙烷二酐；4，4'-二(3，4-二羧基苯氧基)二苯基醚二酐；4,4'-二(3,4-二羧基苯氧基)二苯硫醚二酐；4,4'-二(3，4-二羧基苯氧基)二苯曱酮二酐；4,4'-二(3，4-二羧基苯氧基)二苯基砜二酐；2，2-二[4-(2,3-二羧基苯氧基)苯基]丙烷二酐；4,4'-二(2，3-二羧基苯氧基)二苯基醚二酐；4,4'-二(2，3-二羧基苯氧基)二苯硫醚二酐；4，4'-二(2，3-二羧基苯氧基)二苯曱酮二酐；4,4'-二(2,3-二羧基苯氧基)二苯基砜二酐；4-(2,3-二羧基苯氧基)-4'-(3,4-二羧基苯氧基)二苯基-2，2-丙烷二酐；4-(2,3-二羧基苯氧基)_4'-(3,4-二羧基苯氧基)二苯基醚二酐；4-(2，3-二羧基苯氧基)-4'-(3,4-二羧基苯氧基)二苯硫醚二酐；4-(2,3-二羧基笨氧基)-4'-(3,4-二羧基苯氧基)二苯曱酮二酐和4-(2,3-二羧基苯氧基)-4'-(3，4-二羧基苯氧基)二苯基砜二酐，以及包含至少兩種前述物質(zhì)的混合物。二(醚酐)可以如下制備在偶極疏質(zhì)子溶劑存在下將硝基取代的苯二腈13(phenyldinitrile)和二元酚化合物的金屬鹽的反應產(chǎn)物水解，接著脫水。也可以使用二酐的化學等價物。二酐化學等價物的實例包括能夠形成二酐的四官能羧酸和該四官能羧酸的酯或部分酯衍生物。還可以使用混合的酐酸(anhydrideacid)或酐面旨(anhydrideester)作為二酐的等價物。在整個說明書和權利要求書中使用"二酐，，將指二酐及其化學等價物。二氨基硅氧烷和二酐可以在合適的溶劑(如卣化的芳族溶劑，例如鄰二氯苯)，任選在聚合催化劑(如堿金屬芳基次膦酸鹽或堿金屬芳基膦酸鹽，如苯基膦酸鈉)存在下反應。在一些情況中，溶劑可以是分子量小于或等于500的疏質(zhì)子極性溶劑以便于從聚合物中除去該溶劑。反應溫度可以大于或等于100°C且反應可以在共沸狀態(tài)下進行，從而除去反應形成的水。在一些實施方式中，聚硅氧烷/聚酰亞胺嵌段共聚物的殘留溶劑量小于或等于500重量份溶劑/100萬重量份聚合物(ppm)，或者更具體地小于或等于250ppm,或者還更具體地小于或等于100ppm。殘留溶劑量可通過許多方法(例如，包括氣相色譜法)測定。在形成硅氧烷低聚物的反應中二氨基硅氧烷和二酐的化學計量比決定伸長的硅氧烷低聚物中的鏈增長程度(式(I)中的d+l)。例如，4個二氨基硅氧烷和6個二酐的化學計量比將得到d+l的值為4的硅氧烷低聚物。正如本領域技術人員理解的，d+l是嵌段共聚物含硅氧烷部分的平均值，d+l值通常四舍五入為最接近的整數(shù)。例如，d+l值為4包括數(shù)值3.54.5。在一些實施方式中，d小于或等于50,或者更具體地小于或等于25,或者更具體地小于或等于10。上述伸長的硅氧烷低聚物進一步與非硅氧烷二胺和其他二酐反應，制得聚硅氧烷/聚酰亞胺嵌段共聚物。用于制備聚硅氧烷/聚酰亞胺嵌段共聚物的全部量的二酐和二胺(含有二胺的非硅氧烷和硅氧烷兩者的總量)的總摩爾比應大致相等，從而共聚物可以聚合至高分子量。在一些實施方式中，全部二胺和全部二酐之比為0.9~1.1,或者更具體為0.95-1.05。在一些實施方式中，聚硅氧烷/聚酰亞胺嵌段共聚物的數(shù)均分子量(Mn)將為5,00050,000道爾頓，或者更具體地為10,000-30,000道爾頓。所述其他二酐可以與用于形成伸長的硅氧烷低聚物的二酐相同或相異。非硅氧烷聚酰亞胺嵌段包括具有通式(IX)的重復單元<formula>formulaseeoriginaldocumentpage15</formula>(IX)其中a大于1,通常為101000或更大，且具體可以為10~500,其中u無限制地為四價連接基，只要該連接基不妨礙聚酰亞胺低聚物的合成。合適的連接基包括但不限于(a)具有5~50個碳原子的單環(huán)基團和具有650個碳原子的多環(huán)基團，(b)具有l(wèi)-30個碳原子的烷基；和包含至少一種前述連接基的組合。合適的取代基和/或連接基包括但不限于碳環(huán)基團、芳基、醚、砜、硫化物、酰胺、酯、和包含至少一種前述基團的組合。示例性的連接基包括但不限于，式(IV)的四價芳族基團，例如和(IV)其中W為二價基團如-O-、-S-、-C(O)-、-S02-、-SO-、-CyH2y-(y為1~20的整數(shù))，及其卣化衍生物(包括全氟亞烷基)，或者式-O-Z-O-的基團，其中-O-或-O-Z-O-基團的二價鍵合在3,3'、3,4'、4,3'或4,4'位，且Z包括但不限于式(V)的二價基團Yo其中Q包括但不限于，包括畫O-、-S-、-C(O)畫、-S02-、-SO漏、-CyH2y-(y為120的整數(shù))的二價基團，及其卣化衍生物，包括全氟亞烷基。