專利名稱：用于在低壓氣相中沉積薄層聚合物的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種用于沉積一個(gè)或多個(gè)薄層的方法，其中，尤其是形成聚合物的過 程氣體與載氣體一起借助于進(jìn)氣機(jī)構(gòu)流入沉積腔，以便在基體的位于承接器的與進(jìn)氣機(jī)構(gòu) 間隔相對(duì)的支承面上的表面上沉積尤其是形式為聚合物的薄層。
背景技術(shù)：
前述類型的方法由US4945856公開。在此，固態(tài)的對(duì)二甲苯基(Para-Xylylen)聚 合物被制為氣體形式。氣體通過氣體導(dǎo)管導(dǎo)入熱解腔(Pyrolysekammenr)，在該熱解腔中二 聚物(Dimer)被分解為單體。單體與載氣體一起通過帶有進(jìn)氣機(jī)構(gòu)的另一氣體導(dǎo)管導(dǎo)入沉 積腔，在該處，氣體聚合在位于冷卻的承接器上的基體上。US3288728記載了對(duì)二甲苯基共 聚物。在此，涉及聚對(duì)二甲苯族的C-，N-, D-聚合物，所述聚合物在室溫下呈固態(tài)粉末狀或 者液態(tài)。由 “Characterization of Parylene Deposition Process for the Passivation ofOrganic Light Emmiting Diodes " , Korean J. Chem. Eng. ,19 (4), 722-727(2002)公開了用聚對(duì)二甲苯及其衍生物層來鈍化、尤其是包封有機(jī)發(fā)光二極管 (OLED)。此外公知的是，在真空中為各種大面積的基體配設(shè)聚對(duì)二甲苯涂層。因此，例如玻 璃、金屬、紙、漆、塑料、陶瓷、鐵氧體(Ferrit)和硅通過從氣相凝結(jié)而涂敷無孔且透明的聚 合物薄膜。在此，人們利用聚合物涂層疏水的、耐化學(xué)并電絕緣的特性。US 5554220記載了一種所謂的OVPD過程，通過該過程能夠制造所謂的OLEDs (有 機(jī)發(fā)光二極管)。在此作為原材料還提到了 DAST。DE10136858記載了一種用于制造涂層的基體的裝置和方法，其中，層借助于冷凝 方法被涂敷在基體上。作為基體考慮玻璃、薄膜或塑料。通過在此所述的裝置能夠制造發(fā) 光的部件、尤其是薄膜發(fā)光部件，如0LED。有機(jī)層大面積地沉積在帶有掩膜的基體上。裝置 具有形式為大面積氣體分配器的加溫進(jìn)氣機(jī)構(gòu)和位于進(jìn)氣機(jī)構(gòu)下面的、用于承接被冷卻的 基體的承接器。EP0862664B1公開了一種用于在半導(dǎo)體基體上沉積聚對(duì)二甲苯的方法和裝置。聚 對(duì)二甲苯在蒸發(fā)腔中被氣化。氣化的聚對(duì)二甲苯在熱解腔中被分解。分解產(chǎn)物通過進(jìn)氣機(jī) 構(gòu)到達(dá)過程腔，并且在冷卻到15°C以下的基體上形成層。基體支架可以借助于加熱器被加 熱到直至400°C。US2006/0113507A1同樣描述了真空條件下的聚對(duì)二甲苯沉積方法。在該方法中， 要在一步方法中沉積液晶聚合物層。過程在三區(qū)反應(yīng)器中發(fā)生，該反應(yīng)器具有升華區(qū)、熱解 區(qū)和運(yùn)行溫度在450°C到700°C的冷凝區(qū)。升華將在15°C到100°C之間的溫度下進(jìn)行。冷 凝和同時(shí)的聚合將在210°C至290°C之間的溫度下發(fā)生。US6709715BLUS6362115B1和US5958510記載了一種在使用裝置的情況下沉積聚 對(duì)二甲苯層的方法，其中，聚合的原材料首先被氣化，然后分解，分解產(chǎn)物通過大面積的氣 體分配器導(dǎo)入被加熱的過程腔中。冷凝發(fā)生在冷卻的承接器上的基體上。
