根據(jù)本發(fā)明的術(shù)語電子器件通常是指包含有機(jī)材料的電子器件。其優(yōu)選是指OLED。

OLED的通用結(jié)構(gòu)和功能原則為本領(lǐng)域技術(shù)人員所知且特別在US 4539507、US 5151629、EP 0676461和WO 1998/27136中被描述。

關(guān)于電子器件的性能數(shù)據(jù)，特別是考慮到例如在顯示器中或作為光源的廣泛商業(yè)用途，需要進(jìn)一步的改進(jìn)。在這方面特別重要的是電子器件的壽命、效率和工作電壓及所達(dá)到的色值。對(duì)于特定應(yīng)用而言，同樣重要的是具有可利用的可溶性化合物。尤其是在藍(lán)色發(fā)光OLED的情況下，存在改進(jìn)器件的壽命和發(fā)射光的色值的潛力。

實(shí)現(xiàn)所述改進(jìn)的一個(gè)重要起始點(diǎn)是選擇優(yōu)選與熒光發(fā)光體化合物相組合的用作電子器件的發(fā)光層中的基質(zhì)的化合物。

出于本申請(qǐng)的目的，在發(fā)光層中的基質(zhì)(或基質(zhì)化合物或基質(zhì)材料)是指存在于電子器件的發(fā)光層中、但不是發(fā)光體化合物，即并不或并不顯著地參與在由發(fā)光層實(shí)現(xiàn)的光發(fā)射中的化合物。

發(fā)光體化合物相應(yīng)地是指發(fā)光層的化合物，其在電子器件工作時(shí)發(fā)射光。根據(jù)本申請(qǐng)的術(shù)語熒光發(fā)光體涵蓋其中光發(fā)射自單重態(tài)發(fā)生的化合物。

許多化合物在現(xiàn)有技術(shù)中被描述為用于發(fā)光層的基質(zhì)化合物。其實(shí)例為在2-、6-、9-和10-位處具有芳基取代基的蒽，如在例如WO 2007/110129中所描述的；雙蒽化合物，如在例如WO 2007/065678中所描述的；或在9-和10-位處具有彼此不同的取代基的蒽化合物，如在例如EP 1 553154中所描述的。

例如在WO 2008/145239中，現(xiàn)有技術(shù)此外描述用于此用途的具有特定取代型式的苯并蒽化合物。其中公開的苯并蒽化合物的特征在于其在2位、3位、4位、5位或6位之一處具有芳基或雜芳基基團(tuán)，而沒有其它取代基，尤其是在7位和12位處沒有取代基。

盡管在WO 2008/145239中公開的化合物具有很好的性質(zhì)，然而，需要持續(xù)改進(jìn)。在此特別關(guān)注的是，有助于發(fā)射光的深藍(lán)色坐標(biāo)和/或電子器件的更長壽命的新型化合物的開發(fā)。此外，對(duì)于特定應(yīng)用而言，相當(dāng)關(guān)注的是具有在常見有機(jī)溶劑中，尤其是在用于制造電子器件的印刷方法或旋涂方法中采用的溶劑中具有改進(jìn)的溶解度的可獲得化合物。

對(duì)于可充當(dāng)從現(xiàn)有技術(shù)已知的化合物的替代物的新型化合物也存在興趣。所述化合物的期望用途并不局限于作為基質(zhì)使用，而且包括作為例如電子傳輸材料、空穴傳輸材料或發(fā)光體使用。

在關(guān)于適用于電子器件的新型化合物的研究中，現(xiàn)在已經(jīng)出乎意料地發(fā)現(xiàn)具有下式(I)或(II)的限定取代型式的苯并蒽化合物顯著地適合在電子器件中使用。特別地，他們實(shí)現(xiàn)了提供具有發(fā)射光的深藍(lán)色坐標(biāo)的OLED、提供具有長壽命的OLED和提供在有機(jī)溶劑中具有良好溶解度的化合物的上文提到的工藝目的中的一個(gè)或多個(gè)，優(yōu)選全部。

本發(fā)明因此涉及式(I)或(II)的化合物

其中以下適用于所出現(xiàn)的符號(hào)：

Ar¹選自可被一個(gè)或多個(gè)基團(tuán)R²取代的具有6～40個(gè)芳族環(huán)原子的芳族環(huán)系或可被一個(gè)或多個(gè)基團(tuán)R²取代的具有5～40個(gè)芳族環(huán)原子的雜芳族環(huán)系；

R⁰為C(＝O)R³、CN、Si(R³)₃、P(＝O)(R³)₂、OR³、S(＝O)R³、S(＝O)₂R³、具有1～20個(gè)C原子的直鏈的烷基或烷氧基基團(tuán)或具有3～20個(gè)C原子的支鏈或環(huán)狀的烷基或烷氧基基團(tuán)或具有2～20個(gè)C原子的烯基或炔基基團(tuán)，其中上文提到的基團(tuán)可各自被一個(gè)或多個(gè)基團(tuán)R³取代且其中在上文提到的基團(tuán)中的一個(gè)或多個(gè)CH₂基團(tuán)可被-R³C＝CR³-、-C≡C-、Si(R³)₂、C＝O、C＝NR³、-C(＝O)O-、-C(＝O)NR³-、NR³、P(＝O)(R³)、-O-、-S-、SO或SO₂代替；基團(tuán)R⁰可連接到基團(tuán)R¹且可形成環(huán)；

L為選自可被一個(gè)或多個(gè)基團(tuán)R²取代的具有6～40個(gè)芳族環(huán)原子的芳族環(huán)系或可被一個(gè)或多個(gè)基團(tuán)R²取代的具有5～40個(gè)芳族環(huán)原子的雜芳族環(huán)系的n價(jià)基團(tuán)；或L為化學(xué)鍵，其中n于是等于2；

R¹、R²在每次出現(xiàn)時(shí)相同或不同地為H，D，F(xiàn)，C(＝O)R³，CN，Si(R³)₃，N(R³)₂，P(＝O)(R³)₂，OR³，S(＝O)R³，S(＝O)₂R³，具有1～20個(gè)C原子的直鏈的烷基或烷氧基基團(tuán)或具有3～20個(gè)C原子的支鏈或環(huán)狀的烷基或烷氧基基團(tuán)或具有2～20個(gè)C原子的烯基或炔基基團(tuán)，其中上文提到的基團(tuán)可各自被一個(gè)或多個(gè)基團(tuán)R³取代且其中在上文提到的基團(tuán)中的一個(gè)或多個(gè)CH₂基團(tuán)可被-R³C＝CR³-、-C≡C-、Si(R³)₂、C＝O、C＝NR³、-C(＝O)O-、-C(＝O)NR³-、NR³、P(＝O)(R³)、-O-、-S-、SO或SO₂代替，或具有6～40個(gè)芳族環(huán)原子的芳族環(huán)系，其可被一個(gè)或多個(gè)基團(tuán)R³取代，或具有5～40個(gè)芳族環(huán)原子的雜芳族環(huán)系，其可被一個(gè)或多個(gè)基團(tuán)R³取代；兩個(gè)或更多個(gè)基團(tuán)R¹或R²可彼此連接且可形成環(huán)；

R³在每次出現(xiàn)時(shí)相同或不同地為H，D，F(xiàn)，C(＝O)R⁴，CN，Si(R⁴)₃，N(R⁴)₂，P(＝O)(R⁴)₂，OR⁴，S(＝O)R⁴，S(＝O)₂R⁴，具有1～20個(gè)C原子的直鏈的烷基或烷氧基基團(tuán)或具有3～20個(gè)C原子的支鏈或環(huán)狀的烷基或烷氧基基團(tuán)或具有2～20個(gè)C原子的烯基或炔基基團(tuán)，其中上文提到的基團(tuán)可各自被一個(gè)或多個(gè)基團(tuán)R⁴取代且其中在上文提到的基團(tuán)中的一個(gè)或多個(gè)CH₂基團(tuán)可被-R⁴C＝CR⁴-、-C≡C-、Si(R⁴)₂、C＝O、C＝NR⁴、-C(＝O)O-、-C(＝O)NR⁴-、NR⁴、P(＝O)(R⁴)、-O-、-S-、SO或SO₂代替，或具有6～40個(gè)芳族環(huán)原子的芳族環(huán)系，其可被一個(gè)或多個(gè)基團(tuán)R⁴取代，或具有5～40個(gè)芳族環(huán)原子的雜芳族環(huán)系，其可被一個(gè)或多個(gè)基團(tuán)R⁴取代；兩個(gè)或更多個(gè)基團(tuán)R³可彼此連接且可形成環(huán)；

R⁴在每次出現(xiàn)時(shí)相同或不同地為H、D、F、CN或具有1～20個(gè)C原子的脂族、芳族或雜芳族有機(jī)基團(tuán)，其中，一個(gè)或多個(gè)H原子還可被D、F或CN代替；兩個(gè)或更多個(gè)取代基R⁴可彼此連接且可形成環(huán)；

n等于2、3、4、5或6；

其中式(I)或(II)的化合物可在指示為未取代的位置中的每一個(gè)處含有基團(tuán)R¹；且

其中排除下列化合物：

圖示

意指基團(tuán)Ar¹在選自苯并蒽的1位～12位的任何期望位置處鍵合。上述情況也適用于在式(II)中的基團(tuán)L的表示。

圖示

意指基團(tuán)R⁰在選自苯并蒽的5位、6位、7位、8位、9位、10位、11位或12位的位置處鍵合。

在本申請(qǐng)中，使用苯并蒽結(jié)構(gòu)的以下位置編號(hào)：

本發(fā)明的意義上的芳基含有6～60個(gè)芳族環(huán)原子；本發(fā)明的意義上的雜芳基含有5～60個(gè)芳族環(huán)原子，其至少一個(gè)為雜原子。所述雜原子優(yōu)選選自N、O和S。這代表基本定義。如果在本發(fā)明的說明書中例如關(guān)于存在的芳族環(huán)原子或雜原子的數(shù)目指示其它優(yōu)選方式，則這些適用。