在一些實施方式中，該四價連接基U不含卣素。在一些實施方式中，聚硅氧烷嵌段中的V和聚酰亞胺嵌段中的U相同。在一些實施方式中，V和U不同。-式(IX)中的R"包括但不限于，取代或未取代的二價有機基團，例如具有6~20個碳的芳烴基團及其閨代衍生物；具有2~20個碳的直鏈或支鏈亞烷基基團；具有320個碳原子的亞環(huán)烷基基團；或通式(VIII)的二價基團MM(VIII)其中Q如上定義。在一些實施方式中，119和111()相同，而在一些實施方式中，R9和R^相異。在一些實施方式中，聚硅氧烷/聚酰亞胺嵌段共聚物不含卣素。不含面素定義為卣素含量小于或等于1000重量份卣素/100萬重量份嵌段共聚物(ppm)。卣素含量可以由普通化學分析如原子吸收來測定。不含卣素的聚合物將進一步使燃燒產(chǎn)物具有低的煙霧腐蝕性(smokecorrosivity),例如如DIN57472的813部分測定的。在一些實施方式中，煙霧腐蝕性根據(jù)水的電導率變化判斷時可以小于或等于1000微西門子(microSiemens)。在一些實施方式中，煙霧的酸性用PH測定時大于或等于5。在一種實施方式中，非硅氧烷聚酰亞胺嵌段包括聚醚酰亞胺嵌段。聚醚酰亞胺嵌段包含式(X)的重復單元o^(X)其中T為-O-、-S-、-502-或式-07-0-基團，其中-O-、-S-、-S02-或式-O-Z-O-基團的二價鍵合在3，3'、3，4'、4,3'或4,4'位，且其中Z和R^如上所定義。聚醚酰亞胺嵌段可包括式(X)的結構單元，其中各R"獨立地源自對亞苯基、間亞苯基、二氨基芳基砜或其混合物，T為式(XI)的二價基團「3〈~^CH3(XI)制備聚酰亞胺低聚物，特別是聚醚酰亞胺低聚物的許多方法例如為美國專利3,847,867;3,850,885;3,852,242;3,855,178;3,983,093和4,443,591中披露的那些方法。式(IX)和式(X)的重復單元通過二酐和二胺的反應形成?？捎糜谛纬伤鲋貜蛦卧亩哂惺?xn)結構ooYy0oo(XII)其中U如上定義。如上面提到的，術語二酐包括二酐的化學等價物。在一種實施方式中，二酐包括芳族二(醚酐)。具體的芳族二(醚酐)的實例例如披露于美國專利3,972,902和4,455,410中。說明性的芳族二(醚酐)的實例包括2,2-二[4-(3,4-二羧基苯氧基)苯基]丙烷二酐；4,4'-二(3,4-二羧基苯氧基)二苯基醚二酐；4,4'-二(3，4-二羧基苯氧基)二苯硫醚二酐；4,4'-二(3，4-二羧基苯氧基)二苯甲酮二酐；4,4'-二(3,4-二羧基苯氧基)二苯基砜二酐；2,2-二[4-(2,3-二羧基苯氧基)苯基]丙烷二酐；4,4'-二(2,3-二羧基苯氧基)二苯基醚二酐；4,4'-二(2,3-二羧基苯氧基)二苯硫醚二酐；4,4'-二(2,3-二羧基苯氧17基)二苯甲酮二酐；4,4'-二(2，3-二羧基苯氧基)二苯基砜二酐；4-(2,3-二羧基苯氧基)-4'-(3，4-二羧基苯氧基)二苯基-2,2-丙烷二酐；4-(2,3-二羧基苯氧基)-4'-(3，4-二羧基苯氧基)二苯基醚二酐；4-(2，3-二羧基苯氧基)-4'-(3,4-二羧基苯氧基)二笨硫醚二酐；4-(2，3-二羧基苯氧基)-4'-(3,4-二羧基苯氧基)二苯曱酮二酐和4-(2,3-二羧基苯氧基)-4'-(3,4-二羧基苯氧基)二苯基砜二酐，以及包含至少兩種前述物質(zhì)的混合物?？捎糜谛纬墒?IX)和(X)重復單元的二胺具有式(XIII)的結構H2N-R-NH2(XIII)其中R"如上定義。具體的有機二胺的實例披露于例如美國專利3,972,902和4,455,410中。