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US3908046記載了一種對(duì)二甲苯基聚合物沉積方法，其同樣包括升華、熱解和沉積 的過程步驟。在此，基體溫度保持在25°C到30°C的范圍內(nèi)。用于沉積OLED或聚合物的涂層方法在沉積腔內(nèi)進(jìn)行，其中，存在氣相中的垂直溫 度梯度。進(jìn)氣機(jī)構(gòu)具有比基體更高的溫度。因此，基體必須通過支承在承接器上而被冷卻。 通過輻射從進(jìn)氣機(jī)構(gòu)傳遞到基體的熱量必須傳遞到承接器上。因?yàn)橥繉舆^程通常在毫巴以 下的范圍的壓力下進(jìn)行，熱量排出可以僅通過基體和承接器的支承面之間的接觸面部分實(shí) 現(xiàn)。自然，在支承面和基體底側(cè)的兩個(gè)相互貼靠的面中僅偶爾存在可能實(shí)現(xiàn)熱傳遞的真實(shí) 接觸。由于兩個(gè)面不可避免的不平度，形成間隙寬度直至ΙΟΟμπι的間隙空間。在過程壓力 小于1毫巴時(shí)，在該間隙中不再通過對(duì)流發(fā)生熱傳遞。這導(dǎo)致待涂層的基體的表面通過由 加熱的進(jìn)氣機(jī)構(gòu)發(fā)出的輻射加熱到一個(gè)明顯高于承接器溫度的溫度。

發(fā)明內(nèi)容
因此，本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是，提供一種方法，通過該方法能夠在僅略高于 承接器的支承面的溫度的基體溫度下進(jìn)行涂層過程。該技術(shù)問題通過在權(quán)利要求中給出的發(fā)明解決，其中，基本上每個(gè)權(quán)利要求都是 本發(fā)明的一個(gè)獨(dú)立方案，其中，優(yōu)選將從屬權(quán)利要求與獨(dú)立權(quán)利要求相組合。首先并基本上規(guī)定，這樣地設(shè)定進(jìn)氣機(jī)構(gòu)和/或支承面的溫度，使得支承面的溫 度低于進(jìn)氣機(jī)構(gòu)的溫度，其中，在過程氣體進(jìn)入沉積腔之前，在沉積腔(優(yōu)選在毫巴范圍 內(nèi))的第一壓力下，位于支承面上的基體通過向承接器的熱量排放穩(wěn)定于一個(gè)基體溫度， 該基體溫度僅略高于支承面的溫度但明顯低于進(jìn)氣機(jī)構(gòu)的溫度，接著，將沉積腔內(nèi)的壓力 減小到一個(gè)(優(yōu)選毫巴以下的)過程壓力，并且在達(dá)到該過程壓力時(shí)，過程氣體進(jìn)入沉積 腔。該方法尤其適于沉積一個(gè)或多個(gè)由聚合材料、尤其是對(duì)二甲苯基聚合物制成的薄層， 其中，固態(tài)或液態(tài)的，尤其是由聚合物、尤其是二聚物形成的原材料在蒸發(fā)器中被氣化，并 且原材料，尤其是二聚物借助于載氣從蒸發(fā)器通過載氣輸送管被輸送到熱解腔，在熱解腔 中熱解、尤其是分解為單體，分解產(chǎn)物、尤其是單體由載氣從熱解腔輸送到沉積腔中，在該 處通過進(jìn)氣機(jī)構(gòu)流入沉積腔，并且作為薄層聚合在位于承接器的支承面上的基體表面上， 并且其中，載氣和分解產(chǎn)物未聚合的部分，尤其是單體經(jīng)氣體流出口從過程腔流出。該方法 同樣特別適用于沉積0LED。通常是液態(tài)或者固態(tài)的原材料在該OVPD過程中例如通過蒸發(fā) 成氣相轉(zhuǎn)化為所謂的源(Quelle)，并且然后在使用載氣的情況下通過氣體導(dǎo)管輸送到沉積 腔。進(jìn)氣機(jī)構(gòu)位于該沉積腔中。