專利名稱：等離子顯示裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及等離子顯示裝置，特別是涉及釆用真空紫外區(qū)域的紫
外線激發(fā)發(fā)光的Eu賦活硅酸鹽熒光體的等離子顯示屏作為發(fā)光裝置所 構(gòu)成的等離子顯示裝置。
背景技術(shù)：
近年來，對TV或個人電腦的監(jiān)視器為代表的顯示裝置，要求不需大 的設(shè)置空間，薄型化的呼聲高漲。然而，作為與這種薄型化相對應(yīng)的可 能的顯示裝置，與射線管等相比，發(fā)光裝置可使用薄型的等離子顯示屏 (以下稱作PDP)，為使伴隨著驅(qū)動該PDP的驅(qū)動裝置能夠進行圖像顯示 而構(gòu)成的等離子顯示裝置，或使用熒光燈作發(fā)光裝置，并與液晶顯示屏 組合顯示圖像的液晶顯示裝置等己引人關(guān)注。
構(gòu)成等離子顯示裝置的PDP，當使用含稀有氣體的微小放電空間的 負輝光區(qū)域中發(fā)生的紫外線(稀有氣體為Xe(氙)，其主發(fā)光的中心波長 為14 6 nm或17 2 nm),作為激發(fā)源，該微小放電空間內(nèi)設(shè)置的熒光體層中 的熒光體發(fā)生激發(fā)，通過促進從該熒光體的發(fā)光，可以得到可見光區(qū)域 的發(fā)光。等離子顯示裝置，在PDP中通過控制其發(fā)光的量與顏色而用于 顯示。
最近，對等離子顯示裝置，特別要求滿足TV用顯示功能的高輝度 化、高發(fā)光效率化。另外，電影等動畫存儲信息，為使視聽者愉快地欣 賞而提高動畫特性、或為了期待美麗的圖像，要求確保NTSC(National Television System Committee)比達到100。/。以上的寬的色再現(xiàn)范圍。 另外，要求提高可靠性等，使可達到長時間的視聽使用等。
根據(jù)這些要求，為了促進等離子顯示裝置的高性能化，構(gòu)成等離子 顯示裝置的PDP必需高性能化。即，PDP必需具有與TV用顯示功能對應(yīng)的高輝度化、而且用于達到該高輝度化的高發(fā)光效率化、或與動畫特性 提高相對應(yīng)的響應(yīng)性能的提高、色再現(xiàn)范圍的擴大，可靠性的進一步提 高等要求必需與此相適應(yīng)。
為了提高PDP的性能與特性的改善，其設(shè)計及結(jié)構(gòu)的改善、以及構(gòu) 成PDP的構(gòu)件的性能提高起很大的作用。而且，關(guān)于色再現(xiàn)性能的提高 或可靠性的提高，在構(gòu)成構(gòu)件中，特別依賴于熒光體。因此，對焚光體來 說，強烈要求發(fā)光效率的提高、發(fā)光中響應(yīng)特性的提高及色再現(xiàn)性的確 保。因此，強烈要求提高耐劣化性能、進而要求提高可靠性。
現(xiàn)有的彩色PDP的熒光體，是對應(yīng)于紅(R)、藍(B)、綠(G)3色發(fā)光 的熒光體，即，可以使用發(fā)紅光熒光體、發(fā)藍光熒光體以及發(fā)綠光熒光 體。而且，作為發(fā)藍光熒光體， 一般可以使用Eu賦活鋁酸鹽熒光體 (BaMgAl10O17: Eu，以下稱BAM)。該BAM，發(fā)光效率等發(fā)光特性優(yōu)良，但由 于易老化而可靠性低、壽命短，故要求提高穩(wěn)定性與延長壽命。另外， 今后，隨著數(shù)字高清晰度電視的普及，作為高清晰度電視標準的HDTV標 準的色度范圍必須滿足。在該標準中，藍色的色度y值(0. 06)比NTSC的 色度y值(0. 08)小，對藍色熒光體，作為要求是y值要更小，即要求更深 的藍色。如實現(xiàn)更深的藍色，則等離子顯示裝置的色再現(xiàn)范圍可以擴大， 可以實現(xiàn)更多種顏色。
另外，現(xiàn)在，在研究熒光體材料高性能化的同時，在PDP技術(shù)領(lǐng)域， 為達到PDP的高發(fā)光效率而進行屏結(jié)構(gòu)的改善研究。
作為其具體的的方法之一，盛行研究使放電氣體中的氙含量組成 比增加，積極利用放電發(fā)生的Xe2分子線(波長172nm)的技術(shù)。這種技術(shù) 的方向性，在PDP中稱作所謂"高氙濃度化"技術(shù)動向。該"高氙濃度 化"技術(shù)，通常對放電氣體中的Xe組成比增大到大于4。/。左右的Xe組成 比區(qū)域中，達到PDP的高效率化進行了研究。
在這種狀況下，與原來的發(fā)藍光熒光體BAM相比，作為高可靠性、長
壽命的發(fā)藍光熒光體，有人提出硅酸鹽類熒光體。具體的是使用 CahMgSh06:EUx(以下稱CMS)(參照專利文獻l)，或Sr3-xMgSi20s: Eux (以 下稱SMS)(參照專利文獻2)，而以SMS作基礎(chǔ)，其母體骨架成分的一部分被Ba置換的(BaxSr卜x) 3-yMgSi2Os: Euy (以下稱BSMS)(參照專利文獻3)。
上述CMS ，當以處于14 6 nm的波長區(qū)域的紫外線作為激發(fā)源時，得到 較高的輝度，色純度也良好。但是，作為激發(fā)特性，在波長160mn 210nm 中，己知幾乎不存在激發(fā)帶。因此，釆用PDP，通過重要的172nm附近的真 空紫外線(Xe2分子線)的激發(fā)引起的發(fā)光強度顯著降低。即，CMS，對PDP 高效率化的技術(shù)傾向，由于對具有增大172nm波長的Xe2分子線的發(fā)光 效率降低，故得不到充分的輝度提高的效果、效率提高的效果。因 此，CMS,現(xiàn)狀是除輝度不足外，即使今后的PDP的高效率化技術(shù)傾向進 入視野時，對實用化仍需進一步改善，特別是在172nm波長激發(fā)帶的發(fā) 光效率改善是必要的。上述專利文獻2及3中公開的硅酸鹽熒光體SMS 及BSMS，在波長146nm的光激發(fā)條件下顯示高輝度特性，此外，即使在波 長172nm的光激發(fā)條件下，與CMS比較，仍顯示良好的發(fā)光效率，故是今 后有希望的新型熒光體。
另 一方面，在PDP制造時，具有含有熒光體及有機物作為主成分的 熒光體糊膏，在基板上涂布后，例如，在300。C ~ 600。C的溫度范圍進行 熱處理，得到熒光體層的工序。但是，在SMS類熒光體中，由于該熒光體 糊膏受熱處理的影響，熒光體層的輝度及色度不充分。在專利文獻2中， 對SMS，除在熒光體合成后于氧化氛圍氣中進行熱處理外，通過有意圖 地使Eu3+的存在比增加，使熒光體結(jié)晶中存在的氧缺陷減少，試圖改善 上述工序老化及驅(qū)動老化。
專利文獻1特開2002-332481號公報
專利文獻2特開2003-336048號公報
專利文獻3特開2006-12770號公報

