專利名稱：包括量子點-嵌段共聚物混合物的發(fā)光裝置及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種包括量子點-嵌段共聚物混合物的發(fā)光裝置及其制造方法。
背景技術(shù)：
量子點為具有尺寸僅為幾納米的晶體結(jié)構(gòu)的材料，并且通常包括大約幾百個原子至大約幾千個原子。由于量子點非常小，所以在量子點中發(fā)生量子限制效應(yīng)(quantumconfinement effect) 0根據(jù)量子限制效應(yīng)，當(dāng)材料減小到納米尺寸或更小時，材料的能帶隙增大。因此， 當(dāng)入射到量子點中的光的波長具有的能量比能帶隙高時，量子點吸收光，使得量子點的能級被激發(fā)到激發(fā)態(tài)。然后，量子點發(fā)射具有特定波長的光，使得量子點的能級下降到基態(tài)。 此時，從量子點發(fā)射的光可以具有與帶隙能對應(yīng)的波長。量子點的發(fā)光特性可以通過控制量子點的尺寸和組成來進行調(diào)節(jié)，因此，量子點已廣泛地應(yīng)用在各種發(fā)光裝置中。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供了一種量子點-嵌段共聚物混合物，該量子點-嵌段共聚物混合物可以以高的鍵合穩(wěn)定性容易地分散。另外，本發(fā)明提供了一種包括量子點-嵌段共聚物混合物的發(fā)光裝置。另外，本發(fā)明提供了一種制備量子點-嵌段共聚物混合物的方法。另外，本發(fā)明提供了一種分散量子點-嵌段共聚物混合物的方法。另外，本發(fā)明提供了一種制造包括量子點-嵌段共聚物混合物的發(fā)光裝置的方法。在一方面，量子點-嵌段共聚物混合物的示例性實施例包括量子點和圍繞量子點的嵌段共聚物，其中，嵌段共聚物具有與量子點形成化學(xué)鍵的包含硫(S)的官能團。在一個示例性實施例中，化學(xué)鍵可以為配位共價鍵，中心原子可以為量子點。在一個示例性實施例中，量子點具有單核結(jié)構(gòu)、核-單層殼結(jié)構(gòu)和核-多層殼結(jié)構(gòu)中的一種。在一個示例性實施例中，量子點包括II-VI族元素、III-V族元素、IV族元素或 IV-VI族元素。II族元素包括從由鋅(Si)、鎘(Cd)和汞(Hg)組成的組中選擇的至少一種元素，III族元素包括從由鋁(Al)、鎵(Ga)和銦(In)組成的組中選擇的至少一種元素，IV 族元素包括從由硅(Si)、鍺(Ge)、錫(Sn)和鉛(Pb)組成的組中選擇的至少一種元素，V族元素包括從由氮(N)、磷(P)和砷(As)組成的組中選擇的至少一種元素，VI族元素包括從由硫(S)、硒(Se)和碲(Te)組成的組中選擇的至少一種元素。
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在一個示例性實施例中，該官能團可以包括烷基硫醇、烷基黃原酸鹽、烷基黃原酸酯、二烷基硫代氨基甲酸鹽、二烷基硫代氨基甲酸酯、二烷基二硫化物、二烷基硫化物中的一種。在這樣的示例性實施例中，烷基的碳數(shù)在大約1至大約22個碳原子的范圍內(nèi)。在另一方面，發(fā)光裝置包括量子點-嵌段共聚物混合物。發(fā)光裝置包括基底和設(shè)置在基底上并包括量子點-嵌段共聚物混合物的量子點-嵌段共聚物混合物層。在一個示例性實施例中，發(fā)光裝置可以包括設(shè)置在基底和混合物層的至少一部分之間的發(fā)光二極管以向混合物層提供光。發(fā)光二極管可以發(fā)射能夠激發(fā)混合物層中的發(fā)光主體的光。在這樣的示例性實施例中，混合物層吸收該光并發(fā)射與量子點的激發(fā)態(tài)和基態(tài)之間的能帶隙對應(yīng)的光。制造量子點-嵌段共聚物混合物的方法的示例性實施例包括以下步驟提供量子點；提供具有包含硫(S)的官能團的嵌段共聚物；將量子點與嵌段共聚物混合；使量子點與官能團化學(xué)鍵合，例如，在一個示例性實施例中，通過將能量施加到混合物來獲得化學(xué)鍵