進(jìn)氣機(jī)構(gòu)并尤其是由進(jìn)氣機(jī)構(gòu)形成的氣體流出面優(yōu)選是鍍 金的或者至少高度拋光。因此，氣體流出面的鍍金的、高度拋光的表面具有小于0. 04范圍 內(nèi)的發(fā)射率ε。因此，加熱到150°C到250°C的范圍內(nèi)的溫度下的進(jìn)氣機(jī)構(gòu)的輻射功率被最 小化。盡管如此，還是向基體傳遞了熱量，該熱量必須排到冷卻的承接器上。承接器的溫度 在-30°C到100°C之間。因此，支承面和進(jìn)氣機(jī)構(gòu)之間的溫差在至少50°C，常常甚至在至少 100°C。本發(fā)明基本上涉及基體的預(yù)熱(Vorthermalisierung)，其在原來的涂層過程之前進(jìn) 行。涂層過程在亞毫巴范圍，也就是尤其在0. 5到0. 05毫巴之間的壓力下，并優(yōu)選在約0. 1 毫巴的總壓力下進(jìn)行，而在涂層過程之前的熱過程在沉積腔中的總壓力> 1毫巴的情況下 進(jìn)行，例如在約5毫巴的總壓力下進(jìn)行。之后，基體被置于過程腔之中，首先是載氣通過進(jìn) 氣機(jī)構(gòu)流入過程腔，其中，載氣可以是稀有氣體或其它反應(yīng)惰性的，并尤其是惰性氣體。載氣通過氣體出口再次從過程腔流出。載氣由真空泵抽出。通過設(shè)置在真空泵上游的閥調(diào)節(jié) 沉積腔內(nèi)的過程壓力。首先設(shè)定大于1毫巴并優(yōu)選為約5毫巴的過程壓力。在該熱壓力下， 調(diào)節(jié)沉積腔中的溫度分布。這意味著，進(jìn)氣機(jī)構(gòu)并尤其是指向支承面的氣體流出面被置于 150°C到250°C的范圍內(nèi)的過程溫度。承接器的溫度被調(diào)節(jié)到-30°C到100°C范圍內(nèi)的承接 器溫度。在這樣的壓力下實(shí)現(xiàn)了氣體分子的平均自由程明顯小于基體的底側(cè)和支承面之間 的間隙的間隙寬度，因此在間隙中能夠出現(xiàn)從基體到承接器的對(duì)流的熱傳遞。在該第一過 程步驟中，基體溫度穩(wěn)定在僅比支承面的溫度高幾度?；w溫度和承接器溫度之間的溫差 小于10°C?；w表面上的側(cè)面(lateral)溫度波動(dòng)最大在1°C的范圍內(nèi)。溫度穩(wěn)定過程可 以以高溫測(cè)定法或者另外地監(jiān)控。設(shè)置有溫度傳感器，通過該溫度傳感器優(yōu)選能通過測(cè)量 從基體發(fā)出的溫度輻射測(cè)量其表面溫度。也可以通過恰當(dāng)?shù)臏y(cè)量元件(在此也可以是熱元 件)來測(cè)量其它的溫度、也即進(jìn)氣機(jī)構(gòu)的溫度和承接器的溫度。如果到達(dá)了穩(wěn)定的狀態(tài)，其 中基體表面的溫度達(dá)到額定值，借助于設(shè)置在真空泵前的調(diào)節(jié)閥使沉積腔壓力非常迅速地 下降。通常，沉積腔壓力在二至十秒內(nèi)到達(dá)約為0.1毫巴的穩(wěn)定過程壓力。在該過程壓力 下，載氣的分子具有這樣一個(gè)平均的自由程，該自由程過大，以至于在基體和支承面之間的 間隙內(nèi)不能夠發(fā)生對(duì)流的熱傳遞。除了基體底側(cè)在承接器上的統(tǒng)一的接觸點(diǎn)，基體在該壓 力下基本上與承接器熱隔絕。這導(dǎo)致由基體吸收的來自進(jìn)氣機(jī)構(gòu)的輻射熱不再能充分地排 出，因此基體和承接器之間的溫度差不斷增大。然而，沉積過程的生長率這樣大，使得生長 時(shí)間僅為數(shù)秒，例如1至4秒。因?yàn)樯L時(shí)間小于10秒，所以由于對(duì)流冷卻失效加熱基體 剩余的時(shí)間小于20秒。