專利名稱：熱固型芯片接合薄膜的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及在將例如半導體芯片等半導體元件膠粘固定到襯底或引線框等被粘 物上時使用的熱固型芯片接合薄膜(夕'4 # > K7 o A )。另外，本發(fā)明涉及該熱固型 芯片接合薄膜與切割薄膜層疊而成的切割芯片接合薄膜(夕'^ > 夕'^ > K 7 ^ ；I么)。
背景技術：
以往，在半導體裝置的制造過程中，在引線框和電極構件上固著半導體芯片時采 用銀漿。所述固著處理是在引線框的芯片焊盤等上涂布漿狀膠粘劑，在其上搭載半導體芯 片并使?jié){狀膠粘劑層固化來進行。但是，漿料膠粘劑由于其粘度行為或劣化等而在涂布量或涂布形狀等方面產(chǎn)生大 的偏差。結果，形成的漿狀膠粘劑厚度不均勻，因此半導體芯片的固著強度缺乏可靠性。即， 漿狀膠粘劑的涂布量不足時半導體芯片與電極構件之間的固著強度降低，在后續(xù)的絲焊工 序中半導體芯片剝離。另一方面，漿狀膠粘劑的涂布量過多時漿狀膠粘劑流延到半導體芯 片上而產(chǎn)生特性不良，成品率和可靠性下降。這樣的固著處理中的問題，伴隨半導體芯片的 大型化變得特別顯著。因此，需要頻繁地進行漿狀膠粘劑的涂布量的控制，從而給作業(yè)性或 生產(chǎn)率帶來問題。在該漿狀膠粘劑的涂布工序中，有將漿狀膠粘劑另外涂布到引線框或形成的芯片 上的方法。但是，在該方法中，漿狀膠粘劑層難以均勻化，另外漿狀膠粘劑的涂布需要特殊 裝置和長時間。因此，提出了在切割工序中膠粘保持半導體芯片、并且在安裝工序中還提供 所需的芯片固著用膠粘劑層的切割薄膜(例如，參考日本特開昭60-57642號公報)。該切割薄膜以可剝離的方式在支撐基材上設置有膠粘劑層，在該膠粘劑層的保持 下對半導體芯片進行切割后，拉伸支撐基材而將形成的芯片與膠粘劑層一起剝離，將其分 別回收，并通過該膠粘劑層固著到引線框等被粘物上。另外，日本特開2000-104040號公報中公開了一種熱固型芯片接合用膠粘劑，其 中含有玻璃化轉(zhuǎn)變溫度為90°C以下的熱塑性聚酰亞胺樹脂及熱固性樹脂。根據(jù)該現(xiàn)有技術 文獻，有使用環(huán)氧樹脂作為熱固性樹脂、并且并用固化劑或固化促進劑(熱固化催化劑)的記載。但是，這樣的現(xiàn)有熱固化催化劑，在溶解于膠粘劑組合物中時或使芯片接合薄膜 熱固化時需要的時間長。由此，例如存在對半導體芯片進行芯片接合并使其熱固化時作業(yè) 時間顯著變長的問題。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明鑒于前述問題而作出，其目的在于提供在半導體芯片的芯片接合時可以大 幅縮短作業(yè)時間的熱固型芯片接合薄膜及該熱固型芯片接合薄膜與切割薄膜層疊而成的 切割芯片接合薄膜。
本發(fā)明人為了解決前述現(xiàn)有問題，對熱固型芯片接合薄膜以及該熱固型芯片接合 薄膜與切割薄膜層疊而成的切割芯片接合薄膜進行了研究。結果發(fā)現(xiàn)，通過使熱固型芯片 接合薄膜中存在的熱固化催化劑以非結晶狀態(tài)存在，即使在比以往更低的加熱溫度下，也 可以在短時間內(nèi)進行熱固化，并且完成了本發(fā)明。本發(fā)明的熱固型芯片接合薄膜，為了解決前述問題，在半導體裝置的制造時使用， 其特征在于，相對于該薄膜中的有機成分100重量份含量在0. 2 1重量份范圍內(nèi)的熱固 化催化劑，是以非結晶狀態(tài)含有的熱固化催化劑。根據(jù)所述構成，通過使熱固型芯片接合薄膜(以下有時稱為“芯片接合薄膜”)中 含有0. 2重量份以上非結晶狀態(tài)的熱固化催化劑，在對該芯片接合薄膜進行加熱使其熱固 化時，其加熱溫度比以往降低，并且加熱時間也縮短。這樣，即使降低熱固化時的加熱溫度 或加熱時間，也可以發(fā)揮充分的剪切膠粘力，因此，例如即使在對芯片接合在被粘物上的半 導體元件進行絲焊時，也可以提高成品率。另外，通過含有1重量份以下非結晶狀態(tài)的熱固 化催化劑，可以使室溫下的長期保存性良好。結果，例如即使將半導體晶片等安裝到本發(fā) 明的芯片接合薄膜上，也可以防止該芯片接合薄膜產(chǎn)生破裂。另外，本發(fā)明中的“非結晶狀 態(tài)”是指熱固化催化劑以不結晶的狀態(tài)包含在薄膜中，更具體而言，是指使用差示掃描量熱 計根據(jù)JIS K 7121的條件得到的差示掃描量熱(DSC)曲線中不顯示結晶峰值溫度。在此，在所述構成中，優(yōu)選在室溫下保存30天以上后的拉伸斷裂伸長度在長度方 向及寬度方向的至少任意一個方向上為200%以上。通過使所述預定條件下的拉伸斷裂伸 長度為200%以上，即使在室溫下保存預定時間后進行半導體芯片的安裝，也可以進一步防 止該芯片接合薄膜產(chǎn)生破裂。另外，本發(fā)明中的“拉伸斷裂伸長度”是彈性變形容許量的尺 度，是根據(jù)JIS-K7113在25°C的環(huán)境溫度下以10mm/分鐘的拉伸速度測定的斷裂時的伸長 度的值。另外，本發(fā)明中的“長度方向”是指薄膜的MD(縱向)方向，“寬度方向”是指與所 述長度方向正交的TD(橫向)方向。另外，所述構成中，優(yōu)選所述薄膜中含有酚樹脂，所述熱固化催化劑具有咪唑骨架 并且對所述酚樹脂顯示溶解性。另外，所述構成中，優(yōu)選所述熱固化催化劑為具有三苯基膦結構的鹽、具有三苯基 硼烷的鹽或具有氨基的物質(zhì)。如果為這些熱固化催化劑，則通過進行加熱處理可以引發(fā)芯 片接合薄膜的熱固化。另外，所述構成中，優(yōu)選所述熱固化催化劑為光產(chǎn)酸劑。通過對芯片接合薄膜照射 可見光或紫外線，可以使該光產(chǎn)酸劑進行光分解而產(chǎn)生酸，與此同時可以引發(fā)薄膜的熱固 化。另外，所述構成中，優(yōu)選熱固化后的260°C的拉伸儲存彈性模量為lOMPa以上。通 過使熱固化后的260°C的拉伸儲存彈性模量為lOMPa以上，例如即使對在熱固型芯片接合 薄膜上膠粘的半導體芯片等半導體元件進行絲焊時，也可以防止由于超聲波振動或加熱而 在芯片接合薄膜與引線框等被粘物的膠粘面上產(chǎn)生滑動變形。結果，可以提高絲焊的成功 率，從而可以進一步提高半導體裝置制造的成品率。另外，所述構成中，優(yōu)選通過所述加熱而熱固化后的粘貼面的表面能為40mJ/m2以 下。通過如所述構成那樣使熱固型芯片接合薄膜的粘貼面的表面能為40mJ/m2以下并抑制 其下降，可以使該粘貼面的潤濕性及膠粘強度良好。結果，即使將半導體元件芯片接合到被粘物上時，也可以抑制芯片接合薄膜與被粘物的交界處產(chǎn)生氣泡(空隙)，從而可以發(fā)揮良 好的膠粘性。另外，所述構成中，優(yōu)選熱固化后在85°C、85% RH的氣氛下放置168小時后的吸濕 率為1重量％以下。通過使吸濕率為1重量％以下，例如可以防止回流焊接工序中產(chǎn)生空 隙。另外，所述構成中，優(yōu)選熱固化后在250°C加熱1小時后的重量減少量為1重量％ 以下。通過使重量減少量為1重量％以下，例如可以防止在回流焊接工序中在封裝體上產(chǎn) 生裂紋。另外，本發(fā)明的切割芯片接合薄膜，為了解決前述問題，由前述的熱固型芯片接合 薄膜層疊在切割薄膜上而形成，其特征在于，所述芯片接合薄膜具有在基材上層疊有粘合 劑層的結構，所述熱固型芯片接合薄膜層疊在所述粘合劑層上。另外，本發(fā)明的半導體裝置制造方法，為了解決前述問題，使用前述的切割芯片接 合薄膜，其特征在于，包含以下工序?qū)⑺鰺峁绦托酒雍媳∧ぷ鳛檎迟N面，將所述切割 芯片接合薄膜粘貼在半導體晶片的背面的粘貼工序；將所述半導體芯片與所述熱固型芯片 接合薄膜一起切割，形成芯片狀半導體元件的切割工序；將所述半導體元件與所述熱固型 芯片接合薄膜一起從所述切割芯片接合薄膜上進行拾取的拾取工序；通過所述熱固型芯片 接合薄膜，將所述半導體元件芯片接合到被粘物上的芯片接合工序；將所述熱固型芯片接 合膜在加熱溫度80 200°C、加熱時間0. 1 24小時的范圍內(nèi)進行加熱而使其熱固化的熱 固化工序；和對所述半導體元件進行絲焊的絲焊工序。本發(fā)明中，作為用于將半導體元件芯片接合到被粘物上的芯片接合薄膜，使用在 薄膜中以非結晶狀態(tài)含有熱固化催化劑的芯片接合薄膜。如果是該芯片接合薄膜，則在室 溫下的長期保存性優(yōu)良，因此，例如將半導體晶片粘貼到芯片接合薄膜上，即使在室溫下長 期保存，芯片接合薄膜也不會產(chǎn)生破裂。另外，即使降低熱固化時的加熱溫度或加熱時間， 所述芯片接合薄膜也可以發(fā)揮充分的剪切膠粘力，因此在芯片接合工序后的熱固化工序 中，可以實現(xiàn)加熱溫度的降低(80 200°C范圍內(nèi))以及加熱時間的縮短(0. 1 24小時范 圍內(nèi))。即，如果是本發(fā)明的半導體裝置制造方法，與現(xiàn)有的半導體裝置制造方法相比，可以 提高作業(yè)效率，還可以提高成品率。