I=I O在一個示例性實施例中，將通過該方法制造的量子點-嵌段共聚物混合物溶解在能夠一起溶解混合物和基體聚合物的溶劑中，并攪拌溶液，使得量子點可以分散在基體聚合物中。在一個示例性實施例中，基體聚合物可以包括硅樹脂、環(huán)氧樹脂、丙烯酸樹脂、乙烯樹脂和它們的混合樹脂中的至少一種。例如，在一個示例性實施例中，基體聚合物可以包括聚苯乙烯。在一個示例性實施例中，通過該方法分散的量子點可以通過旋涂方案、滴涂方案和刮涂方案中的至少一種方案設(shè)置在基底上。如上所述，根據(jù)本發(fā)明，化學(xué)鍵形成在量子點和圍繞量子點的嵌段共聚物之間，從而提高了量子點-嵌段共聚物混合物的膠體穩(wěn)定性。因此，量子點-嵌段共聚物混合物可以容易地分散。另外，量子點-嵌段共聚物混合物可以減少聚集體的形成，從而可容易地形成圖案。由于分散的混合物可以容易地形成在基底上，所以可以容易地制備發(fā)光裝置。


當(dāng)結(jié)合附圖考慮時，通過參照下面的詳細描述，本發(fā)明的上述和其他優(yōu)點將變得更明顯，其中圖1為示出根據(jù)本發(fā)明的發(fā)光裝置的示例性實施例的剖視圖；圖2為示出根據(jù)本發(fā)明的發(fā)光裝置的另一示例性實施例的剖視圖；圖3為示出在以2mW/cm2的能量將波長為大約362nm的紫外線照射到混合物膠體溶液時量子點的吸光度的變化的曲線圖。圖4A至圖4C為示出量子點-嵌段共聚物混合物的分散(也稱作分散密度)的透射電子顯微(TEM)照片；圖5A至圖5D為示出量子點-嵌段共聚物混合物的分散的TEM照片；圖6A至圖6C為示出量子點-嵌段共聚物混合物的分散的TEM照片；圖7A至圖7C示出在通過將傳統(tǒng)的量子點分散到聚合物中形成薄膜時薄膜上部的光學(xué)顯微照片(a)、薄膜上部的熒光顯微照片(b)、薄膜剖面的掃描電子顯微照片(c)；
圖8A至圖8C示出在通過將根據(jù)本發(fā)明一個實施例的量子點-嵌段共聚物混合物分散在基體聚合物中來形成薄膜時薄膜上部的光學(xué)顯微照片(d)、薄膜上部的熒光顯微照片(e)和薄膜剖面的掃描電子顯微照片(f)。
具體實施例方式現(xiàn)在將在下文中參照附圖更充分地描述本發(fā)明，在附圖中示出了本發(fā)明的實施例。然而，本發(fā)明可以以多種不同方式實施，不應(yīng)解釋為局限于這里提出的實施例。另外， 提供這些實施例使得本公開將是徹底和完全的，并將本發(fā)明的范圍充分地傳達給本領(lǐng)域的技術(shù)人員。相同的標(biāo)號始終代表相同的元件。應(yīng)該理解的是，當(dāng)元件被稱作“在”另一元件“上”時，該元件可以直接在該另一元件上，或者可以在它們之間存在中間元件。相反，當(dāng)元件被稱作“直接在”另一元件“上”時， 不存在中間元件。如在這里使用的，術(shù)語“和/或”包括一個或多個相關(guān)所列項的任意組合和所有組合。應(yīng)該理解的是，盡管在這里可使用術(shù)語第一、第二、第三等來描述不同的元件、組件、區(qū)域、層和/或部分，但是這些元件、組件、區(qū)域、層和/或部分不應(yīng)該受這些術(shù)語的限制。這些術(shù)語僅是用來將一個元件、組件、區(qū)域、層或部分與另一個元件、組件、區(qū)域、層或部分區(qū)分開來。因此，在不脫離本發(fā)明的教導(dǎo)的情況下，下面討論的第一元件、組件、區(qū)域、層或部分可被稱作第二元件、組件、區(qū)域、層或部分。這里使用的術(shù)語僅為了描述具體的實施例的目的，而不意圖限制本發(fā)明。如這里所使用的，除非上下文另外明確指出，否則單數(shù)形式也意圖包括復(fù)數(shù)形式。