示例性的二胺包括乙二胺、丙二胺、三亞甲基二胺、二亞乙基三胺、三亞乙基四胺、六亞曱基二胺、七亞曱基二胺、八亞曱基二胺、九亞曱基二胺、十亞曱基二胺、1,12-十二烷二胺、1,18-十八烷二胺、3-曱基七亞曱基二胺、4，4-二曱基七亞曱基二胺、4-曱基九亞曱基二胺、5-曱基九亞曱基二胺、2,5-二曱基六亞曱基二胺、2,5-二曱基七亞曱基二胺、2,2-二曱基丙二胺、N-曱基-雙(3-氨基丙基)胺、3-曱氧基六亞曱基二胺、1，2-雙(3-氨基丙氧基)乙烷、雙(3-氨基丙基)硫醚、1,4-環(huán)己烷二胺、二-(4-氨基環(huán)己基)曱烷、間苯二胺、對苯二胺、2，4-二氨基甲苯、2,6-二氨基曱苯、間亞二甲苯基二胺、對亞二曱苯基二胺、2-曱基-4，6-二乙基-l,3-亞苯基—二胺、5-甲基-4,6-二乙基-1，3-亞苯基-二胺、對二氨基聯(lián)苯、3,3'-二曱基對二氨基聯(lián)苯、3,3'-二曱氧基對二氨基聯(lián)苯、1，5-二氨基萘、雙(4-氨基苯基)曱烷、雙(2-氯-4-氨基-3,5-二乙基苯基)曱烷、雙(4-氨基苯基)丙烷、2,4-雙(對-氨基-叔丁基)曱苯、雙(對氨基-叔丁基苯基)醚、雙(對曱基-鄰氨基苯基)苯、雙(對曱基-鄰氨基戊基)苯、1,3-二氨基-4-異丙基苯、雙(4-氨基苯基)硫醚、雙(4-氨基苯基)砜、雙(4-氨基苯基)醚和1，3-雙(3-氨基丙基)四曱基二硅氧烷。還可以使用這些化合物的混合物。在一種實施方式中，該二胺為芳族二胺，或者更具體地為間苯二胺、對苯二胺，磺酰基二苯胺及其混合物。通常，可以采用各種溶劑如鄰二氯苯、間甲酚/曱苯等進行反應，使得在ioo°c~250°c的溫度下在式(xn)的二酐和式(xm)的二胺之間發(fā)生反應。備，例如，通過加熱原料的混合物至高溫，同時進行攪拌，熔體聚合芳族二(醚酐)和二胺。一般，熔體聚合采用200。C400。C的溫度。可以使用鏈終止劑來控制聚硅氧烷/聚酰亞胺嵌段共聚物的分子量?？梢允褂脝喂倌艿陌啡绫桨罚蛘邌喂倌艿乃狒玎彵蕉跛狒?。如下可以制得聚硅氧烷/聚酰亞胺嵌段共聚物首先形成伸長的硅氧烷低聚物，然后進一步使該伸長的硅氧烷低聚物與非硅氧烷二胺和二酐進行反應。或者，非硅氧烷二胺和二酐可以反應形成聚酰亞胺低聚物。聚酰亞胺低聚物和伸長的硅氧烷低聚物可以反應形成聚硅氧烷/聚酰亞胺嵌段共聚物。當使用聚酰亞胺低聚物和伸長的硅氧烷低聚物來形成嵌段共聚物時，端部酸酐官能團和端部胺官能團的化學計量比為0.901.10,或更具體地為0.95~1.05。在一種實施方式中，所述伸長的硅氧烷低聚物是胺封端的并且所述非硅氧烷聚酰亞胺低聚物是酸酐封端的。在另一實施方式中，伸長的硅氧烷低聚物是酸酐封端的，而非硅氧烷聚酰亞胺低聚物是胺封端的。在另一實施方式中，伸長的硅氧烷低聚物和非硅氧烷聚酰亞胺低聚物均是胺封端的，它們均與足夠量的二肝(如上所述)反應，得到所需分子量的共聚物。在另一實施方式中，伸長的硅氧烷低聚物和非硅氧烷聚酰亞胺低聚物均是酸酐封端的，它們均與足夠量的二胺(如上所述)反應，得到所需分子量的共聚物。硅氧烷和聚酰亞胺低聚物的聚合的反應條件與形成該低聚物本身所需的條件類似，而且本領域技術人員無需過多實驗就可以確定。嵌段共聚物中的硅氧烷的含量通過聚合期間所用的伸長的硅氧烷低聚物的量來確定。硅氧烷的含量基于嵌段共聚物總重可以為10~45wt%，或者，更具體地為10~40wt%。使用形成伸長的硅氧烷低聚物所用的二氨基硅氧烷的分子量計算硅氧烷的含量?？梢匀廴诠不靸煞N或更多種聚硅氧烷/聚酰亞胺嵌段共聚物?？梢匀魏伪壤褂迷撉抖喂簿畚?。例如，當使用兩種嵌段共聚物時，第一種嵌段共聚物和第二種嵌段共聚物的重量比可以為1~99。也預計采用三元共混物或更多元共混物。所述組合物的殘留溶劑量可以小于或等于500重量份溶劑/100萬重量份組合物(ppm)，或者，更具體地小于或等于250ppm,或者，甚至更具體地小于或等于100ppm。在一些實施方式中，所述組合物不含卣素。不含卣素定義為卣素含量小于或等于1000重量份鹵素/100萬重量份嵌段共聚物(ppm)。囟素含量可以由普通化學分析如原子吸收來測定。不含卣素的聚合物將進一步使燃燒產(chǎn)物具有^[氐的煙霧腐蝕性，例如如DIN57472的813部分測定的。在一些實施方式中，煙霧腐蝕性根據(jù)水的電導率變化判斷時可以小于或等于IOOO微西門子。在一些實施方式中，煙霧的酸性用PH測定時大于或等于5。在一些實施方式中，組合物中的金屬離子的量小于或等于1000重量份金屬離子/100萬重量份組合物(ppm),或者，更具體地小于或等于500ppm，或者，甚至更具體地金屬離子的含量小于或等于100ppm。堿金屬和堿土金屬離子特別重要。在一些實施方式中，在組合物和由這些這些組合物制備電線和電纜中，堿金屬和堿土金屬離子的量小于或等于1000ppm。在一些實施方式中，在組合物中使用的嵌段共聚物的鏈增長程度d+l可以為310,更具體地為3~6。