圖1是表示本發(fā)明的一個實施方式的切割芯片接合薄膜的剖面示意圖。圖2是表示所述實施方式的另一個切割芯片接合薄膜的剖面示意圖。圖3是表示通過所述切割芯片接合薄膜中的芯片接合薄膜安裝半導體芯片的例 子的剖面示意圖。圖4是表示通過所述切割芯片接合薄膜中的芯片接合薄膜三維安裝半導體芯片 的例子的剖面示意圖。圖5是表示使用所述切割芯片接合薄膜，隔著隔片利用芯片接合薄膜三維安裝兩 個半導體芯片的例子的剖面示意圖。圖6是表示不使用所述隔片，通過芯片接合薄膜三維安裝兩個半導體芯片的例子 的剖面示意圖。
具體實施例方式(切割芯片接合薄膜)對于本發(fā)明的熱固型芯片接合薄膜(以下稱為“芯片接合薄膜”)，以與切割薄膜 層疊為一體而得到的切割芯片接合薄膜為例進行如下說明。圖1是表示本實施方式的切割 芯片接合薄膜的剖面示意圖。圖2是表示本實施方式的另一個切割芯片接合薄膜的剖面示 意圖。如圖1所示，切割芯片接合薄膜10具有在切割薄膜11上層疊有芯片接合薄膜3的 結構。切割薄膜11通過在基材1上層疊粘合劑層2而構成，芯片接合薄膜3設置在該粘合 劑層2上。另外，本發(fā)明如圖2所示，也可以是僅在工件粘貼部分形成芯片接合薄膜3’的 構成。所述基材1具有紫外線透射性，并且作為切割芯片接合薄膜10、11的強度母體?？?以列舉例如低密度聚乙烯、線性聚乙烯、中密度聚乙烯、高密度聚乙烯、超低密度聚乙烯、 無規(guī)共聚聚丙烯、嵌段共聚聚丙烯、均聚丙烯、聚丁烯、聚甲基戊烯等聚烯烴、乙烯_乙酸乙 烯酯共聚物、離聚物樹脂、乙烯_(甲基)丙烯酸共聚物、乙烯_(甲基)丙烯酸酯(無規(guī)、交 替)共聚物、乙烯_ 丁烯共聚物、乙烯_己烯共聚物、聚氨酯、聚對苯二甲酸乙二醇酯、聚萘 二甲酸乙二醇酯等聚酯、聚碳酸酯、聚酰亞胺、聚醚醚酮、聚酰亞胺、聚醚酰亞胺、聚酰胺、全 芳族聚酰胺、聚苯硫醚、芳族聚酰胺(紙)、玻璃、玻璃布、含氟樹脂、聚氯乙烯、聚偏二氯乙 烯、纖維素類樹脂、聚硅氧烷樹脂、金屬(箔)、紙等。另外，作為基材1的材料，可以列舉前述樹脂的交聯(lián)體等聚合物。所述塑料薄膜可 以不拉伸而使用，也可以根據(jù)需要進行單軸或雙軸拉伸處理后使用。利用通過拉伸處理等 而賦予了熱收縮性的樹脂片，通過在切割后使該基材1熱收縮，可以減小粘合劑層2與芯片 接合薄膜3、3’的膠粘面積，從而可以容易地回收半導體芯片(半導體元件)。為了提高與鄰接層的密合性、保持性等，基材1的表面可以實施慣用的表面處理， 例如，鉻酸處理、臭氧暴露、火焰暴露、高壓電擊暴露、電離放射線處理等化學或物理處理、 利用底涂劑(例如后述的粘合物質(zhì))的涂布處理。所述基材1可以適當?shù)剡x擇使用同種或 不同種類的材料，根據(jù)需要也可以使用將數(shù)種材料共混后的材料。另外，為了賦予基材1防 靜電性能，可以在所述基材1上設置包含金屬、合金、它們的氧化物等的厚度為約30 A 約 500A的導電物質(zhì)的蒸鍍層?；?可以是單層或者兩種以上的多層。基材1的厚度沒有特別限制，可以適當確定，一般為約5 iim 約200 iim。所述粘合劑層2包含紫外線固化型粘合劑而構成。紫外線固化型粘合劑可以通過 紫外線的照射增大交聯(lián)度而容易地降低其粘合力，通過僅對圖2所示的粘合劑層2的與半 導體晶片粘貼部分對應的部分2a照射紫外線，可以設置2a與其它部分2b的粘合力之差。另外，通過與圖2所示的芯片接合薄膜3’配合使紫外線固化型的粘合劑層2固 化，可以容易地形成粘合力顯著下降的所述部分2a。由于芯片接合薄膜3’粘貼在固化而粘 合力下降的所述部分2a上，因此粘合劑層2的所述部分2a與芯片接合薄膜3’的界面具有 拾取時容易剝離的性質(zhì)。另一方面，未照射紫外線的部分具有充分的粘合力，形成所述部分 2b。如前所述，圖1所示的切割芯片接合薄膜10的粘合劑層2中，由未固化的紫外線固化型粘合劑形成的所述部分2b與芯片接合薄膜3粘合，可以確保切割時的保持力。這 樣，紫外線固化型粘合劑可以以良好的膠粘-剝離平衡支撐用于將半導體芯片芯片接合到 襯底等被粘物上的芯片接合薄膜3。圖2所示的切割芯片接合薄膜11的粘合劑層2中，所 述部分2b可以將貼片環(huán)(wafer ring)固定。所述紫外線固化型粘合劑可以沒有特別限制地使用具有碳-碳雙鍵等紫外線固 化性官能團，并且顯示粘合性的紫外線固化型粘合劑。作為紫外線固化型粘合劑，可以例示 例如在丙烯酸類粘合劑、橡膠類粘合劑等一般的壓敏粘合劑中配合紫外線固化性的單體 成分或低聚物成分的添加型紫外線固化型粘合劑。作為所述壓敏粘合劑，從半導體晶片或玻璃等避忌污染的電子部件的超純水或酒 精等有機溶劑的清潔洗滌性等的觀點考慮，優(yōu)選以丙烯酸類聚合物為基礎聚合物的丙烯酸 類粘合劑。作為所述丙烯酸類聚合物，可以列舉例如使用(甲基)丙烯酸烷基酯(例如，甲 酯、乙酯、丙酯、異丙酯、丁酯、異丁酯、仲丁酯、叔丁酯、戊酯、異戊酯、己酯、庚酯、辛酯、2-乙 基己酯、異辛酯、壬酯、癸酯、異癸酯、十一烷酯、十二烷酯、十三烷酯、十四烷酯、十六烷酯、 十八烷酯、二十烷酯等烷基的碳原子數(shù)1 30、特別是碳原子數(shù)4 18的直鏈或支鏈烷基 酯等)及(甲基)丙烯酸環(huán)烷酯(例如，環(huán)戊酯、環(huán)己酯等)的一種或兩種以上作為單體成 分的丙烯酸類聚合物等。另外，(甲基)丙烯酸酯表示丙烯酸酯和/或甲基丙烯酸酯，本發(fā) 明的(甲基)全部表示相同的含義。所述丙烯酸類聚合物，為了改善凝聚力、耐熱性等，根據(jù)需要可以含有與能夠同所 述(甲基)丙烯酸烷基酯或環(huán)烷酯共聚的其它單體成分對應的單元。作為這樣的單體成分， 可以列舉例如丙烯酸、甲基丙烯酸、(甲基)丙烯酸羧基乙酯、(甲基)丙烯酸羧基戊酯、 衣康酸、馬來酸、富馬酸、巴豆酸等含羧基單體；馬來酸酐、衣康酸酐等酸酐單體；(甲基)丙 烯酸-2-羥基乙酯、(甲基)丙烯酸-2-羥基丙酯、(甲基)丙烯酸-4-羥基丁酯、(甲基) 丙烯酸-6-羥基己酯、(甲基)丙烯酸-8-羥基辛酯、(甲基)丙烯酸-10-羥基癸酯、(甲 基)丙烯酸-12-羥基月桂酯、(甲基)丙烯酸(4-羥甲基環(huán)己基)甲酯等含羥基單體；苯 乙烯磺酸、烯丙磺酸、2_(甲基)丙烯酰胺-2-甲基丙磺酸、(甲基)丙烯酰胺丙磺酸、(甲 基)丙烯酸磺丙酯、(甲基)丙烯酰氧萘磺酸等含磺酸基單體；丙烯酰磷酸-2-羥基乙酯等 含磷酸基單體；丙烯酰胺、丙烯腈等。這些可共聚單體成分可以使用一種或兩種以上。這些 可共聚單體的使用量優(yōu)選為全部單體成分的40重量％以下。另外，所述丙烯酸類聚合物為了進行交聯(lián)根據(jù)需要也可以含有多官能單體等作為 共聚用單體成分。