一種有機(jī)電致發(fā)光器件及其制備方法
【專(zhuān)利摘要】本發(fā)明提供了一種有機(jī)電致發(fā)光器件，包括依次層疊的陽(yáng)極導(dǎo)電基板、空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層和陰極，還包括設(shè)置在陰極表面的保護(hù)層，保護(hù)層依次包括有機(jī)阻擋層、無(wú)機(jī)阻擋層和吸濕層，無(wú)機(jī)阻擋層的材質(zhì)為金屬硒化物，金屬硒化物為Sb2Se3、MoSe2、Bi2Se3、NbSe2、TaSe2和Cu2Se中的一種或多種；吸濕層的材質(zhì)為氧化鈣、氧化鋇、氧化鍶或氧化鎂。本發(fā)明還提供了該有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，該方法可有效減少水汽和氧對(duì)電致發(fā)光器件的侵蝕，提高有機(jī)電致發(fā)光器件的壽命。
【專(zhuān)利說(shuō)明】一種有機(jī)電致發(fā)光器件及其制備方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001 ] 本發(fā)明涉及有機(jī)電致發(fā)光器件，具體涉及一種有機(jī)電致發(fā)光器件及其制備方法。【背景技術(shù)】
[0002]有機(jī)電致發(fā)光器件(OLED)是基于有機(jī)材料的一種電流型半導(dǎo)體發(fā)光器件。其典型結(jié)構(gòu)是在透明陽(yáng)極和金屬陰極之間夾有多層有機(jī)材料薄膜(空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子輸送層和電子注入層)，當(dāng)電極間施加一定的電壓后，發(fā)光層就會(huì)發(fā)光。近年來(lái)，有機(jī)電致發(fā)光器件由于本身制作成本低、響應(yīng)時(shí)間短、發(fā)光亮度高、寬視角、低驅(qū)動(dòng)電壓以及節(jié)能環(huán)保等特點(diǎn)已經(jīng)在全色顯示、背光源和照明等領(lǐng)域受到了廣泛關(guān)注，并被認(rèn)為是最有可能在未來(lái)的照明和顯示器件市場(chǎng)上占據(jù)霸主地位的新一代器件。[0003]目前，有機(jī)電致發(fā)光器件存在壽命較短的問(wèn)題，這主要是因?yàn)橛袡C(jī)材料薄膜很疏松，易被空氣中的水汽和氧氣等成分滲入后迅速發(fā)生老化。因此，有機(jī)電致發(fā)光器件進(jìn)入實(shí)際使用之前必須進(jìn)行封裝，封裝的好壞直接關(guān)系到有機(jī)電致發(fā)光器件的壽命。
[0004]傳統(tǒng)技術(shù)中采用玻璃蓋或金屬蓋進(jìn)行封裝，其邊沿用紫外聚合樹(shù)脂密封，但這種方法中使用的玻璃蓋或金屬蓋體積往往較大，增加了器件的重量，并且該方法不能應(yīng)用于柔性有機(jī)電致放光器件的封裝。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]為克服上述現(xiàn)有技術(shù)的缺陷，本發(fā)明提供了一種有機(jī)電致發(fā)光器件及其制備方法。該有機(jī)電致發(fā)光器件在陰極表面設(shè)置有保護(hù)層，可有效地減少水、氧等活性物質(zhì)對(duì)器件的侵蝕，從而顯著地提高有機(jī)電致發(fā)光器件的壽命。其制備方法工藝簡(jiǎn)單，材料廉價(jià)易得，適于工業(yè)化生產(chǎn)。
[0006]—方面,本發(fā)明提供了一種有機(jī)電致發(fā)光器件，包括依次層疊的陽(yáng)極導(dǎo)電基板、空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層和陰極，還包括設(shè)置在所述陰極表面的保護(hù)層，所述保護(hù)層依次包括有機(jī)阻擋層、無(wú)機(jī)阻擋層和吸濕層，所述有機(jī)阻擋層的材質(zhì)為酞菁銅、N，N’-(1-萘基)-N，N’_ 二苯基-4，4’-聯(lián)苯二胺、八羥基喹啉鋁、4，4’，4"-三(N-3-甲基苯基-N-苯基氨基)三苯胺或4，7 —二苯基一 1，10 —鄰菲羅啉；所述無(wú)機(jī)阻擋層的材質(zhì)為金屬硒化物，所述金屬硒化物為Sb2Se3、MoSe2> Bi2Se3^ NbSe2> TaSe2和Cu2Se中的一種或多種；所述吸濕層的材質(zhì)為氧化鈣、氧化鋇、氧化鍶或氧化鎂。
