專利名稱：星形聚合物及其制造方法
技術領域：
本發(fā)明涉及新型的窄分散星形聚合物及其制造方法。本申請基于2005年9月7日在日本申請的特愿2005-259300號、以及2005年12 月28日在日本申請的特愿2005-379857號要求優(yōu)先權，并在此引用其內容。
背景技術：
以往，作為樹枝形大分子狀的星形聚合物已知下式所示的化合物以及制造方法 (參照非專利文獻1)。
權利要求
1.一種星形聚合物，由核部和臂部構成，其特征為，所述臂部是由具有聚合性雙鍵的單體衍生且在末端具有兩個以上官能團的聚合物鏈，所述星形聚合物的重均分子量Mw與數均分子量Mn之比，即Mw/Mn在1. 001 2. 50的范圍。
2.根據權利要求1所述的星形聚合物，其特征為，所述星形聚合物的重均分子量Mw與數均分子量Mn之比，即Mw/Mn在1. 001 1. 50的范圍。
3.根據權利要求1所述的星形聚合物，其特征為，在末端具有兩個以上官能團的聚合物鏈是具有以下末端的聚合物鏈，所述末端包含具有式(IV-I)或式(ιν-幻所示碳骨架的結構，Z1和4分別獨立地表示羥基；具有活性鹵素的官能團；羥基烷基；鹵代烷基；OR’ ；能夠轉化成具有羥基的官能團的官能團；能夠轉化成具有活性鹵素的官能團的官能團或者具有聚合物鏈的官能團；所述OR’中，R’表示氫原子或有機基團，rl和r2分別獨立地表示1 5的任意整數，當rl或r2為2以上時，Z1之間、Z2之間可以相同或者不同。
4.根據權利要求3所述的星形聚合物，其特征為，具有活性鹵素的官能團是在芳香環(huán)的α位具有鹵原子的官能團、或者是具有式(VI-I)或式(VI-2)所示結構的官能團，式中，X表示鹵原子，R1和&分別獨立地表示氫原子、鹵原子或有機基團，但R1和&不同時為鹵原子。
5.一種星形聚合物的制造方法，其特征為，使成為臂部的聚合物鏈與成為核部的化合物進行反應，所述聚合物鏈具有兩個以上的官能團且具有陰離子末端，所述成為核部的化合物具有能夠與陰離子反應的官能團。
6.根據權利要求5所述的星形聚合物的制造方法，其特征為，所述具有陰離子末端的聚合物鏈具有兩個以上的官能團，所述官能團能夠轉化成能成為活性聚合引發(fā)劑的基團。
7.根據權利要求5所述的星形聚合物的制造方法，其特征為，具有兩個以上官能團的聚合物鏈末端是包含具有式(IV-I)或式(ιν-幻所示碳骨架的結構的末端，
8.根據權利要求7所述的星形聚合物的制造方法，其特征為，具有活性鹵素的官能團是在芳香環(huán)的α位具有鹵原子的官能團、或者是具有式(VI-I)或式(VI-2)所示結構的官能團，式中，X表示鹵原子，R1和&分別獨立地表示氫原子、鹵原子或有機基團，但R1A2不同時為鹵原子。
9.根據權利要求5所述的星形聚合物的制造方法，其特征為，以所述具有陰離子末端的聚合物鏈的末端作為起始點，進一步進行聚合反應。
10.根據權利要求9所述的星形聚合物的制造方法，其特征為，所述聚合反應是利用與所述具有陰離子末端的聚合物鏈的末端進行活性聚合反應的單體而進行的。
11.根據權利要求5所述的星形聚合物的制造方法，其特征為，能夠與陰離子反應的官能團為酯基或者?；?。
全文摘要
本發(fā)明提供星形聚合物及其制造方法，即，提供分子結構得到控制的新型窄分散的樹枝形大分子狀星形聚合物以及能夠簡便地制造所述星形聚合物的制造方法。提供一種由核部和臂部構成的星形聚合物，其特征為，所述臂部是由具有聚合性雙鍵的單體衍生且在末端具有兩個以上官能團的聚合物鏈，所述星形聚合物的重均分子量Mw與數均分子量Mn之比，即Mw/Mn在1.001～2.50的范圍。該星形聚合物的制造方法是使成為臂部的聚合物鏈與成為核部的化合物反應，所述聚合物鏈具有兩個以上的官能團且具有陰離子末端，所述成為核部的化合物具有能夠與陰離子反應的官能團。
文檔編號C08G83/00GK102206313SQ20111005284
公開日2011年10月5日 申請日期2006年9月7日 優(yōu)先權日2005年9月7日
發(fā)明者新谷武士 申請人:日本曹達株式會社