在一些實施方式中，組合物包含第一聚硅氧烷/聚酰亞胺嵌段共聚物和第二聚硅氧烷/聚酰亞胺嵌段共聚物；所述第一聚硅氧烷/聚酰亞胺嵌段共聚物具有第一硅氧烷含量和包含式(I)重復單元，該含量基于第一嵌段共聚物的總重量；所述第二聚硅氧烷/聚酰亞胺嵌段共聚物具有第二硅氧烷含量和包含式(I)重復單元，該含量基于第二嵌段共聚物的總重量；其中第一硅氧烷含量不等于第二硅氧烷含量。通過將兩種或更多種具有不同硅氧烷含量的聚硅氧烷/聚酰亞胺嵌段共聚物熔融共混，可以有預計地并容易地制得硅氧烷含量適中的組合物。此外，將不同硅氧烷含量的兩種嵌段共聚物共混，獲得具有意想不到的抗沖強度的組合物。在一種實施方式中，組合物包含兩種均含有式(I)重復單元的聚硅氧烷/聚酰亞胺嵌段共聚物。所述聚硅氧烷/聚酰亞胺嵌段共聚物的硅氧烷含量不同且聚硅氧烷嵌段的鏈增長程度(d+l)不同。在另一實施方式中，組合物包含兩種均含有式(I)重復單元的聚硅氧烷/聚酰亞胺嵌段共聚物。所述聚硅氧烷/聚酰亞胺嵌段共聚物的硅氧烷含量不同但聚硅氧烷嵌段的鏈增長程度(d+l)相同。在一種實施方式中，組合物包含第一聚硅氧烷/聚酰亞胺嵌段共聚物和第二聚硅氧烷/聚酰亞胺嵌段共聚物；所述第一聚硅氧烷/聚酰亞胺嵌段共聚物具有第一硅氧烷含量和包含式(I)重復單元，該含量基于第一嵌段共聚物的總重量；所述第二聚硅氧烷/聚酰亞胺嵌段共聚物具有第二硅氧烷含量和包含式(l)重復單元，該含量基于第二嵌段共聚物的總重量；其中第一硅氧烷含量等于第二硅氧烷含量，而第一聚硅氧烷/聚酰亞胺嵌段共聚物的d值不等于第二聚硅氧烷/聚酰亞胺嵌段共聚物的d值。這些共混物在視覺上均是透明的。聚硅氧烷/聚酰亞胺嵌段共聚物的共混，通過在一些情形中，獲得組分聚硅氧烷/聚酰亞胺嵌段共聚物中間性質(zhì)的性質(zhì)，提供了控制聚硅氧烷/聚酰亞胺嵌段共聚物共混物性質(zhì)的有用方法。例如，結合高模量和低模量的聚硅氧烷/聚酰亞胺嵌段共聚物得到中間模量的共混物。在一些實施方式中，可以結合不同分子量的共聚物，得到具有在后續(xù)擠出和沖莫塑操作中所需的熔體流動值的共混物。在伊佐德抗沖性方面，這些共混物令人驚訝地得到高的抗沖強度。共混物可以進一步包含填料和增強劑，例如玻璃纖維、玻璃粉、玻璃珠、片等?？梢蕴砑拥V物，如滑石、硅灰石、云母、高嶺土或蒙脫石粘土、硅石、石英、重晶石、和前述兩種或更多種的組合。組合物可以包含無機填料，例如碳纖維和納米管、金屬纖維、金屬粉、導電碳，和其他添加劑，包括納米尺寸的增強劑以及無機填料的組合。其他添加劑包括UV吸收劑；穩(wěn)定劑如光穩(wěn)定劑和其他穩(wěn)定劑；潤滑劑；增塑劑；顏料；染料；著色劑；抗靜電劑；起泡劑；發(fā)泡劑；金屬鈍化劑，和包含一種或多種前述添加劑的組合?？寡趸瘎┛梢允侵T如亞磷酸酯、亞膦酸酯和受阻酚或其混合物的化合物。包括亞磷酸三芳酯和芳基膦酸酯的含磷穩(wěn)定劑以有用的添加劑而著稱。也可以使用雙官能的含磷化合物。穩(wěn)定劑的分子量可以大于或等于300。在一些實施方式中，分子量大于或等于500的含磷穩(wěn)定劑是有用的。在組合物中含磷穩(wěn)定劑的存在量通常為配制物重量的0.050.5%。也預計使用流動助劑和脫沖莫劑化合物。組合物可以通過熔體混合或結合干混和熔體混合來制備。熔體混合可以在單螺桿或雙螺桿類型的擠出機或者在可以向組分施加剪切或熱的類似混合裝置中進行。熔體混合可以在大于或等于嵌段共聚物的熔融溫度但d、于任一嵌段共聚物的降解溫度的溫度下進行?？梢砸婚_始就將所有成分都加入到處理體系中。在一些實施方式中，可以依次或者通過使用一種或多種母料加入各成分。通過4齊出機的一個或多個排氣口對熔體施加真空以除去組合物中的揮發(fā)性雜質(zhì)可能是有利的。在一種實施方式中，組合物包括熔體混合嵌段共聚物的反應產(chǎn)物。21在一些實施方式中，使用擠出機進行熔體混合并且組合物以線料或多股線料的形式離開擠出機。線料的形狀取決于所使用的模頭的形狀且沒有特別限制。組合物可以形成為期望的制品如膜并用16~130兆戈、更具體地32~64兆戈的輻射量照射。輻射的方法是本領域已知的且包括電子束輻射法。輻射虧1起共聚物的硅氧烷區(qū)域內(nèi)的交聯(lián)。該交聯(lián)的物質(zhì)顯示出在熱變形溫度和E，模量方面令人吃驚的增加。在一些實施方式中，根據(jù)ASTMD4065-01在300微米的厚度下測量時，該交聯(lián)的物質(zhì)在200°C的E，模量為20~100兆帕，在0.44兆帕下的熱變形溫度為180210°C。在一些實施方式中，根據(jù)ASTMD4065-01在300微米的厚度下測量時，該交聯(lián)的物質(zhì)在200°C的E，才莫量為5~20兆帕，在0.44兆帕下的熱變形溫度為90~150°C。