發(fā)明內(nèi)容
但是，作為采用專利文獻2中的方法，進行氧化處理使Ei^的存在比 增加時的副作用，認為有下列一些。用Ei^作為發(fā)光中心的許多熒光體， 已知如^03: ￡113+或(Y， Gd) B03: Eu"那樣發(fā)出紅光。因此，Eu'+增加，SMS發(fā) 出的藍光中混入來自Ei^+發(fā)出的紅光，使色純度惡化。這對于滿足HDTV標準的構(gòu)成高質(zhì)量的等離子顯示裝置的焚光體，不是理想的。另外，因 熒光體合成工藝增加，故不是理想的。因此，必需進行不使色純度惡化， 不改變原來的熒光體合成工序來進行工序惡化的改善。另外，專利文獻
3中對BSMS，從改善工序惡化的觀點考慮，未進行特別的研究，故認為仍 有研究的余地。
因此，本發(fā)明的目的是提供等離子顯示裝置，其是在172nra激發(fā)中 顯示高的發(fā)光效率，并且，針對熒光體合成后的水洗工序或熒光體糊骨 的熱處理，采用輝度的降低及色度的惡化少的熒光體，放電氣體中的Xe 濃度達到高濃度的等離子顯示裝置。
本發(fā)明人等為了解決上述課題，對BSMS或SMS等的SMS類熒光體的 惡化改善，反復(fù)進行悉心研究的結(jié)果發(fā)現(xiàn)，在SMS類熒光體中加入形成3 價離子的元素作為構(gòu)成元素，可以抑制熒光體合成中作為后處理的水 洗處理、及PDP制造工序中的熒光體糊骨的熱處理工序的輝度降低，完 成本發(fā)明。
即，本發(fā)明提供如下所述的等離子顯示裝置。 該等離子顯示裝置，其特征在于，其構(gòu)成包括 具有間隔并且對置的一對基板；
在上述一對基板間設(shè)置的、在該一對基板間形成空間的隔壁； 在上述一對基板的對置面的至少一個面上配置的電極對；以及、 通過上述隔壁形成的空間內(nèi)封入的、向?qū)ι鲜鲭姌O對施加電壓，
通過放電發(fā)生紫外線的放電氣體；以及、
在上述空間內(nèi)的上述一對基板的對置面與上述隔壁的壁面上的至
少一個面上形成的、含有通過上述紫外線激發(fā)而發(fā)光的熒光體的熒光
體層；
該熒光體是在用下述通式(1)表示的Eu賦活硅酸鹽類熒光體中，含 有一種以上選自A1、 Ga、 Y以及Gd中的一種以上的元素作為添加元素 Ml3-yM2Si208:Euy (1)
(式中，Ml為選自Ba、 Ca、以及Sr中的l種以上的元素，MZ為逸自Mg 以及Zn中的l種以上的元素，y為O. OOl^y^O. 2)。特別是，等離子顯示裝置，其特征在于，上述熒光體，優(yōu)選采用以通
式(3)表示的Eu賦活硅酸鹽熒光體中含有Al作為添加元素所構(gòu)成的熒 光體。
(BaxSr丄yMgSi208: Euy (3)
(式中，x及y分別為(KxSO. 3、 0. OOl^y^O. 2)。
上述等離子顯示裝置使用的熒光體中，使用A1作為添加元素時，A1 的添加量范圍，相對熒光體l摩爾，大于0摩爾~小于0. 2摩爾。優(yōu)選相對 熒光體1摩爾，大于0摩爾~ 0. ll摩爾以下。
另外，上述放電氣體，以含Xe達到組成比6%以上、更優(yōu)選10%以上、 尤其優(yōu)選12°/ 以上的量為特征。
采用本發(fā)明中包含的熒光體時，可以抑制水洗處理或熒光體糊骨 在熱處理工序等中的工藝老化。因此，可以實現(xiàn)反映熒光體具有的本來 的發(fā)光特性的高輝度、具有高色再現(xiàn)性的等離子顯示裝置。另外，上迷 熒光體在172nm激發(fā)和條件下，由于顯示更良好的發(fā)光特性，故通過提 高放電氣體中的Xe組成比，加大Xe2分子線的比率，與上述熒光體組合， 可以實現(xiàn)更高效率的等離子顯示裝置。


圖l是在構(gòu)成本發(fā)明的BSMS及BSMS中添加了 Al， Ga， Y， Gd的熒光體， 在172nm激發(fā)時的發(fā)光特性匯總表。
圖2是構(gòu)成本發(fā)明的BSMS及采用不同的起始原料，添加了 A1的BSMS 的172nm激發(fā)時的水洗工序前后的輝度保持率(%) 、Br/y保持率00及水 洗工序后的發(fā)光特性匯總表。
圖3是構(gòu)成本發(fā)明的添加了 A1的BSMS的水洗前后的輝度保持率(％) 與水洗工序后的色度y與各熒光體的Al添加量(BSMS為0)的關(guān)系曲線 圖。
圖4是構(gòu)成本發(fā)明的添加了 Al的BSMS的熒光體糊膏熱處理前后的 輝度保持率(％)、及熱處理后的BSMS作為100時的輝度與各熒光體的A1 添加量的關(guān)系曲線圖。圖5是表示AC型等離子顯示屏的放電氣體中的Xe組成比與強度比 率的關(guān)系圖。
圖6是表示本發(fā)明一實施方案的等離子顯示屏結(jié)構(gòu)的分解立體圖。 圖7是表示本發(fā)明一實施方案的等離子顯示屏結(jié)構(gòu)的重要部分的 分解斷面圖。
圖8是表示本發(fā)明一實施方案的等離子顯示屏結(jié)構(gòu)重要部分的分 解斷面圖。
圖9是表示本發(fā)明一實施方案的等離子顯示屏重要部分的分解斷 面圖。
圖l 0是采用構(gòu)成本發(fā)明的添加了 Al的BSMS及比較例的BSMS的等離 子顯示屏的發(fā)光特性匯總表。符號說明
1前面玻璃基板 2電極
3匯流線(bus line )
4電介體層
5保護膜
6背面玻璃基板
7隔壁
8電介體層
9電極
10熒光體層
100等離子顯示屏。
具體實施例方式
以下，按照附圖，詳細地說明本發(fā)明的實施方案。還有，在用于說明 實施方案的全部附圖中，同一構(gòu)件原則上釆用同一符號，其重復(fù)說明省 略。
關(guān)于PDP中放電氣體的組成與因放電發(fā)生的各紫外線強度的關(guān)系，含有Xe成分的組成比愈大，因放電發(fā)生的真空紫外線總強度愈增加，以 及，發(fā)生的真空紫外線中構(gòu)成成分的比率變化愈大。具體的是，通過放 電氣體中的Xe組成比的變化，發(fā)生的真空紫外線中含有的波長146nm的 紫外線成分與172認的紫外線(Xe2分子線)成分的強度比(Im/U發(fā)生 變化，即，己知隨著Xe組成比的增大，強度比(Im/U加大。
在本發(fā)明中，在波長172nm的光激發(fā)條件下，可以達到顯著的高輝 度、高效率，并且可以實現(xiàn)熒光體糊膏在熱處理中輝度降低少的新型硅 酸鹽熒光體。結(jié)果是，作為使用該新型硅酸鹽熒光體的高輝度、高效率 的新型發(fā)光裝置，可以實現(xiàn)PDP。因此，如果使用該PDP，可以實現(xiàn)能高輝 度顯示的，高效率、高色再現(xiàn)性的新型等離子顯示裝置。