[0007]各功能層的作用分別為陽(yáng)極導(dǎo)電基板(襯底和陽(yáng)極導(dǎo)電作用)、空穴注入層(注入空穴，有利于空穴從陽(yáng)極注入到傳輸材料中)、空穴傳輸層(傳輸空穴，有利于空穴傳輸?shù)桨l(fā)光材料中)、發(fā)光層(電子和空穴在此層中復(fù)合，然后將能量轉(zhuǎn)移給發(fā)光分子發(fā)光)、電子傳輸層(傳輸電子，有利于電子傳輸?shù)桨l(fā)光材料中)、電子注入層(注入電子，有利于電子從陽(yáng)極注入到傳輸材料中)、陰極(電源為器件提供電子)，陰極表面的保護(hù)層(保護(hù)陰極和有機(jī)層)。
[0008]優(yōu)選地，所述有機(jī)阻擋層的厚度為20(T300nm。[0009]有機(jī)阻擋層材質(zhì)酞菁銅(CuPc)、N，N’ - (1-萘基)-N，N’ - 二苯基_4，4’ -聯(lián)苯二胺(NPB)、八羥基喹啉鋁(Alq3)、4，4’，4〃 -三(N_3_甲基苯基-N-苯基氨基)三苯胺(m-MTDATA)*4，7 —二苯基一 1，10 —鄰菲羅啉(BCP)可通過(guò)真空蒸鍍的方式沉積在金屬陰極表面。有機(jī)阻擋層的存在可以保護(hù)各功能層和陰極在后續(xù)操作過(guò)程中免遭破壞。
[0010]無(wú)機(jī)阻擋層的材質(zhì)為金屬硒化物，所述金屬硒化物為Sb2Se3、MoSe2、Bi2Se3、NbSe2、TaSe2和Cu2Se中的一種或多種。以硒化物制備成的無(wú)機(jī)阻擋層致密性高，防水防氧的能力強(qiáng)，能有效阻擋外部水汽、氧氣對(duì)器件內(nèi)部的侵蝕，延長(zhǎng)器件的使用壽命。
[0011]優(yōu)選地，無(wú)機(jī)阻擋層的厚度為100~150nm。
[0012]優(yōu)選地，所述吸濕層的材質(zhì)為氧化鈣、氧化鋇、氧化鍶或氧化鎂。優(yōu)選地，所述吸濕層的厚度為10(T200nm。氧化鈣(CaO)、氧化鋇(BaO)、氧化鍶(SrO)和氧化鎂(MgO)均為高吸水性物質(zhì)，因而可有效吸收入侵器件的水汽，降低水汽對(duì)器件產(chǎn)生的破壞。
[0013]優(yōu)選地，陽(yáng)極導(dǎo)電基板包括陽(yáng)極導(dǎo)電層和基板，其基板可以為玻璃基板或有機(jī)薄膜基板，陽(yáng)極導(dǎo)電層的材質(zhì)可以為導(dǎo)電氧化物，如，氧化銦錫(ΙΤ0)、摻鋁氧化鋅(ΑΖ0)、摻銦氧化鋅(IZO)或摻氟氧化鋅(FT0)，這些導(dǎo)電氧化物被制備在玻璃基板上，簡(jiǎn)稱ITO玻璃、AZO玻璃、IZO玻璃、FTO玻璃。陽(yáng)極導(dǎo)電基板可以自制，也可以市購(gòu)獲得。在實(shí)際應(yīng)用中，可以根據(jù)需要選擇其他合適的材料作為陽(yáng)極導(dǎo)電基板。在實(shí)際應(yīng)用中，可以在陽(yáng)極導(dǎo)電基板上制備所需的有機(jī)電致發(fā)光器件的陽(yáng)極圖形。陽(yáng)極導(dǎo)電基板為現(xiàn)有技術(shù)，在此不再贅述。
[0014]優(yōu)選地，所述空穴注入層的材質(zhì)為MoO3摻雜30%質(zhì)量分?jǐn)?shù)的N，N’ - 二苯基-N，N’ - 二(1-萘基)-1, I’ -聯(lián)苯-4，4’ - 二胺(NPB)形成的混合材料；所述空穴傳輸層的材質(zhì)為4，4’，4"-三(咔唑 -9-基)三苯胺(TCTA);所述發(fā)光層的材質(zhì)為1，3，5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯(TPBI)摻雜5%質(zhì)量分?jǐn)?shù)的三(2-苯基吡啶)合銥(Ir(ppy)3)形成的混合材料；所述電子傳輸層的材質(zhì)為4，7-二苯基-1，10-菲羅啉(Bphen);所述電子注入層的材質(zhì)為4，7- 二苯基-1，10-菲羅啉(Bphen)摻雜30%質(zhì)量分?jǐn)?shù)的CsN3形成的混合材料。