還應(yīng)理解的是， 當(dāng)在本說明書中使用術(shù)語“包含”和/或“包括”時，說明存在所述特征、區(qū)域、整體、步驟、 操作、元件和/或組件，但不排除存在或附加一個或多個其它特征、區(qū)域、整體、步驟、操作、 元件、組件和/或它們的組。另外，這里可以使用諸如“下”或“底部”以及“上”或“頂部”的相對術(shù)語，用來描述如在圖中所示的一個元件與另外的元件的關(guān)系。應(yīng)該理解的是，相對術(shù)語意在包含除了在附圖中描述的方位之外的裝置的不同方位。例如，如果在一個附圖中的裝置被翻轉(zhuǎn)，則描述為“在”其它元件“下”側(cè)的元件隨后將被定位為“在”其它元件“上”側(cè)。因此，根據(jù)附圖的特定方位，示例性術(shù)語“下”可包括“上”和“下”兩種方位。相似地，如果在一個附圖中的裝置被翻轉(zhuǎn)，則描述為“在”其他元件“下面”或“下方”的元件隨后將被定位為“在”其他元件“上方”。因而，示例性術(shù)語“在...下面”或“在...下方”可包括“在...上方”和 “在...下方”兩種方位。除非另有定義，否則這里使用的所有術(shù)語(包括技術(shù)術(shù)語和科學(xué)術(shù)語)具有與本發(fā)明所屬領(lǐng)域的普通技術(shù)人員所通常理解的意思相同的意思。還將理解的是，除非這里明確地如此定義，否則術(shù)語(諸如在通用字典中定義的術(shù)語)應(yīng)該被解釋為具有與相關(guān)領(lǐng)域的環(huán)境和本公開中它們的意思一致的意思，而將不以理想的或者過于形式化的含義來解釋它們。在此參照作為本發(fā)明的理想實施例的示意圖的剖視圖來描述本發(fā)明的示例性實施例。這樣，預(yù)計會出現(xiàn)例如由制造技術(shù)和/或公差引起的圖示的形狀的變化。因此，本發(fā)明的實施例不應(yīng)該被解釋為局限于在此示出的區(qū)域的具體形狀，而將包括例如由制造導(dǎo)致的形狀偏差。例如，示出或描述為平坦的區(qū)域通?？删哂写植诤?或非線性特征。此外，示出的銳角可被倒圓。因此，在圖中示出的區(qū)域本質(zhì)上是示意性的，它們的形狀并不意圖示出區(qū)域的精確形狀，且不意圖限制本發(fā)明的范圍。除非這里另外指示或另外與上下文明顯地矛盾，否則這里描述的所有方法可以以合適的順序執(zhí)行。除非另外地聲明，否則使用的任何和全部示例或示例性文字(例如，“諸如”)僅意圖更好地對本發(fā)明進行舉例說明而并不限制本發(fā)明的范圍。如這里所使用的，說明書中的文字不應(yīng)理解為表示實踐本發(fā)明所必需的任何未聲明的元件。在下文中，將參照附圖來詳細地描述本發(fā)明。根據(jù)本發(fā)明的量子點-嵌段共聚物混合物的示例性實施例包括量子點和圍繞量子點的嵌段共聚物。量子點是一種納米材料。量子點表現(xiàn)出量子限制效應(yīng)。量子限制效應(yīng)最顯著的特征是帶隙增大。因此，不同于塊狀(in bulk form)晶體，量子點顯示出離散的能帶隙，該能帶隙與由一個單獨的原子顯示的能帶隙相似。在量子點中，可以根據(jù)量子點的尺寸來調(diào)節(jié)離散的帶隙的間隔。量子點可以具有各種組成，例如，可以包括II-VI族元素、III-V族元素、IV族元素或IV-VI族元素。在一個示例性實施例中，II族元素可以包括從由鋅(Zn)、鎘(Cd)和汞(Hg)組成的組中選擇的至少一種元素。在一個實施例中，III族元素可以包括從由鋁(Al)、鎵(Ga) 和銦(In)組成的組中選擇的至少一種元素。在一個示例性實施例中，IV族元素可以包括從硅(Si)、鍺(Ge)、錫(Sn)和鉛(Pb)組成的組中選擇的至少一種元素。在一個示例性實施例中，V族元素可以包括從由氮(N)、磷⑵和砷(As)組成的組中選擇的至少一種元素。 