構(gòu)成新型的本發(fā)明的Eu賦活熒光體，是以下述通式(l)表示的化合 物中含有選自Ai、 Ga、 Y、以及Gd中的l種以上元素作為構(gòu)成元素的熒 光體。
Ml3—yM2Si208:Euy (1)
(式中，Ml為選自Ba、 Ca、以及Sr中的l種以上的元素，M2為選自Mg 以及Zn中的l種以上的元素，y為O. 001 ^y^0. 2)。
另外，關(guān)于添加的選自Al、 Ga、 Y、以及Gd中的l種以上元素在熒光 體晶格內(nèi)的形態(tài)，考慮的幾種形態(tài)如下所示。
第l種情況可以推測SMS或BSMS熒光體，在其熒光體骨架中，多數(shù) 保持Si(^四面體結(jié)構(gòu)而構(gòu)成，但構(gòu)成這些熒光體的Si(^四面體結(jié)構(gòu)彼此 間隙中的八面體間隙中，存在選自Al、 Ga、 Y、以及Gd中的l種以上元素。 此時，添加的元素，具有把Si04四面體結(jié)構(gòu)彼此加以"上漿"的作用， 因此，可以抑制水洗，或熒光體糊骨的母體結(jié)晶的變質(zhì)。此時，釆用對間 隙具有過大的離子半徑的元素，母體骨架發(fā)生彎曲或缺陷，有可能無法 期待上述效果，采用較小離子半徑的元素時，可以期待上述效果。
另外，對上述八面體間隙數(shù)有限制，當過量添加時，添加元素剩余， 有可能雜質(zhì)元素或缺陷給母體結(jié)晶結(jié)構(gòu)造成不良影響，故必需添加適 當?shù)牧?。?種情況與構(gòu)成母體骨架的元素發(fā)生置換。例如，與M2發(fā)生置換 時，當元素M4相對M2的量僅a發(fā)生置換時，考慮以通式(5)表示化合物 MlhM2卜aM4aSi208:Euy (5)
(式中，Ml為選自Ba、 Ca、以及Sr中的l種以上的元素，M2為選自Mg 以及Zn中的l種以上的元素，M4為選自Al、 Ga、 Y以及Gd中的l種以上的 元素，0. OOl^y^O, 2、 a>0)。另外，當與Si置換時，元素M相對Si僅b置 換時，考慮以通式(6)表示化合物 Ml3-yM2M4bSi2—b08: Euy (6)
(式中，Ml為選自Ba、 Ca、以及Sr中的l種以上的元素，M2為選自 Mg以及Zn中的l種以上的元素，M4為選自Al、 Ga、 Y與Gd的l種以上的元 素，0. 001^y^0. 2、 b>0)。
當Mg與Si兩者被置換時，元素M相對M2僅a、相對Si僅b置換時，考慮 以通式(7)表示化合物
Ml3—yM2nM4a+bSi2—b08: Euy (7)
(式中，Ml為選自Ba、 Ca、以及Sr中的l種以上的元素，M2為選自Mg 以及Zn中的l種以上的元素，M4為選自Al、 Ga、 Y以及Gd中的l種以上的 元素，0. 001^y^0.2、 a^0且b》0)。還有，當式(7)的b為0時變成式(5)， 當a為0時變成式(6)，故元素置換時的化合物為用通式(7)表示的化合 物。
此時添加的元素，由于與構(gòu)成母體骨架的元素發(fā)生置換，故各構(gòu)成 原子間的距離發(fā)生變化，結(jié)晶變形，其結(jié)果可以期待，因Eu周邊的結(jié)晶 場所發(fā)生變化而引起色度的調(diào)整。另外，與價數(shù)不同的元素的置換，由 于其電荷被中和，引起結(jié)構(gòu)的變化，結(jié)果是氧缺陷減少，伴隨于此，可以 抑制水洗工序，或熒光體糊膏熱處理時的母體結(jié)晶的變質(zhì)。另外，當過 量置換時，無法保持母體結(jié)晶結(jié)構(gòu)或者發(fā)生變化，故與第l種情況同樣， 添加量必需調(diào)至適當?shù)牧俊?br> 第3種情況上述第l及第2兩者共存的情況。
ii即使在上述任何一種情況下，通過往熒光體組成中添加適當量的3 價元素，可以期待母體結(jié)晶的強化，進而抑制水洗及熱工序中輝度的劣化。
另夕卜，通式(l)中，因顯示高輝度且良好的發(fā)光色，故M2優(yōu)選Mg。另 夕卜，M2為Zn與Mg的兩者混合時，通過改變化合物中含有的Zn/Mg比，可以 調(diào)整發(fā)光色。
本發(fā)明人發(fā)現(xiàn)，通式(l)中含有的組成中，作為更優(yōu)選的組成，即可 以實現(xiàn)高輝度且良好的發(fā)光色組成的在含有Ba、 Sr作為構(gòu)成元素的 (BaxSr丄yMgSi208: Eiiy中，通過向熒光體構(gòu)成元素添加3價元素，色純 度提高及耐老化性的進一步提高，即因工藝老化引起的輝度降低被抑 制。下面對考察該研究進4亍更詳細地說明。
本發(fā)明涉及的新型Eu賦活硅酸鹽熒光體中的Ba的組成比x，在熒光 體合成時有意識地添加Ba，以0〈x作為下限。另外，關(guān)于上限，當使Ba的 組成比x增加時，可以確認輝度降低及色度y值變小。另一方面，關(guān)于水 洗后的輝度保持率，可以確認隨著組成比x的增加而提高。因此，調(diào)查輝 度、色度及水洗工序前后的輝度保持率，決定上限。即，Ba組成比x的范 圍優(yōu)選0〈x^0. 3。
如上所述，添加的元素存在于上述熒光體的結(jié)構(gòu)間隙中或與構(gòu)成 元素置換，故添加的元素的離子半徑是重要的。因此，下面對添加元素 的種類進行研究。圖1示出向BSMS中添加A1、 Ga、 Y、 Gd的4種元素的熒 光體，作為172nm激發(fā)時的發(fā)光特性的輝度(Br)、色度(x， y)及輝度(Br) 之值用發(fā)光色度y值除所得到的Br/y值。從圖l可知，添加較小離子半徑 的Al時，輝度幾乎不變化，但色度y值變小，達到高色純度化。
由此可知Br/y或峰強度的提高。另外，采用Gd、 Y時，Br/y或峰強度 無變化，色純度變高。另一方面，達到最大的離子半徑的Gd中，y值變小， 輝度及Br/y的降低大。添加了上述4種元素的熒光體，相對于HDTV標準 中確定的藍色度y值(O. 06)，達到非常小的值，可以用作高色純度的藍 色熒光體。另外，考慮輝度及Br/y時，Al是最優(yōu)選的元素。另外，當優(yōu)先 考慮色純度時，也可選擇Ga、 Y。作為上述添加元素，當在熒光體中含有時，即，上述元素向熒光體 中的導(dǎo)入是在熒光體母體骨架形成中進行。因此，添加元素的起始原料 的熔點(分解點)對萸光體的特性有大的影響。