作為這樣的多官能單體，可以列舉例如己二醇二(甲基)丙烯酸酯、 (聚)乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、(聚)丙二醇二(甲基)丙烯酸酯、新戊二醇二(甲基) 丙烯酸酯、季戊四醇二(甲基)丙烯酸酯、三羥甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇三 (甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯、環(huán)氧(甲基)丙烯酸酯、聚酯(甲基) 丙烯酸酯、氨基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯等。這些多官能單體也可以使用一種或兩種以上。 多官能單體的使用量從粘合特性等觀點考慮優(yōu)選為全部單體成分的30重量％以下。所述丙烯酸類聚合物可以通過將單一單體或兩種以上單體的混合物聚合來得到。 聚合可以通過溶液聚合、乳液聚合、本體聚合、懸浮聚合等任意方式進行。從防止對潔凈被 粘物的污染等觀點考慮，優(yōu)選低分子量物質(zhì)的含量少。從該點考慮，丙烯酸類聚合物的數(shù)均分子量優(yōu)選為約30萬以上，更優(yōu)選約40萬 約300萬。另外，為了提高作為基礎聚合物的丙烯酸類聚合物等的數(shù)均分子量，所述粘合劑中也可以適當采用外部交聯(lián)劑。外部交聯(lián)方法的具體手段可以列舉添加多異氰酸酯化合 物、環(huán)氧化合物、氮丙啶化合物、三聚氰胺類交聯(lián)劑等所謂的交聯(lián)劑并使其反應的方法。使 用外部交聯(lián)劑時，其使用量根據(jù)與欲交聯(lián)的基礎聚合物的平衡以及作為粘合劑的使用用途 適當確定。一般而言，相對于所述基礎聚合物100重量份，優(yōu)選為5重量份以下。另外，下 限值優(yōu)選為0. 1重量份以上。另外，根據(jù)需要，在粘合劑中除前述成分以外也可以使用各種 增粘劑、抗老化劑等添加劑。作為配合的所述紫外線固化性單體成分，可以列舉例如氨基甲酸酯低聚物、氨基 甲酸酯(甲基)丙烯酸酯、三羥甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、四羥甲基甲烷四(甲基)丙 烯酸酯、季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇四(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇羥基五 (甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯、1，4_ 丁二醇二(甲基)丙烯酸酯等。 另外，紫外線固化性低聚物成分可以列舉氨基甲酸酯類、聚醚類、聚酯類、聚碳酸酯類、聚丁 二烯類等各種低聚物，其分子量在約100 約30000的范圍內(nèi)是適當?shù)?。紫外線固化性單 體成分或低聚物成分的配合量可以根據(jù)所述粘合劑層的種類適當?shù)卮_定能夠降低粘合劑 層的粘合力的量。一般而言，相對于構成粘合劑的丙烯酸類聚合物等基礎聚合物100重量 份，例如為約5重量份 約500重量份，優(yōu)選約40重量份 約150重量份。另外，作為紫外線固化型粘合劑，除了前面說明的添加型紫外線固化型粘合劑以 夕卜，還可以列舉使用在聚合物側(cè)鏈或主鏈中或者主鏈末端具有碳碳雙鍵的聚合物作為基礎 聚合物的內(nèi)在型紫外線固化型粘合劑。內(nèi)在型紫外線固化型粘合劑無需含有或者不大量 含有作為低分子量成分的低聚物成分等，因此低聚物成分等不會隨時間推移在粘合劑中移 動，可以形成穩(wěn)定的層結構的粘合劑層，因此優(yōu)選。所述具有碳碳雙鍵的基礎聚合物，可以沒有特別限制地使用具有碳碳雙鍵并且具 有粘合性的聚合物。作為這樣的基礎聚合物，優(yōu)選以丙烯酸類聚合物作為基本骨架的聚合 物。作為丙烯酸類聚合物的基本骨架，可以列舉前面例示過的丙烯酸類聚合物。所述丙烯酸類聚合物中碳碳雙鍵的導入方法沒有特別限制，可以采用各種方法， 而將碳碳雙鍵導入聚合物側(cè)鏈在分子設計上比較容易?？梢粤信e例如預先將在丙烯酸類 聚合物中具有官能團的單體共聚后，使具有能夠與該官能團反應的官能團和碳碳雙鍵的化 合物在保持碳碳雙鍵的紫外線固化性的情況下進行縮合或加成反應的方法。作為這些官能團的組合例，可以列舉例如羧基與環(huán)氧基、羧基與氮丙啶基、羥基 與異氰酸酯基等。這些官能團的組合中考慮反應追蹤的容易性，優(yōu)選羥基與異氰酸酯基的 組合。另外，如果是通過這些官能團的組合而生成所述具有碳碳雙鍵的丙烯酸類聚合物的 組合，則官能團可以在丙烯酸類聚合物與所述化合物的任意一側(cè)，在所述的優(yōu)選組合中，優(yōu) 選丙烯酸類聚合物具有羥基、所述化合物具有異氰酸酯基的情況。此時，作為具有碳碳雙鍵 的異氰酸酯化合物，可以列舉例如甲基丙烯酰異氰酸酯、2-甲基丙烯酰氧乙基異氰酸酯、 間異丙烯基-α，α-二甲基聯(lián)苯酰異氰酸酯等。另外，作為丙烯酸類聚合物，可以使用將前 面例示的含羥基單體或2-羥基乙基乙烯基醚、4-羥基丁基乙烯基醚、二乙二醇單乙烯基醚 的醚類化合物等共聚而得到的聚合物。所述內(nèi)在型紫外線固化型粘合劑可以單獨使用所述具有碳碳雙鍵的基礎聚合物(特別是丙烯酸類聚合物)，也可以在不損害特性的范圍內(nèi)配合所述紫外線固化性單體成 分或低聚物成分。紫外線固化性低聚物成分等相對于基礎聚合物100重量份通常在30重 量份的范圍內(nèi)，優(yōu)選0 10重量份的范圍。所述紫外線固化型粘合劑在通過紫外線等固化時可以含有光聚合引發(fā)劑。作為光 聚合引發(fā)劑，可以列舉例如4-(2_羥基乙氧基)苯基(2-羥基-2-丙基)酮、α _輕基-α， α ’-二甲基苯乙酮、2-甲基-2-羥基苯丙酮、1-羥基環(huán)己基苯基酮等α-酮醇類化合物； 甲氧基苯乙酮、2，2_二甲氧基-2-苯基苯乙酮、2，2_二乙氧基苯乙酮、2-甲基-1-[4-(甲硫 基)苯基]-2-嗎啉基丙烷-1-酮等苯乙酮類化合物；苯偶姻乙醚、苯偶姻異丙醚、茴香偶姻 甲基醚等苯偶姻醚類化合物；聯(lián)苯酰二甲基縮酮等縮酮類化合物；2-萘磺酰氯等芳香族磺 酰氯類化合物；1-苯酮-1，1-丙烷二酮-2-(0-乙氧基羰基)肟等光活性肟類化合物；二苯 甲酮、苯甲酰苯甲酸、3，3’_二甲基-4-甲氧基二苯甲酮等二苯甲酮類化合物；噻噸酮、2-氯 噻噸酮、2-甲基噻噸酮、2，4_ 二甲基噻噸酮、異丙基噻噸酮、2，4_ 二氯噻噸酮、2，4_ 二乙基 噻噸酮、2，4_ 二異丙基噻噸酮等噻噸酮類化合物；樟腦醌；鹵代酮；?；⒀趸?；?；?酸酯等。光聚合引發(fā)劑的配合量相對于構成粘合劑的丙烯酸類聚合物等基礎聚合物100重 量份，例如為約0. 05重量份 約20重量份。另外，作為紫外線固化型粘合劑，可以列舉例如日本特開昭60-196956號公報中 所公開的、含有具有2個以上不飽和鍵的加成聚合性化合物、具有環(huán)氧基的烷氧基硅烷等 光聚合性化合物、和羰基化合物、有機硫化合物、過氧化物、胺、鐺鹽類化合物等光聚合引發(fā) 劑的橡膠類粘合劑或丙烯酸類粘合劑等。作為在所述粘合劑層2中形成所述部分2a的方法，可以列舉在基材1上形成紫 外 線固化型粘合劑層2后，對所述部分2a局部地照射紫外線使其固化的方法。局部的紫外 線照射可以通過形成有與半導體晶片粘貼部分3a以外的部分3b等對應的圖案的光掩模來 進行。另外，可以列舉點狀照射紫外線進行固化的方法等。紫外線固化型粘合劑層2的形 成可以通過將設置在隔片上的紫外線固化型粘合劑層轉(zhuǎn)印到基材1上來進行。局部的紫外 線照射也可以對設置在隔片上的紫外線固化型粘合劑層2進行。切割芯片接合薄膜10的粘合劑層2中，可以對粘合劑層2的一部分進行紫外線照 射，使所述部分2a的粘合力<其它部分2b的粘合力。