在一些實施方式中，導線包括導體和置于導體上的護層。該護層包含組合物且該組合物含有上述交聯(lián)的聚硅氧烷/聚酰亞胺嵌段共聚物。通過合適的方法如擠出貼合將組合物施涂到導體上，從而形成包護的導體如漆包線。例如，可以使用安裝有螺桿、十字頭、篩板(breakerplate)、分配器、噴嘴和模頭的涂布擠出機(coatingextruder)。熔融熱塑性組合物形成置于導體外周上的護套。熔融的組合物形成布置在導體周圍的護層。擠出貼合可使用單錐形模頭、雙錐形模頭、其它合適的模頭或模頭的組合而將導體安置在中心，并防止模唇產(chǎn)生(dielipbuildup)。在一些實施方式中，在擠出貼合之前干燥組合物可能是有用的。示例性的干燥條件為60120。C下干燥2~20小時。此外，在一種實施方式中，在擠出貼合期間，在形成涂層之前，通過一個或多個過濾器熔融過濾組合物。在一些實施方式中，組合物將基本上沒有尺寸大于80微米的顆粒。在一些實施方式中，存在的所有微粒在尺寸上將小于或等于40微米。在一些實施方式中，基本上不存在尺寸大于20微米的微粒。使用l克組合物溶于10毫升溶劑如氯仿的溶液，并使用顯微鏡法和光散射法分析，確定微粒的存在和尺寸。基本上沒有微粒定義為每克樣品具有小于或等于3個微粒，或者更具體小于或等于2個微粒，或者甚至更具體小于或等于1個微粒。低水平的微粒對于獲得在導線上沒有導電缺陷的絕緣層以及獲得具有改進的機械性能如伸長率的涂層是有益的。擠出貼合期間的擠出機溫度通常小于嵌段共聚物的分解溫度。另外，調(diào)節(jié)加工溫度以提供充分流動的熔融組合物，從而得到導體的護層，例如，該加工溫度高于組合物的軟化點，或者，更具體地比組合物的熔點高至少30。C。在擠出貼合之后，通常使用水浴、水噴灑、空氣噴射或包含一種或多種前述冷卻方法的組合來冷卻包護的導體。示例性的水浴溫度為20~85°C。在冷卻和任選干燥包護的導體之后，用16130兆戈，或者更具體地3264兆戈的輻射量照射，從而形成交聯(lián)的護層。在一種實施方式中，將組合物施用至導體以形成布置在導體之上并與導體直接接觸的護層?？梢詫ψo層施用其他層?？梢允褂玫耐坎紝w的方法是本領域眾所周知的，例如論述于以下美國專利中Feil等人的4,588,546;Snyder等人的4,038,237;Bigland等人的3,986,477;和Pokorny等人的4,414,355。在一種實施方式中，將組合物施用到導體上，從而形成布置在導體上的護層，在導體和護層之間具有一個或多個中間層。例如，可以在導體和護層之間布置任選的增粘層。在另一實例中，在施用護層之前可以用金屬鈍化.物涂覆導體?；蛘撸梢詫⒔饘兮g化物與聚硅氧烷/聚酰亞胺嵌段共聚物混合。在另一實例中，在一些情形下使包括熱固性組合物的中間層發(fā)泡。導體可以包括單股線或多股線。在一些情況中，可以將多股線捆扎、纏繞、編織或以前述方式的組合來形成導體。此外，導體可具有諸如圓形或橢圓形的各種形狀。合適的導體包括但不限于，銅線、鋁線、鉛線、或包含一種或多種前述金屬的合金線。導體還可以用例如錫、金或銀來涂覆。在一些實施方式中，導體包括光纖。導體的截面積和護層的厚度可以變化，且通常由導線的最終用途決定。該導線可以不受限制地充當以下用途中的導線，例如包括汽車的電氣配線(hamesswire)、家用電器的電線、電力用線、儀器用線、通訊用線、電車用線，以及輪船、飛機用的電線，等等。在一些實施方式中，護層的厚度可以為0.01-10毫米(mm),或更具體地為0.05~5mm，或者甚至更具體地為1~3mm。圖1示出了示例性導線的橫截面。圖1顯示布置在導體2上的護層4。在一種實施方式中，護層4包括發(fā)泡的組合物。圖2和3顯示了示例性導線的透視圖。圖2顯示導體2和布置在導體2上的護層4，以及布置在護層4上的任選的其他層6，導體2包含多股線。在一種實施方式中，護層4包含發(fā)泡的組合物。導體2也可以包含單根導體。圖3顯示布置在單根導體2上的護層4，以及中間層6。在一種實施方式中，中間層6包含發(fā)泡的組合物。導體2還可以包括多股線。可以將多根導線結合起來形成電纜。電纜可以包括其他保護性元件、結構元件、或其組合。示例性的保護性元件是圍繞導線組的夾套(jacket)。導線上的夾套和護層單獨地或相結合地可包括本文所述的組合物。結構元件通常是提供額外的硬度、強度、形狀保持能力等的非導電部分?？梢栽跀D出貼合之前或之中將色母料或母料加入到組合物中。