其次，在上述研究中以顯示良好結(jié)果的元素A1作為例子，進行分解 點不相同的元素A1為起始原料的研究。作為A1原料，對A1 (0H)3、 A1203、 A1N、 (CH3COO)3Al、 A1F3的5種進行研究。再者，通過作為課題之一的對 水洗工序使輝度劣化進行評價。圖2示出在172nm激發(fā)時，水洗工序后的 輝度(Br)及輝度(Br)之值用發(fā)光色度y值除所得到的Br/y值，以及輝 度、Br/y在水洗工序前后的保持率(W匯總于表。還有，水洗工序后的 輝度及Br/y，為以未添加的熒光體值作為100時的相對值。另外，輝度及 Br/y的保持率(。/。)，以([水洗工序后的輝度或Br/y值]/[水洗工序前的 輝度或Br/y值])X100算出。任何一種起始原料中，都可以抑制水洗工 序中輝度降低。因此，以該5種化合物作為起始原料，通過A1導(dǎo)入熒光體 組成中，可知對水洗工序中的劣化抑制是有效果的。其中，水洗工序后 的輝度及By/y值、水洗工序前后的輝度保持率最高、而色度y最小，呈 高色純度，故以A1F3作起始原料是更優(yōu)選的。
如上所述，預(yù)計元素的添加量中存在最佳值，故下面求出添加量的 最佳值。圖3為構(gòu)成本發(fā)明的添加了 A1的BSMS的水洗前后的輝度保持率 OO與水洗工序后的色度y值與各熒光體的Al添加量的曲線圖。還有，
輝度保持率00通過U水洗工序后的輝度]/[水洗工序前的輝 度]} X100算出。從圖3可知，伴隨著A1的添加量增加，輝度保持率單調(diào) 增加。即，如稍許添加A1，就可知可以抑制水洗工序中的輝度降低。因 此，A1添加量的加減比0大。另外，關(guān)于色度y值，伴隨著添加量的增加而 加大，添加量達到0. 2摩爾，則色度y達到0.060。 HDTV規(guī)定的藍色色度y 為O. 06，故作為A1添加量的上限低于0. 2摩爾是優(yōu)選的。因此，作為A1 添加量的范圍，優(yōu)選大于O摩爾至小于O. 2摩爾。
圖4為熒光體糊骨的熱處理前后的輝度保持率(%)、及熱處理后的 未添加的焚光體作為100時的各熒光體的相對輝度與各熒光體的A1添
加量的關(guān)系曲線。還有，熱處理前后的輝度保持率(%)作為U熱處理工
13序后的輝度]/[熱處理工序前的輝度]} X100算出。
首先，熒光體糊膏的熱處理前后的172nm激發(fā)中輝度保持率，與未 添加的熒光體為81相比，顯示添加O. 05摩爾時為86、添加O. l摩爾時 為89。即，輝度保持率對A1的添加量呈單調(diào)增加。另外，關(guān)于焚光體糊 膏的熱處理后的輝度，添加O. 05摩爾A1時為113、添加0. 1摩爾時為103， 任何一種情況下均顯示比未添加的熒光體高的值。
從圖4可以推測，即使添加的A1為少量，仍可以得到焚光體糊青的 熱處理工序時的輝度降低抑制效果。因此，A1添加量的下限定為比0大。 另外，關(guān)于上限，從圖4可知，采用0. l摩爾時，糊膏熱處理后的輝度仍比 未添加的焚光體高，當進行外推時，在O. ll摩爾附近，達到與未添加的 熒光體同程度。因此，考慮輝度時，上限在O. ll摩爾以下是優(yōu)選的。
從以上的研究可知，A1添加量的范圍優(yōu)選大于0摩爾~小于O. 2摩 爾，更優(yōu)選大于O摩爾~ 0. ll摩爾以下。
另外，本發(fā)明涉及的新型Eu賦活硅酸鹽熒光體中，關(guān)于賦活劑的Eu 的組成比y，以發(fā)光中心的效果充分發(fā)揮的量作為下限，可以回避因濃 度消光而使發(fā)光效率降低的量作為上限。即，關(guān)于Eu的組成比y,按照上 式(l)所示，表示Eu組成比的y優(yōu)選O. OOl舀y舀O. 2。
其次，對PDP中高Xe濃度化的效果與本發(fā)明的關(guān)系進行說明。如上 所述，已知在PDP中，隨著放電氣體中Xe組成比的增大，發(fā)生的所有真 空紫外線量增大，同時，發(fā)生的真空紫外線中含有的波長146nmcO紫外 線成分與172nm。紫外線(Xe2分子線)成分的強度比(Im/I"J變大。
圖5為表示AC型PDP的放電氣體中的Xe組成比(％)與強度比 (In2/I^)的關(guān)系曲線。還有，所謂Xe組成比，放電氣體中含有的Xe氣體 體積相對全部放電氣體體積之比，用百分率表示。研究的結(jié)果表明，在 AC型PDP中，Xe組成比在4。/。時，1172/1146(4%)=1. 2。 Xe組成比為l ~ 4%的通 常規(guī)格的PDP中，通過放電發(fā)生的真空紫外線中含有的波長l^nm的紫 外線成分與172nm的紫外線成分的強度比可知，172nm成分的強度相當 大，或同等，不如說存在172nm成分的強度小的傾向。
當然，研究的結(jié)果表明，采用Xe組成比6。/n時，通過放電發(fā)生的真空紫外線強度全體增大，同時IU2與I!"之比，I172/I"6(6%)-1. 9，大幅增大。
而且，當Xe組成比為10。/。時，因放電發(fā)生的真空紫外線強度更加增大，同 時1 172 / 1 146 (1 0%)=3. 1,大幅增大。另夕卜，當Xe組成比為12。/。時，通過放電 發(fā)生的真空紫外線強度更加增大，同時，1172/1146(12%)-3. 8，顯著加大。
因此，放電氣體中的Xe組成比優(yōu)選比通常規(guī)格的PDP大，例如，具有 6。/。的Xe組成比的高氙化相對應(yīng)規(guī)格的PDP中，對使用熒光體的172nm的 真空紫外線的特性影響加大。因此，對波長172nm的紫外線具有高的輝 度等，優(yōu)選使用顯示更好發(fā)光特性的熒光體。
另外，以上式(l)表示的構(gòu)成本發(fā)明的Eu賦活硅酸鹽焚光體，如圖4 所示，熒光體糊膏的熱處理工序中輝度降低的抑制效果與A1添加量依 賴性，與波長146nm的紫外線激發(fā)時相比，通過波長172nm激發(fā)更加顯 著，Al添加量的最佳范圍更加明確。因此，由波長172nm的紫外線的激發(fā) 成為主要的條件下，從輝度及效率等考慮，呈現(xiàn)更有意義的效果及顯著 的特征。
因此，上式(l)表示的構(gòu)成本發(fā)明的Eu賦活硅酸鹽熒光體，組成比 在達到6%以上、更優(yōu)選10°/。以上、尤其優(yōu)選12。/n以上的量，在使用含Xe 組成的放電氣體的PDP中使用時，PDP內(nèi)發(fā)生的Xe2分子線可更有效地利 用，顯示優(yōu)良的發(fā)光特性，故可能提供高性能的PDP，進而可能提供高性 能的PDP裝置。
基于以上研究，上式(l)表示的使用構(gòu)成本發(fā)明的Eu賦活硅酸鹽熒 光體的AC型PDP的一實施方案，由以下構(gòu)成。