芳基或雜芳基基團(tuán)在此意指簡(jiǎn)單的芳族環(huán)，即苯，或簡(jiǎn)單的雜芳族環(huán)，例如吡啶、嘧啶或噻吩，或稠合(縮合)的芳族或雜芳族多環(huán)，例如萘、菲、喹啉或咔唑。稠合(縮合)的芳族或雜芳族多環(huán)在本申請(qǐng)的意義上由彼此稠合的兩個(gè)或更多個(gè)簡(jiǎn)單芳族或雜芳族環(huán)構(gòu)成。

可在每種情況下被上文提到的基團(tuán)取代且可經(jīng)由任何期望位置連接到芳族或雜芳族環(huán)系的芳基或雜芳基基團(tuán)尤其是指源自以下的基團(tuán)：苯、萘、蒽、菲、芘、二氫芘、苝、熒蒽、苯并蒽、苯并菲、并四苯、并五苯、苯并芘、呋喃、苯并呋喃、異苯并呋喃、二苯并呋喃、噻吩、苯并噻吩、異苯并噻吩、二苯并噻吩、吡咯、吲哚、異吲哚、咔唑、吡啶、喹啉、異喹啉、吖啶、菲啶、苯并-5,6-喹啉、苯并-6,7-喹啉、苯并-7,8-喹啉、吩噻嗪、吩嗪、吡唑、吲唑、咪唑、苯并咪唑、萘并咪唑、菲并咪唑、吡啶并咪唑、吡嗪并咪唑、喹喔啉并咪唑、唑、苯并唑、萘并唑、蒽并唑、菲并唑、異唑、1,2-噻唑、1,3-噻唑、苯并噻唑、噠嗪、苯并噠嗪、嘧啶、苯并嘧啶、喹喔啉、吡嗪、吩嗪、萘啶、氮雜咔唑、苯并咔啉、菲咯啉、1,2,3-三唑、1,2,4-三唑、苯并三唑、1,2,3-二唑、1,2,4-二唑、1,2,5-二唑、1,3,4-二唑、1,2,3-噻二唑、1,2,4-噻二唑、1,2,5-噻二唑、1,3,4-噻二唑、1,3,5-三嗪、1,2,4-三嗪、1,2,3-三嗪、四唑、1,2,4,5-四嗪、1,2,3,4-四嗪、1,2,3,5-四嗪、嘌呤、喋啶、吲哚嗪和苯并噻二唑。

本發(fā)明的意義上的芳族環(huán)系在環(huán)系中含有6～60個(gè)C原子。本發(fā)明的意義上的雜芳族環(huán)系含有5～60個(gè)芳族環(huán)原子，其至少一個(gè)為雜原子。所述雜原子優(yōu)選選自N、O和/或S。本發(fā)明意義上的芳族或雜芳族環(huán)系旨在是指不必僅含有芳基或雜芳基的體系，而是其中，多個(gè)芳基或雜芳基基團(tuán)還可被諸如sp³-雜化的C、Si、N或O原子，sp²-雜化的C或N原子或sp-雜化的C原子的非芳族單元(優(yōu)選小于除H以外的原子的10％)連接。因此，例如，與其中兩個(gè)或更多個(gè)芳基基團(tuán)例如被直鏈或環(huán)狀的烷基、烯基或炔基基團(tuán)或被甲硅烷基基團(tuán)連接的體系一樣，諸如9,9'-螺二芴、9,9'-二芳基芴、三芳基胺、二芳基醚、茋等的體系也旨在是指本發(fā)明的意義上的芳族環(huán)系。此外，其中兩個(gè)或更多個(gè)芳基或雜芳基基團(tuán)經(jīng)由單鍵彼此連接的體系，例如，諸如聯(lián)苯、三聯(lián)苯或二苯基三嗪的體系，也是本發(fā)明的意義上的芳族或雜芳族環(huán)系。

在每種情況下也可被如上定義的基團(tuán)取代且可經(jīng)由任何期望位置連接到芳族或雜芳族基團(tuán)的具有5～60個(gè)芳族環(huán)原子的芳族或雜芳族環(huán)系尤其是指源自以下的基團(tuán)：苯、萘、蒽、苯并蒽、菲、苯并菲、芘、苝、熒蒽、并四苯、并五苯、苯并芘、聯(lián)苯、偶苯、三聯(lián)苯、三聚苯、四聯(lián)苯、芴、螺二芴、二氫菲、二氫芘、四氫芘、順-或反-茚并芴、三聚茚、異三聚茚、螺三聚茚、螺異三聚茚、呋喃、苯并呋喃、異苯并呋喃、二苯并呋喃、噻吩、苯并噻吩、異苯并噻吩、二苯并噻吩、吡咯、吲哚、異吲哚、咔唑、吲哚并咔唑、茚并咔唑、吡啶、喹啉、異喹啉、吖啶、菲啶、苯并-5,6-喹啉、苯并-6,7-喹啉、苯并-7,8-喹啉、吩噻嗪、吩嗪、吡唑、吲唑、咪唑、苯并咪唑、萘并咪唑、菲并咪唑、吡啶并咪唑、吡嗪并咪唑、喹喔啉并咪唑、唑、苯并唑、萘并唑、蒽并唑、菲并唑、異唑、1,2-噻唑、1,3-噻唑、苯并噻唑、噠嗪、苯并噠嗪、嘧啶、苯并嘧啶、喹喔啉、1,5-二氮雜蒽、2,7-二氮雜芘、2,3-二氮雜芘、1,6-二氮雜芘、1,8-二氮雜芘、4,5-二氮雜芘、4,5,9,10-四氮雜苝、吡嗪、吩嗪、吩嗪、吩噻嗪、熒紅環(huán)、萘啶、氮雜咔唑、苯并咔啉、菲咯啉、1,2,3-三唑、1,2,4-三唑、苯并三唑、1,2,3-二唑、1,2,4-二唑、1,2,5-二唑、1,3,4-二唑、1,2,3-噻二唑、1,2,4-噻二唑、1,2,5-噻二唑、1,3,4-噻二唑、1,3,5-三嗪、1,2,4-三嗪、1,2,3-三嗪、四唑、1,2,4,5-四嗪、1,2,3,4-四嗪、1,2,3,5-四嗪、嘌呤、喋啶、吲哚嗪和苯并噻二唑或這些基團(tuán)的組合。

為了本發(fā)明的目的，具有1～40個(gè)C原子的直鏈烷基基團(tuán)或具有3～40個(gè)C原子的支鏈或環(huán)狀的烷基基團(tuán)或具有2～40個(gè)C原子的烯基或炔基基團(tuán)(其中，個(gè)別H原子或CH₂基團(tuán)還可被上文在基團(tuán)的定義下提到的基團(tuán)取代)優(yōu)選是指如下基團(tuán)：甲基、乙基、正丙基、異丙基、正丁基、異丁基、仲丁基、叔丁基、2-甲基丁基、正戊基、仲戊基、環(huán)戊基、新戊基、正己基、環(huán)己基、新己基、正庚基、環(huán)庚基、正辛基、環(huán)辛基、2-乙基己基、三氟甲基、五氟乙基、2,2,2-三氟乙基、乙烯基、丙烯基、丁烯基、戊烯基、環(huán)戊烯基、己烯基、環(huán)己烯基、庚烯基、環(huán)庚烯基、辛烯基、環(huán)辛烯基、乙炔基、丙炔基、丁炔基、戊炔基、己炔基或辛炔基。具有1～40個(gè)C原子的烷氧基或硫代烷基基團(tuán)優(yōu)選是指甲氧基、三氟甲氧基、乙氧基、正丙氧基、異丙氧基、正丁氧基、異丁氧基、仲丁氧基、叔丁氧基、正戊氧基、仲戊氧基、2-甲基丁氧基、正己氧基、環(huán)己氧基、正庚氧基、環(huán)庚氧基、正辛氧基、環(huán)辛氧基、2-乙基己氧基、五氟乙氧基、2,2,2-三氟乙氧基、甲硫基、乙硫基、正丙硫基、異丙硫基、正丁硫基、異丁硫基、仲丁硫基、叔丁硫基、正戊硫基、仲戊硫基、正己硫基、環(huán)己硫基、正庚硫基、環(huán)庚硫基、正辛硫基、環(huán)辛硫基、2-乙基己硫基、三氟甲硫基、五氟乙硫基、2,2,2-三氟乙硫基、乙烯硫基、丙烯硫基、丁烯硫基、戊烯硫基、環(huán)戊烯硫基、己烯硫基、環(huán)己烯硫基、庚烯硫基、環(huán)庚烯硫基、辛烯硫基、環(huán)辛烯硫基、乙炔硫基、丙炔硫基、丁炔硫基、戊炔硫基、己炔硫基、庚炔硫基或辛炔硫基。

兩個(gè)或更多個(gè)基團(tuán)可彼此形成環(huán)的陳述對(duì)于本申請(qǐng)的目的旨在特別是指這兩個(gè)基團(tuán)由化學(xué)鍵彼此連接。然而，此外，上文提到的陳述還旨在是指，在這兩個(gè)基團(tuán)中的一個(gè)表示氫的情況下，第二個(gè)基團(tuán)在鍵合氫原子的位置處鍵合，形成環(huán)。

對(duì)于式(I)的化合物，基團(tuán)Ar¹優(yōu)選不在7位上。此外優(yōu)選，對(duì)于式(I)或(II)，選自芳族或雜芳族環(huán)系的基團(tuán)R¹不在7位上。最優(yōu)選對(duì)于式(I)或(II)，選自H和D、優(yōu)選為H的基團(tuán)R¹存在于7位上或基團(tuán)R⁰存在于7位上。對(duì)于基團(tuán)R⁰指示的優(yōu)選實(shí)施方式在此適用。

式(I)化合物優(yōu)選含有除苯并蒽骨架之外的至少一個(gè)稠合芳基基團(tuán)，優(yōu)選至少一個(gè)具有14～18個(gè)芳族環(huán)原子的稠合芳基基團(tuán)。所述稠合芳基基團(tuán)可任選作為基團(tuán)Ar¹、R¹、R²、R³或R⁴，優(yōu)選作為基團(tuán)Ar¹或R²存在。根據(jù)其作為在式(I)中的基團(tuán)Ar¹、R¹、R²、R³或R⁴出現(xiàn)，其可以如對(duì)相關(guān)基團(tuán)所允許的那樣被取代。例如，如果其作為基團(tuán)Ar¹存在，則其可被一個(gè)或多個(gè)基團(tuán)R²取代。