基體的熱容量足夠大，使得在該時(shí)間內(nèi)獲得的基體溫度的升高可以 被忽略(toleriert)。該方法尤其適于應(yīng)用在這樣的裝置中，其中，載氣從進(jìn)氣機(jī)構(gòu)的氣體 流出面的氣體流出口流出，其中，載氣和由載氣輸送的、形式為“氣體束”的過程氣體流入過 程腔。氣體束通過多個(gè)氣體流出口流入過程腔并且連結(jié)成在整個(gè)支承面上延伸的、朝向支 承面的體積氣體流。在此，氣體流出面具有大于支承面的面積延伸并尤其大于基體的面積 延伸的面積延伸。進(jìn)氣機(jī)構(gòu)發(fā)出輻射的面積相應(yīng)大。但是，由氣體流出面發(fā)出的輻射由于 通過表面鍍金和高度拋光導(dǎo)致的發(fā)射率減小而得以最小化。優(yōu)選使用分解為單體的對(duì)二甲 苯基聚合物或者取代的對(duì)二甲苯基聚合物作為過程氣體。該過程氣體應(yīng)當(dāng)作為聚合物沉積 在基體表面上。生長率在100納米/秒的范圍內(nèi)。在該生長率下，可以在數(shù)秒內(nèi)沉積100 納米至1000納米的所需層厚度。


以下根據(jù)

本發(fā)明的實(shí)施例。在附圖中示出圖1示意示出了涂層裝置的主要部件并尤其是沉積腔的內(nèi)部結(jié)構(gòu)，圖2是圖1中的局部截面圖II的明顯放大的視圖，以示意地示出支承面4、和基 體7的底側(cè)7"之間的間隙。
具體實(shí)施例方式未示出的氣體供應(yīng)裝置提供載氣，例如氦、氬或氮?dú)?，其通過質(zhì)量流控制器10計(jì) 量分配。載氣通過可與閥連接的氣體導(dǎo)管11流入蒸發(fā)器1，液態(tài)或固態(tài)的原材料保存在該 蒸發(fā)器中。原材料是聚合物。例如可以是這樣的聚合物，例如對(duì)二甲苯基聚合物或者取代的對(duì)二甲苯基聚合物，如C-，N_，D-對(duì)二甲苯基聚合物(C-，N-，D-Para-XyIylene)。粉末或 液體被加熱到50°C到200°C的源溫度。在該溫度下，原材料蒸發(fā)為二聚物的形式。二聚物 通過可由閥10關(guān)閉的氣體導(dǎo)管13導(dǎo)入熱解腔2。熱解腔2中的溫度在350°C到700°C之 間。在該溫度下，二聚物熱分解為單體。載氣與過程氣體一起通過同樣加熱的輸送管15經(jīng) 過輸入分配器9導(dǎo)入進(jìn)氣機(jī)構(gòu)3。這樣設(shè)計(jì)整個(gè)系統(tǒng)中的流動(dòng)阻力，使得在熱解腔內(nèi)部存在小于1毫巴的氣體壓 力。這樣設(shè)定流動(dòng)速度，使得原材料在熱解腔中的滯留時(shí)間足以使原材料幾乎完全分解。用附圖標(biāo)記17表示輸送導(dǎo)管，通過該輸送導(dǎo)管同樣可以將氣體導(dǎo)入進(jìn)氣分配器 9。但是，通過導(dǎo)管17僅僅可以將載氣導(dǎo)入進(jìn)氣分配器9中。可以設(shè)置未示出的通風(fēng)/循 環(huán)系統(tǒng)，以便在進(jìn)入進(jìn)氣分配器9之前穩(wěn)定氣流。進(jìn)氣機(jī)構(gòu)3具有帶有中心腔的噴淋頭狀的構(gòu)造，氣體通過進(jìn)氣分配器9均勻分布 地進(jìn)入腔室中。腔室的底部由板形成，其具有通孔6，所述孔篩狀地均勻分布。在以底側(cè)形 成氣體流出面3、的板中設(shè)置有加熱絲或加熱通道19，電流或者熱流體可以流過其中。通過 電阻加熱器或者其它加熱器可以將進(jìn)氣機(jī)構(gòu)并尤其是氣體流出面;T加熱到150°C到250°C 范圍內(nèi)的溫度。在此，全部相同構(gòu)造的氣體流出口 6的直徑這樣選擇，使得經(jīng)過通孔的壓力 損失小于0.5毫巴。承接器4以間距A位于氣體流出面;T下方，間距A遠(yuǎn)遠(yuǎn)小于氣體流出面3、的特 征直徑或特征對(duì)角線。承接器4的指向氣體流出面;T的水平支承面4、的面積延伸小于氣 體流出面;T的面積延伸。承接器4構(gòu)造為冷卻模塊，并且具有由冷卻劑流過的通道18。在氣體流出面3、和氣體支承面4、之間延伸的沉積腔8位于反應(yīng)器內(nèi)，其殼壁用 表示。殼壁具有裝載口 16和氣體流出孔5，載氣和剩余的過程氣體通過該氣體流出孔由
