專利名稱：一種高速射流噴頭的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及集成電路晶片清潔裝置技術領域，具體涉及一種高速射流噴頭。
背景技術：
隨著集成電路特征尺寸進入到深亞微米階段，制造集成電路晶片工藝中的清洗工 藝要求也越來越高。我國的清洗行業(yè)多年來一直處于采用化學清洗和手工清洗方式的狀 態(tài)。無論是化學清洗還是人工清洗都存在著清洗成本高、效率低、污染環(huán)境等問題，遠遠不 能滿足現(xiàn)代社會日益增長的工業(yè)及民用清洗要求。目前，已有應用高速射流于集成電路晶片制造工藝中的清洗工藝，但這種射流是 通過一個噴嘴來實現(xiàn)的。該噴嘴射出的射流直徑較大，包含了大量的非垂直入射流，導致清 潔晶片效率低下，并且造成；大量清潔液體的浪費，加大清潔成本。

發(fā)明內容
(一 )要解決的技術問題本發(fā)明要解決的技術問題是在制作半導體集成電路器件過程中，如何達到高效率 的清洗晶片的要求，并且實現(xiàn)降低成本的目的。( 二 )技術方案為了解決上述問題，本發(fā)明提供一種高速射流噴頭，包括所述噴頭具有若干個圓 孔，所述圓孔包括若干個微孔，所述微孔貫通至噴頭的底部。進一步地，所述圓孔的直徑為5_15mm。進一步地，所述微孔為漏斗型，所述微孔輸出端的直徑為微米級，所述微孔輸出端 的直徑大于所述漏斗柱體的直徑。進一步地，所述微孔的長度是其輸出端直徑的5-10倍。進一步地，所述若干個微孔間的間距為0. 5mm。進一步地，還包括所述噴頭的上表面空間留有空腔。進一步地，還包括與噴頭固定連接的可移動模塊。進一步地，所述噴頭為石英、紅寶石或高分子材料制作。(三)有益效果本發(fā)明的優(yōu)點和有益效果在于本發(fā)明高速射流噴頭具有若干個貫通的微孔，清 潔液體通過多個微孔形成對晶片表面垂直入射的高速射流，最大程度的限制流體的非垂直 射出，提高對晶片上殘留物的腐蝕清洗效率，降低清潔成本。


圖1是本發(fā)明實施例高速射流噴頭的剖面結構示意2是本發(fā)明實施例高速射流噴頭的結構示意圖；圖3是本發(fā)明實施例高速射流噴頭微孔結構示意圖。
圖中1、圓孔；2、微孔；3、可移動模塊；4、側口。
具體實施例方式下面結合附圖和實施例，對本發(fā)明的具體實施方式
作進一步詳細描述。以下實施 例用于說明本發(fā)明，但不用來限制本發(fā)明的范圍。如圖1-3所示，為本發(fā)明實施例高速射流噴頭結構示意圖，該噴頭具有若干個圓 孔1，該圓孔1包括若干個微孔2，微孔2貫通至該噴頭的底部。該噴頭由抗酸堿腐蝕的石 英、紅寶石或高分子材料制作，該噴頭的形狀可以為三角形、長方形、圓形、菱形或其他幾何 形狀。采用激光溶爆鉆孔的方式在噴頭上形成若干個圓孔，該圓孔的直徑范圍為5-15mm。 優(yōu)選為10mm。每個圓孔中具有若干個微孔2，微孔2都經過退火處理消除內部應力。微孔 2貫通至該噴頭的底部，具有導入介質的入口和導出介質的出口。該微孔2為漏斗型，微孔 2的入口直徑比出口的直徑大，其輸出端的直徑為微米級，微孔輸出端的直徑大于漏斗柱體 的直徑。微孔2的長度是其輸出端直徑的5-10倍。若干個微孔2間的間距為0.5mm。該微孔的漏斗柱體部分為射流加速段，當清潔介質流體流經微孔時，在射流加速 段產生高速射流射向晶片表面，最大限度的減少射流的發(fā)散，使更多的清潔介質流體垂直 的作用在晶片上。該噴頭的上部邊緣留有空腔，用于存放清潔介質。該噴頭的側面上具有導入清潔 介質的側口 4。