基團(tuán)Ar¹優(yōu)選在苯并蒽的選自1位、2位、3位、4位、5位、6位、8位、9位、10位、11位、12位的位置處，特別優(yōu)選在選自2位、3位、4位、5位、6位、8位、9位、10位、11位的位置處，非常特別優(yōu)選在選自2位、3位、4位、5位、6位、8位、11位的位置處，甚至更優(yōu)選在選自2位、3位、4位、5位、6位的位置處，最優(yōu)選在選自4位和5位的位置處存在。

基團(tuán)L優(yōu)選在苯并蒽的選自1位、2位、3位、4位、5位、6位、8位、9位、10位、11位、12位的位置處，特別優(yōu)選在選自2位、3位、4位、5位、6位、8位、9位、10位、11位的位置處，非常特別優(yōu)選在選自2位、3位、4位、5位、6位、8位、11位的位置處，甚至更優(yōu)選在選自2位、3位、4位、5位、6位的位置處，最優(yōu)選在選自4位和5位的位置處存在。

基團(tuán)R⁰優(yōu)選在苯并蒽的選自7位、8位、9位、10位、11位、12位的位置處，特別優(yōu)選在選自7位和12位的位置處，非常特別地優(yōu)選在7位處存在。

式(I)或(II)的化合物優(yōu)選含有不超過三個(gè)基團(tuán)R¹、特別優(yōu)選不超過兩個(gè)基團(tuán)R¹、非常特別地優(yōu)選正好一個(gè)基團(tuán)R¹或沒有基團(tuán)R¹，最優(yōu)選沒有基團(tuán)R¹。

Ar¹優(yōu)選選自具有6～30個(gè)芳族環(huán)原子的芳族環(huán)系，所述芳族環(huán)系可被一個(gè)或多個(gè)基團(tuán)R²取代，和具有5～30個(gè)芳族環(huán)原子的雜芳族環(huán)系，所述雜芳族環(huán)系可被一個(gè)或多個(gè)基團(tuán)R²取代。Ar¹特別優(yōu)選在每次出現(xiàn)時(shí)相同或不同地選自具有6～25個(gè)芳族環(huán)原子的芳族環(huán)系，所述芳族環(huán)系可被一個(gè)或多個(gè)基團(tuán)R²取代。Ar¹特別優(yōu)選地選自苯、萘、蒽、苯并蒽、菲、苯并菲、芘、苝、熒蒽、并四苯、并五苯、苯并芘、聯(lián)苯、三聯(lián)苯、四聯(lián)苯、芴、螺二芴、呋喃、苯并呋喃、異苯并呋喃、二苯并呋喃、噻吩、苯并噻吩、異苯并噻吩、二苯并噻吩、吲哚、異吲哚、咔唑、吲哚并咔唑、茚并咔唑、吡啶、喹啉、異喹啉、吖啶、菲啶、苯并咪唑、嘧啶、吡嗪和三嗪，其中所述基團(tuán)可各自被一個(gè)或多個(gè)基團(tuán)R²取代。

優(yōu)選地，鍵合到基團(tuán)Ar¹的基團(tuán)R²選自H，D，F(xiàn)，CN，具有1～10個(gè)C原子的直鏈的烷基或烷氧基基團(tuán)和具有3～10個(gè)C原子的支鏈或環(huán)狀的烷基或烷氧基基團(tuán)，其中上文提到的基團(tuán)可各自被一個(gè)或多個(gè)基團(tuán)R³取代，和具有6～24個(gè)芳族環(huán)原子的芳族環(huán)系，所述芳族環(huán)系可被一個(gè)或多個(gè)基團(tuán)R³取代，和具有5～24個(gè)芳族環(huán)原子的雜芳族環(huán)系，所述雜芳族環(huán)系可被一個(gè)或多個(gè)基團(tuán)R³取代?？杀灰粋€(gè)或多個(gè)基團(tuán)R³取代的具有6～24個(gè)芳族環(huán)原子的芳族環(huán)系和可被一個(gè)或多個(gè)基團(tuán)R³取代的具有5～24個(gè)芳族環(huán)原子的雜芳族環(huán)系在此優(yōu)選選自苯、萘、蒽、苯并蒽、菲、苯并菲、芘、苝、熒蒽、并四苯、并五苯、苯并芘、聯(lián)苯、三聯(lián)苯、四聯(lián)苯、芴、螺二芴、呋喃、苯并呋喃、異苯并呋喃、二苯并呋喃、噻吩、苯并噻吩、異苯并噻吩、二苯并噻吩、吲哚、異吲哚、咔唑、吲哚并咔唑、茚并咔唑、吡啶、喹啉、異喹啉、吖啶、菲啶、苯并咪唑、嘧啶、吡嗪和三嗪，其中所述基團(tuán)可各自被一個(gè)或多個(gè)基團(tuán)R³取代。

基團(tuán)Ar¹的優(yōu)選實(shí)施方式符合下式(Ar¹-1)至(Ar¹-6)：

其中：

X在每次出現(xiàn)時(shí)相同或不同地選自N、CR²和C，其中如果基團(tuán)Ar³鍵合到X，則X僅可等于C；

Ar²選自可被一個(gè)或多個(gè)基團(tuán)R²取代的具有6～30個(gè)芳族環(huán)原子的芳族環(huán)系，和可被一個(gè)或多個(gè)基團(tuán)R²取代的具有5～30個(gè)芳族環(huán)原子的雜芳族環(huán)系；

Ar³選自可被一個(gè)或多個(gè)基團(tuán)R³取代的具有6～24個(gè)芳族環(huán)原子的芳族環(huán)系，和可被一個(gè)或多個(gè)基團(tuán)R³取代的具有5～24個(gè)芳族環(huán)原子的雜芳族環(huán)系；

且用*標(biāo)記的鍵為該基團(tuán)與苯并蒽單元的鍵合位置。

對(duì)應(yīng)于式(Ar¹-3)、(Ar¹-4)和(Ar¹-5)，基團(tuán)Ar³在每種情況下在萘基衍生物或蒽基衍生物的任何期望的自由位置處鍵合。對(duì)于式(Ar¹-5)，優(yōu)選在蒽基衍生物的9位或10位處鍵合。

基團(tuán)X優(yōu)選選自CR²和C，其中如果基團(tuán)Ar³鍵合到X，則X僅可等于C。

Ar²優(yōu)選選自可被一個(gè)或多個(gè)基團(tuán)R²取代的具有10～22個(gè)芳族環(huán)原子的稠合芳基基團(tuán)，和可被一個(gè)或多個(gè)基團(tuán)R²取代的具有9～22個(gè)芳族環(huán)原子的稠合雜芳基基團(tuán)。Ar²特別優(yōu)選地選自萘、蒽、苯并蒽、菲、苯并菲、芘、苝、熒蒽、并四苯、并五苯、苯并芘、苯并呋喃、異苯并呋喃、二苯并呋喃、苯并噻吩、異苯并噻吩、二苯并噻吩、吲哚、異吲哚、咔唑、喹啉、異喹啉、吖啶、菲啶、苯并咪唑，其中所述基團(tuán)可各自被一個(gè)或多個(gè)基團(tuán)R²取代。Ar²非常特別優(yōu)選地選自萘、蒽、苯并蒽、菲、苯并菲、芘、苝、熒蒽和并四苯，其中所述基團(tuán)可各自被一個(gè)或多個(gè)基團(tuán)R²取代。

Ar³優(yōu)選選自可被一個(gè)或多個(gè)基團(tuán)R³取代的具有6～22個(gè)芳族環(huán)原子的芳基基團(tuán)和可被一個(gè)或多個(gè)基團(tuán)R³取代的具有5～22個(gè)芳族環(huán)原子的雜芳基基團(tuán)。Ar³特別優(yōu)選地選自如下基團(tuán)：苯、萘、蒽、苯并蒽、菲、苯并菲、芘、苝、熒蒽、并四苯、并五苯、苯并芘、苯并呋喃、異苯并呋喃、二苯并呋喃、苯并噻吩、異苯并噻吩、二苯并噻吩、吲哚、異吲哚、咔唑、喹啉、異喹啉、吖啶、菲啶、苯并咪唑，其中所述基團(tuán)可各自被一個(gè)或多個(gè)基團(tuán)R³取代。Ar³非常特別優(yōu)選地選自如下基團(tuán)：苯、萘、蒽、苯并蒽、菲、苯并菲、芘、苝、熒蒽和并四苯，其中所述基團(tuán)可各自被一個(gè)或多個(gè)基團(tuán)R³取代。

式(Ar¹-1)的基團(tuán)Ar¹的優(yōu)選實(shí)施方式符合下式(Ar¹-1-1)至(Ar¹-1-8)：

其中：

基團(tuán)R²在每種情況下可在自由位置處存在；且

用*標(biāo)記的鍵為該基團(tuán)與苯并蒽單元的鍵合位置。

式(Ar¹-2)的基團(tuán)Ar¹的優(yōu)選實(shí)施方式符合下式(Ar¹-2-1)至(Ar¹-2-6)：

其中：

X如上定義且優(yōu)選在每次出現(xiàn)時(shí)相同或不同地選自CR²和C，其中如果取代基鍵合到X，則X僅可為C；

基團(tuán)R³在每種情況下可在自由位置處存在；且

用*標(biāo)記的鍵為該基團(tuán)與苯并蒽單元的鍵合位置。

式(Ar¹-5)的基團(tuán)Ar¹的優(yōu)選實(shí)施方式符合下式(Ar¹-5-1)至(Ar¹-5-7)