真空泵抽出。承接器4被這樣地冷卻，使得其表面4、具有在0°C至-50°C的范圍內(nèi)的承接器溫 度TS。進(jìn)氣機(jī)構(gòu)3的溫度TG比承接器溫度TS至少高50°C，優(yōu)選甚至高100°C。為了使從 進(jìn)氣機(jī)構(gòu)3到承接器4的熱傳輸最小化，至少氣體流出面3、被高度拋光并且尤其是鍍金， 使得其發(fā)射率小于0. 04?；w7位于由不銹鋼、鋁或銅制成的承接器4上。基體以25mm至50mm的間隔A 位于氣體流出面;T下方。在此可以是絕緣的，但也可以是非絕緣的基體，例如顯示器、硅晶 片，也或者是紙或塑料膜。如果基體是平面的柔性構(gòu)造，則可以額外地支承在基體支架上。此外設(shè)置有未示 出的暗調(diào)蒙片(Schattenmasken)，以便在側(cè)面使涂層結(jié)構(gòu)化(strukturieren)?；w也可 以是預(yù)涂層的。圖2示意示出了基體的底側(cè)廠在承接器4的支承面4、上的接觸。盡管兩個(gè)面基 本上平坦地延伸，在底側(cè)7"和支承面4、之間不可避免地出現(xiàn)間隙空間20。這是由于制造 造成的或者由于熱變形而出現(xiàn)。該間隙20的間隙寬度的大小在20μπι到IOOym之間。間 隙要求比基體7的底側(cè)7"在支承面4、的接觸區(qū)域面積更大。因此，基體具有僅一個(gè)單獨(dú) 的相對(duì)承接器的面支承。在通常的過程條件下，進(jìn)氣機(jī)構(gòu)3的溫度TG約為200°C，而支承面4、的溫度TS在 0°C到-50°c的范圍內(nèi)，但優(yōu)選在約0°C。基體7的表面的溫度TD應(yīng)當(dāng)盡可能僅略高于支承面4、的溫度TS。溫差最大應(yīng)在10°C的范圍內(nèi)。但是，加熱到200°C的氣體流出面3、延伸 超出基體7的表面，并因此通過熱輻射向基體7傳輸顯著的熱能。盡管由于氣體流出面3、 鍍金的表面的高度拋光，輻射功率被最小化。但是其導(dǎo)致顯著的熱流進(jìn)入基體。這種熱流 必須通過盡可能大面積的熱傳遞傳輸路徑排出到承接器4上。基體7和承接器4之間的溫
差應(yīng)當(dāng)最小化。由于基體7和承接器4之間的直接接觸面較小，需要通過間隙20傳輸較大的熱 量。在通常為0. 1毫巴的過程壓力P2下，實(shí)際上是隔熱的環(huán)境，因?yàn)闅怏w分子的自由程過 大，以致于在兩個(gè)相互間隔的面廠和4、之間不能夠發(fā)生對(duì)流的熱傳遞。因此，根據(jù)本發(fā)明在原來的涂層過程之前，將整個(gè)沉積裝置3，4包括位于支承面 上的基體7在提高的壓力Pl下達(dá)到穩(wěn)定，其中，進(jìn)氣機(jī)構(gòu)3達(dá)到溫度TG，承接器4以及