當使用色母料時，它通常的存在量基于組合物的總重量小于或等于3wt。/。。在一種實施方式中，母料包括聚硅氧烷/聚酰亞胺嵌段共聚物。通過以下非限制性實例提供進一步的信息。實施例在實施例中使用以下材料PEI-PDMS-1:聚硅氧烷/聚醚酰亞胺嵌段共聚物，具有伸長的聚硅氧烷嵌和基于嵌段共聚物總重20wt%的硅氧烷。PEI-PDMS-2:聚硅氧烷/聚醚酰亞胺嵌^a共聚物，具有伸長的聚硅氧烷嵌和基于嵌段共聚物總重40wt。/。的硅氧烷。PEI-PDMS-3:PEI-PDMS-1和PEI-PDMS-2的共混物(重量比為1:1)，含有30wt。/。的硅氧烷。以下實施例顯示使用電子束輻射，特別是高輻射水平的電子束輻射，交聯(lián)對具有伸長的聚硅氧烷嵌段的聚硅氧烷/聚醚酰亞胺嵌段共聚物的影響。交聯(lián)提高了熱變形溫度(HDT)、在高溫下保持了硬度(較高的E，模量)和降低了熱膨脹系數(shù)(CTE)。實施例1-8將PEI-PDMS-1、PEI-PDMS誦2和PEI-PDMS-3進行溶劑流延(solventcast)，形成厚度為300微米的膜。將溶劑流延的膜暴露于不同量的電子束輻射水平下。在輻射之后，將膜溶于二氯曱烷中并使用凝膠滲透色譜(GPC)測量可溶物百分比。結果示于表l?？扇芪锏牧炕谀悠返目傊亓恳詗t。/。表24示?？扇芪锏乃皆礁弑砻鹘宦?lián)越少。輻射水平以兆戈(MGy)表示。表1<table>tableseeoriginaldocumentpage25</column></row><table>實施例5-8將PEI-PDMS-1和PEI-PDMS-2進行溶劑流延，形成厚度為300微米的膜。將溶劑流延的膜暴露于不同量的電子束輻射水平下。根據(jù)ASTMD4065-01在月莫上進4亍動態(tài)才幾才成分4斤，并如PolymerEngineeringandScience,Nov,1979,Vol.19，No.l5,第1104-1109頁中所述計算熱變形溫度(HDT)。結果示于表2。熱變形溫度以。C表示，在兩種不同的應力水平一0.44兆帕(MPa)和1.8MPa下測量。輻射水平以兆戈(MGy)表示。表2<table>tableseeoriginaldocumentpage25</column></row><table>*因樣品軟化不能測量HDT.表2顯示在交聯(lián)之后熱變形溫度提高。具有伸長的硅氧烷嵌段的共聚物顯示在兩種應力水平和兩種硅氧烷含量水平下熱變形溫度均急劇增加。對于含有20wt。/。硅氧烷的PEI-PDMS-1,交聯(lián)導致在0.44MPa應力水平下熱變形溫度增加幾乎20。C，而在1.8MPa應力水平下增加超過50。C。對于PEI-PDMS-2,在兩種應力水平下，交聯(lián)導致熱變形溫度增加到大于三倍。實施例9-16將PEI-PDMS-1和PEI-PDMS-2進行溶劑流延，形成厚度為300微米的膜。將溶劑流延的膜暴露于不同量的電子束輻射水平下。根據(jù)ASTMD4065-01在膜上進行動態(tài)機械分析，以確定在不同溫度下的E，模量。PEI-PDMS-1的結果示于表3，而PEI-PDMS-2的結果示于表4。E，模量值以兆帕表示。輻射水平以兆戈(MGy)表示。<table>tableseeoriginaldocumentpage26</column></row><table>權利要求1.一種組合物，包括交聯(lián)的聚硅氧烷/聚酰亞胺嵌段共聚物，其硅氧烷含量占嵌段共聚物總重量的10～45wt％，其中所述交聯(lián)的聚硅氧烷/聚酰亞胺嵌段共聚物在0.44兆帕測量的熱變形溫度比交聯(lián)前該聚硅氧烷/聚酰亞胺嵌段共聚物的熱變形溫度高至少5攝氏度，其中所述交聯(lián)的聚硅氧烷/聚酰亞胺嵌段共聚物在30攝氏度測量的E’模量大于或等于交聯(lián)前該聚硅氧烷/聚酰亞胺在30攝氏度測量的E’模量的115％，其中所述聚硅氧烷/聚酰亞胺嵌段共聚物包括式(I)的重復單元其中R1-6在每次出現(xiàn)時獨立地選自具有5～45個碳原子的單環(huán)基團，具有10～45個碳原子的多環(huán)基團，具有1～30個碳原子的烷基和具有2～30碳原子的鏈烯基，V是四價連接基，選自具有5～50個碳原子的單環(huán)基團，具有6～50個碳原子的多環(huán)基團，具有1～30個碳原子的烷基，具有2～30碳原子的鏈烯基，和包含至少一種前述連接基的組合，g等于1～30，以及d大于或等于1。2.