[0015]陰極可以為非透明金屬陰極(鋁、銀、金等)，也可以為透明陰極(介質(zhì)層夾雜金屬層形成的介質(zhì)層/金屬層/介質(zhì)層結(jié)構(gòu)等)。
[0016]優(yōu)選地，所述有機(jī)電致發(fā)光器件還包括設(shè)置在所述保護(hù)層上的散熱層和封裝蓋，所述封裝蓋與所述陽(yáng)極導(dǎo)電基板形成封閉空間，所述空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層、陰極、保護(hù)層和散熱層容置在所述封閉空間內(nèi)。
[0017]優(yōu)選地，所述散熱層的材質(zhì)為金屬鋁、銀和銅中的一種或多種組合。優(yōu)選地，所述散熱層的厚度為20(T500nm。由于器件在工作過(guò)程中伴隨著大量熱量的產(chǎn)生，散熱層金屬具有良好的導(dǎo)熱性能，能快速地將器件在發(fā)光過(guò)程中產(chǎn)生的熱量從器件內(nèi)部及時(shí)傳導(dǎo)出來(lái)，從而有效防止器件內(nèi)部過(guò)熱而導(dǎo)致壽命降低的情況，提高器件的使用壽命。
[0018]設(shè)置封裝蓋，與陽(yáng)極導(dǎo)電基板形成封閉空間，可以更好地對(duì)有機(jī)電致發(fā)光器件形成保護(hù)。其中，所述封裝蓋為金屬箔片或含鋁耐高溫聚酯薄膜(簡(jiǎn)寫(xiě)為含鋁PET膜)。優(yōu)選地，所述封裝蓋為金屬箔片。以金屬箔片作為封裝蓋，可以提高有機(jī)電致發(fā)光器件的散熱能力，將封裝對(duì)光效的影響降到最低。
[0019]陽(yáng)極導(dǎo)電基板和封裝蓋可以在紫外線膠的黏合作用下形成封閉空間。優(yōu)選地，紫外線膠為環(huán)氧樹(shù)脂。[0020]另一方面，本發(fā)明提供了一種有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，包括以下步驟:
[0021](I)提供潔凈陽(yáng)極導(dǎo)電基板，在陽(yáng)極基板上依次真空蒸鍍制備空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層和陰極；
[0022](2)在所述陰極上制備保護(hù)層，得到有機(jī)電致發(fā)光器件；其中，所述保護(hù)層包括有機(jī)阻擋層、無(wú)機(jī)阻擋層和吸濕層，具體制備方法如下:通過(guò)真空蒸鍍的方式在所述陰極表面蒸鍍制備有機(jī)阻擋層，再在所述有機(jī)阻擋層表面采用磁控濺射法依次制備無(wú)機(jī)阻擋層和吸濕層；
[0023]所述有機(jī)阻擋層的材質(zhì)為酞菁銅、N，N’ - (1-萘基)_N，N’ - 二苯基_4，4’ -聯(lián)苯二胺、八羥基喹啉鋁、4，4’，4"-三(N-3-甲基苯基-N-苯基氨基)三苯胺或4，7—二苯基一
1,10一鄰菲羅啉；所述無(wú)機(jī)阻擋層的材質(zhì)為金屬硒化物，所述金屬硒化物為Sb2Se3、MoSe2、Bi2Se3^NbSe2,TaSe2和Cu2Se中的一種或多種；所述吸濕層的材質(zhì)為氧化鈣、氧化鋇、氧化鍶或氧化鎂。
[0024]所述有機(jī)阻擋層采用真空蒸鍍的方式制備在陰極表面。優(yōu)選地，所述真空蒸鍍過(guò)程中的真空度為IX IO-5Pa~I X 10?,蒸發(fā)速度為0.5A ~ 5A/SO
[0025]優(yōu)選地，所述有機(jī)阻擋層的厚度為20(T300nm。有機(jī)阻擋層的存在可以保護(hù)各功能層和陰極在后續(xù)操作過(guò)程中免遭破壞。 [0026]所述無(wú)機(jī)阻擋層采用磁控濺射法制備在有機(jī)阻擋層表面。優(yōu)選地，所述磁控濺射過(guò)程中的本底真空度為lX10-4Pa~lX10_3Pa。優(yōu)選地，無(wú)機(jī)阻擋層的厚度為10(Tl50nm。以硒化物制備成的無(wú)機(jī)阻擋層致密性高，防水防氧的能力強(qiáng)，能有效阻擋外部水汽、氧氣對(duì)器件內(nèi)部的侵蝕，延長(zhǎng)器件的使用壽命。
