專利名稱：一種用于生產(chǎn)聚酰亞胺薄膜的亞胺化爐的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及一種聚酰亞胺薄膜的生產(chǎn)設(shè)備，特別涉及一種用于生產(chǎn)聚酰亞胺薄膜的亞胺化爐。
技術(shù)背景聚酰亞胺薄膜是一種綜合性能非常優(yōu)異的高分子材料，具有特別優(yōu)異的耐熱性、耐低溫性、阻燃性、電氣性能和力學(xué)性能，被廣泛應(yīng)用于電子微電子、航空航天、激光等高科技領(lǐng)域。傳統(tǒng)生產(chǎn)聚酰亞胺薄膜的方法是將從流延機(jī)上剝?nèi)∠聛淼牧餮幽ぶ苯铀瓦M(jìn)亞胺化爐進(jìn)行高溫?zé)醽啺坊幚?。亞胺化爐內(nèi)設(shè)若干平行的系列輥筒，薄膜進(jìn)入亞胺化爐卷繞在爐內(nèi)的系列輥筒上，通過亞胺化爐內(nèi)的高溫處理后產(chǎn)品收卷在亞胺化爐出口處的收卷輥上。這種結(jié)構(gòu)的亞胺化爐的轉(zhuǎn)輥直徑小，使得流延膜在進(jìn)行高溫亞胺化處理時(shí)，綜合力學(xué)性能處于較低的水平，限制了薄膜在某些領(lǐng)域內(nèi)的應(yīng)用。如電子產(chǎn)品中使用的聚酰亞胺薄膜收縮率要求較低，為O. 3%以下，而利用傳統(tǒng)的亞胺化爐生產(chǎn)出的聚酰亞胺薄膜收縮率高，一般為1%以上，不能滿足電子產(chǎn)品的需要。
發(fā)明內(nèi)容本實(shí)用新型的目的就在于克服上述現(xiàn)有技術(shù)中存在的不足，而提供一種用于生產(chǎn)聚酰亞胺薄膜的亞胺化爐，該設(shè)備通過增加聚酰亞胺薄膜流延法生產(chǎn)線亞胺化爐轉(zhuǎn)輥的直徑，從而降低聚酰亞胺薄膜收縮率，使之達(dá)到電子產(chǎn)品用聚酰亞胺的要求。如上構(gòu)思，本實(shí)用新型的技術(shù)方案是一種用于生產(chǎn)聚酰亞胺薄膜的亞胺化爐，包括爐體、安裝在爐體上的煙囪、爐體內(nèi) 的爐架和安裝在爐架上的系列轉(zhuǎn)輥，其特征在于轉(zhuǎn)棍的直徑為45_50mm。上述棍筒的最佳直徑是48mm。本實(shí)用新型通過增加聚酰亞胺薄膜流延法生產(chǎn)線上亞胺化爐轉(zhuǎn)輥的直徑，從而降低聚酰亞胺薄膜收縮率，使收縮率達(dá)到了 O. 2%-0. 3%，滿足了電子產(chǎn)品使用聚酰亞胺薄膜的要求。

圖1是本實(shí)用新型的結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實(shí)施方式
如圖所示一種用于生產(chǎn)聚酰亞胺薄膜的亞胺化爐，包括爐體1、安裝在爐體上的煙囪2、爐體內(nèi)的爐架3和安裝在爐架上的系列輥筒4。輥筒的直徑為48mm。本設(shè)備通過增加聚酰亞胺薄膜流延法生產(chǎn)線上亞胺化爐轉(zhuǎn)輥的直徑，從而降低聚酰亞胺薄膜收縮率，使收縮率達(dá)到了 O. 2%-0. 3%，滿足了電子產(chǎn)品使用聚酰亞胺薄膜的要求。
權(quán)利要求1.一種用于生產(chǎn)聚酰亞胺薄膜的亞胺化爐，其特征在于包括爐體、安裝在爐體上的煙囪、爐體內(nèi)的爐架和安裝在爐架上的系列轉(zhuǎn)輥；轉(zhuǎn)輥的直徑為45-50mm。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種用于生產(chǎn)聚酰亞胺薄膜的亞胺化爐，其特征在于上述棍筒的最佳直徑是48mm。
專利摘要一種用于生產(chǎn)聚酰亞胺薄膜的亞胺化爐，包括爐體、安裝在爐體上的煙囪、爐體內(nèi)的爐架和安裝在爐架上的系列轉(zhuǎn)輥；轉(zhuǎn)輥的直徑為45-50mm。本實(shí)用新型通過增加聚酰亞胺薄膜流延法生產(chǎn)線上亞胺化爐轉(zhuǎn)輥的直徑，從而降低聚酰亞胺薄膜收縮率，使收縮率達(dá)到了0.2%—0.3%，滿足了電子產(chǎn)品使用聚酰亞胺薄膜的要求。
文檔編號C08J5/18GK202898295SQ20122060618
公開日2013年4月24日 申請日期2012年11月15日 優(yōu)先權(quán)日2012年11月15日
發(fā)明者段桂平, 陳瑜霞, 閆宏芹, 丁蘭, 陳偉, 王穎慧 申請人:天津華能能源設(shè)備有限公司