圖5是表示PDP的要部的結(jié)構(gòu)之一例的要部的分解立體圖。本發(fā)明 的實施方案的PDPIOO，具有與所謂面放電對應(yīng)的結(jié)構(gòu)，其具有具有間 隔的對置的一對基板l、 6;在基板6的對置面上設(shè)置的在基板1、 6重合 時保持這些間隔，在基板l、 6之間形成空間的隔壁7;基板1、 6的各自對 置面上設(shè)置的電極2、 9;以及，封入基板1、 6之間形成的空間內(nèi)、通過 在電極2或電極2、 9上施加電壓產(chǎn)生的放電而產(chǎn)生紫外線的放電氣體 (末圖示)。而且，在一對基板l、 6的對置面中的一個(基板6側(cè))上及隔 壁7壁面上，形成以上式(l)表示的Eu賦活硅酸鹽熒光體的熒光體層lO。熒光體層10，通常由對應(yīng)于發(fā)出紅、藍、綠3色光的熒光體，即，由發(fā)紅 光熒光體、發(fā)藍光熒光體或發(fā)綠光熒光體構(gòu)成，通過放電從上述放電氣 體發(fā)生的波長146nm及17hm的真空紫外線，在熒光體層10中構(gòu)成藍色 的以上式(1)表示的Eu賦活硅酸鹽熒光體與構(gòu)成其他色(紅及綠)的熒 光體被激發(fā)，發(fā)出可見光而構(gòu)成。還有，圖6所示的符合3的路線，與電極 2成為一體，為了降低電極電阻而設(shè)置Ag或由Cu-Cr構(gòu)成總線，符號4、 8 的各層為電介體層，符號5的層為用于電極保護而設(shè)置的保護膜。下面， 對實施例加以_說明。
實施例l
為了制作本發(fā)明第一實施例的等離子顯示屏，首先，進行本發(fā)明的 主要構(gòu)成構(gòu)件即Eu賦活硅酸鹽熒光體的合成。第一合成的熒光體，系向 (Ba。. 25Sr。. 75) 2.93MgS i208: Eu。. 。7中添加0. 03摩爾A1 。
合成首先，稱量SrC03、 BaC03、 MgC03、 Si02、 E載、A1(0H)3的各 原料，使Sr:Ba:Mg:Si:Eu:Al的摩爾比達到2. 197 (3. 243g):
0. 733 (1. 446g): 1. 0 (0. 959g): 2. 0 (1. 202g): 0. 07 (0. 173g): 0. 03 (0. 0 23g)。然后，作為熔融助劑N仏C1，相對熒光體1摩爾，添加O. 30摩爾，把
各原料粉末在瑪瑙制乳缽中充分混合。
然后，把得到混合物填充至耐熱容器中，于大氣中60(TC進行燒結(jié)2
小時，然后，于還原氛圍氣下，在1200。C進行3小時燒結(jié)，得到上述組成
的硅酸鹽熒光體。
其次，向熒光體(Ba。.25Sr。.75)2."MgSi2O8:Eu。.。7中添加0. 03摩爾Ga，進
行合成。
合成除稱量SrC03、 BaC03、 MgC05、 Si02、 EuPO" GaF;的各原料， 使Sr: Ba: Mg: Si: Eu: Ga的摩爾比達到2. 197 (3. 243g): 0. 733 (1. 446g):
1. 0 (0. 959g): 2. 0 (1. 202g): 0. 07 (0. 173g): 0. 03 (0. 038g)以外，其余 操作同上。
其次，向熒光體(BaQ. 25Sr。.75) 2."MgSi2Os: Eu。. 。7中添加0. 03摩爾Y，進 行合成。合成除稱量SrC03、 BaC03、 MgC03、 Si02、 EuPO" ^03的各原料， 使Sr: Ba: Mg: Si: Eu: Y的摩爾比達到2. 197 (3. 243g): 0. 733 (1. 446g): 1. 0 (0. 959g): 2. 0 (1. 202g): 0. 07(0. 173g): 0. 03 (0. 034g)以外，其余 操作同上。
其次，向熒光體(Ba。. 25Sr。. 75) 2.93MgS hOs: Eu。. Q7中添加0. 03摩爾Gd，進 行合成。
合成除稱量SrC03、 BaC03、 MgC03、 Si02、 E載、GdF3的各原料， 使Sr:Ba:Mg:Si:Eu: Gd的摩爾比達到2. 197 (3. 243g): 0. 733 (1. 446g): 1. 0 (0. 959g): 2. 0 (1. 202g): 0. 07 (0. 173g): 0. 03 (0. 064g)以外，其余 操作同上。
其次，作為比較例，合成(Ba。.25Sr。.75) 2 93MgSi208: Eu。.。7。
合成除稱量SrC03、 BaC03、 MgC03 、 Si02、 EuP04的各原料，使 Sr:Ba:Mg:Si:Eu的摩爾比達到2. 197 (3. 243g): 0. 733 (1. 446g): 1. 0 (0. 959g): 2. 0 (1. 202g): 0. 07 (0. 173g)以外，其余操作同上。
其次，按照規(guī)定的方法，采用中心發(fā)光波長172nra的真空紫外線準 分子燈(excimer lamp )作光源，對合成的各熒光體，評價其發(fā)光特性。 作為評價指標，采用輝度(Br)、色度(x， y)及輝度(Br)用色度y除的Br/y 值。結(jié)果示于圖l。
從圖1可知，采用添加A1的熒光體，與未添加Al的熒光體相比，輝度 達到98,Br/y提高到107。另外，關(guān)于色度，y值變小，呈高色純度化。當 添加Ga時，Br/y為98，輝度為84，稍為降低。色度y比添加Al時小，達到更 高色純度化。添加Y時，顯示與添加Ga時大致相同的特性。添加Gd時， 色度y變小，達到高色純度化。然而，當輝度大到50時而降低。添加A1 時顯示更好的特性，其理由認為如下所述。在A廣的6配位中，離子化半 徑與BSMS中通過S i04四面體彼此形成的八面體間隙的大小相同，不產(chǎn) 生過量的變形而存在。另一方面，Gd的離子半徑為A廣的1. 8倍，有可能 被壞母體結(jié)晶的結(jié)構(gòu)。因此，呈現(xiàn)該特性的差異。
從以上的研究可知，在添加了上述4種元素的熒光體中，在HDTV標 準的藍色度y值(O. 06)以下，即使添加，對色度也無壞影響，反而具有達到更高色純度化的效果。
實施例2
為了制作本發(fā)明第一實施例的等離子顯示屏，首先，進行本發(fā)明的 主要構(gòu)成構(gòu)件Eu賦活硅酸鹽熒光體的合成。
第一，合成的熒光體，系向(Ba。.25Sr。.75) 2 93MgSi208: Eu。.。7中添加0. 03 摩爾A1 (OH) 3作為起始原料的熒光體。
合成首先，稱量SrC03、 BaC03、 MgC03、 Si02、 EuP04、 A1(0H)3的各 原料，使Sr:Ba:Mg:Si:Eu:Al的摩爾比達到2. 197 (3.243g): 0.733 (1. 446g): 1. 0 (0. 959g): 2. 0 (1. 2 02g): 0. 07 (0. 173g): 0. 03 (0. 023g)。 然后，作為熔融助劑NH,C1，相對焚光體l摩爾，添加0. 30摩爾，把各原 料粉末在瑪瑙制乳缽中充分混合。
然后，把得到混合物填充耐熱容器中，于大氣中600。C燒結(jié)2小時， 然后，于還原氛圍氣下，在1200'C進行3小時燒結(jié)。得到的燒結(jié)物粉碎后 進行水洗、干燥，得到上述組成的硅酸鹽熒光體。