即，可以使用對基材1的至少單面 的、與半導體晶片粘貼部分3a對應的部分以外的部分的整體或局部進行遮光的基材，在該 基材上形成紫外線固化型粘合劑層2后進行紫外線照射，使半導體晶片粘貼部分3a對應的 部分固化，從而形成粘合力下降的所述部分2a。由此，可以有效地制造本發(fā)明的切割芯片接 合薄膜10。粘合劑層2的厚度沒有特別限制，從防止芯片切割面的缺口和保持膠粘層的固 定的兼顧性等觀點考慮，優(yōu)選為約1 μ m 約50 μ m,更優(yōu)選約2 μ m 約30 μ m,更優(yōu)選約 5 μ m 取 25 μ m。芯片接合薄膜3、3’中，以非結晶狀態(tài)含有熱固化催化劑。所述熱固化催化劑優(yōu)選 在芯片接合薄膜3、3’中均勻地混合，并且在不結晶的情況下分散。在此，熱固化催化劑的含 量相對于薄膜中的有機成分100重量份為0. 2 1重量份，更優(yōu)選0. 3 0. 6重量份。熱固 化催化劑的含量如果為1重量份以下，則可以改善室溫下的長期保存性。結果，例如即使將 半導體晶片等安裝到本發(fā)明的芯片接合薄膜上，也可以防止該芯片接合薄膜產(chǎn)生破裂。另一方面，如果其含量為0. 2重量份以上，則對芯片接合薄膜3、3’進行加熱使其熱固化時，其加熱溫度可以比以往低，并且加熱時間也可以縮短。所述熱固化催化劑沒有特別限制，可以列舉例如具有咪唑骨架的鹽、具有三苯基 膦結構的鹽、具有三苯基硼烷結構的鹽、具有氨基的物質(zhì)等。作為所述具有咪唑骨架的鹽，優(yōu)選對芯片接合薄膜3、3’的構成材料即酚樹脂(詳 細見后述)顯示溶解性的物質(zhì)。但是，包含具有咪唑骨架的鹽的熱固化催化劑只要在芯片 接合薄膜3、3’中以非結晶狀態(tài)含有即可，因此，例如對于后述的膠粘劑組合物的溶液也可 以具有不溶性。具體而言，可以列舉例如2-苯基咪唑(商品名2PZ)、2-乙基-4-甲基咪 唑(商品名2E4MZ)、2-甲基咪唑(商品名2MZ)、2- i^一烷基咪唑(商品名C11Z)、2_苯 基-4，5-二羥甲基咪唑(商品名2寸擬)、2，4-二氨基-6-(2’-甲基咪唑基(1)’)乙基-均 三嗪異氰脲酸加成物(商品名2MA0K-PW)等(均為四國化成株式會社制)。另外，所述“溶 解性”，是指包含具有咪唑骨架的鹽的熱固化催化劑在含有酚樹脂的溶劑中溶解的性質(zhì)，更 具體而言，是指在溫度10 40°C的范圍內(nèi)至少溶解10重量％以上。所述具有三苯基膦結構的鹽沒有特別限制，可以列舉例如三苯基膦、三丁基 膦、三(對甲基苯基)膦、三(壬基苯基)膦、二苯基甲苯基膦等三有機膦、四苯基溴化鱗 (TPP-PB)、甲基三苯基鱗(商品名TPP-MB)、甲基三苯基氯化鱗(TPP-MC)、甲氧基甲基三 苯基鱗(商品名TPP-M0C)、芐基三苯基氯化鱗(商品名TPP-ZC)等(均為北興化學公司 制)。另外，芯片接合薄膜3、3’含有環(huán)氧樹脂而構成時，作為熱固化催化劑優(yōu)選具有三苯基 膦結構、并且對環(huán)氧樹脂實質(zhì)上顯示非溶解性的熱固化催化劑。對環(huán)氧樹脂為非溶解性時， 可以抑制熱固化過度進行。作為具有三苯基膦結構、并且對環(huán)氧樹脂實質(zhì)上顯示非溶解性 的熱固化催化劑，可以例示例如甲基三苯基鱗(商品名TPP-MB)等。另外，所述“非溶解 性”是指包含具有三苯基膦結構的鹽的熱固化催化劑在含有環(huán)氧樹脂的溶劑中不溶解，更 具體而言，是指在溫度10 40°C的范圍內(nèi)不溶解10重量％以上。所述具有三苯基硼烷結構的鹽沒有特別限制，可以列舉例如三(對甲基苯基)膦 等。另外，作為具有三苯基硼烷結構的鹽，也包括還具有三苯基膦結構的鹽。該具有三苯基 膦結構及三苯基硼烷結構的鹽沒有特別限制，可以列舉例如四苯基鱗四苯基硼酸鹽(商 品名TPP-K)、四苯基鱗四對甲苯基硼酸鹽(商品名ΤΡΡ-ΜΚ)、芐基三苯基鱗四苯基硼酸鹽 (商品名τρρ-ζκ)、三苯基膦三苯基硼烷(商品名TPP-s)等(均為北興化學公司制)。所述具有氨基的熱固化催化劑沒有特別限制，可以列舉例如單乙醇胺三氟硼酸 鹽(7〒，*彡7 7株式會社制)、雙氰胺(f力，^〒；^夕株式會社制)等。另外，本發(fā)明的熱固化催化劑除前面例示的以外也可以是光產(chǎn)酸劑。通過對芯片 接合薄膜照射可見光或紫外線，該光產(chǎn)酸劑進行光分解而產(chǎn)生酸，與此同時可以引發(fā)薄膜 的熱固化。所述光產(chǎn)酸劑沒有特別限制，可以列舉例如雙(環(huán)己基磺?；?重氮甲烷(商 品名WPAG-145、和光純藥株式會社制)等。另外，前面例示的各種熱固化催化劑可以一種單獨使用或者兩種以上混合使用。 另外，所述熱固化催化劑的形狀沒有特別限制，可以使用例如球狀、橢球體狀的熱固化催化 劑。另外，芯片接合薄膜3、3’的通過加熱而熱固化后的260°C下的拉伸儲存彈性模量 為IOMPa以上，更優(yōu)選在10 50MPa的范圍內(nèi)。由此，即使在絲焊工序時，也不會由于超聲波振動或加熱而在芯片接合薄膜3、3’與被粘物的膠粘面上產(chǎn)生滑動變形。結果，可以提高 絲焊的成功率。另外，關于使芯片接合薄膜3、3’熱固化時的加熱條件，在后面詳述。另外，芯片接合薄膜3、3’中，優(yōu)選熱固化后的粘貼面的表面能為40mJ/m2以下。如 果表面能為40mJ/m2以下，則可以改善粘貼面的潤濕性和膠粘強度，結果，即使將半導體元 件芯片接合到被粘物上時，也可以抑制芯片接合薄膜3、3’與被粘物的交界處產(chǎn)生氣泡(空 隙)，從而可以發(fā)揮良好的膠粘性。另外，所述表面能的下限值優(yōu)選為37mJ/m2以上。由此， 可以改善對襯底等被粘物的密合性。另外，熱固化后的芯片接合薄膜3、3’的吸濕率優(yōu)選為1重量％以下，更優(yōu)選0.8重 量％以下。通過使吸濕率為1重量％以下，例如，在回流焊接工序中可以防止空隙的產(chǎn)生。 吸濕率例如可以通過改變無機填料的添加量來調(diào)節(jié)。另外，吸濕率通過 在85°C、85% RH的 氣氛下放置168小時后的重量變化來計算。另外，熱固化后的芯片接合薄膜3、3’的重量減少量優(yōu)選為1重量％以下，更優(yōu)選 0.8重量％以下。通過使重量減少量為1重量％以下，例如，在回流焊接工序中可以防止封 裝體上產(chǎn)生裂紋。重量減少量例如可以通過添加能夠減少無鉛回流焊接時的裂紋產(chǎn)生的無 機物來調(diào)節(jié)。重量減少量通過在260°C、1小時的條件下加熱時的重量變化來計算。芯片接合薄膜3、3’的層疊結構沒有特別限制，可以列舉例如可以僅包含膠粘劑 層的單層結構，或者在芯材的單面或雙面上形成有膠粘劑層的多層結構等。作為所述芯材， 可以列舉薄膜(例如，聚酰亞胺薄膜、聚酯薄膜、聚對苯二甲酸乙二醇酯薄膜、聚萘二甲酸 乙二醇酯薄膜、聚碳酸酯薄膜等)、用玻璃纖維或塑料制無紡纖維增強的樹脂襯底、硅襯底 或玻璃襯底等。作為構成所述芯片接合薄膜3、3’的膠粘劑組合物，可以列舉組合使用熱塑性樹脂 與熱固性樹脂的膠粘劑組合物。作為所述熱塑性樹脂，可以列舉天然橡膠、丁基橡膠、異戊 二烯橡膠、氯丁橡膠、乙烯_乙酸乙烯酯共聚物、乙烯_丙烯酸共聚物、乙烯_丙烯酸酯共聚 物、聚丁二烯樹脂、聚碳酸酯樹脂、熱塑性聚酰亞胺樹脂、尼龍6、尼龍66等聚酰胺樹脂、苯 氧基樹脂、丙烯酸類樹脂、PET或PBT等飽和聚酯樹脂、聚酰胺酰亞胺樹脂或含氟樹脂等。這 些熱塑性樹脂可以單獨使用或者兩種以上組合使用。這些熱塑性樹脂中，特別優(yōu)選離子性 雜質(zhì)少、耐熱性高、能夠確保半導體元件的可靠性的丙烯酸類樹脂。作為所述丙烯酸類樹脂沒有特別限制，可以列舉以一種或兩種以上具有碳原子數(shù) 30以下、特別是碳原子數(shù)4 18的直鏈或支鏈烷基的丙烯酸或甲基丙烯酸的酯作為成分 的聚合物等。作為所述烷基，可以列舉例如甲基、乙基、丙基、異丙基、正丁基、叔丁基、異丁 基、戊基、異戊基、己基、庚基、環(huán)己基、2-乙基己基、辛基、異辛基、壬基、異壬基、癸基、異癸 基、十一烷基、十二烷基、十三烷基、十四烷基、硬脂基、十八烷基等。