在一個示例性實施例中，VI族元素可以包括從由硫(S)、硒(Se)和碲(Te)組成的組中選擇的至少一種元素。量子點不限于特定的結(jié)構(gòu)，可以具有僅包括核的單一型結(jié)構(gòu)、具有核和單層殼的核-單層殼結(jié)構(gòu)和具有核和多層殼的核-多層殼結(jié)構(gòu)中的一種結(jié)構(gòu)以及各種其他結(jié)構(gòu)。嵌段共聚物為圍繞量子點的配體，并與量子點形成化學(xué)鍵。具體地講，在一個示例性實施例中該化學(xué)鍵可以為配位共價鍵。嵌段共聚物具有包括兩個或更多嵌段的多嵌段結(jié)構(gòu)。在一個示例性實施例中，嵌段共聚物包括與量子點形成配位共價鍵的官能團。該官能團可以屬于嵌段共聚物的主鏈或可以屬于連接到嵌段共聚物的主鏈的側(cè)鏈。另外，官能團可以無規(guī)地分布到主鏈和側(cè)鏈。本發(fā)明可以使用各種官能團與量子點形成化學(xué)鍵(例如，配位共價鍵)。例如，在一個示例性實施例中，本發(fā)明可以使用包含硫( 的官能團。該官能團可以包括碳數(shù)在1至 22個碳原子范圍內(nèi)的烷基硫醇、烷基黃原酸鹽(或酯)、二烷基硫代氨基甲酸鹽(或酯)、二烷基二硫化物、二烷基硫化物中的一種。官能團與構(gòu)成量子點的中心元素化學(xué)鍵合?；瘜W(xué)鍵比利用范德華或偶極力的物理鍵強?；瘜W(xué)鍵可以包括離子鍵、共價鍵或配位共價鍵或任何其他類型的化學(xué)鍵。另外，化學(xué)鍵可以具有與離子鍵、共價鍵或配位共價鍵的鍵合強度相似的鍵合強度。在一個示例性實施例中，量子點-嵌段共聚物混合物可以分散在基體聚合物中。 基體聚合物指具有足以將該混合物固定到其上的物理特性的凝膠型材料或固相材料。本發(fā)明可以使用具有透明性、熱穩(wěn)定性、防潮性和低氣體滲透性的特性的各種基體聚合物。基體聚合物可以包括硅樹脂、環(huán)氧樹脂、丙烯酸樹脂、乙烯樹脂或它們的混合物。在一個示例性實施例中，量子點-嵌段共聚物混合物可以用在發(fā)光裝置中。圖1為示出根據(jù)本發(fā)明的發(fā)光裝置的一個示例性實施例的剖視圖。參照圖1，根據(jù)本發(fā)明的發(fā)光裝置當(dāng)前的示例性實施例包括基底110和形成在基底Iio上的量子點-嵌段共聚物混合物層120。本發(fā)明可以使用各種其上可以設(shè)置量子點-嵌段共聚物混合物層120的基底。例如，基底110可以為聚合樹脂基底、硅基底、玻璃基底或由其他具有相似特性的材料制成的基底。量子點-嵌段共聚物混合物層120包括基體聚合物和量子點-嵌段共聚物混合物。量子點-嵌段共聚物混合物可以分散到基體聚合物中，例如，量子點-嵌段共聚物混合物可以不均勻地或均勻地分布在整個基體聚合物中。由于量子點-嵌段共聚物混合物層120的量子點具有由量子限制效應(yīng)產(chǎn)生的預(yù)定帶隙，所以根據(jù)本實施例的發(fā)光裝置可以發(fā)射具有特定波長的光，例如，發(fā)射的光在預(yù)定波長處可以具有最大輸出。例如，當(dāng)將預(yù)定范圍的能量施加到量子點時，量子點躍遷到激發(fā)態(tài)。然后，在從激發(fā)態(tài)回到基態(tài)的同時，量子點發(fā)射具有與激發(fā)態(tài)和基態(tài)之間的能量差對應(yīng)的特定波長的光。圖2為示出根據(jù)本發(fā)明的發(fā)光裝置的另一實施例的剖視圖。參照圖2，根據(jù)本發(fā)明的發(fā)光裝置的當(dāng)前的示例性實施例包括基底210、形成在基底210上的發(fā)光二極管230和形成在發(fā)光二極管230上的量子點-嵌段共聚物混合物層 220。雖然基底210不限于特定的類型，但基底210可以包括諸如塑料、玻璃、陶瓷或具有相似特性的其他材料的絕緣材料。例如，在一個示例性實施例中，基底210可以包括聚鄰苯二酰胺(PPA)。