其中：

X如上定義且優(yōu)選在每次出現(xiàn)時(shí)相同或不同地選自CR²和C，其中如果取代基鍵合到X，則X僅可為C；

基團(tuán)R³在每種情況下可在自由位置處存在；且

用*標(biāo)記的鍵為該基團(tuán)與苯并蒽單元的鍵合位置。

式(Ar¹-6)的基團(tuán)Ar¹的優(yōu)選實(shí)施方式符合下式(Ar¹-6-1)至(Ar¹-6-6)：

其中：

X如上定義且優(yōu)選在每次出現(xiàn)時(shí)相同或不同地選自CR²和C，其中如果取代基鍵合到X，則X僅可為C；

基團(tuán)R³在每種情況下可在自由位置處存在；且

用*標(biāo)記的鍵為該基團(tuán)與苯并蒽單元的鍵合位置。

R⁰優(yōu)選選自C(＝O)R³、CN、Si(R³)₃、OR³、具有1～10個(gè)C原子的直鏈的烷基或烷氧基基團(tuán)或具有3～10個(gè)C原子的支鏈或環(huán)狀的烷基或烷氧基基團(tuán)或具有2～10個(gè)C原子的烯基或炔基基團(tuán)，其中上文提到的基團(tuán)可各自被一個(gè)或多個(gè)基團(tuán)R³取代且其中在上文提到的基團(tuán)中的一個(gè)或多個(gè)CH₂基團(tuán)可被-R³C＝CR³-、-C≡C-、Si(R³)₂、-O-或-S-代替。R⁰特別優(yōu)選地選自Si(R³)₃、具有1～10個(gè)C原子的直鏈的烷基或烷氧基基團(tuán)或具有3～10個(gè)C原子的支鏈或環(huán)狀的烷基或烷氧基基團(tuán)，其中上文提到的基團(tuán)可各自被一個(gè)或多個(gè)基團(tuán)R³取代。R⁰非常特別優(yōu)選地選自甲基、乙基、正丙基、異丙基、正丁基、異丁基、仲丁基、叔丁基、2-甲基丁基、正戊基、仲戊基、環(huán)戊基、新戊基、正己基、環(huán)己基、新己基、正庚基、環(huán)庚基、正辛基、環(huán)辛基、2-乙基己基、甲氧基、乙氧基、正丙氧基、異丙氧基、正丁氧基、異丁氧基、仲丁氧基、叔丁氧基、正戊氧基、仲戊氧基、2-甲基丁氧基、正己氧基、環(huán)己氧基、正庚氧基、環(huán)庚氧基、正辛氧基、環(huán)辛氧基和2-乙基己氧基、三甲基甲硅烷基、三乙基甲硅烷基和可被基團(tuán)-Si(R⁴)₃取代的上文提到的基團(tuán)的衍生物。

L優(yōu)選選自可被一個(gè)或多個(gè)基團(tuán)R²取代的具有6～30個(gè)芳族環(huán)原子的芳族環(huán)系，或可被一個(gè)或多個(gè)基團(tuán)R²取代的具有5～30個(gè)芳族環(huán)原子的雜芳族環(huán)系，或L為單鍵，其中，在這種情況下，n等于2。L特別優(yōu)選地選自苯、萘、蒽、苯并蒽、菲、苯并菲、芘、苝、熒蒽、并四苯、并五苯、苯并芘、聯(lián)苯、三聯(lián)苯、四聯(lián)苯、芴、螺二芴、呋喃、苯并呋喃、異苯并呋喃、二苯并呋喃、噻吩、苯并噻吩、異苯并噻吩、二苯并噻吩、吲哚、異吲哚、咔唑、吲哚并咔唑、茚并咔唑、吡啶、喹啉、異喹啉、吖啶、菲啶、苯并咪唑、嘧啶、吡嗪和三嗪，其中所述基團(tuán)可各自被一個(gè)或多個(gè)基團(tuán)R²取代，或L為單鍵，其中，在這種情況下，n等于2。

標(biāo)記n優(yōu)選等于2或3，特別優(yōu)選等于2。

R¹優(yōu)選在每次出現(xiàn)時(shí)相同或不同地選自H，D，F(xiàn)，CN，Si(R³)₃，N(R³)₂，具有1～10個(gè)C原子的直鏈的烷基或烷氧基基團(tuán)和具有3～10個(gè)C原子的支鏈或環(huán)狀的烷基或烷氧基基團(tuán)，其中上文提到的基團(tuán)可各自被一個(gè)或多個(gè)基團(tuán)R³取代且其中在上文提到的基團(tuán)中的一個(gè)或多個(gè)CH₂基團(tuán)可被-C≡C-、-R³C＝CR³-、Si(R³)₂、C＝O、C＝NR³、-NR³-、-O-、-S-、-C(＝O)O-或-C(＝O)NR³-代替，和具有6～24個(gè)芳族環(huán)原子的芳族環(huán)系，所述芳族環(huán)系可被一個(gè)或多個(gè)基團(tuán)R³取代，和具有5～24個(gè)芳族環(huán)原子的雜芳族環(huán)系，所述雜芳族環(huán)系可被一個(gè)或多個(gè)基團(tuán)R³取代。R¹特別優(yōu)選地在每次出現(xiàn)時(shí)相同或不同地選自H、D、F、CN、Si(R³)₃、具有1～10個(gè)C原子的直鏈的烷基或烷氧基基團(tuán)和具有3～10個(gè)C原子的支鏈或環(huán)狀的烷基或烷氧基基團(tuán)，其中上文提到的基團(tuán)可各自被一個(gè)或多個(gè)基團(tuán)R³取代。

R²優(yōu)選地在每次出現(xiàn)時(shí)相同或不同地選自H，D，F(xiàn)，CN，Si(R³)₃，N(R³)₂，具有1～10個(gè)C原子的直鏈的烷基或烷氧基基團(tuán)和具有3～10個(gè)C原子的支鏈或環(huán)狀的烷基或烷氧基基團(tuán)，其中上文提到的基團(tuán)可各自被一個(gè)或多個(gè)基團(tuán)R³取代且其中在上文提到的基團(tuán)中的一個(gè)或多個(gè)基團(tuán)CH₂可被-C≡C-、-R³C＝CR³-、Si(R³)₂、C＝O、C＝NR³、-NR³-、-O-、-S-、-C(＝O)O-或-C(＝O)NR³-代替，和具有6～24個(gè)芳族環(huán)原子的芳族環(huán)系，所述芳族環(huán)系可被一個(gè)或多個(gè)基團(tuán)R³取代，和具有5～24個(gè)芳族環(huán)原子的雜芳族環(huán)系，所述雜芳族環(huán)系可被一個(gè)或多個(gè)基團(tuán)R³取代。

R³優(yōu)選地在每次出現(xiàn)時(shí)相同或不同地選自H，D，F(xiàn)，CN，Si(R⁴)₃，N(R⁴)₂，具有1～10個(gè)C原子的直鏈的烷基或烷氧基基團(tuán)和具有3～10個(gè)C原子的支鏈或環(huán)狀的烷基或烷氧基基團(tuán)，其中上文提到的基團(tuán)可各自被一個(gè)或多個(gè)基團(tuán)R⁴取代且其中在上文提到的基團(tuán)中的一個(gè)或多個(gè)CH₂基團(tuán)可被-C≡C-、-R⁴C＝CR⁴-、Si(R⁴)₂、C＝O、C＝NR⁴、-NR⁴-、-O-、-S-、-C(＝O)O-或-C(＝O)NR⁴-代替，和具有6～24個(gè)芳族環(huán)原子的芳族環(huán)系，其可被一個(gè)或多個(gè)基團(tuán)R⁴取代，和具有5～24個(gè)芳族環(huán)原子的雜芳族環(huán)系，其可被一個(gè)或多個(gè)基團(tuán)R⁴取代。

式(I)和(II)的化合物的優(yōu)選實(shí)施方式符合式(I-1)和(I-2)和(II-1)和(II-2)：

其中出現(xiàn)的基團(tuán)L、R⁰和Ar¹如上定義且其中如上定義的基團(tuán)R¹在每種情況下可在苯并蒽的指示為未取代的所有位置處存在。

根據(jù)在式(I-1)中的指示，在式(I-1)中的基團(tuán)Ar¹在選自1位、2位、3位、4位、5位、6位的位置處鍵合。在此優(yōu)選選自2位、4位、5位的位置，特別優(yōu)選選自4位和5位的位置。

根據(jù)在式(II-1)中的指示，在式(II-1)中的基團(tuán)L在選自1位、2位、3位、4位、5位、6位的位置處鍵合。在此優(yōu)選選自2位、4位、5位的位置，特別優(yōu)選選自4位和5位的位置。

根據(jù)在式(I-1)和(II-1)中的指示，在式(I-1)和(II-1)中的基團(tuán)R⁰在選自7位、8位、9位、10位、11位、12位的位置處鍵合。在此優(yōu)選選自7和12位的位置，特別優(yōu)選7位。

根據(jù)在式(I-2)中的指示，在式(I-2)中的基團(tuán)Ar¹在選自8位、9位、10位、11位的位置處鍵合。

根據(jù)在式(II-2)中的指示，在式(II-2)中的基團(tuán)L在選自8位、9位、10位、11位的位置處鍵合。

根據(jù)在式(I-2)和(II-2)中的指示，在式(I-2)和(II-2)中的基團(tuán)R⁰在選自7位、8位、9位、10位、11位、12位的位置處鍵合。在此優(yōu)選選自7位和12位的位置，特別優(yōu)選7位。

基團(tuán)L、Ar¹、R⁰、R¹、R²和R³的如上指示的優(yōu)選實(shí)施方式對(duì)于式(I-1)、(I-2)、(II-1)和(II-2)同樣優(yōu)選。

式(I-1)、(I-2)、(II-1)和(II-2)之中，特別優(yōu)選式(I-1)。

式(I)的化合物的優(yōu)選實(shí)施方式符合式(I-1-1)和(I-2-1)：

其中出現(xiàn)的基團(tuán)R⁰和Ar¹如上定義且其中如上定義的基團(tuán)R¹在每種情況下可在苯并蒽的指示為未取代的所有位置處存在。

基團(tuán)Ar¹、R⁰、R¹、R²和R³的如上指示的優(yōu)選實(shí)施方式對(duì)于式(I-1-1)和(I-2-1)同樣優(yōu)選。

根據(jù)在式(I-1-1)中的指示，在式(I-1-1)中的基團(tuán)Ar¹在選自1位、2位、3位、4位、5位、6位的位置處鍵合。對(duì)于式(I-1-1)，優(yōu)選基團(tuán)Ar¹在選自2位、4位和5位的位置處，特別優(yōu)選在選自4位和5位的位置處鍵合。