尤其是支承面4、達(dá)到溫度TS，基體7的表面達(dá)到基體溫度TD。在此，基體溫度TD僅略高 于溫度TS。溫差小于10°C。由此實(shí)現(xiàn)溫度穩(wěn)定，即，在此使用的加熱壓力大于1毫巴并且 約為5毫巴，也就是具有這樣一個(gè)值，在該值下氣體分子的平均自由程足夠小，以便保證基 體7和支承面4、之間的間隙20的對(duì)流熱傳輸。如果達(dá)到穩(wěn)定狀態(tài)，借助于設(shè)置在真空泵前面的調(diào)節(jié)閥迅速提高真空泵的抽吸功 率，使得在2至10秒內(nèi)將沉積腔8中的總壓力減小到過程壓力P2。過程壓力在亞毫巴范圍 內(nèi)并且約為0. 1毫巴。一旦達(dá)到過程壓力P2，接著就以約IOOnm/秒的生長速度進(jìn)行原來的 涂層，直至實(shí)現(xiàn)典型地為約200nm的層厚。在此要考慮的是，隨著總壓力開始下降，基體7和承接器4之間的對(duì)流冷卻機(jī)制失 效，然后基體7被加熱。溫升由于僅持續(xù)數(shù)秒的壓力減小階段和生長階段而可忽略。通過前述的方法可以涂敷大面積的基體。支承面4、例如可以具有一平方米的面 積。按本發(fā)明的方法的另一種實(shí)施例涉及所謂的OLED(有機(jī)發(fā)光二極管)的沉積。在 此也是熱的真空方法。通常是液態(tài)或固態(tài)的原料被保存在加熱的容器(即，所謂的源)中。 原料通過蒸發(fā)轉(zhuǎn)化為氣體形式，該氣體然后借助于載氣通過氣體導(dǎo)管15，17輸送到沉積腔 8中。用于分配和計(jì)量在載氣中輸送的過程氣體的進(jìn)氣機(jī)構(gòu)3位于該處。過程氣體通過通 孔6進(jìn)入過程腔8并且在該過程腔處冷凝在冷卻的基體7上。基體位于冷卻的承接器4上。 層的沉積在明顯低于200°C的溫度下進(jìn)行。這需要所使用的原料非常溫度不穩(wěn)定。因此，在 基體溫度TS具有低值時(shí)，進(jìn)氣溫度TG具有明顯較高的值，例如原料蒸發(fā)的溫度。為了避免 基體表面由于進(jìn)氣機(jī)構(gòu)3的熱輻射加熱到過高的值，過程腔在原來的沉積過程之前保持在 一個(gè)壓力Pl下，該壓力Pl明顯超過進(jìn)行過程步驟的壓力P2。在壓力Pl下，基體底側(cè)和基 體支架上側(cè)之間的空隙中通過熱傳遞發(fā)生基體和基體支架之間的熱交換。過程在明顯較小 的過程壓力P2下進(jìn)行。在該過程壓力P2下，通過基體底側(cè)和承接器上側(cè)之間的間隙內(nèi)的 熱傳遞發(fā)生明顯減小的熱輸送。所有已公開的特征(本身)均為發(fā)明的實(shí)質(zhì)內(nèi)容。因此相關(guān)/附加優(yōu)先權(quán)文件的 公開內(nèi)容(在先申請(qǐng)副本)完全被引入本申請(qǐng)的公開內(nèi)容中，也為此將這些文件所述的特 征包含在本申請(qǐng)的權(quán)利要求中。
權(quán)利要求
1.一種用于沉積一個(gè)或多個(gè)薄層的方法，其中，尤其是有機(jī)材料或者聚合物形成的過 程氣體與載氣體一起借助于進(jìn)氣機(jī)構(gòu)(3)流入沉積腔(8)，以便在基體(7)的位于承接器 (4)的與進(jìn)氣機(jī)構(gòu)(3)間隔相對(duì)的支承面上的表面(X)上沉積尤其是形式為聚合物 的薄層，其特征在于，這樣地設(shè)定進(jìn)氣機(jī)構(gòu)⑶和/或支承面Gl的溫度，使得支承面 的溫度(TQ低于進(jìn)氣機(jī)構(gòu)C3)的溫度(TG)，其中，在過程氣體進(jìn)入沉積腔(8)之前，在沉積 腔⑶內(nèi)在第一壓力(Pl)下，位于支承面上的基體(7)通過向承接器⑷的熱量排 放穩(wěn)定于一個(gè)基體溫度(TD)，該基體溫度僅略高于支承面GJ的溫度(K)但明顯低于進(jìn) 氣機(jī)構(gòu)⑶的溫度(TG)，接著，沉積腔⑶內(nèi)的壓力(Pl)減小到過程壓力(P2)，并且在達(dá) 到過程壓力(P》時(shí)，過程氣體進(jìn)入沉積腔(8)。