另外，作為形成所述聚合物的其它單體沒有特別限制，可以列舉例如丙烯酸、甲 基丙烯酸、丙烯酸羧乙酯、丙烯酸羧戊酯、衣康酸、馬來酸、富馬酸或巴豆酸等含羧基單體； 馬來酸酐或衣康酸酐等酸酐單體；(甲基)丙烯酸-2-羥基乙酯、(甲基)丙烯酸-2-羥基丙 酯、(甲基)丙烯酸-4-羥基丁酯、(甲基)丙烯酸-6-羥基己酯、(甲基)丙烯酸-8-羥基辛 酯、(甲基)丙烯酸-10-羥基癸酯、(甲基)丙烯酸-12-羥基月桂酯或甲基丙烯酸-(4-羥 甲基環(huán)己基)酯等含羥基單體；苯乙烯磺酸、烯丙磺酸、2-(甲基)丙烯酰胺-2-甲基丙磺 酸、(甲基)丙烯酰胺丙磺酸、(甲基)丙烯酸磺丙酯或(甲基)丙烯酰氧萘磺酸等含磺酸基單體；丙烯酰磷酸-2-羥基乙酯等含磷酸基單體等。所述熱固性樹脂的配合比例，只要是在預定條件下加熱時芯片接合薄膜3、3’發(fā)揮 作為熱固型的功能的程度則沒有特別限制，優(yōu)選在5 60重量％的范圍內(nèi)，更優(yōu)選在10 50重量％的范圍內(nèi)。作為所述熱固性樹脂，可以列舉酚樹脂、氨基樹脂、不飽和聚酯樹脂、環(huán)氧樹脂、 聚氨酯樹脂、聚硅氧烷樹脂或熱固性聚酰亞胺樹脂等。這些樹脂可以單獨使用或者兩種以 上組合使用。特別優(yōu)選腐蝕半導體元件的離子性雜質(zhì)等的含量少的環(huán)氧樹脂。另外，優(yōu)選 酚樹脂作為環(huán)氧樹脂的固化劑。所述環(huán)氧樹脂只要是作為膠粘劑組合物一般使用的環(huán)氧樹脂即可，沒有特別限 制，可以使用例如雙酚A型、雙酚F型、雙酚S型、溴化雙酚A型、氫化雙酚A型、雙酚AF 型、聯(lián)苯型、萘型、芴型、苯酚酚醛清漆型、鄰甲酚酚醛清漆型、三羥苯基甲烷型、四羥苯基乙 烷型等雙官能環(huán)氧樹脂或多官能環(huán)氧樹脂、或者乙內(nèi)酰脲型、異氰脲酸三縮水甘油酯型或 縮水甘油基胺型等環(huán)氧樹脂。這些環(huán)氧樹脂可 以單獨使用或者兩種以上組合使用。這些環(huán) 氧樹脂中，特別優(yōu)選酚醛清漆型環(huán)氧樹脂、聯(lián)苯型環(huán)氧樹脂、三羥苯基甲烷型樹脂或四羥苯 基乙烷型環(huán)氧樹脂。因為這些環(huán)氧樹脂與作為固化劑的酚樹脂的反應性高、耐熱性等優(yōu)良。另外，所述酚樹脂作為環(huán)氧樹脂的固化劑起作用，可以列舉例如苯酚酚醛清漆樹 月旨、苯酚芳烷基樹脂、甲酚酚醛清漆樹脂、叔丁基苯酚酚醛清漆樹脂、壬基苯酚酚醛清漆樹 脂等酚醛清漆型酚樹脂、可溶可熔型酚醛樹脂、聚對羥基苯乙烯等聚羥基苯乙烯等。這些酚 樹脂可以單獨使用或者兩種以上組合使用。這些酚樹脂中，特別優(yōu)選苯酚酚醛清漆樹脂、苯 酚芳烷基樹脂。因為可以提高半導體裝置的連接可靠性。所述環(huán)氧樹脂與酚樹脂的配合比例，例如，優(yōu)選以相對于所述環(huán)氧樹脂成分中的 環(huán)氧基1當量，酚樹脂中的羥基為0. 5 2. 0當量的比例進行配合。更優(yōu)選0. 8 1. 2當 量。即，兩者的配合比例如果在所述范圍以外，則不能進行充分的固化反應，環(huán)氧樹脂固化 物的特性容易劣化。另外，在本發(fā)明中，特別優(yōu)選使用環(huán)氧樹脂、酚樹脂及丙烯酸樹脂的芯片接合薄 膜。這些樹脂中離子性雜質(zhì)少、耐熱性高，因此可以確保半導體元件的可靠性。此時的配比 是相對于丙烯酸樹脂成分100重量份，環(huán)氧樹脂與酚樹脂的混合量為10 200重量份。預先使本發(fā)明的芯片接合薄膜3、3’某種程度地交聯(lián)時，可以在制作時添加與聚合 物的分子鏈末端的官能團等反應的多官能化合物作為交聯(lián)劑。由此，可以提高高溫下的膠 粘特性，改善耐熱性。作為所述交聯(lián)劑，可以采用現(xiàn)有公知的交聯(lián)劑。特別是更優(yōu)選甲苯二異氰酸酯、 二苯基甲烷二異氰酸酯、對苯二異氰酸酯、1，5_萘二異氰酸酯、多元醇與二異氰酸酯的加成 物等多異氰酸酯化合物。交聯(lián)劑的添加量相對于所述聚合物100重量份通常優(yōu)選設定為 0. 05 7重量份。交聯(lián)劑的量如果超過7重量份，則膠粘力下降，因此不優(yōu)選。另一方面， 如果低于0. 05重量份，則凝聚力不足，因此不優(yōu)選。另外，根據(jù)需要，可以與這樣的多異氰 酸酯化合物一同含有環(huán)氧樹脂等其它多官能化合物。另外，芯片接合薄膜3、3’中，根據(jù)其用途可以適當配合無機填充劑。無機填充劑的 配合可以賦予導電性、提高導熱性、調(diào)節(jié)彈性模量等。作為所述無機填充劑，可以列舉例如 包含二氧化硅、粘土、石膏、碳酸鈣、硫酸鋇、氧化鋁、氧化鈹、碳化硅、氮化硅等陶瓷類、鋁、銅、銀、金、鎳、鉻、鉛、錫、鋅、鈀、焊錫等金屬、或者合金類、以及碳等的各種無機粉末。其中，優(yōu)選二氧化硅，特別優(yōu)選使用熔融二氧化硅。另外，無機填充劑的平均粒徑優(yōu)選在0.1 80 μ m的范圍內(nèi)。所述無機填充劑的配合量相對于有機樹脂成分100重量份優(yōu)選設定為0 80重量份。特別優(yōu)選0 70重量份。另外，芯片接合薄膜3、3’中，除了所述無機填充劑以外，根據(jù)需要可以適當配合其 它添加劑。作為其它添加劑，可以列舉例如阻燃劑、硅烷偶聯(lián)劑或離子捕獲劑等。作為所 述阻燃劑，可以列舉例如三氧化銻、五氧化銻、溴化環(huán)氧樹脂等。這些阻燃劑可以單獨使用 或者兩種以上組合使用。作為所述硅烷偶聯(lián)劑，可以列舉例如β_(3，4-環(huán)氧環(huán)己基)乙 基三甲氧基硅烷、Y-環(huán)氧丙氧基丙基三甲氧基硅烷、Y-環(huán)氧丙氧基丙基甲基二乙氧基硅 烷等。這些化合物可以單獨使用或者兩種以上組合使用。作為所述離子捕獲劑，可以列舉 例如水滑石類、氫氧化鉍等。這些離子捕獲劑可以單獨使用或者兩種以上組合使用。芯片接合薄膜3、3’的厚度(層疊體的情況下為總厚度)沒有特別限制，例如，為 ^ 5ym 取 100 μ m,5 μ m 取 50 μ m。所述切割芯片接合薄膜10、11的芯片接合薄膜3、3’優(yōu)選由隔片保護(未圖示)。 隔片具有作為在供給實際使用之前保護芯片接合薄膜3、3’的保護材料的功能。另外，隔片 還可以作為將芯片接合薄膜3、3’轉(zhuǎn)印到粘合劑層2上時的支撐基材使用。隔片在將工件 粘貼到切割芯片接合薄膜的芯片接合薄膜3、3’上時剝離。作為隔片，可以使用聚對苯二甲 酸乙二醇酯(PET)、聚乙烯、聚丙烯或者利用含氟剝離劑、長鏈烷基丙烯酸酯類剝離劑等剝 離劑進行過表面涂布的塑料薄膜或紙等。本實施方式的切割芯片接合薄膜10、11例如如下制作。首先，基材1可以通過現(xiàn)有公知的制膜方法制膜。作為該制膜方法，可以例示例 如壓延制膜法、有機溶劑中的澆注法、密閉體系中的吹脹擠出法、T形模頭擠出法、共擠出 法、干式層壓法等。接著，在基材1上涂布粘合劑組合物溶液形成涂膜，然后在預定條件下使該涂膜 干燥(根據(jù)需要加熱交聯(lián))而形成粘合劑層2。作為涂布方法沒有特別限制，可以列舉例 如棍涂法、絲網(wǎng)涂布法、凹版涂布法等。另外，作為干燥條件，例如在干燥溫度80 150°C、 干燥時間0. 5 5分鐘的范圍內(nèi)進行。另外，也可以在隔片上涂布粘合劑組合物形成涂膜 后，在前述干燥條件下干燥涂膜而形成粘合劑層2。之后，將粘合劑層2與隔片一起粘貼到 基材1上。由此，制作切割薄膜11.芯片接合薄膜3、3’例如如下制作。首先，制作作為切割芯片接合薄膜3、3’的形成材料的膠粘劑組合物溶液。在該膠 粘劑組合物溶液中，如前所述，配合有所述膠粘劑組合物和熱固化催化劑、以及其它各種添 加劑等。此時，優(yōu)選膠粘劑組合物溶液中的熱固化催化劑在溶液中不結晶而均勻地溶解。 