根據(jù)在式(I-2-1)中的指示，在式(I-2-1)中的基團(tuán)Ar¹在選自8位、9位、10位、11位的位置處鍵合。

式(I-1-1)和(I-2-1)之中，特別優(yōu)選式(I-1-1)。

下列化合物為式(I)或(II)的化合物的實(shí)例：

根據(jù)本發(fā)明的化合物可例如根據(jù)下列反應(yīng)方案(方案1)制備：

方案1

Ar：任何期望的芳族或雜芳族環(huán)系

Hal：鹵素原子或其它反應(yīng)性基團(tuán)

R：任何期望的有機(jī)基團(tuán)

為此，所用的原料為被硼酸取代的苯并蒽衍生物2?？芍苽渫ㄓ媒Y(jié)構(gòu)2的這種化合物的方法在WO 2008/145239的實(shí)施例中描述。硼酸基團(tuán)在此可在選自苯并蒽的1～6位的任何期望位置處存在。接著與被反應(yīng)性基團(tuán)取代的任何期望芳族或雜芳族環(huán)系進(jìn)行偶聯(lián)反應(yīng)。這給出通用結(jié)構(gòu)3的化合物。其隨后在7位溴化，且基團(tuán)R在7位引入?；鶊F(tuán)R優(yōu)選為任選取代的烷基基團(tuán)。

用于獲得根據(jù)本發(fā)明的化合物的可選合成方案從在8位、9位或11位被芳基基團(tuán)取代的苯并蒽衍生物開始(方案2)?？芍苽溥@種化合物的方法例如描述在WO 2011/012212中。如對(duì)于方案2所述的，這隨后在7位溴化并引入基團(tuán)R，優(yōu)選任選取代的烷基。

方案2

Ar：任何期望的芳族或雜芳族環(huán)系

Hal：鹵素原子或其它反應(yīng)性基團(tuán)

R：任何期望的有機(jī)基團(tuán)

用于獲得根據(jù)本發(fā)明的化合物的另一可選方法示于以下方案3中。

方案3

Ar：任何期望的芳族或雜芳族環(huán)系

Hal：鹵素原子或其它反應(yīng)性基團(tuán)

R：任何期望的有機(jī)基團(tuán)

為此，首先使鄰苯二甲酸酐衍生物11與取代的萘基化合物12反應(yīng)。所形成的化合物13在分子內(nèi)弗里德爾-克拉夫茨(Friedel-Crafts)?；羞M(jìn)一步反應(yīng)以給出醌化合物14。這還原為苯并蒽化合物15。硼酸官能團(tuán)接著在反應(yīng)性基團(tuán)Hal的位置處引入，給出式16的化合物?；鶊F(tuán)Ar接著經(jīng)由Suzuki反應(yīng)引入，給出根據(jù)本發(fā)明的化合物17，所述化合物17在苯并蒽的8～11位之一處含有基團(tuán)R。

本申請(qǐng)因此涉及制備式(I)或(II)的化合物的方法，其包括以如下順序的步驟1)～3)：

1)通過在苯并蒽衍生物和芳族或雜芳族環(huán)系之間的偶聯(lián)反應(yīng)制備被一個(gè)或多個(gè)芳族或雜芳族環(huán)系取代的苯并蒽化合物；

2)使苯并蒽鹵化，優(yōu)選溴化；

3)在鹵代、優(yōu)選溴代位置處引入取代基。

在該方法中，在步驟2)中的鹵代、優(yōu)選溴代優(yōu)選在苯并蒽的7位處發(fā)生。此外優(yōu)選通過在步驟1)中的偶聯(lián)反應(yīng)引入的芳族或雜芳族環(huán)系在苯并蒽上的選自1～6位的位置處存在。

本申請(qǐng)此外涉及制備式(I)或(II)的化合物的方法，其包括按所指示順序的以下步驟：

I)由萘基衍生物和鄰苯二甲酸酐制備取代的苯并蒽衍生物；

II)使取代的苯并蒽衍生物與芳族或雜芳族環(huán)系進(jìn)行偶聯(lián)反應(yīng)。

步驟I)優(yōu)選涵蓋?；磻?yīng)、分子內(nèi)弗里德爾-克拉夫茨酰化和醌衍生物的還原。所述苯并蒽衍生物的取代基優(yōu)選在苯并蒽的選自8～11位的位置處存在。在步驟II)中的偶聯(lián)反應(yīng)優(yōu)選在苯并蒽的選自1～6位的位置處、特別優(yōu)選地在選自4位和5位的位置處進(jìn)行。

上述根據(jù)本發(fā)明的化合物，尤其是被例如溴、碘、氯、硼酸或硼酸酯的反應(yīng)性離去基團(tuán)取代的化合物，可用作制造相應(yīng)低聚物、樹枝狀大分子或聚合物的單體。合適的反應(yīng)性離去基團(tuán)例如為溴、碘、氯、硼酸、硼酸酯、胺、具有末端C-C雙鍵或C-C三鍵的烯基或炔基基團(tuán)、氧雜環(huán)丙烷、氧雜環(huán)丁烷、經(jīng)歷例如1,3-偶極環(huán)加成的環(huán)加成的基團(tuán)如二烯或疊氮化物、羧酸衍生物、醇和硅烷。

本發(fā)明因此還涉及含有一種或多種式(I)或(II)的化合物的低聚物、聚合物或樹枝狀大分子，其中一個(gè)或多個(gè)鍵合到聚合物、低聚物或樹枝狀大分子的鍵可位于式(I)或(II)中的被R¹、R²或R³取代的任何期望的位置處。根據(jù)式(I)或(II)的化合物的連接，所述化合物為低聚物或聚合物的側(cè)鏈的成分或主鏈的成分。本發(fā)明的意義上的低聚物是指由至少三個(gè)單體單元構(gòu)成的化合物。本發(fā)明的意義上的聚合物是指由至少10個(gè)單體單元構(gòu)成的化合物。根據(jù)本發(fā)明的聚合物、低聚物或樹枝狀大分子可為共軛、部分共軛或非共軛的。根據(jù)本發(fā)明的低聚物或聚合物可為直鏈、支鏈或樹枝狀的。在以直鏈方式連接的結(jié)構(gòu)中，式(I)或(II)的單元可以彼此直接連接或它們可以經(jīng)由二價(jià)基團(tuán)，例如經(jīng)由取代或未取代的亞烷基基團(tuán)、經(jīng)由雜原子或經(jīng)由二價(jià)芳族或雜芳基基團(tuán)彼此連接。在支鏈和樹枝狀結(jié)構(gòu)中，例如式(I)或(II)的三個(gè)或更多個(gè)單元可經(jīng)由三價(jià)或多價(jià)基團(tuán)，例如經(jīng)由三價(jià)或多價(jià)芳族或雜芳族基團(tuán)連接，以形成支鏈或樹枝狀低聚物或聚合物。

與上文對(duì)于式(I)或(II)的化合物描述的相同的優(yōu)選方式適用于在低聚物、樹枝狀大分子和聚合物中的式(I)或(II)的重復(fù)單元。

為了制備低聚物或聚合物，使根據(jù)本發(fā)明的單體均聚或與另外的單體共聚。合適且優(yōu)選的共聚單體選自芴(例如，根據(jù)EP 842208或WO 00/22026)、螺二芴(例如，根據(jù)EP 707020、EP 894107或WO 06/061181)、對(duì)亞苯基(例如，根據(jù)WO 1992/18552)、咔唑(例如，根據(jù)WO 04/070772或WO 2004/113468)、噻吩(例如，根據(jù)EP 1028136)、二氫菲(例如，根據(jù)WO 2005/014689或WO 2007/006383)、順-和反-茚并芴(例如，根據(jù)WO 2004/041901或WO 2004/113412)、酮(例如，根據(jù)WO 2005/040302)、菲(例如，根據(jù)WO 2005/104264或WO 2007/017066)或多種這些單元。所述聚合物、低聚物和樹枝狀大分子通常還含有另外的單元，例如發(fā)光(熒光或磷光)單元，例如乙烯基三芳基胺(例如，根據(jù)WO 2007/068325)或磷光金屬絡(luò)合物(例如，根據(jù)WO 2006/003000)和/或電荷傳輸單元，尤其是基于三芳胺的那些。

根據(jù)本發(fā)明的聚合物和低聚物通常通過使一種或多種類型的單體聚合來制備，其中的至少一種單體產(chǎn)生在聚合物中的式(I)或(II)的重復(fù)單元。本領(lǐng)域的技術(shù)人員已知合適的聚合反應(yīng)且其描述在文獻(xiàn)中。產(chǎn)生C-C或C-N鏈接的特別合適且優(yōu)選的聚合反應(yīng)為下列：

(A)SUZUKI聚合；

(B)YAMAMOTO聚合；

(C)STILLE聚合；和

(D)HARTWIG-BUCHWALD聚合。

可以通過這些方法進(jìn)行聚合的方式和聚合物然后可以從反應(yīng)介質(zhì)中分離并純化的方式為本領(lǐng)域的技術(shù)人員已知且詳細(xì)描述在文獻(xiàn)中，例如描述在WO 2003/048225、WO 2004/037887和WO 2004/037887中。

為了例如通過旋涂或通過印刷方法自液相加工根據(jù)本發(fā)明的化合物，根據(jù)本發(fā)明的化合物的制劑是必要的。這些制劑可例如為溶液、分散液或乳液。可優(yōu)選使用用于此目的的兩種或多種溶劑的混合物。合適且優(yōu)選的溶劑例如為甲苯，苯甲醚，鄰、間或?qū)Χ妆?，苯甲酸甲酯，均三甲苯，萘滿，鄰二甲氧基苯，THF，甲基-THF，THP，氯苯，二烷，苯氧基甲苯，尤其是3-苯氧基甲苯，(-)-小茴香酮，1,2,3,5-四甲苯，1,2,4,5-四甲苯，1-甲基萘，2-甲基苯并噻唑，2-苯氧乙醇，2-吡咯烷酮，3-甲基苯甲醚，4-甲基苯甲醚，3,4-二甲基苯甲醚，3,5-二甲基苯甲醚，乙酰苯，α-萜品醇，苯并噻唑，苯甲酸丁酯，異丙苯，環(huán)己醇，環(huán)己酮，苯基環(huán)己烷，十氫化萘，十二烷基苯，苯甲酸乙酯，茚滿，苯甲酸甲酯，NMP，對(duì)異丙基甲苯，苯乙醚，1,4-二異丙苯，二芐醚，二乙二醇丁基甲基醚，三乙二醇丁基甲基醚，二乙二醇二丁醚，三乙二醇二甲醚，二乙二醇單丁醚，三丙二醇二甲醚，四乙二醇二甲醚，2-異丙基萘，戊基苯，己基苯，庚基苯，辛基苯，1,1-雙(3,4-二甲基苯基)乙烷，或這些溶劑的混合物。