發(fā)光二極管230安裝在基底210上以提供具有能夠光激發(fā)量子點的波長的光 (即，能量)。量子點-嵌段共聚物混合物層220形成在發(fā)光二極管230上。量子點-嵌段共聚物混合物層220包括量子點-嵌段共聚物混合物，量子點-嵌段共聚物混合物分散到基體樹脂中，這與上面參照圖1所描述的相似。基體樹脂包括絕緣聚合物。例如，在一個示例性實施例中，基體樹脂可以包括硅樹脂、環(huán)氧樹脂、丙烯酸樹脂、它們的混合物或具有相似特性的其他材料。包含在量子點-嵌段共聚物混合物層220中的量子點吸收從發(fā)光二極管230發(fā)射的光，使得量子點躍遷到激發(fā)態(tài)。然后，量子點從激發(fā)態(tài)降到基態(tài)從而發(fā)射具有與激發(fā)態(tài)和基態(tài)之間的能量差對應(yīng)的波長的光。在一個示例性實施例中，從量子點發(fā)射的光的能量不同于發(fā)光二極管230的光的能量。根據(jù)該原理，表現(xiàn)出各種顏色的可見光波段的波長可以根據(jù)量子點的帶隙進行調(diào)節(jié)。具體地講，發(fā)光二極管230的發(fā)射波長可以在量子點可通過量子點的光激發(fā)吸收光的波長段內(nèi)進行各種選擇。在量子點吸收光之后，量子點能夠發(fā)射波長比已吸收的光的波長更長的光。在這種情況下，由于可以從一個裝置發(fā)射具有各種顏色的光，所以該裝置不僅可發(fā)射存在于可見光波段內(nèi)的各種單獨顏色的光，而且該裝置還
8可以發(fā)射白光，該白光可以通過至少兩種顏色的組合而實現(xiàn)。通過下面的方法制造具有相同結(jié)構(gòu)的量子點-嵌段共聚物混合物層220。首先形成量子點?？梢砸愿鞣N方案形成量子點，但本發(fā)明不限于此。量子點的示例性實施例可以包括II-VI族元素、III-V族元素、IV族元素或IV-VI 族元素，但本發(fā)明不限于此。II族元素的示例性實施例可以包括從由ZruCd和Hg組成的組中選擇的至少一種元素。III族元素的示例性實施例可以包括從由Al、Ga和h組成的組中選擇的至少一種元素。IV族元素的示例性實施例可以包括從由Si、Ge、Sn和1 組成的組中選擇的至少一種元素。V族元素的示例性實施例可以包括從由N、P和As組成的組中選擇的至少一種元素。VI族元素的示例性實施例可以包括從由Sje和Te組成的組中選擇的至少一種元素。量子點不限于特定的結(jié)構(gòu)，量子點可以具有僅包括核的單一型結(jié)構(gòu)、具有核和單層殼的核-單層殼結(jié)構(gòu)和具有核和多層殼的核-多層殼結(jié)構(gòu)中的一種，并可以具有各種其他類似的結(jié)構(gòu)。接下來形成具有包含S的官能團的嵌段共聚物?？梢酝ㄟ^包括鏈增長聚合方案和逐步增長聚合的各種方案來聚合嵌段共聚物，但本發(fā)明不限于此。鏈增長聚合方案包括可逆加成-斷裂鏈轉(zhuǎn)移(RAFT)方案、氮氧自由基調(diào)介聚合(NMP)方案、原子轉(zhuǎn)移自由基聚合 (ATRP)方案、陽離子聚合方案、陰離子聚合方案和自由基聚合方案。在一個示例性實施例中，逐步增長聚合方案包括脫水縮合方案。然后將量子點與嵌段共聚物混合。接下來，向混合物提供能量使得量子點通過化學(xué)鍵與官能團鍵合，從而形成量子點-嵌段共聚物混合物。提供能量的目的是用于量子點和官能團之間的成鍵反應(yīng)。例如， 通過向混合物施加熱、在向混合物施加熱的同時攪拌混合物、向混合物施加超聲波或通過上述方式的組合來提供能量。量子點-嵌段共聚物通過將要進行更詳細地解釋的“接枝到”(grafting to)的方法或“由表面接枝”(grafting from)的方法而形成。在“接枝到”的方法中，在已合成嵌段共聚物之后，將量子點與嵌段共聚物鍵合。