本發(fā)明中的清潔介質為水或化學藥液。該清潔介質所承受的壓力為5-7kg/ cm2。在該壓強下，清潔介質通過微孔時，可形成對晶片表面垂直入射的高速射流。高速射 流產生垂直的入射力和沿特征尺寸的側壁的超薄的邊界層，加速了被清洗和腐蝕的有機污 染物通過邊界層的擴散。從微孔2射出的高速射流的流速可達幾百米每秒，流速的控制通 過改變空腔的清潔介質的壓力來實現(xiàn)。流速的改變可根據(jù)晶片特征尺寸的大小、等離子腐 蝕后有機污染物的多少和腐蝕清洗的要求決定的。該噴頭還包括可移動模塊3，該噴頭與可移動模板3固定連接，通過該可移動模板 3，噴頭可以在旋轉的晶片襯底上表面的一定高度沿徑向運動。本發(fā)明高速射流噴頭還可以配置兆聲波換能器，利用兆聲波物理傳輸原理來進一 步提高腐蝕清洗的效率。本發(fā)明實施例中所指的晶片包括但不限于為集成電路晶片、光盤、硬盤、 LED (Light Emitting Diode，發(fā)光二極管)顯示屏、TFTLCD (Thin Film Transistor-Liquid Crystal Display，薄膜晶體管液晶顯示器)或其他半導體領域晶片。本發(fā)明高速射流噴頭具有若干個貫通的微孔，清潔液體通過多個微孔形成對晶片 表面垂直入射的高速射流，最大程度的限制了流體的非垂直射出，提高了對晶片上殘留物 的腐蝕清洗效率。以上實施方式僅用于說明本發(fā)明，而并非對本發(fā)明的限制，有關技術領域的普通 技術人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍的情況下，還可以做出各種變化和變型，因此所有 等同的技術方案也屬于本發(fā)明的范疇，本發(fā)明的專利保護范圍應由權利要求限定。
權利要求
1.一種高速射流噴頭，其特征在于，包括所述噴頭具有若干個圓孔，所述圓孔包括若 干個微孔，所述微孔貫通至噴頭的底部。
2.如權利要求1所述的高速射流噴頭，其特征在于，所述圓孔的直徑為5-15mm。
3.如權利要求1所述的高速射流噴頭，其特征在于，所述微孔為漏斗型，所述微孔輸出 端的直徑為微米級，所述微孔輸出端的直徑大于所述漏斗柱體的直徑。
4.如權利要求3所述的高速射流噴頭，其特征在于，所述微孔的長度是其輸出端直徑 的5-10倍。
5.如權利要求1所述的高速射流噴頭，其特征在于，所述若干個微孔間的間距為 0. 5mmο
6.如權利要求1所述的高速射流噴頭，其特征在于，還包括所述噴頭的上表面空間留有空腔。
7.如權利要求1所述的高速射流噴頭，其特征在于，還包括與噴頭固定連接的可移動 模塊。
8.如權利要求1所述的高速射流噴頭，其特征在于，所述噴頭由石英、紅寶石或高分子 材料制作。
9.如權利要求1所述的高速射流噴頭，其特征在于，所述噴頭的側面上具有導入清潔 介質的側口。
全文摘要
本發(fā)明涉及集成電路晶片清潔工藝技術領域，具體公開了一種高速射流噴頭。該噴頭具有若干個圓孔，圓孔包括若干個微孔，微孔貫通至噴頭的底部。本發(fā)明高速射流噴頭具有若干個貫通的微孔，清潔液體通過多個微孔形成對晶片表面垂直入射的高速射流，最大程度的限制流體的非垂直射出，提高對晶片上殘留物的腐蝕清洗效率，降低清潔成本。
文檔編號B05B1/14GK102069040SQ201010572640
公開日2011年5月25日 申請日期2010年11月29日 優(yōu)先權日2010年11月29日
發(fā)明者劉福生, 吳儀, 王銳廷, 韓麗娜 申請人:北京七星華創(chuàng)電子股份有限公司