因此本發(fā)明還涉及制劑，尤其是溶液、分散液或乳液，所述制劑包含至少一種式(I)或(II)的化合物或至少一種含有所述式(I)或(II)的至少一種單元的聚合物、低聚物或樹枝狀大分子和至少一種溶劑，優(yōu)選有機(jī)溶劑?？梢灾苽湓擃愋偷娜芤旱姆绞綖楸绢I(lǐng)域的技術(shù)人員所知且例如描述在WO 2002/072714、WO 2003/019694和其中的參考文獻(xiàn)中。

根據(jù)本發(fā)明的化合物適用于電子器件，尤其是有機(jī)電致發(fā)光器件(OLED)。根據(jù)取代，所述化合物可在不同的功能和層中采用。

根據(jù)本發(fā)明的化合物可在有機(jī)電致發(fā)光器件中以任何功能采用，例如作為基質(zhì)材料，作為發(fā)光材料，作為空穴傳輸材料或作為電子傳輸材料。優(yōu)選作為在發(fā)光層、優(yōu)選熒光發(fā)光層中的基質(zhì)材料使用，和作為發(fā)光材料，優(yōu)選作為在有機(jī)電致發(fā)光器件的發(fā)光層中的熒光發(fā)光材料使用。

本發(fā)明因此還涉及所述式(I)或(II)的化合物在電子器件中的用途。所述電子器件在此優(yōu)選選自有機(jī)集成電路(OIC)、有機(jī)場(chǎng)效應(yīng)晶體管(OFET)、有機(jī)薄膜晶體管(OTFT)、有機(jī)發(fā)光晶體管(OLET)、有機(jī)太陽能電池(OSC)、有機(jī)光學(xué)檢測(cè)器、有機(jī)光感受器、有機(jī)場(chǎng)猝熄器件(OFQD)、有機(jī)發(fā)光電化學(xué)電池(OLEC)、有機(jī)激光二極管(O-laser)且特別優(yōu)選有機(jī)電致發(fā)光器件(OLED)。

本發(fā)明此外涉及包含至少一種式(I)或(II)的化合物的電子器件。電子器件在此優(yōu)選選自如上指示的器件。特別優(yōu)選包括陽極、陰極和至少一個(gè)發(fā)光層的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于至少一個(gè)有機(jī)層包含至少一種式(I)或(II)的有機(jī)化合物。非常特別優(yōu)選包含陽極、陰極和至少一個(gè)發(fā)光層的有機(jī)電致發(fā)光器件，所述發(fā)光層包含至少一種式(I)或(II)的有機(jī)化合物。

除陰極、陽極和發(fā)光層以外，所述有機(jī)電致發(fā)光器件還可包含另外的層。這些層例如在每種情況下選自一個(gè)或多個(gè)空穴注入層、空穴傳輸層、空穴阻擋層、電子傳輸層、電子注入層、電子阻擋層、激子阻擋層、中間層、電荷產(chǎn)生層(IDMC 2003,臺(tái)灣；Session 21OLED(5),T.Matsumoto,T.Nakada,J.Endo,K.Mori,N.Kawamura,A.Yokoi,J.Kido,具有電荷產(chǎn)生層的多光子有機(jī)EL器件(Multiphoton Organic EL Device Having Charge Generation Layer))和/或有機(jī)或無機(jī)p/n結(jié)。

所述有機(jī)電致發(fā)光器件的層的順序優(yōu)選如下：

陽極-空穴注入層-空穴傳輸層-發(fā)光層-電子傳輸層-電子注入層-陰極。在此不必存在所有的所述層，且此外，可存在另外的層，例如在陽極側(cè)與發(fā)光層相鄰的電子阻擋層或在陰極側(cè)與發(fā)光層相鄰的空穴阻擋層。

根據(jù)本發(fā)明的有機(jī)電致發(fā)光器件可包括多個(gè)發(fā)光層。這些發(fā)光層在這種情況下特別優(yōu)選在380nm-750nm之間總共具有多個(gè)發(fā)光最大值，總體上產(chǎn)生白色發(fā)光，即在發(fā)光層中使用能夠發(fā)熒光或發(fā)磷光且發(fā)射藍(lán)色或黃色或橙色或紅色光的多種發(fā)光化合物。特別優(yōu)選三層體系，即具有三個(gè)發(fā)光層的體系，其中這些層中的至少一個(gè)優(yōu)選包含至少一種式(I)或(II)的化合物且其中這三層顯示藍(lán)色、綠色和橙色或紅色發(fā)光(對(duì)于基本結(jié)構(gòu)，參見，例如WO 2005/011013)。應(yīng)注意到，為了產(chǎn)生白光，在寬波長范圍內(nèi)發(fā)光的單獨(dú)使用的發(fā)光體化合物也是適合的，其代替發(fā)射彩色光的多種發(fā)光體化合物。根據(jù)本發(fā)明的化合物也可可選和/或另外地存在于該類型的有機(jī)電致發(fā)光器件中的空穴傳輸層或另外的層中。

根據(jù)本發(fā)明的化合物特別適合用作發(fā)光體化合物、優(yōu)選藍(lán)色發(fā)光發(fā)光體化合物的基質(zhì)化合物，或者用作發(fā)光體化合物，優(yōu)選藍(lán)色發(fā)光發(fā)光體化合物。

優(yōu)選用作熒光發(fā)光體化合物的基質(zhì)化合物。

然而，根據(jù)本發(fā)明的化合物還可用作顯示熱活化延遲熒光(TADF)的發(fā)光體化合物的基質(zhì)化合物。在TADF中的發(fā)光機(jī)制的基本原理在H.Uoyama等,自然(Nature)2012,492,234中公開。

如果根據(jù)本發(fā)明的化合物用作基質(zhì)材料，則其可與本領(lǐng)域技術(shù)人員已知的任何期望發(fā)光化合物組合使用。其優(yōu)選與下文指示的優(yōu)選發(fā)光化合物、特別是下文指示的優(yōu)選熒光化合物組合使用。

在有機(jī)電致發(fā)光器件的發(fā)光層包含發(fā)光化合物和基質(zhì)化合物的混合物的情況下，以下適用：

在所述發(fā)光層的混合物中發(fā)光化合物的比例優(yōu)選為0.1～50.0％，特別優(yōu)選為0.5～20.0％，非常特別地優(yōu)選為1.0～10.0％。相應(yīng)地，一種或多種基質(zhì)材料的比例優(yōu)選為50.0～99.9％，特別優(yōu)選為80.0～99.5％，非常特別地優(yōu)選為90.0～99.0％。

在本申請(qǐng)的背景下，如果化合物從氣相應(yīng)用，則以％計(jì)的比例的指示是指體積％，而如果化合物從溶液應(yīng)用，則其是指重量％。

如果根據(jù)本發(fā)明的化合物用作發(fā)光層中的發(fā)光化合物，其優(yōu)選與一種或多種基質(zhì)材料組合使用。發(fā)光化合物和基質(zhì)材料的優(yōu)選比例在此如上指示。

根據(jù)本發(fā)明的化合物此外還可用作電子傳輸層、空穴阻擋層或電子注入層中的電子傳輸化合物。為此目的，根據(jù)本發(fā)明的化合物優(yōu)選含有一個(gè)或多個(gè)選自缺電子雜芳基基團(tuán)的取代基，例如三嗪、嘧啶或苯并咪唑。

用作根據(jù)本發(fā)明的有機(jī)電致發(fā)光器件中的相應(yīng)功能性材料的材料的通常優(yōu)選種類在下文中指示。

合適的磷光發(fā)光化合物尤其是在合適激發(fā)時(shí)發(fā)射優(yōu)選在可見區(qū)中的光的化合物且另外含有至少一種具有大于20、優(yōu)選大于38且小于84、特別優(yōu)選大于56且小于80的原子序數(shù)的原子。所用的磷光發(fā)光化合物優(yōu)選為含有銅、鉬、鎢、錸、釕、鋨、銠、銥、鈀、鉑、銀、金或銪的化合物，尤其是含有銥、鉑或銅的化合物。

為了本發(fā)明的目的，認(rèn)為所有發(fā)光的銥、鉑或銅復(fù)合物都是磷光化合物。

上述磷光發(fā)光化合物的實(shí)例由申請(qǐng)WO 2000/70655、WO 2001/41512、WO 2002/02714、WO 2002/15645、EP 1191613、EP 1191612、EP 1191614、WO 2005/033244、WO 2005/019373和US 2005/0258742揭示。通常，如根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)用于磷光OLED且如本領(lǐng)域的技術(shù)人員在有機(jī)電致發(fā)光器件的領(lǐng)域中所知的所有磷光絡(luò)合物適合在根據(jù)本發(fā)明的器件中使用。本領(lǐng)域的技術(shù)人員還將能夠在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的情況下在OLED中使用另外的磷光絡(luò)合物以及根據(jù)本發(fā)明的化合物。

除了根據(jù)本發(fā)明的化合物之外，優(yōu)選的熒光發(fā)光體選自芳基胺類。本發(fā)明的意義上的芳基胺是指含有直接鍵合到氮的三個(gè)取代或未取代的芳族或雜芳族環(huán)系的化合物。這些芳族或雜芳族環(huán)系中的至少一種優(yōu)選為稠環(huán)系，特別優(yōu)選具有至少14個(gè)芳族環(huán)原子的稠環(huán)系。其優(yōu)選實(shí)例為芳族蒽胺、芳族蒽二胺、芳族芘胺、芳族芘二胺、芳族胺或芳族二胺。芳族蒽胺是指其中一個(gè)二芳基氨基基團(tuán)優(yōu)選在9-位處直接鍵合到蒽基團(tuán)的化合物。芳族蒽二胺是指其中兩個(gè)二芳基氨基基團(tuán)優(yōu)選在9,10-位處直接鍵合到蒽基團(tuán)的化合物。芳族的芘胺、芘二胺、胺和二胺類似于此定義，其中二芳基氨基基團(tuán)優(yōu)選在1-位處或在1,6-位處鍵合到芘。另外優(yōu)選的發(fā)光體為茚并芴胺和茚并芴二胺，例如根據(jù)WO 2006/108497或WO 2006/122630的；苯并茚并芴胺或苯并茚并芴二胺，例如根據(jù)WO 2008/006449的；和二苯并茚并芴胺或二苯并茚并芴二胺，例如根據(jù)WO 2007/140847的；和含有稠芳基的茚并芴衍生物，其公開在WO 2010/012328中。同樣優(yōu)選在WO 2012/048780和WO 2013/185871中公開的芘芳胺。同樣優(yōu)選在WO 2014/037077中公開的苯并茚并芴胺、在WO 2014/106522中公開的苯并芴胺和在WO 2014/111269中公開的擴(kuò)展茚并芴。