權利要求1的組合物，其中所述交聯(lián)的聚硅氧烷/聚酰亞胺嵌段共聚物的硅氧烷含量占嵌段共聚物總重量的35~45wt%,以及熱變形溫度在0.44兆帕測量時大于或等于90攝氏度。3.權利要求1的組合物，其中所述交聯(lián)的聚硅氧烷/聚酰亞胺嵌段共聚物的硅氧烷含量占嵌段共聚物總重量的15~25wt%，以及熱變形溫度在0.44兆帕測量時大于或等于185攝氏度。4.權利要求l-3任一項的組合物，其中所述聚硅氧烷/聚酰亞胺嵌段共聚物是具有不同硅氧烷含量的兩種聚硅氧烷/聚酰亞胺嵌段共聚物的共混物。5.權利要求l-4任一項的組合物，其中所述嵌段共聚物不含卣素。6.權利要求l-5任一項的組合物，其中所述嵌段共聚物還包括式(X)的重復單元ou(X)其中各R"獨立地源自對亞苯基、間亞苯基、二氨基芳基砜或其混合物，以及T是式(XI)的二價基團CH3u(XI)'7.權利要求l-6任一項的組合物，其中RW是甲基，以及1^和116是亞烷基。8.權利要求l-7任一項的組合物，其中1^和116是具有3~10個碳原子的亞烷基。9.權利要求l-8任一項的組合物，其中d+l的值為310。10.制備組合物的方法，包括用16130兆戈的輻射量照射組合物，所述組合物包括聚硅氧烷/聚酰亞胺嵌段共聚物，其硅氧烷含量占嵌段共聚物總重量的10~45wt%,其中所述聚硅氧烷/聚酰亞胺嵌段共聚物包括式(I)的重復單元5厶-(I)其中R"在每次出現(xiàn)時獨立地選自具有545個碳原子的單環(huán)基團，具有10~45個碳原子的多環(huán)基團，具有1~30個碳原子的烷基和具有230碳原子的鏈烯基，V是四價連接基，選自具有5~50個碳原子的單環(huán)基團，具有6~50個碳原子的多環(huán)基團，具有130個碳原子的烷基，具有230碳原子的鏈烯基，和包含至少一種前述連接基的組合，g等于1~30，以及d大于或等于1。11.權利要求10的方法，其中所述聚硅氧烷/聚酰亞胺嵌段共聚物的硅<formula>formulaseeoriginaldocumentpage3</formula>氧烷含量占嵌段共聚物總重量的35~45wt%。12.權利要求10的方法，其中所述聚硅氧烷/聚酰亞胺嵌段共聚物的硅氧烷含量占嵌段共聚物總重量的15~25wt°/。。13.權利要求10-12任一項的方法，其中所述聚硅氧烷/聚酰亞胺嵌賴二共聚物是具有不同硅氧烷含量的兩種聚硅氧烷/聚酰亞胺嵌段共聚物的共混物。14.權利要求10-13任一項的方法，其中R"是曱基以及R^和W是亞烷基。15.權利要求10-14任一項的方法，其中W和W是具有3~10個碳原子的亞烷基。16.權利要求10-15任一項的方法，其中所述嵌段共聚物不含卣素。17.權利要求10-16任一項的方法，其中所述嵌段共聚物還包括式(X)的重復單元<formula>formulaseeoriginaldocumentpage4</formula>其中各R"獨立地源自對亞苯基、間亞苯基、二氨基芳基砜或其混合物，以及T是式(XI)的二價基團<formula>formulaseeoriginaldocumentpage4</formula>18.權利要求10-17任一項的方法，其中d+l的值為3~10。19.一種包護的導體，包括導體；和布置在所述導體上的護層，其中所述護層包括交聯(lián)的聚硅氧烷/聚酰亞胺嵌段共聚物，其硅氧烷含量占嵌段共聚物總重量的10~45wt%,其中所述交聯(lián)的聚硅氧烷/聚酰亞胺嵌段共聚物在0.44兆帕測量的熱變形溫度比交聯(lián)前該聚硅氧烷/聚酰亞胺嵌段共聚物的熱變形溫度高至少5攝氏度，其中所述交聯(lián)的聚硅氧烷/聚酰亞胺嵌段共聚物在30攝氏度測量的E，模量大于或等于交聯(lián)前該聚硅氧烷/聚酰亞胺在30攝氏度測量的E，模量的115%,其中所述聚硅氧烷/聚酰亞胺嵌段共聚物包括式(I)的重復單元<formula>formulaseeoriginaldocumentpage5</formula>其中R"在每次出現(xiàn)時獨立地選自具有545個碳原子的單環(huán)基團，具有10~45個碳原子的多環(huán)基團，具有1~30個碳原子的烷基和具有230碳原子的鏈蜂基，V是四價連接基，選自具有5~50個碳原子的單環(huán)基團，具有6~50個碳原子的多環(huán)基團，具有l(wèi)-30個碳原子的烷基，具有230碳原子的鏈烯基，和包含至少一種前述連接基的組合，g等于1~30,以及d大于或等于1。20.