其次，向熒光體(Ba。.25Sr。.75)u3MgSi208:Eu。.。7中添加作為起始原料 的O. 03摩爾Ah03，進行合成。
合成除稱量SrC03、 BaC03、 MgC03、 Si02、 E載、入12 03的各原料， 使Sr:Ba:Mg: Si: Eu: Al的摩爾比達到2. 197 (3. 243g): 0. 733 (1. 446g): 1. 0 (0. 959g): 2. 0 (1. 202g): 0. 07 (0. 173g): 0. 03 (0. 015g)以外，其余 操作同上。
其次，向熒光體(Ba。.25Sr。.75) 2.93MgSi208: Eu。.。7中添加作為起始原料 的O. 03摩爾A1N，進行合成。
合成除稱量SrC03、 BaC03、 MgC03、 Si02、 E載、A1N的各原料， 使Sr:Ba:Mg:Si:Eu: Al的摩爾比達到2. 197 (3. 243g): 0. 733 (1. 446g): 1. 0 (0. 959g): 2. 0 (1. 202g): 0. 07 (0. 173g): 0. 03 (0. 012g)以外，其余 操作同上。
其次，向焚光體(Ba。.25Sr。.75) 2 93MgSi208:Euo.。7中添加O. 03摩爾 (CH3COO) 3A1 ，作為起始原料，進行合成。合成除稱量SrC03、 BaC03、 MgC03、 Si02、 E我、(CH3C00)仏l的各 原料，使Sr:Ba:Mg:Si:Eu: Al的摩爾比達到2. 197 (3. 243g): 0. 733 (1. 446g): 1. 0 (0. 959g): 2. 0 (1. 202g): 0. 07 (0. 173g): 0. 03 (0. 05g)以 外，其余操作同上。
其次，向熒光體(Bao.25Sr。.75) 2 93MgSi208: Eu。.。7中添加0. 03摩爾A1F3， 作為起始原料，進行合成。
合成除稱量SrC03、 BaC03、 MgC03、 Si02、 E載、A1F3的各原料， 使Sr:Ba:Mg:Si:Eu: Al的摩爾比達到2. 197 (3. 243g): 0. 733 (1. 446g): 1. 0 (0. 959g): 2. 0 (1. 202g): 0. 07 (0. 173g): 0. 03 (0. 025g)
以外，其余操作同上。
其次，作為比較例，合成(Ba0.25Sr。.75) 2 93MgSi208: Eu。.。7。
合成除稱量SrC03、 BaC03、 MgC03 、 Si02、 EuP04的各原料，使 Sr:Ba:Mg:Si:Eu的摩爾比達到2. 197 (3. 243g): 0. 733 (1. 446g): 1. 0 (0. 959g): 2. 0 (1. 202g): 0. 07 (0. 17 3g)以外，其余操作同上。
其次，按照規(guī)定的方法，采用中心發(fā)光波長172nm的真空紫外線準 分子燈作光源，對合成的添加了 Al的熒光體及未添加的BSMS，進行水洗 前后的發(fā)光特性評價。結(jié)果示于圖2。圖2示出在172nm激發(fā)時，水洗工 序后的輝度(Br)及輝度(Br)之值用發(fā)光色度y值除所得到的Br/y值，以 及輝度、Br/y，在水洗工序前后的保持率(%)的匯總表。還有，水洗工序 后的輝度及Br/y，為以未添加的熒光體值作為100時的相對值。另外， 輝度及Br/y的保持率(％)，以U水洗工序后的輝度或Br/y值]/[水洗工 序前的輝度或Br/y值])X100算出。
從圖2可知，這次研究的5種化合物的任何一種作為起始原料時，水 洗前后的輝度及Br/yO保持率顯示比未添加的BSMS高的值。特別是， 以(CH3COO)3Al、 A1F3作為起始原料時，保持率大于100。/。。這考慮是由于 通過水洗，輝度降低被抑制，水洗的本來目的水溶性的殘留焊劑或未反 應(yīng)原料等雜質(zhì)被適當除去所致。其中，A1F3對未添加的BSMS，顯示水洗 后的輝度為10%、 Br/y為21M的高值。對此可以認為，由于A1F;的熔點 (1040。C)，接近本焚光體合成時的反應(yīng)溫度(1000、 1200。C)，容易向熒
19光體晶格中擴散，或?qū)g、 Si的置換活潑進行所致。
從以上的研究可知，作為A1的起始原料，在添加了上述5種化合物 的任何一種時，可以得到水洗時的輝度降低的抑制效果。其中，釆用 A1F3時可得到更優(yōu)異的效果。
實施例3
為了制作本發(fā)明第一實施例的等離子顯示屏，首先，進行本發(fā)明的 主要構(gòu)成構(gòu)件Eu賦活硅酸鹽熒光體的合成。
笫一，合成的熒光體，系向(Ba。.25Sr。.75)293MgSi208: Eu。.。7中添加0. 03 摩爾A1的熒光體。
合成首先，稱量SrC03、 BaC(K、 MgC03、 Si02、 E載、A1F3的各原料， 使Sr:Ba:Mg:Si:Eu: Al的摩爾比達到2. 197 (3. 243g): 0. 733 (1. 446g): 1. 0 (0. 959g): 2. 0 (1. 202g): 0. 07 (0. 173g): 0. 03 (0. 023g)。然后，作為 熔融助劑NH4C1，相對熒光體1摩爾添加0. 30摩爾，把各原料粉末在瑪瑙
制乳缽中充分混合。
然后，把得到混合物填充至耐熱容器中，于大氣中600。C燒結(jié)2小時， 然后，于還原氛圍氣下，在1200。C進行3小時燒結(jié)，得到的燒結(jié)物粉砕后 進行水洗、千燥，得到上述組成的硅酸鹽熒光體。
其次，向熒光體(Bao."Sr。.75) 2.93MgSi2O8:Eu。.。7中添加0. 05摩爾A1，進 行合成。合成除稱量SrC03、 BaC03、 MgC03、 Si02、 EuPO" AlFg的各原 料，使Sr:Ba:Mg: Si:Eu: Al的摩爾比達到2. 197 (3. 243g): 0. 733 (1. 446g): 1. 0 (0. 959g): 2. 0 (1. 202g): 0. 07 (0. 173g): 0. 05 (0. 042g)
以外，其余操作同上。
其次，向熒光體(Ba。.25Sr。.75)2."MgSi2O8:Eu。.。7中添加0. 1摩爾A1，進
行合成。
合成除稱量SrC03、 BaCO" MgC03、 Si02、 E載、A1F3的各原料， 使Sr:Ba:Mg: Si: Eu: Al的摩爾比達到2. 197 (3. 243g): 0. 733 (1. 446g): 1. 0 (0. 959g): 2. 0 (1. 202g): 0. 07 (0. 173g): 0. 1 (0. 084g)以外，其余操