優(yōu)選的熒光發(fā)光化合物描繪在下表中：

對(duì)于磷光發(fā)光化合物優(yōu)選的基質(zhì)材料為芳族胺，尤其是三芳基胺，例如根據(jù)US 2005/0069729的；咔唑衍生物(例如CBP、N,N-雙咔唑基聯(lián)苯)或根據(jù)WO 2005/039246、US 2005/0069729、JP 2004/288381、EP 1205527或WO 2008/086851的化合物；橋連咔唑衍生物，例如根據(jù)WO 2011/088877和WO 2011/128017的；茚并咔唑衍生物，例如根據(jù)WO 2010/136109和WO 2011/000455的；氮雜咔唑衍生物，例如根據(jù)EP 1617710、EP 1617711、EP 1731584、JP 2005/347160的；吲哚并咔唑衍生物，例如根據(jù)WO 2007/063754或WO 2008/056746的；酮，例如根據(jù)WO 2004/093207或WO 2010/006680的；氧化膦，亞砜和砜，例如根據(jù)WO 2005/003253的；低聚亞苯基，雙極基質(zhì)材料，例如根據(jù)WO 2007/137725的；硅烷，例如根據(jù)WO 2005/111172的；氮雜硼雜環(huán)戊二烯或硼酸酯，例如根據(jù)WO 2006/117052的；三嗪衍生物，例如根據(jù)WO 2010/015306、WO 2007/063754或WO 2008/056746的；鋅絡(luò)合物，例如根據(jù)EP 652273或WO 2009/062578的；鋁絡(luò)合物，例如BAlq；二氮雜硅雜環(huán)戊二烯和四氮雜硅雜環(huán)戊二烯衍生物，例如根據(jù)WO 2010/054729的；和二氮雜磷雜環(huán)戊二烯衍生物，例如根據(jù)WO2010/054730的。

除了所述式(I)或(II)的化合物之外，與熒光發(fā)光化合物組合使用的優(yōu)選基質(zhì)材料選自以下種類：低聚亞芳基(例如，根據(jù)EP 676461的2,2‘,7,7‘-四苯基螺二芴，或二萘基蒽)，尤其是含有稠合芳族基團(tuán)的低聚亞芳基；低聚亞芳基亞乙烯基(例如，DPVBi或螺-DPVBi，根據(jù)EP676461)；多足金屬絡(luò)合物(例如根據(jù)WO 2004/081017)；空穴傳導(dǎo)化合物(例如根據(jù)WO 2004/058911)；電子傳導(dǎo)化合物，尤其是酮、氧化膦、亞砜等(例如根據(jù)WO 2005/084081和WO 2005/084082)；阻轉(zhuǎn)異構(gòu)體(例如根據(jù)WO 2006/048268)；硼酸衍生物(例如根據(jù)WO 2006/117052)或苯并蒽(例如根據(jù)WO 2008/145239)。特別優(yōu)選的基質(zhì)材料選自以下種類：低聚亞芳基，其包括萘、蒽、苯并蒽和/或芘或這些化合物的阻轉(zhuǎn)異構(gòu)體；低聚亞芳基亞乙烯基，酮，氧化膦和亞砜。非常特別優(yōu)選的基質(zhì)材料選自低聚亞芳基類，其包括蒽、苯并蒽、苯并菲和/或芘或這些化合物的阻轉(zhuǎn)異構(gòu)體。本發(fā)明的意義上的低聚亞芳基旨在是指其中至少三個(gè)芳基或亞芳基基團(tuán)彼此鍵合的化合物。

如可在根據(jù)本發(fā)明的有機(jī)電致發(fā)光器件的空穴注入或空穴傳輸層或電子阻擋層中或電子傳輸層中使用的合適電荷傳輸材料例如為在Y.Shirota等，化學(xué)評(píng)論(Chem.Rev.)2007,107(4),953-1010中公開的化合物或如根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)在這些層中使用的其它材料。

除了所述式(I)或(II)的化合物之外，可在根據(jù)本發(fā)明的電致發(fā)光器件中的空穴傳輸、空穴注入或電子阻擋層中使用的優(yōu)選空穴傳輸材料的實(shí)例為茚并芴胺衍生物(例如根據(jù)WO 06/122630或WO 06/100896)、在EP 1661888中公開的胺衍生物、六氮雜苯并菲衍生物(例如根據(jù)WO 01/049806)、含有稠芳環(huán)的胺衍生物(例如根據(jù)US 5,061,569)、在WO 95/09147中公開的胺衍生物、單苯并茚并芴胺(例如根據(jù)WO 08/006449)、二苯并茚并芴胺(例如根據(jù)WO 07/140847)、螺二芴胺(例如根據(jù)WO 2012/034627或WO 2013/120577)、芴胺(例如根據(jù)WO 2014/015937、WO 2014/015938和WO 2014/015935)、螺二苯并吡喃胺(例如根據(jù)WO 2013/083216)和二氫吖啶衍生物(例如根據(jù)WO 2012/150001)。

所述有機(jī)電致發(fā)光器件的陰極優(yōu)選包含具有低逸出功的金屬、金屬合金或多層結(jié)構(gòu)，其包含多種金屬，如堿土金屬、堿金屬、主族金屬或鑭系元素(例如Ca、Ba、Mg、Al、In、Mg、Yb、Sm等)。合適的還有包含堿金屬或堿土金屬和銀的合金，例如包含鎂和銀的合金。在多層結(jié)構(gòu)的情況下，除了所述金屬以外，也可以使用具有相對(duì)較高的逸出功的其它金屬，諸如Ag或Al，在這種情形下，通常使用金屬的組合，諸如Ca/Ag、Mg/Ag或Ag/Ag。也可以優(yōu)選在金屬陰極與有機(jī)半導(dǎo)體之間引入具有高介電常數(shù)的材料的薄中間層。適合該目的的例如為堿金屬氟化物或堿土金屬氟化物，以及相應(yīng)的氧化物或碳酸鹽(例如LiF、Li₂O、BaF₂、MgO、NaF、CsF、Cs₂CO₃等)。此外，為此目的，可使用喹啉鋰(LiQ)。該層的層厚度優(yōu)選為0.5～5nm。

所述陽極優(yōu)選包含具有高逸出功的材料。所述陽極優(yōu)選具有相對(duì)于真空大于4.5eV的逸出功。適合該目的的一方面是具有高氧化還原電位的金屬，諸如Ag、Pt或Au。另一方面，也可以優(yōu)選金屬/金屬氧化物電極(例如，Al/Ni/NiO_x、Al/PtO_x)。對(duì)于一些應(yīng)用，所述電極中的至少一個(gè)必須透明或部分透明，以便于有機(jī)材料的輻射(有機(jī)太陽能電池)或光耦合輸出(OLED，O-laser)。優(yōu)選的陽極材料在此為導(dǎo)電的混合金屬氧化物。特別優(yōu)選氧化銦錫(ITO)或氧化銦鋅(IZO)。此外優(yōu)選導(dǎo)電的摻雜有機(jī)材料，尤其是導(dǎo)電的摻雜聚合物。

所述器件適當(dāng)?shù)?根據(jù)應(yīng)用)被結(jié)構(gòu)化，設(shè)置接觸且最后密封，因?yàn)楦鶕?jù)本發(fā)明的器件的壽命在水和/或空氣存在下急劇縮短。

在一個(gè)優(yōu)選的實(shí)施方式中，根據(jù)本發(fā)明的有機(jī)電致發(fā)光器件的特征在于借助于升華方法施加一個(gè)或多個(gè)層，其中在小于10^-5毫巴、優(yōu)選小于10^-6毫巴的初始?jí)毫ο略谡婵丈A單元中通過氣相沉積來施加所述材料。然而，在此初始?jí)毫€可以甚至更低，例如小于10^-7毫巴。

同樣優(yōu)選如下的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于借助于OVPD(有機(jī)氣相沉積)方法或借助于載氣升華來施加一個(gè)或多個(gè)層，其中在10^-5毫巴～1巴的壓力下施加所述材料。該方法的一個(gè)特別情況是OVJP(有機(jī)蒸氣噴印)方法，其中材料通過噴嘴直接施加且因此是結(jié)構(gòu)化的(例如M.S.Arnold等，應(yīng)用物理快報(bào)(Appl.Phys.Lett.)2008,92,053301)。

此外優(yōu)選如下的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于從溶液中，例如通過旋涂，或借助于任何期望的印刷方法，如絲網(wǎng)印刷、柔性版印刷、噴嘴印刷或平版印刷，但特別優(yōu)選LITI(光引發(fā)熱成像、熱轉(zhuǎn)印)或噴墨印刷，來產(chǎn)生一個(gè)或多個(gè)層。

對(duì)于根據(jù)本發(fā)明的有機(jī)電致發(fā)光器件的制造，此外優(yōu)選從溶液施加一個(gè)或多個(gè)層和通過升華方法施加一個(gè)或多個(gè)層。

由于所述式(I)或(II)的化合物的良好溶解度，優(yōu)選從溶液施加包含一種或多種式(I)或(II)的化合物的層。這優(yōu)選為有機(jī)電致發(fā)光器件的發(fā)光層。

根據(jù)本發(fā)明，包含根據(jù)本發(fā)明的一種或多種化合物的電子器件可用于顯示器中，作為在照明應(yīng)用中的光源和作為在醫(yī)學(xué)和/或美容應(yīng)用(例如，光療法)中的光源。