在“由表面接枝”的方法中，使具有能夠成化學(xué)鍵的官能團的聚合物和單分子與量子點鍵合，將聚合引發(fā)劑和單體一起添加到所得物，使得嵌段共聚物從量子點或混合物另外地生長。本發(fā)明可以使用各種官能團來與量子點形成諸如配位共價鍵的化學(xué)鍵。例如，如上所描述的，本發(fā)明可以使用包含S的官能團。包含硫的官能團可以為烷基硫醇、烷基黃原酸鹽(或酯)、二烷基硫代氨基甲酸鹽(或酯)、二烷基二硫化物、二烷基硫化物中的一種， 其中，烷基的碳數(shù)在1至22個碳原子的范圍內(nèi)。在將量子點-嵌段共聚物混合物完全合成之后，將不能溶解該混合物的非溶劑添加到完成合成的溶液中，使得量子點-嵌段共聚物混合物在溶液中沉淀出來。然后，使用離心機將沉淀物從溶液中分離出，并添加溶劑來使混合物分散。因此，反復(fù)進行沉淀、分離和分散幾次以得到具有期望純度的量子點-嵌段共聚物混合物。將量子點-嵌段共聚物混合物分散在基體聚合物中，使得量子點-嵌段共聚物混合物可以應(yīng)用到發(fā)光裝置。雖然已經(jīng)將本發(fā)明描述為發(fā)光裝置使用該量子點-嵌段共聚物混合物，但本發(fā)明不限于此。
為了在基體聚合物中分散該混合物，在已形成該混合物和基體聚合物之后，將該混合物和基體聚合物溶解在溶劑中。為了在將該混合物分散在基體聚合物中時調(diào)節(jié)該混合物的分散和聚集程度，可以調(diào)節(jié)混合物中嵌段共聚物的接枝密度。另外，可通過相對于混合物中嵌段共聚物的分子量調(diào)節(jié)基體聚合物的分子量來調(diào)節(jié)該混合物的分散和聚集程度。此外可以通過調(diào)節(jié)混合物中的嵌段共聚物的分子量來調(diào)節(jié)混合物的分散和聚集程度。接枝密度指與量子點鍵合的嵌段共聚物的數(shù)均分子量?；w聚合物可以包括硅樹脂、環(huán)氧樹脂、丙烯酸樹脂、乙烯樹脂、上述樹脂的混合物或具有相似特性的其他材料。根據(jù)一個示例性實施例，基體聚合物可以包括聚苯乙烯。在基體聚合物為聚苯乙烯的示例性實施例中，溶劑可為甲苯。將分散在基體聚合物中的混合物形成在基底上以提供如圖2中所示的發(fā)光裝置。可通過準(zhǔn)備基底和在基底上形成包括分散的混合物的薄膜來制造發(fā)光裝置。由于分散的混合物具有液相，所以可以通過旋涂方案、滴涂方案、刮涂方案或本領(lǐng)域普通技術(shù)人員已知的各種其他技術(shù)在基底上以薄膜形式提供該混合物。然而，形成分散的混合物薄膜的方法不限于此。<實施例1 嵌段共聚物的形成>通過RAFT方案合成苯乙烯-半胱胺嵌段聚丙烯酰胺(一種嵌段共聚物)。首先， 將0. 06mg 2-苯基丙-2-基苯并二硫和0. 006mg α，α，-偶氮二異丁腈(AIBN)(用作鏈轉(zhuǎn)移劑)以及9. 2mmol苯乙烯單體溶解在4mmol的二氧雜環(huán)己烷中。接下來，將溶液在氮氣氛中在大約90°C的溫度反應(yīng)大約M小時以聚合具有聚苯乙烯烴鏈的聚合物A。上面的聚合反應(yīng)由下面的化學(xué)式1表示。<化學(xué)式1>
權(quán)利要求
1.一種發(fā)光裝置，包括基底和設(shè)置在基底上的量子點-嵌段共聚物混合物層，量子點-嵌段共聚物混合物層包含量子點；圍繞量子點的嵌段共聚物，其中，嵌段共聚物具有包含硫的官能團并與量子點形成化學(xué)鍵。
2.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光裝置，其中，所述官能團包括從由烷基硫醇、烷基黃原酸鹽、烷基黃原酸酯、二烷基硫代氨基甲酸鹽、二烷基硫代氨基甲酸酯、二烷基二硫化物、二烷基硫化物組成的組中選擇的一種，所述烷基的碳數(shù)在1至22個碳原子的范圍內(nèi)。
3.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光裝置，其中，量子點包括II-VI族元素、III-V族元素、IV 族元素和IV-VI族元素中的至少一種。