作同上。其次，向熒光體(Ba。.25Sr。.75) 2 93MgSi208: Eu。.。7中添加0. 2摩爾A1，進 行合成。
合成除稱量SrC03、 BaC03、 MgC03、 Si02、 EuP04、 A1F3的各原料， 使Sr:Ba:Mg:Si:Eu: Al的摩爾比達到2. 197(3. 243g): 0. 733 (1. "6g): 1. 0 (0. 959g): 2. 0 (1. 202g): 0. 07 (0. 173g): 0. 2 (0. 168g)以外，其余操 作同上。
其次，作為比較例，合成(Ba。."Sr。.75) 2 93MgSi208: Eu。.。7。 合成除稱量SrC03、 BaC03、 MgC03 、 Si02、 EuPO,的各原料，使 Sr:Ba:Mg:Si:Eu的摩爾比達到2. 197 (3. 243g): 0. 733 (1. 446g): 1. 0 (0. 959g): 2. 0 (1. 202g): 0. 07 (0. 173g)以外，其余操作與上述同樣。
其次，按照規(guī)定方法，采用中心發(fā)光波長172nm及146nm的真空紫外 線準分子燈作光源，對合成的添加了 A1的BSMS及BSMS，進行水洗前后的 發(fā)光特性評價。結(jié)果示于圖3。圖3示出合成的熒光體的水洗工序前后 O輝度保持率OO和水洗工序后的色度y值與各熒光體的Al添加量的曲 線圖。還有，輝度保持率(%)從([水洗工序后的輝度]/ [水洗工序前的輝 度]} X100算出。
從圖3可知，在172nm激發(fā)時，BSMS的輝度保持率980/。，而添加O. 03、 0.05、 0.1、 0. 2摩爾A1時，輝度保持率分別達到101、 105、 105、 117°/。， 伴隨著A1的添加量增加，輝度保持率單調(diào)增加。另外，關(guān)于色度，添加量 達到0. l摩爾時，y值變小，釆用添加0. 2摩爾的BSMS，與未添加的BSMS相 比，y值加大(0.06)。但是，即使添加了0.2摩爾A1的BSMS，在HDTV標 準中決定的藍色度y值(0. 06)以下。
其次，對146nm激發(fā)中的發(fā)光特性加以介紹。如圖3所示，與172nm 激發(fā)時同樣，輝度保持率伴隨著A1添加量的增加而提高。然而可知，與 172mn激發(fā)時相比，特別是在Al添加量處于0. l摩爾的區(qū)域，由于添加Al, 輝度保持率改善的效果降低。另外，關(guān)于色度，與172nm激發(fā)時同樣，添 加量低于O. l摩爾時變小，在O. 2摩爾時，大于未添加的BSMS的值。通過 以上的研究，可以確認通過添加A1，水洗時的輝度保持率的提高，其效 果表明17 2nm激發(fā)時更顯著。
21其次，添加O. 05、 0. 1摩爾A1的BSMS及未添加的BSMS,對熒光體糊青 的熱處理工序前后的發(fā)光特性進行評價。
熒光體糊青按下法制造。熒光體糊骨每100重量份，稱量熒光體粉 末35重量份、纖維素類樹脂與二甘醇單丁醚與二甘醇單丁基乙酸酯的 混合物65重量份，進行充分混煉。
熒光體糊骨的熱處理后的粉體依下法得到。把上述熒光體糊膏涂布 在玻璃基板上，于130。C使干燥后，在大氣氛圍氣中，于45(TC進行30分 鐘熱處理，得到的熒光體膜從玻璃基板回收，得到熒光體糊骨熱處理后 的粉體。
其次，按照規(guī)定的方法，采用中心發(fā)光波長172nm及146nm的真空紫 外線準分子燈作光源，對合成的添加了A1的BSMS及BSMS，進行熒光體糊 膏的熱處理工序前后的發(fā)光特性評價。結(jié)果示于圖4。圖4示出熒光體 糊膏的熱處理前后的輝度保持率(％)、及熱處理后的未添加的熒光體作 為100時的相對輝度與各焚光體的A1添加量的曲線圖。還有，熱處理前
后的輝度保持率CO從U熱處理工序后的輝度]/[熱處理工序前的輝 度]} X100算出。
172nm激發(fā)時的熒光體糊膏的熱處理前后的輝度保持率，相對未添 加的BSMS為81。/。，則顯示添加0. 05摩爾時為86%、添加O. 1摩爾時為89%。 即，已知相對A1的添加量，輝度保持率為單調(diào)增加。另外，熒光體糊膏的 熱處理后的輝度，未添加Al的BSMS為lOO，添加O. 05摩爾A1時為113、添 加O. 1摩爾時為103，任何情況下均顯示比未添加A1的BSMS高的值。
其次，對146nm激發(fā)時的發(fā)光特性加以說明。如圖4所示，熒光體糊 膏熱處理前后的輝度保持率，相對未添加A1的BSMS為76。/。，而添加O. 05、 0. 1摩爾A1的BSMS分別為80。/。、 82%，輝度保持率得到改善。關(guān)于熒光體 熱處理后的輝度，以未添加A1的BSMS作為IOO時，添加O. 05摩爾時為 109、添加O. l摩爾時為96。從這些結(jié)果可知，與水洗時同樣，添加A1的 輝度保持率改善效果，與146nm激發(fā)時相比，172nm激發(fā)時顯著上升。
從以上的2個研究可知，通過向Eu賦活硅酸鹽熒光體BSMS中添加Al: 在熒光體及熒光體層制作工序中，可以抑制輝度降低。另外，其效果比172nm激發(fā)時顯著。 實施例4
采用構(gòu)成本發(fā)明的Eu賦活硅酸鹽熒光體制造PDP。作為構(gòu)成熒光體 層的熒光體，采用實施例l中合成的本發(fā)明硅酸鹽熒光體的添加O. 05摩 爾A1的BSMS與作為比較例的未添加A1的BSMS的2種，按圖6 圖9所示制 造PDPIOO。圖6為表示本發(fā)明實施方案的PDP結(jié)構(gòu)的重要部分的分解立 體圖。另外，圖7、圖8及圖9為表示本發(fā)明實施方案的PDP結(jié)構(gòu)重要部分 的斷面圖。
為了制造PDP100，首先，在背面基板6上，形成由Ag等構(gòu)成的地址電 極9以及由玻璃類材料構(gòu)成的電介體層4后，釆用同樣的玻璃類材料構(gòu) 成的隔壁材料進行厚膜印刷，采用噴砂掩膜進行噴砂除去后，形成隔壁 7。其次，在該隔壁7上，熒光體層10形成條紋狀使被覆隔壁7之間的溝面 (壁面)。
在這里，各熒光體層1Q，稱量熒光體粉末35重量部，和纖維類樹脂 與二甘醇一丁醚與二甘醇一丁基乙酸酯的混合物65重量部充分混煉成 的熒光體糊膏，采用絲網(wǎng)印刷進行涂布。然后，采用干燥及燒結(jié)工序，
然后，形成了顯示電極2、匯流電極3、電介體層4、保護膜5的前面 基板1與背面基板6，進行裂縫密封，屏內(nèi)真空排氣后，注入放電氣體加 以密封。該放電氣體，是以氖(Ne)作為主體，組成比達到12。/。量的含氛 (Xe)氣的混合氣體。