另外，如果是本發(fā)明的熱固化催化劑，則可以縮短在膠粘劑組合物溶液中溶解的時間。具體 而言，相對于有機成分100重量份在0. 2 1重量份的范圍內(nèi)進行溶解時，溶解時間可以在 0. 1 2小時的范圍內(nèi)進行。但是，只要在成膜后的薄膜中不結晶即可，在膠粘劑組合物溶 液中可以結晶、或者不分散而呈不溶狀態(tài)。然后，將膠粘劑組合物溶液涂布到基材隔片上達到預定厚度而形成涂膜后，在預 定條件下干燥該涂膜，形成膠粘劑層。作為涂布方法沒有特別限制，可以列舉例如輥涂法、絲網(wǎng)涂布法、凹版涂布法等。另外，作為干燥條件，例如可以在干燥溫度70 160°C、干燥時 間1 5分鐘的范圍內(nèi)進行。另外，也可以將粘合劑組合物溶液涂布到隔片上形成涂膜后， 在前述干燥條件下干燥涂膜而形成膠粘劑層。之后，將膠粘劑層與隔片一起粘貼到基材隔 片上。接著，從切割薄膜11和膠粘劑層上分別剝離隔片，以膠粘劑層與粘合劑層成為粘 貼面的方式將兩者粘貼。粘貼例如可以通過壓接來進行。此時，層壓溫度沒有特別限制，例 如優(yōu)選30 50°C，更優(yōu)選35 45°C。另外，線壓沒有特別限制，例如優(yōu)選0. 1 20kgf/ cm，更優(yōu)選1 lOkgf/cm。然后，將膠粘劑層上的基材隔片剝離，得到本實施方式的切割芯
片接合薄膜。(半導體裝置的制造方法)本發(fā)明的切割芯片接合薄膜10、11，通過將在芯片接合薄膜3、3’上任意設定的隔 片適當剝離后如下使用。以下，參考圖3以使用切割芯片接合薄膜10的情況為例進行說明。 首先，將半導體晶片4壓接在切割芯片接合薄膜10中的芯片接合薄膜3的半導體 晶片粘貼部分3a上，并使其膠粘保持而固定(粘貼工序)。本工序利用壓接輥等擠壓手段 擠壓來進行。安裝時的粘貼溫度沒有特別限制，例如優(yōu)選在20 80°C的范圍內(nèi)。然后，進行半導體晶片4的切割。由此，將半導體晶片4切割為預定尺寸而小片 化，制作半導體芯片5。切割例如按照常規(guī)方法從半導體晶片4的電路面一側(cè)進行。另外， 本工序中，例如，可以采用切入到切割芯片接合薄膜10的、稱為全切割的切割方式等。本工 序中使用的切割裝置沒有特別限制，可以采用現(xiàn)有公知的切割裝置。另外，半導體晶片由切 割芯片接合薄膜10膠粘固定，因此可以抑制芯片缺口或芯片飛散，并且可以抑制半導體晶 片4的破損。為了剝離由切割芯片接合薄膜10膠粘固定的半導體芯片，進行半導體芯片5的拾 取。拾取方法沒有特別限制，可以采用現(xiàn)有公知的各種方法。例如，可以列舉用針將各個 半導體芯片5從切割芯片接合薄膜10 —側(cè)上推，利用拾取裝置拾取上推的半導體芯片5的
方法等。在此，由于粘合劑層2為紫外線固化型，因此，在對該粘合劑層2照射紫外線后進 行拾取。由此，粘合劑層2對芯片接合薄膜3a的粘合力下降，使半導體芯片5容易剝離。結 果，可以在不損傷半導體芯片5的情況下進行拾取。紫外線照射時的照射強度、照射時間等 條件沒有特別限制，可以根據(jù)需要適當設定。另外，作為紫外線照射時使用的光源，可以使 用前述的光源。拾取的半導體芯片5通過芯片接合薄膜3a膠粘到被粘物6上而固定(芯片接合)。 作為被粘物6，可以列舉引線框、TAB薄膜、襯底或者單獨制作的半導體芯片等。被粘物6 例如可以是容易變形的變形型被粘物，也可以是難以變形的非變形型被粘物(半導體晶片
寸乂 O作為所述襯底，可以使用現(xiàn)有公知的襯底。另外，所述引線框可以使用Cu引線框、 42合金引線框等金屬引線框或包含玻璃環(huán)氧、BT (雙馬來酰亞胺-三嗪)、聚酰亞胺等的有 機襯底。但是，本發(fā)明不限于此，也包含安裝半導體元件、與半導體元件電連接后可以使用 的電路襯底。芯片接合薄膜3為熱固型，因此，通過加熱固化，將半導體芯片5膠粘固定在被粘物6上，使耐熱強度提高。此時，本發(fā)明與現(xiàn)有的芯片接合薄膜相比可以降低加熱溫度，并 且可以縮短加熱時間。結果，可以在加熱溫度為80 200°C、優(yōu)選100 175°C、更優(yōu)選 100 140°C下進行。另外，可以在加熱時間為0. 1 24小時、優(yōu)選0. 1 3小時、更優(yōu)選 0. 2 1小時下進行。另外，通過半導體芯片粘貼部分3a將半導體芯片5膠粘固定到襯底 等上而得到的材料可以供給回流焊接工序。熱固化后的芯片接合薄膜3對被粘物6的剪切膠粘力優(yōu)選為0. 2MPa以上、更優(yōu)選 0. 2 lOMPa。芯片接合薄膜3的剪切膠粘力如果至少為0. 2MPa以上，則在絲焊工序時，不 會因該工序中的超聲波振動或加熱而在芯片接合薄膜3與半導體芯片5或被粘物6的膠粘 面上產(chǎn)生滑動變形。即，半導體元件不會因絲焊時的超聲波振動而活動，由此，可以防止絲 焊的成功率下降。另外，本發(fā)明的半導體裝置的制造方法，可以不經(jīng)過芯片接合薄膜3的利用加熱 處理進行的熱固化工序而進行絲焊，再用密封樹脂將半導體芯片5密封，并將該密封樹脂 后固化。此時，芯片接合薄膜3暫時固著時對被粘物6的剪切膠粘力優(yōu)選為0. 2MPa以上、 更優(yōu)選0. 2 lOMPa。芯片接合薄膜3暫時固著時的剪切膠粘力如果至少為0. 2MPa以上， 則即使不經(jīng)過加熱工序而進行絲焊工序，也不會因該工序 中的超聲波振動或加熱而在芯片 接合薄膜3與半導體芯片5或被粘物6的膠粘面上產(chǎn)生滑動變形。即，半導體元件不會因 絲焊時的超聲波振動而活動，由此，可以防止絲焊的成功率下降。所述絲焊是利用焊線7將被粘物6的端子部(內(nèi)部引線)的末端與半導體芯片5 上的電極焊盤(未圖示)電連接的工序(參考圖3)。作為所述焊線7，可以使用例如金 線、鋁線或銅線等。進行絲焊時的溫度在80 250°C、優(yōu)選80 220°C的范圍內(nèi)進行。另 夕卜，其加熱時間進行數(shù)秒 數(shù)分鐘。連接是在所述溫度范圍內(nèi)加熱的狀態(tài)下，通過組合使用 超聲波振動能和施加的壓力而產(chǎn)生的壓接能來進行。本工序可以在不進行芯片接合薄膜3a 的熱固化的情況下進行。另外，本工序的過程中半導體芯片5與被粘物6未通過芯片接合 薄膜3a而固著。所述密封工序是通過密封樹脂8將半導體芯片5密封的工序(參考圖3)。本工 序是為了保持搭載在被粘物6上的半導體芯片5或焊線7而進行的。本工序通過用模具將 密封用的樹脂成型來進行。作為密封樹脂8，例如可以使用環(huán)氧類樹脂。樹脂密封時的加 熱溫度通常在175°C下進行60 90秒時間，但是，本發(fā)明不限于此，例如，也可以在165 185°C下固化數(shù)分鐘。由此，在使密封樹脂固化的同時通過芯片接合薄膜3a將半導體芯片5 與被粘物6固著。即，本發(fā)明中，即使在不進行后述的后固化工序的情況下，本工序中也可 以利用芯片接合薄膜3a進行固著，從而可以有助于減少制造工序數(shù)及縮短半導體裝置的 制造時間。所述后固化工序中，使在前述密封工序中固化不足的密封樹脂8完全固化。即使 在密封工序中芯片接合薄膜3a未完全熱固化的情況下，在本工序中也可以與密封樹脂8 — 起實現(xiàn)芯片接合薄膜3a的完全熱固化。本工序中的加熱溫度因密封樹脂的種類而異，例 如，在165 185°C的范圍內(nèi)，加熱時間為約0.5小時 約8小時。另外，本發(fā)明的切割芯片接合薄膜，如圖4所示，也可以適合用于將多個半導體芯 片層疊進行三維安裝的情況。圖4是表示通過芯片接合薄膜三維安裝半導體芯片的例子的 剖面示意圖。圖4所示的三維安裝的情況下，首先，將切割為與半導體芯片相同尺寸的至少一個芯片接合薄膜3a芯片接合在被粘物6上后，通過芯片接合薄膜3a將半導體芯片5以 其絲焊面為上側(cè)的方式進行芯片接合。然后，避開半導體芯片5的電極焊盤部分將芯片接 合薄膜13進行芯片接合。進而，將另一個半導體芯片15以其絲焊面為上側(cè)的方式芯片接 合到芯片接合薄膜13上。然后，不進行芯片接合薄膜3a的熱固化工序而進行絲焊工序。由此，通過焊線7 將半導體芯片5和另一個半導體芯片15中的各個電極焊盤與被粘物6電連接。接著，利用密封樹脂8進行將半導體芯片5等密封的密封工序，并使密封樹脂固 化。與此同時，使芯片接合薄膜3a熱固化，將被粘物6與半導體芯片5之間膠粘固定。另 夕卜，通過芯片接合薄膜13將半導體芯片5與另一個半導體芯片15之間膠粘固定。另外，密 封工序后，可以進行后固化工序。即使在半導體芯片的三維安裝的情況下，也不進行芯片接合薄膜3a、13的利用加 熱的加熱處理，因此可以簡化制造工序并且提高成品率。另外，被粘物6不會發(fā)生翹曲，半 導體芯片5及另一個半導體芯片15也不會產(chǎn)生裂紋，因此能夠?qū)崿F(xiàn)半導體元件 的進一步的