2.如權(quán)利要求1或尤其是其后的權(quán)利要求所述的方法，其特征在于，所述載氣或過程 氣體從高度拋光并尤其是鍍金的氣體流出面(3 的孔(6)流出。
3.如前述各項(xiàng)權(quán)利要求一項(xiàng)或多項(xiàng)或尤其是其后的權(quán)利要求所述的方法，其特征在 于，形成所述氣體流出面(3、)的、噴淋頭狀構(gòu)造的進(jìn)氣機(jī)構(gòu)(3)被加熱。
4.如前述各項(xiàng)權(quán)利要求一項(xiàng)或多項(xiàng)或尤其是其后的權(quán)利要求所述的方法，其特征在 于，所述進(jìn)氣機(jī)構(gòu)⑶借助于電加熱絲或者由流體流過的通道(19)加熱。
5.如前述各項(xiàng)權(quán)利要求一項(xiàng)或多項(xiàng)或尤其是其后的權(quán)利要求所述的方法，其特征在 于，加熱絲或者流體流過的通道(19)設(shè)置在進(jìn)氣機(jī)構(gòu)(3)的形成氣體流入面(3、)的前板 上。
6.如前述各項(xiàng)權(quán)利要求一項(xiàng)或多項(xiàng)或尤其是其后的權(quán)利要求所述的方法，其特征在 于，由冷卻模塊形成的承接器(4)被主動(dòng)冷卻。
7.如前述各項(xiàng)權(quán)利要求一項(xiàng)或多項(xiàng)或尤其是其后的權(quán)利要求所述的方法，其特征在 于，所述氣體流出面(3、)的溫度(T)比支承面Gl的溫度(TS)高至少50°C，優(yōu)選至少 100°C。
8.如前述各項(xiàng)權(quán)利要求一項(xiàng)或多項(xiàng)或尤其是其后的權(quán)利要求所述的方法，其特征在 于，所述氣體流出面(3、)的溫度⑴在150°C到250°C之間，并優(yōu)選為約200°C。
9.如前述各項(xiàng)權(quán)利要求一項(xiàng)或多項(xiàng)或尤其是其后的權(quán)利要求所述的方法，其特征在 于，所述承接器的溫度在-30°C到100°C的范圍內(nèi)，并優(yōu)選在0°C以下。
10.如前述各項(xiàng)權(quán)利要求一項(xiàng)或多項(xiàng)或尤其是其后的權(quán)利要求所述的方法，其特征在 于，所述過程壓力(P2)小于1毫巴，并優(yōu)選在0.5毫巴到0.05毫巴之間的范圍內(nèi)，并尤其 優(yōu)選為0. 1毫巴。
11.如前述各項(xiàng)權(quán)利要求一項(xiàng)或多項(xiàng)或尤其是其后的權(quán)利要求所述的方法，其特征在 于，溫度穩(wěn)定在基體溫度(TD)小于100°C，優(yōu)選小于10°C，熱壓力(Pl)大于1毫巴，優(yōu)選約 為5毫巴時(shí)進(jìn)行。
12.如前述各項(xiàng)權(quán)利要求一項(xiàng)或多項(xiàng)或尤其是其后的權(quán)利要求所述的方法，其特征在 于，所述過程氣體是聚合的原材料，尤其是對(duì)二甲苯基聚合物或者取代的對(duì)二甲苯基聚合 物的氣化的單體。
13.如前述各項(xiàng)權(quán)利要求一項(xiàng)或多項(xiàng)或尤其是其后的權(quán)利要求所述的方法，其特征在 于，過程氣體是氣化的液態(tài)或固態(tài)原材料，該原材料作為尤其是形式為OLED的發(fā)光層或者 光伏層冷凝在基體(7)上。