實(shí)施例

A)合成實(shí)施例

根據(jù)本發(fā)明的化合物根據(jù)以下合成方案制備：

為此，首先通過在苯并蒽-硼酸衍生物I-b和芳基溴化物I-a之間進(jìn)行Suzuki偶聯(lián)來制備苯并蒽-芳基化合物II(步驟1)。接著將化合物溴化以給出溴苯并蒽化合物III(步驟2)。在最終步驟3中，通過Suzuki偶聯(lián)在溴的位置處引入取代基，給出根據(jù)本發(fā)明的化合物IV。

步驟1：

根據(jù)以下文獻(xiàn)程序合成4-(10-苯基蒽-9-基)苯并[a]蒽II-i：WO 2008/145239，實(shí)施例8。

可類似地制備以下化合物：

步驟2：

7-溴-4-(10-苯基蒽-9-基)苯并[a]蒽III-i

將1l四氫呋喃加到4-(10-苯基蒽-9-基)苯并[a]蒽II-i(50g，104.0mmol)、N-溴代丁二酰亞胺(24.02g，135mmol)和過氧化苯甲酰(含有25％的水)(12.7ml，20.8mmol)中。將批料在回流條件下加熱過夜，冷卻到室溫并利用800ml氯仿和500ml的10％硫代硫酸鈉溶液擴(kuò)展。在相分離之后，將水相用氯仿提取數(shù)次。將合并的有機(jī)相用蒸餾水洗滌，經(jīng)硫酸鎂干燥且經(jīng)氧化鋁過濾。蒸發(fā)有機(jī)相。使用氯苯將殘留物沉淀并從庚烷中重結(jié)晶，給出作為淺黃色固體的化合物III-i：58.2g(理論值的87％)。

可選地，可將NBS/HBr或溴(催化)用作溴源。為了避免過度溴化，反應(yīng)在低溫(例如，-10℃)下進(jìn)行。

類似地制備以下化合物：

步驟3：

7-甲基-4-(10-苯基蒽-9-基)苯并[a]蒽IV-i

使5.47g(97％，88.6mmol)的甲基硼酸、25g(44.3mmol)的7-溴-4-(10-苯基蒽-9-基)苯并[a]蒽III-i和20.4g(88.6mmol)的K₃PO₄*H₂O懸浮在500ml甲苯中。將1.09g(2.66mmol)二環(huán)己基(2',6'-二甲氧基聯(lián)苯-2-基)膦(S-Phos)和0.3g(1.33mmol)乙酸鈀加到該懸浮液中，且將反應(yīng)混合物在回流條件下加熱16小時(shí)。在冷卻之后，將反應(yīng)混合物用水稀釋，分離出有機(jī)相，將其用100ml水洗滌三次且接著蒸干。在用甲苯經(jīng)硅膠過濾粗產(chǎn)物之后，將剩余的殘留物從甲苯/庚烷中重結(jié)晶。產(chǎn)量為17.3g(理論值的79％)。

類似地制備根據(jù)本發(fā)明的下列化合物IV：

B)器件實(shí)施例

B-1)來自氣相的器件實(shí)施例：OLED的制造

通過根據(jù)WO 04/058911的通用方法制造根據(jù)本發(fā)明的OLED和根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的OLED，根據(jù)此處所述的情況(層厚度的改變、材料)對(duì)該方法進(jìn)行了調(diào)整。

所用的基底為用結(jié)構(gòu)化ITO(氧化銦錫)以50nm的厚度涂布的玻璃基底。通過旋涂施加厚度為20nm的Clevios P VP AI 4083(購自Heraeus Clevios GmbH,Leverkusen)的層作為緩沖層。在真空室中通過熱氣相沉積施加所有剩余材料。

所用的結(jié)構(gòu)A如下：

- 基底，

- ITO(50nm)，

- 緩沖層(20nm)，

- 空穴注入層(HTL1 95％，HIL 5％)(20nm)，

- 空穴傳輸層(HTL1)(20nm)，

- 發(fā)光層(95％的主體，5％的摻雜劑)(20nm)，

- 電子傳輸層(50％的ETL+50％的EIL)(30nm)，

- 電子注入層(EIL)(3nm)，

- 陰極(Al)(100nm)。

所用的材料示于表1中。

發(fā)光層(EML)總是由至少一種基質(zhì)材料(主體＝H)和發(fā)光摻雜劑(摻雜劑＝D)組成，其以特定體積比例通過共蒸發(fā)與所述基質(zhì)材料混合。例如H-1:D1(95％:5％)的表述在此是指材料H-1在層中以95體積％的比例存在且D1在所述層中以5％的比例存在。

通過標(biāo)準(zhǔn)方法表征所述OLED。為此目的，記錄電致發(fā)光光譜，從電流/電壓/發(fā)光密度特性線(IUL特性線)計(jì)算電流效率(以cd/A測(cè)量)和作為呈現(xiàn)朗伯發(fā)光特性的發(fā)光密度的函數(shù)的外量子效率(EQE，以百分?jǐn)?shù)測(cè)量)，且最終測(cè)定組件的壽命。在1000cd/m²的發(fā)光密度下測(cè)量電致發(fā)光光譜且由此計(jì)算CIE 1931x和y顏色坐標(biāo)。術(shù)語EQE@1000cd/m²指示在1000cd/m²的工作發(fā)光密度下的外量子效率。壽命LT95@1000cd/m²為直至初始亮度從1000cd/m²下降5％所經(jīng)過的時(shí)間。對(duì)于各種OLED獲得的數(shù)據(jù)匯總在表2中。

根據(jù)本發(fā)明的化合物特別適用作為在藍(lán)色熒光OLED中的基質(zhì)材料(參見，實(shí)施例V1-V5和E6-E11)。兩種標(biāo)準(zhǔn)基質(zhì)材料VH-1和VH-2充當(dāng)比較，其各自包含以深藍(lán)色發(fā)射熒光的摻雜劑D1、D2和D3中的一種?；|(zhì)H-1和H-2被顯示為根據(jù)本發(fā)明的化合物。這些同樣與摻雜劑D1、D2和D3中的一種組合使用。

在與比較例V1-V5的比較檢查中，實(shí)施例E6-E11顯示根據(jù)本發(fā)明的化合物H-1和H-2實(shí)現(xiàn)改進(jìn)的外量子效率(EQE)和增加的壽命(LT95)，其中與比較材料VH-1和VH-2相比較，具有可比的深藍(lán)色發(fā)光。

B-2)從溶液加工的器件實(shí)施例：OLED的制造

基于溶液的OLED的制造在原則上描述在例如WO 2004/037887和WO 2010/097155的文獻(xiàn)中。在以下實(shí)施例中，組合兩種制造方法(從氣相施加和溶液加工)，因此從溶液進(jìn)行直至發(fā)光層且包括發(fā)光層的加工且通過真空氣相沉積施加隨后的層(空穴阻擋層/電子傳輸層)。為此目的針對(duì)上述情況調(diào)整上述通用方法(層厚度變化，材料)且組合如下。

所用的結(jié)構(gòu)B因此如下：

- 基底，

- ITO(50nm)，

- PEDOT(20nm)，

- 空穴傳輸層(HTL2)(20nm)，

- 發(fā)光層(92％的主體，8％的摻雜劑)(60nm)，

- 電子傳輸層(ETL 50％+EIL 50％)(20nm)，

- 陰極(Al)。

所用的基底為用結(jié)構(gòu)化ITO(氧化銦錫)以50nm的厚度涂布的玻璃板。為了更好地加工，用緩沖液(PEDOT)Clevios P VP AI 4083(Heraeus Clevios GmbH,Leverkusen)涂布這些。在空氣中從水進(jìn)行旋涂。接著通過在180℃下加熱10分鐘來干燥該層。用這種方法將空穴傳輸和發(fā)光層施加到涂布的玻璃板。空穴傳輸層為在表3中所示的結(jié)構(gòu)的聚合物，其根據(jù)WO 2010/097155合成。將所述聚合物溶解于甲苯中，使得所述溶液通常具有約5g/l的固含量，照此，借助于旋涂將實(shí)現(xiàn)對(duì)于器件典型的20nm的層厚度。所述層在惰性氣體氣氛下，在本發(fā)明情況下為氬氣氛下，通過旋涂施加，并通過在180℃下加熱60分鐘進(jìn)行干燥。

所述發(fā)光層總是由至少一種基質(zhì)材料(主體材料)和發(fā)光摻雜劑(發(fā)光體)構(gòu)成。表述如H-1(92％):D1(8％)在此是指材料H-1在發(fā)光層中以92重量％的比例存在而摻雜劑D1在發(fā)光層中以8重量％的比例存在。發(fā)光層的混合物溶解于甲苯中。這種溶液的典型固含量為約18g/l，照此，通過旋涂實(shí)現(xiàn)對(duì)于器件典型的60nm的層厚度。所述層在惰性氣體氣氛下，在本發(fā)明情況下為氬氣氛下，通過旋涂施加，并通過在140℃下加熱10分鐘來干燥。所用的材料示于表3中。

在真空室中通過熱氣相沉積施加用于電子傳輸層和陰極的材料。電子傳輸層例如可由多于一種材料組成，其通過共蒸發(fā)以特定體積比例彼此混合。表述如ETM:EIL(50％:50％)在此是指材料ETM和EIL在層中各自以50體積％的比例存在。在本情況下使用的材料示于表1中。

表4的實(shí)施例顯示作為摻雜劑D4和D5的主體化合物的根據(jù)本發(fā)明的化合物H-1和H-2。作為比較，示出根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的化合物VH-1、VH-3和VH-4，其同樣與摻雜劑D4和D5組合。

在表4中的結(jié)果顯示，除了改進(jìn)的外量子效率之外，與VH-1以及VH-4兩者相比較，可以實(shí)現(xiàn)在深藍(lán)色發(fā)光下顯著改進(jìn)的壽命(LT80)。參照材料VH-3由于低溶解度而無法從溶液加工(實(shí)施例V8；X＝未測(cè)定)。

除了氣相沉積方法之外，所發(fā)現(xiàn)的結(jié)構(gòu)因此還適合溶液加工，且產(chǎn)生優(yōu)異的性能數(shù)據(jù)。