薄型化。另外，如圖5所示，可以進行通過芯片接合薄膜在半導體芯片間層疊隔片的三維 安裝。圖5是表示隔著隔片利用芯片接合薄膜三維安裝兩個半導體芯片的例子的剖面示意 圖。圖5所示的三維安裝的情況下，首先，在被粘物6上依次層疊芯片接合薄膜3a、半 導體芯片5和芯片接合薄膜21并進行芯片接合。進而，在芯片接合薄膜21上，依次層疊隔 片9、芯片接合薄膜21、芯片接合薄膜3a和半導體芯片5并進行芯片接合。然后，不進行芯片接合薄膜3a的熱固化工序而如圖5所示進行絲焊工序。由此， 將半導體芯片5上的電極焊盤與被粘物6用焊線7電連接。接著，進行利用密封樹脂8將半導體芯片5密封的密封工序，通過使密封樹脂8與 芯片接合薄膜3a、21 —起熱固化，將被粘物6與半導體芯片5之間、以及半導體芯片5與隔 片9之間膠粘固定。由此，可以得到半導體封裝體。密封工序優(yōu)選僅將半導體芯片5—側(cè) 單面密封的統(tǒng)一密封法。密封是為了保護粘貼在粘合片上的半導體芯片5而進行的，其代 表方法是使用密封樹脂8在模具中成型。此時，一般使用包含具有多個型腔的上模具和下 模具的模具，同時進行密封工序。樹脂密封時的加熱溫度例如優(yōu)選在170 180°C的范圍 內(nèi)。密封工序后，可以進行后固化工序。另外，作為所述隔片9沒有特別限制，例如，可以使用現(xiàn)有公知的硅片、聚酰亞胺 薄膜等。另外，所述隔片可以使用芯材。作為芯材沒有特別限制，可以使用現(xiàn)有公知的芯 材。具體而言，可以使用薄膜(例如，聚酰亞胺薄膜、聚酯薄膜、聚對苯二甲酸乙二醇酯薄 膜、聚萘二甲酸乙二醇酯薄膜、聚碳酸酯薄膜等)、用玻璃纖維或塑料制無紡纖維增強的樹 脂襯底、鏡面硅晶片、硅襯底或玻璃襯底等。然后，在印刷電路板上表面安裝所述的半導體封裝體。表面安裝方法可以列舉例 如預先在印刷電路板上供給焊料后，通過熱風等加熱熔融進行焊接的回流焊接。加熱方法 可以列舉熱風回流、紅外線回流等。另外，可以是整體加熱、局部加熱的任意方式。加熱溫 度優(yōu)選為230 280°C，加熱時間優(yōu)選在1 360秒的范圍內(nèi)。另外，如圖6所示，可以不使用所述隔片9而將金線等焊線的一部分埋入到芯片接合薄膜中，通過該芯片接合薄膜進行將多個半導體芯片5層疊的三維安裝(FoW(Film On Wire))。近年來，為了封裝體的小型化和工序的簡化，應用在芯片接合薄膜中直接埋入金 線等焊線7的安裝方法來代替隔片方式(參考圖5)。使用該安裝方法時，需要在芯片粘貼 (die attach)工序中將焊線埋入，因此，在烘烤階段(B-stage)要求低的拉伸儲存彈性模 量，另一方面，在絲焊工序等高溫工藝中，要求高的拉伸儲存彈性模量。因此，芯片接合薄膜 的拉伸儲存彈性模量需要隨熱固化等而變化。因此，使用熱固化促進劑作為催化劑而該熱 固化催化劑對環(huán)氧樹脂顯示溶解性時，室溫保存性顯著下降。但是，本發(fā)明中使用對環(huán)氧樹 脂顯示非溶解性的熱固化催化劑，因此，可以滿足室溫保存性。結果，即使是在芯片接合薄 膜中直接埋入焊線的方式的情況下，本發(fā)明的熱固型芯片接合薄膜也可以適合應用。圖6是表示利用芯片接合薄膜22三維安裝兩個半導體芯片5的例子的剖面示意 圖。該圖所示的三維安裝的情況下，首先，在被粘物6上依次層疊芯片接合薄膜3a和半導 體芯片5并進行芯片接合。接著，不進行芯片接合薄膜22的熱固化工序而進行絲焊工序。 由此，利用焊線7將半導體芯片5上的電極焊盤與被粘物6電連接。
接著，在將芯片接合薄膜22按壓到所述半導體芯片5上的同時進行層疊。此時， 焊線7的一部分為埋入芯片接合薄膜22中的構成。接著，在芯片接合薄膜22上層疊新的 半導體芯片5并進行芯片接合。另外，與前述同樣地不進行芯片接合薄膜22的熱固化工序 而進行絲焊工序。之后，進行利用密封樹脂8將半導體芯片5密封的密封工序，通過使密封樹脂8與 芯片接合薄膜3a、22 —起熱固化，將被粘物6與半導體芯片5之間、以及半導體芯片5相互 之間膠粘固定。由此，得到半導體封裝體。密封工序的條件與前述同樣，另外，在該方式的 情況下，在密封工序后，可以進行后固化工序。然后，在印刷電路板上表面安裝所述的半導體封裝體。表面安裝方法可以列舉例 如預先在印刷電路板上供給焊料后，通過熱風等加熱熔融進行焊接的回流焊接。加熱方法 可以列舉熱風回流、紅外線回流等。另外，可以是整體加熱、局部加熱的任意方式。加熱溫 度優(yōu)選為240 265°C，加熱時間優(yōu)選在1 20秒的范圍內(nèi)。以下，例示本發(fā)明的優(yōu)選實施例進行詳細說明，但是，該實施例中記載的材料或配 合量等只要沒有特別限定的記載，則本發(fā)明的主旨并不限于此。(實施例1)相對于100重量份以丙烯酸乙酯-甲基丙烯酸甲酯為主成分的丙烯酸酯類聚合 物(根上工業(yè)株式會社制，)” “> W-197CM)，將雙酚A型環(huán)氧樹脂1(JER株式會社 制，Epicoat 1004) 87重量份、雙酚A型環(huán)氧樹脂2 (JER株式會社制，Epicoat 827) 79重量 份、苯酚芳烷基樹脂(三井化學株式會社制，S > ？々7 XLC-4L)178重量份、球狀二氧化 硅(τ·卜'7 々7株式會社制，S0-25R) 296重量份、作為熱固化催化劑的四苯基鱗硫氰 酸鹽(北興化學工業(yè)株式會社制，商品名TPP-SCN)0.2重量份溶解于甲乙酮中，得到濃度 23. 6重量％的膠粘劑組合物。另外，將各構成材料溶解于甲乙酮時的溶解溫度為23°C，熱 固化催化劑在該溶液中不結晶而溶解所需的溶解時間為20分鐘。將該膠粘劑組合物溶液涂布到聚硅氧烷脫模處理后的厚度50 μ m的聚對苯二甲 酸乙二醇酯薄膜制成的脫模處理薄膜(剝離襯墊)上，然后在130°C干燥2分鐘。由此，制 作厚度40 μ m的芯片接合薄膜A。
(實施例2)本實施例2中，除了將熱固化催化劑的添加量變?yōu)?. 0重量份以外，與前述實施例1同樣地操作，制作本實施例的芯片接合薄膜B。另外，在膠粘劑組合物溶液的制作中，將各 構成材料溶解于甲乙酮時的溶解溫度為23°C，熱固化催化劑在該溶液中不結晶而溶解所需 的溶解時間為20分鐘。(實施例3)本實施例3中，除了使用0. 2重量份的2，4_ 二氨基_6_[2’ -甲基咪唑 基-(1’)]_乙基均三嗪異氰脲酸加成物(商品名2MA0K-PW，四國化成株式會社制)作為 熱固化催化劑以外，與前述實施例1同樣地操作，制作本實施例的芯片接合薄膜C。另外，在 膠粘劑組合物溶液的制作中，將各構成材料溶解于甲乙酮時的溶解溫度為23°C，熱固化催 化劑在該溶液中不結晶而溶解所需的溶解時間為20分鐘。(實施例4)本實施例4中，除了將熱固化催化劑的添加量變?yōu)?. 0重量份以外，與前述實施例 3同樣地操作，制作本實施例的芯片接合薄膜D。另外，在膠粘劑組合物溶液的制作中，將各 構成材料溶解于甲乙酮時的溶解溫度為23°C，熱固化催化劑在該溶液中不結晶而溶解所需 的溶解時間為20分鐘。