14.一種用于沉積由聚合的材料、尤其是對(duì)二甲苯基聚合物制成的一個(gè)或多個(gè)薄層的 方法，其中，固態(tài)或液態(tài)的、尤其由聚合物、尤其是二聚物形成的原材料在蒸發(fā)器(1)中被 氣化，原材料、尤其是二聚物借助于載氣從蒸發(fā)器(1)通過載氣輸送管(13)被輸送到熱解 腔(2)，在熱解腔(2)中熱解、尤其是分解為單體，分解產(chǎn)物、尤其是單體由載氣從熱解腔 (2)輸送到沉積腔(8)中，在該處通過進(jìn)氣機(jī)構(gòu)(3)流入沉積腔(8)內(nèi)，并且作為薄層聚合 在基體(7)的支承在承接器(4)的支承面(4、)上的表面上，并且，載氣和分解產(chǎn)物未聚合 的部分、尤其是單體從氣體流出口(5)流出過程腔(8)，其特征在于，這樣地設(shè)定進(jìn)氣機(jī)構(gòu) ⑶和/或支承面(4、)的溫度，使得支承面(4、)的溫度(TS)低于進(jìn)氣機(jī)構(gòu)(3)的溫度 (TG)，其中，在過程氣體進(jìn)入沉積腔(8)之前，在沉積腔(8)內(nèi)在第一壓力(Pl)下，位于支 承面(4、)上的基體(7)通過向承接器(4)的熱量排放穩(wěn)定于一個(gè)基體溫度(TD)，該基體溫 度僅略高于支承面(4、)的溫度(TS)但明顯低于進(jìn)氣機(jī)構(gòu)(3)的溫度(TG)，接著，沉積腔 ⑶內(nèi)的壓力(Pl)減小到過程壓力(P2)，并且在達(dá)到過程壓力(P2)時(shí)，過程氣體進(jìn)入沉積 腔⑶。
15.如前述各項(xiàng)權(quán)利要求一項(xiàng)或多項(xiàng)或尤其是其后的權(quán)利要求所述的方法，其特征在 于，分解產(chǎn)物、尤其是單體與載氣一起從由進(jìn)氣機(jī)構(gòu)(3)形成的氣體面分配器的氣體流出 面(3)的氣體流出口(6)朝垂直于基體表面(7’ )的方向以緊密相鄰的、連接成一個(gè)基本 上在整個(gè)支承面上延伸的體積氣流的“氣體束”的形式流入過程腔(8)內(nèi)，其中氣體流出口 (6)分布在整個(gè)平行于支承面(4’ )延伸的氣體流出面(3’ )上。
16.如前述各項(xiàng)權(quán)利要求一項(xiàng)或多項(xiàng)或尤其是其后的權(quán)利要求所述的方法，其特征在 于，所述氣體流出面(3)的面積延伸大于所述支承面(4’ )或所述基體的面積延伸。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種用于沉積一個(gè)或多個(gè)薄層的方法，其中，形成聚合物的過程氣體與載氣體一起借助于進(jìn)氣機(jī)構(gòu)(3)流入沉積腔(8)，以便在基體(7)的位于承接器(4)的與進(jìn)氣機(jī)構(gòu)(3)間隔相對(duì)的支承面(4`)上的表面(7`)上沉積尤其是形式為聚合物的薄層。為了能夠在僅略高于承接器的支承面的溫度的基體溫度下進(jìn)行涂層過程，本發(fā)明建議，這樣地設(shè)定進(jìn)氣機(jī)構(gòu)(3)和/或支承面(4`)的溫度，使得支承面(4`)的溫度(TS)低于進(jìn)氣機(jī)構(gòu)(3)的溫度(TG)，其中，在過程氣體進(jìn)入沉積腔(8)之前，在沉積腔(8)在第一壓力(P1)下，位于支承面(4`)上的基體(7)通過向承接器(4)的熱量排放穩(wěn)定于一個(gè)基體溫度(TD)，該基體溫度僅略高于支承面(4`)的溫度(TS)但明顯低于進(jìn)氣機(jī)構(gòu)(3)的溫度(TG)，接著，沉積腔(8)內(nèi)的壓力(P1)減小到過程壓力(P2)，并且在達(dá)到過程壓力(P2)時(shí)，過程氣體進(jìn)入沉積腔(8)內(nèi)。
文檔編號(hào)B05D7/24GK102112656SQ200980130318
公開日2011年6月29日 申請(qǐng)日期2009年5月14日 優(yōu)先權(quán)日2008年6月3日
發(fā)明者馬庫斯.格斯多夫 申請(qǐng)人:艾克斯特朗股份公司