然后，PDPIOO，釆用放電電壓250V、頻率30kHz進行規(guī)定時間老化 (aging )而制作。
本實施例涉及的PDP100，其具有顯示區(qū)域的尺寸為縱向100mmX橫 向100mm的正方形。還有，在進行通常的彩色顯示時，釆用對應(yīng)于紅(R)、 綠(G)、藍(B) 3色發(fā)光的熒光體分別構(gòu)成的焚光體層，依次涂敷熒光體 層10，一像素的間距為1000jLimX 1000pm。
其次，使用采用了上述構(gòu)成本發(fā)明的添加A1的BSMS、與原來的BSMS的PDPIOO，與驅(qū)動電路組合，可進行放電、開燈驅(qū)動，制造作為顯示裝置 的等離子顯示裝置。釆用該等離子顯示裝置，施加放電電壓250V、頻率 2kHz的保持放電脈沖，進行驅(qū)動、放電、開燈。而且，在各開燈顯示區(qū) 域，評價老化完成后的發(fā)藍光的輝度(Br)與、作為發(fā)藍光的色特性的色 度(x， y)。而且，采用得到的色度(x， y)的y值，評價的輝度(Br)用該y值 除而進行計算，可簡便地作為評價發(fā)光效率的參數(shù)而算出Br/y。圖IO 示出采用了本實施例與比較例的熒光體的屏發(fā)光特性。熒光體糊青的 熱處理的結(jié)果，同樣說明添加了 0. 05摩爾Al的實施例(添加了 Al的 BSMS)，與比較例(未添加A1的BSMS)相比，顯示高的輝度及Br/y值。另外 色度y值也變小，可以制造具有更高色純度藍色的PDP。
以上，對本發(fā)明人提出的發(fā)明，按照實施方案進行了具體的說明， 但本發(fā)明不受上述實施方案的限定，并可在不偏離其要點的范圍內(nèi)作 種種變更。
產(chǎn)業(yè)上的利用可能性
本發(fā)明采用能夠通過紫外線激發(fā)發(fā)光的Eu賦活硅酸鹽熒光體的 PDP，另外，，可以用于通過驅(qū)動該PDP的驅(qū)動電路與伴隨著圖像源進行 的圖像顯示的等離子顯示裝置。
權(quán)利要求
1.等離子顯示裝置，其中具有間隔并對置的一對基板；在上述一對基板間設(shè)置的、在上述一對基板間形成空間的隔壁；在上述一對基板的對置面的至少一個面上配置的電極對；通過上述隔壁形成的空間內(nèi)封入的、向上述電極對施加了電壓而通過放電發(fā)生紫外線的放電氣體；以及上述空間內(nèi)的上述一對基板的對置面與上述隔壁的壁面的至少一者上形成的、含有通過上述紫外線激發(fā)進行發(fā)光的熒光體的熒光體層；其特征在于，上述熒光體，是在用下述通式(1)表示的Eu賦活硅酸鹽類熒光體中，添加選自Al、Ga、Y以及Gd中的至少任何一種元素而構(gòu)成的螢光體M13-yM2Si2O8:Euy(1)式(1)中，M1為選自Ba、Ca、以及Sr的至少任何一種元素，M2為選自Mg以及Zn的至少任何一種元素，y為0.001≤y≤0.2。
2. 按照權(quán)利要求l所述的等離子顯示裝置，其特征在于，相對上述熒 光體lmol，選自Al、 Ga、 Y以及Gd中的至少任何一種元素以小于O. 2mo1 的量含有。
3. 按照權(quán)利要求l所述的等離子顯示裝置，其特征在于，上述熒光 體，是以通式(2)表示的Eu賦活硅酸鹽類熒光體中，Al、 Ga、 Y以及Gd中的 至少任何一種元素，相對該焚光體lmol，以小于O. 2mol的量添加的熒光 體(BazM3丄yM2Sh08:Euy (2) 式(2)中，M3為Ca以及Sr中的至少任何一種元素，M2為Mg以及Zn中的 至少任何一種元素，z及y分別為(Kz芻O. 3、 0. 001^y^0.2。
4. 按照權(quán)利要求1所述的等離子顯示裝置，其特征在于，上述熒光 體，是以通式(3)表示的Eu賦活硅酸鹽類熒光體中，添加Al、 Ga、 Y以及 Gd中的至少任何一種元素的熒光體(BaxSrh)3-yMgSiA: Euy (3) 式(3)中，x及y分別為0〈x舀0. 3、 0. OOl^y^O. 2。
5. 按照權(quán)利要求1中所述的等離子顯示裝置，其特征在于，上述熒光 體中添加的Al，作為起始原料，采用含有Ah03、 A1F3、 A1N、 A1(0H)3及 (CH3COO) 3A1中的至少一種化合物的原料。
6. 按照權(quán)利要求4所述的等離子顯示裝置，其特征在于，相對上迷 熒光體lmol， Al以小于O. 2mol的量含有。
7. 按照權(quán)利要求6所述的等離子顯示裝置，其特征在于，相對上迷 熒光體lmol， Al以O(shè). llmol以下的量含有。
8. 按照權(quán)利要求4所述的等離子顯示裝置，其特征在于，上述熒光 體為用通式(4)表示的Eu賦活硅酸鹽熒光體(BaxSr卜x) 3匿yMghAla+bSi2-bOs: Euy (4) 式(4)中，x及y分別為0〈x舀0. 3、 0. OOl^y^O. 2，a及b分別為0^a、 0^b并且0〈a+b〈0. 2。
9. 按照權(quán)利要求8所述的等離子顯示裝置，其特征在 于，0<a+b^O. 11。
10. 按照權(quán)利要求l ~ 9中任何一項所述的等離子顯示裝置，其特征 在于，上述放電氣體含有組成比6。/。以上的Xe。
11. 按照權(quán)利要求10所述的等離子顯示裝置，其特征在于，上述放 電氣體含有組成比10。/。以上的Xe。
12. 按照權(quán)利要求11所述的等離子顯示裝置，其特征在于，上述放電 氣體含有組成比12^以上的Xe。
13. 按照權(quán)利要求l所述的等離子顯示裝置，其特征在于，上述熒光 體層中，作為藍色熒光體含有BaMgAhA7: Ei^CaMgSi206: Eu中的至少任 何一種的熒光體。
全文摘要
本發(fā)明在采用熒光體所構(gòu)成的等離子顯示屏裝置中，使可靠性及色再現(xiàn)性得到提高。本發(fā)明涉及等離子顯示裝置，其特征在于，等離子顯示屏(100)，具有通過放電發(fā)生紫外線的放電氣體以及含有通過紫外線而激發(fā)發(fā)光的熒光體的熒光體層(10)，上述熒光體是在以下列通式(1)表示的Eu賦活硅酸鹽類熒光體中，含有選自Al、Ga、Y以及Gd中的一種以上元素作為添加元素而構(gòu)成的熒光體M1_3-yM2Si₂O₈:Eu_y(1)，式中，M1為選自Ba、Ca、以及Sr中的1種以上的元素，M2為選自Mg以及Zn中的1種以上的元素，y為0.001≤y≤0.2。
文檔編號C09K11/64GK101527241SQ20081016645
公開日2009年9月9日 申請日期2008年10月9日 優(yōu)先權(quán)日2008年3月7日
發(fā)明者今村伸, 佐久間廣貴, 岡崎暢一郎, 大阿久仁嗣, 小松正明 申請人:株式會社日立制作所