權利要求19的包護的導體，其中所述交聯(lián)的聚硅氧烷/聚酰亞胺嵌段共聚物的硅氧烷含量占嵌段共聚物總重量的35~45wt%,以及熱變形溫度在0.44兆帕測量時大于或等于90攝氏度。21.權利要求19的包護的導體，其中所述交聯(lián)的聚硅氧烷/聚酰亞胺嵌段共聚物的硅氧烷含量占嵌段共聚物總重量的1525wt%，.以及熱變形溫度在0.44兆帕測量時大于或等于185攝氏度。22.權利要求19-21任一項的包護的導體，其中所述聚硅氧烷/聚酰亞胺嵌段共聚物是具有不同硅氧烷含量的兩種聚硅氧烷/聚酰亞胺嵌段共聚物的共混物。23.權利要求19-22任一項的包護的導體，其中R"是曱基以及W和W是亞烷基。24.權利要求19-23任一項的包護的導體，其中W和W是具有310個碳原子的亞烷基。25.權利要求19-24任一項的包護的導體，其中所述嵌段共聚物不含鹵素。26.權利要求19-25任一項的包護的導體，其中所述嵌段共聚物還包括式(X)的重復單元<formula>formulaseeoriginaldocumentpage6</formula>其中各R"獨立地源自對亞苯基、間亞苯基、二氨基芳基砜或其混合物，以及T是式(XI)的二價基團<formula>formulaseeoriginaldocumentpage6</formula>27.權利要求19-26任一項的包護的導體，其中d+l的值為310。28.制備包護的導體的方法，包括用組合物擠出貼合導體，所述組合物包括聚硅氧烷/聚酰亞胺嵌段共聚物，其硅氧烷含量占嵌段共聚物總重量的10~45wt%;和用16-130兆戈的輻射量照射所述擠出貼合的導體，其中所述交聯(lián)的聚硅氧烷/聚酰亞胺嵌段共聚物在0.44兆帕測量的熱變形溫度比交聯(lián)前該聚硅氧烷/聚酰亞胺嵌段共聚物的熱變形溫度高至少5攝氏度，其中所述交聯(lián)的聚硅氧烷/聚酰亞胺嵌段共聚物在30攝氏度測量的E，模量大于或等于交聯(lián)前該聚硅氧烷/聚酰亞胺在30攝氏度測量的E，才莫量的115%,其中所述聚硅氧烷/聚酰亞胺嵌段共聚物包括式(I)的重復單元<formula>formulaseeoriginaldocumentpage6</formula>其中R"在每次出現(xiàn)時獨立地選自具有545個碳原子的單環(huán)基團，具有10~45個碳原子的多環(huán)基團，具有1~30個碳原子的烷基和具有2~30碳原子的鏈烯基，V是四價連接基，選自具有5~50個碳原子的單環(huán)基團，具有6~50個碳原子的多環(huán)基團，具有130個碳原子的垸基，具有230碳原子的鏈烯基，和包含至少一種前述連接基的組合，g等于l30，以及d大于或等于l。29.權利要求28的方法，其中所述聚硅氧烷/聚酰亞胺嵌段共聚物的硅氧烷含量占嵌段共聚物總重量的35~45wt%。30.權利要求28的方法，其中所述聚硅氧烷/聚酰亞胺嵌段共聚物的硅氧烷含量占嵌段共聚物總重量的15~25wt%。31.權利要求28-30任一項的方法，其中R"是曱基以及Ri和RS是亞烷基。32.權利要求28-31任一項的方法，其中R"和W是具有310個碳原子的亞烷基。33.權利要求28-32任一項的方法，其中所述嵌段共聚物不含卣素。34.權利要求28-33任一項的方法，其中所述嵌段共聚物還包括式(X)的重復單元o,9'ou(X)其中各R^獨立地源自對亞苯基、間亞苯基、二氨基芳基砜或其混合物,以及T是式(XI)的二價基團35.權利要求28-34任一項的方法，其中所述聚硅氧烷/聚酰亞胺嵌段共聚物是具有不同硅氧烷含量的兩種聚硅氧烷/聚酰亞胺嵌段共聚物的共混物。36.權利要求28-35任一項的方法，其中d+l的值為3~10。全文摘要本發(fā)明公開一種組合物，該組合物包括交聯(lián)的聚硅氧烷/聚酰亞胺嵌段共聚物，其硅氧烷含量占嵌段共聚物總重量的10～45wt％，其中所述交聯(lián)的聚硅氧烷/聚酰亞胺嵌段共聚物在0.44兆帕測量的熱變形溫度比交聯(lián)前該聚硅氧烷/聚酰亞胺嵌段共聚物的熱變形溫度高至少5攝氏度，以及其中所述交聯(lián)的聚硅氧烷/聚酰亞胺嵌段共聚物在30攝氏度測量的E模量大于或等于交聯(lián)前該聚硅氧烷/聚酰亞胺在30攝氏度測量的E’模量的115％。所述組合物可用于制備包護的導體。文檔編號C08G73/10GK101641395SQ200880009725公開日2010年2月3日申請日期2008年3月27日優(yōu)先權日2007年3月28日發(fā)明者古魯林加默西·M·哈拉勒申請人:沙伯基礎創(chuàng)新塑料知識產(chǎn)權有限公司