(實施例5)本實施例5中，除了使用芐基三苯基鱗四苯基硼酸鹽(北興化學工業(yè)株式會社制， 商品名TPP-ZK)作為熱固化催化劑并且將其添加量變?yōu)?.0重量份以外，與前述實施例1 同樣地操作，制作本實施例的芯片接合薄膜Ε。另外，在膠粘劑組合物溶液的制作中，將各構 成材料溶解于甲乙酮時的溶解溫度為23°C，熱固化催化劑在該溶液中不結晶而溶解所需的 溶解時間為20分鐘。(比較例1)本比較例1中，除了將熱固化催化劑的添加量變?yōu)?. 1重量份以外，與前述實施例 1同樣地操作，制作本比較例的芯片接合薄膜F。另外，在膠粘劑組合物溶液的制作中，將各 構成材料溶解于甲乙酮時的溶解溫度為23°C，熱固化催化劑在該溶液中不結晶而溶解所需 的溶解時間為20分鐘。(比較例2)本比較例2中，除了將熱固化催化劑的添加量變?yōu)?. 5重量份以外，與前述實施例 1同樣地操作，制作本比較例的芯片接合薄膜G。另外，在膠粘劑組合物溶液的制作中，將各 構成材料溶解于甲乙酮時的溶解溫度為23°C，熱固化催化劑在該溶液中不結晶而溶解所需 的溶解時間為20分鐘。(比較例3)本比較例3中，除了使用2，4_ 二氨基_6-[2，-甲基咪唑基-(1，)]-乙基均三嗪 異氰脲酸加成物(商品名2MA0K-PW，四國化成株式會社制)作為熱固化催化劑并且將其添 加量變?yōu)?. 1重量份以外，與前述實施例1同樣地操作，制作本比較例的芯片接合薄膜H。 另外，在膠粘劑組合物溶液的制作中，將各構成材料溶解于甲乙酮時的溶解溫度為23°C，熱 固化催化劑在該溶液中不結晶而溶解所需的溶解時間為20分鐘。(比較例4)
本比較例4中，除了使用2，4_ 二氨基_6-[2，-甲基咪唑基-(1，)]-乙基均三嗪 異氰脲酸加成物(商品名2MA0K-PW，四國化成株式會社制)作為熱固化催化劑并且將其添 加量變?yōu)?. 5重量份以外，與前述實施例1同樣地操作，制作本比較例的芯片接合薄膜I。 另外，在膠粘劑組合物溶液的制作中，將各構成材料溶解于甲乙酮時的溶解溫度為23°C，熱 固化催化劑在該溶液中不結晶而溶解所需的溶解時間為20分鐘。(拉伸斷裂伸長度)對于芯片接合薄膜A I，分別切割為初始長度40mm、寬度10mm的短條狀測定片。 然后，使用Tensilon萬能試驗機(RTE-1210，工一 7 > K r ^ 一公司制)在拉伸速度10mm/ 分鐘、夾盤間距30mm的條件下測定25°C的拉伸斷裂伸長度。另外，測定對于將各芯片接合 薄膜A I不在室溫下保存的情況和在室溫(25°C、55% RH)保存30天的情況分別進行。(熱固化后的高溫剪切膠粘力)在40°C下將芯片接合薄膜A I分別粘貼到半導體元件上，并在160°C、0. 2MPa下 安裝到BGA襯底上。接著，在預定條件下使各芯片接合薄膜A I熱固化后，測定175°C的 剪切膠粘力。另外，使各芯片接合薄膜A I熱固化時的加熱處理條件如下表1和表2所
7J\ o剪切膠粘力的測定，是將各試驗片固定到可控制溫度的熱板上，利用推拉力計以 0. 5mm/秒的速度對芯片粘貼后的半導體元件進行水平擠壓，測定剪切膠粘力。另外，測定裝 置使用八> 卟于7夕一(〒4夕一公司制)。(晶片安裝性)將芯片接合薄膜A I分別在室溫(25°C、55%RH)保存30天。之后，使用熱輥層 合機，分別粘貼到晶片(直徑6英寸)上。粘貼條件是溫度40°C、0. lm/分鐘、壓力0. 5MPa。 粘貼后，對于芯片接合薄膜A I目視確認有無破裂或缺口的產(chǎn)生。結果，未產(chǎn)生破裂或缺 口的評價為晶片安裝性良好(〇)，產(chǎn)生破裂或缺口的評價為晶片安裝性不良(X)。(絲焊性)關于絲焊性，將芯片接合薄膜的熱固化后的175°C的剪切膠粘力為0. 2MPa以上的 情況評價為良好(〇)，將低于0. 2MPa的情況評價為不良(X)。關于絲焊性，例如，通過超聲波熱壓接法，在超聲波輸出時間10ms、焊接負荷 180. 50mN、級溫(卞〒一 7溫度)175°C的條件下將絲焊用金線(直徑23 y m)進行焊接時， 如果芯片接合薄膜的熱固化后的剪切膠粘力為0. 2MPa以上則絲焊的成功率為100%以上。 因此，本實施例中，將芯片接合薄膜的熱固化后的175°C的剪切膠粘力為0. 2MPa作為絲焊 性的評價標準。(結果)如下表1和下表2的結果所示，如果是像實施例1 4那樣以非結晶狀態(tài)含有熱 固化催化劑的芯片接合薄膜A D，則可以確認室溫保存30天后的斷裂伸長度及晶片安裝 性的室溫保存性均優(yōu)良，絲焊性也良好。與此相對，如果是像比較例1和比較例3那樣，盡管以非結晶狀態(tài)含有熱固化催化 劑但是其含量為0. 1重量份的芯片接合薄膜F和H，則熱固化后的剪切膠粘力極低，絲焊性 下降。由此可以確認，芯片接合薄膜F、H，在120°C、1小時的條件下進行的加熱處理中，它 們的熱固化不充分。另外可以確認，如果是像比較例2和比較例4那樣熱固化催化劑的含量為1. 5重量份的芯片接合薄膜G和I，則斷裂伸長度及晶片安裝性的室溫保存性均下降。表1 表權利要求
一種熱固型芯片接合薄膜，在半導體裝置的制造時使用，其特征在于，相對于該薄膜中的有機成分100重量份含量在0.2～1重量份范圍內(nèi)的熱固化催化劑，是以非結晶狀態(tài)含有的熱固化催化劑。
2.如權利要求1所述的熱固型芯片接合薄膜，其中，所述薄膜中含有酚樹脂，所述熱固 化催化劑具有咪唑骨架并且對所述酚樹脂顯示溶解性。
3.如權利要求1所述的熱固型芯片接合薄膜，其中，所述熱固化催化劑為具有三苯基 膦結構的鹽、具有三苯基硼烷結構的鹽或具有氨基的物質(zhì)。
4.如權利要求1所述的熱固型芯片接合薄膜，其中，所述熱固化催化劑為光產(chǎn)酸劑。
5.如權利要求1所述的熱固型芯片接合薄膜，其中，在室溫下保存30天以上后的拉伸 斷裂伸長度在長度方向及寬度方向的至少任意一個方向上為200%以上。
6.如權利要求1所述的熱固型芯片接合薄膜，其中，熱固化后的260°C的拉伸儲存彈性 模量為lOMPa以上。
7.如權利要求1所述的熱固型芯片接合薄膜，其中，熱固化后的粘貼面的表面能為 40mJ/m2 以下。
8.如權利要求1所述的熱固型芯片接合薄膜，其中，熱固化后在85°C、85%RH的氣氛 下放置168小時后的吸濕率為1重量％以下。
9.如權利要求1所述的熱固型芯片接合薄膜，其中，熱固化后在250°C加熱1小時后的 重量減少量為1重量％以下。
10.一種切割芯片接合薄膜，由權利要求1所述的熱固化芯片接合薄膜層疊在切割薄 膜上而形成，其中，所述芯片接合薄膜具有在基材上層疊有粘合劑層的結構，所述熱固型芯片接合薄膜層 疊在所述粘合劑層上。
11.一種半導體裝置的制造方法，使用權利要求10所述的切割芯片接合薄膜，其中，包 含以下工序?qū)⑺鰺峁绦托酒雍媳∧ぷ鳛檎迟N面，將所述切割芯片接合薄膜粘貼在半導體晶片 的背面的粘貼工序；將所述半導體芯片與所述熱固型芯片接合薄膜一起切割，形成芯片狀半導體元件的切 割工序；將所述半導體元件與所述熱固型芯片接合薄膜一起從所述切割芯片接合薄膜上進行 拾取的拾取工序；通過所述熱固型芯片接合薄膜，將所述半導體元件芯片接合到被粘物上的芯片接合工序；將所述熱固型芯片接合膜在加熱溫度80 200°C、加熱時間0. 1 24小時的范圍內(nèi)進 行加熱而使其熱固化的熱固化工序；和對所述半導體元件進行絲焊的絲焊工序。
全文摘要
本發(fā)明提供在半導體芯片的接合時可以大幅縮短作業(yè)時間的熱固型芯片接合薄膜及該熱固型芯片接合薄膜與切割薄膜層疊而形成的切割芯片接合薄膜。本發(fā)明的熱固型芯片接合薄膜，是半導體裝置制造時使用的熱固型芯片接合薄膜，其特征在于，相對于該薄膜中的有機成分100重量份含量在0.2～1重量份范圍內(nèi)的熱固化催化劑，是以非結晶狀態(tài)含有的熱固化催化劑。
文檔編號C09J7/00GK101857778SQ20101016234
公開日2010年10月13日 申請日期2010年4月8日 優(yōu)先權日2009年4月8日
發(fā)明者宍戶雄一郎, 高本尚英 申請人:日東電工株式會社