4.如權(quán)利要求3所述的發(fā)光裝置，其中，量子點具有單核結(jié)構(gòu)、核-單層殼結(jié)構(gòu)和核-多層殼結(jié)構(gòu)中的一種。
5.如權(quán)利要求3所述的發(fā)光裝置，其中，II族元素包括從由鋅、鎘和汞組成的組中選擇的至少一種元素，III族元素包括從由鋁、鎵和銦組成的組中選擇的至少一種元素，IV族元素包括從由硅、鍺、錫和鉛組成的組中選擇的至少一種元素，V族元素包括從由氮、磷和砷組成的組中選擇的至少一種元素，VI族元素包括從由硫、硒和碲組成的組中選擇的至少一種元素。
6.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光裝置，所述裝置還包括設(shè)置在量子點-嵌段共聚物混合物層的至少一部分與基底之間的發(fā)光二極管。
7.如權(quán)利要求6所述的發(fā)光裝置，其中，發(fā)光二極管發(fā)射光，量子點吸收所述光并發(fā)射與量子點的激發(fā)態(tài)和基態(tài)之間的能帶隙對應(yīng)的可見光。
8.—種制造發(fā)光裝置的方法，所述方法包括準(zhǔn)備基底和在基底上設(shè)置薄膜的步驟，所述薄膜包括量子點-嵌段共聚物混合物，所述量子點-嵌段共聚物混合物通過包括以下步驟的方法制造提供量子點；提供具有包含硫的官能團的嵌段共聚物；將量子點與嵌段共聚物混合；使量子點與官能團化學(xué)鍵合。
9.如權(quán)利要求8所述的制造發(fā)光裝置的方法，其中，化學(xué)鍵合的步驟包括將能量施加到量子點和嵌段共聚物的混合物。
10.如權(quán)利要求8所述的制造發(fā)光裝置的方法，其中，所述官能團包括烷基硫醇、烷基黃原酸鹽、烷基黃原酸酯、二烷基硫代氨基甲酸鹽、二烷基硫代氨基甲酸酯、二烷基二硫化物、二烷基硫化物中的一種，所述烷基的碳數(shù)在1至22的范圍內(nèi)。
11.如權(quán)利要求10所述的制造發(fā)光裝置的方法，其中，量子點包括II-VI族元素、III-V 族元素、IV族元素和IV-VI族元素中的至少一種。
12.如權(quán)利要求11所述的制造發(fā)光裝置的方法，其中，量子點具有單核結(jié)構(gòu)、核-單層殼結(jié)構(gòu)和核-多層殼結(jié)構(gòu)中的一種。
13.如權(quán)利要求10所述的制造發(fā)光裝置的方法，其中，II族元素包括從由鋅、鎘和汞組成的組中選擇的至少一種元素，III族元素包括從由鋁、鎵和銦組成的組中選擇的至少一種元素，IV族元素包括從由硅、鍺、錫和鉛組成的組中選擇的至少一種元素，V族元素包括從由氮、磷和砷組成的組中選擇的至少一種元素，VI族元素包括從由硫、硒和碲組成的組中選擇的至少一種元素。
14.如權(quán)利要求8所述的制造發(fā)光裝置的方法，其中，針對分散的量子點通過執(zhí)行旋涂方案、滴涂方案和刮涂方案中的至少一種在基底上設(shè)置薄膜。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種量子點-嵌段共聚物混合物及其制備和分散方法，以及一種包括量子點-嵌段共聚物混合物的發(fā)光裝置及其制造方法。量子點-嵌段共聚物混合物包括量子點；圍繞量子點的嵌段共聚物，其中，嵌段共聚物具有包含硫(S)的官能團并與量子點形成化學(xué)鍵。
文檔編號C08F8/34GK102201506SQ20111006881
公開日2011年9月28日 申請日期2011年3月22日 優(yōu)先權(quán)日2010年3月22日
發(fā)明者姜鐘赫, 慎重漢, 樸哉柄, 李東勛, 李成勛, 林載勛, 裴完基, 車國憲 申請人:三星電子株式會社, 首爾大學(xué)校產(chǎn)學(xué)協(xié)力團