[0027]所述吸濕層采用磁控濺射法制備在無(wú)機(jī)阻擋層表面。優(yōu)選地，所述磁控濺射過(guò)程中的本底真空度為IX KT4Pa~IX 10_3Pa。優(yōu)選地，所述吸濕層的厚度為10(T200nm。氧化鈣、氧化鋇、氧化鍶和氧化鎂均為高吸水性物質(zhì)，因而可有效吸收入侵器件的水汽，降低水汽對(duì)器件產(chǎn)生的破壞。
[0028]優(yōu)選地，陽(yáng)極導(dǎo)電基板包括陽(yáng)極導(dǎo)電層和基板，其基板可以為玻璃基板或有機(jī)薄膜基板，陽(yáng)極導(dǎo)電層的材質(zhì)可以為導(dǎo)電氧化物，如，氧化銦錫(ΙΤ0)、摻鋁氧化鋅(ΑΖ0)、摻銦氧化鋅(IZO)或摻氟氧化鋅(FT0)，這些導(dǎo)電氧化物被制備在玻璃基板上，簡(jiǎn)稱ITO玻璃、AZO玻璃、IZO玻璃、FTO玻璃。陽(yáng)極導(dǎo)電基板可以自制，也可以市購(gòu)獲得。在實(shí)際應(yīng)用中，可以根據(jù)需要選擇其他合適的材料作為陽(yáng)極導(dǎo)電基板。在實(shí)際應(yīng)用中，可以在陽(yáng)極導(dǎo)電基板上制備所需的有機(jī)電致發(fā)光器件的陽(yáng)極圖形。陽(yáng)極導(dǎo)電基板為現(xiàn)有技術(shù)，在此不再贅述。
[0029]所述陽(yáng)極基板通常進(jìn)行如下清潔操作:依次進(jìn)行丙酮清洗一乙醇清洗一去離子水清洗一乙醇清洗，均用超聲波清洗機(jī)進(jìn)行清洗，單項(xiàng)洗滌清洗5分鐘，然后用氮?dú)獯蹈桑嫦淇靖纱?；再?duì)洗凈后的基板進(jìn)行表面活化處理，以增加導(dǎo)電表面層的含氧量，提高導(dǎo)電層表面的功函數(shù)。
[0030]優(yōu)選地，所述空穴注入層的材質(zhì)為MoO3摻雜30%質(zhì)量分?jǐn)?shù)的N，N’ - 二苯基-N，N’ - 二(1-萘基)-1, I’ -聯(lián)苯-4，4’ - 二胺(NPB)形成的混合材料；所述空穴傳輸層的材質(zhì)為4，4’，4"-三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA);所述發(fā)光層的材質(zhì)為1，3，5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯(TPBI)摻雜5%質(zhì)量分?jǐn)?shù)的三(2-苯基吡啶)合銥(Ir(ppy)3)形成的混合材料；所述電子傳輸層的材質(zhì)為4，7-二苯基-1，10-菲羅啉(Bphen);所述電子注入層的材質(zhì)為4，7- 二苯基-1，10-菲羅啉(Bphen)摻雜30%質(zhì)量分?jǐn)?shù)的CsN3形成的混合材料。
[0031]陰極可以為非透明金屬陰極(鋁、銀、金等)，也可以為透明陰極(介質(zhì)層夾雜金屬層形成的介質(zhì)層/金屬層/介質(zhì)層結(jié)構(gòu)等)。
[0032]所述空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層和陰極通過(guò)真空蒸鍍制備。優(yōu)選地，所述真空蒸鍍過(guò)程中的真空度為I X IO-5Pa~I X 10?,蒸發(fā)速度為0.5A ~ 5A/s。
[0033]優(yōu)選地，所述制備方法進(jìn)一步包括:在所述吸濕層表面真空蒸鍍制備散熱層；在所述散熱層表面覆蓋封裝蓋，在所述封裝蓋邊緣涂布紫外線膠，由紫外線固化的方式干燥硬化所述紫外線膠，密封形成封閉空間，將所述空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層、陰極、保護(hù)層和散熱層容置在所述封閉空間內(nèi)，得到密封的有機(jī)電致發(fā)光器件。
[0034]所述散熱層采用真空蒸鍍的方式制備在吸濕層表面。優(yōu)選地，所述真空蒸鍍過(guò)程中的真空度為I X 10_5Pa~I X 10_3Pa，蒸發(fā)速度為0.5A ~ 5A/S。優(yōu)選地，所述散熱層的材質(zhì)為金屬鋁、銀和銅中的一種或多種組合。優(yōu)選地，所述散熱層的厚度為20(T500nm。由于器件在工作過(guò)程中伴隨著大量熱量的產(chǎn)生，散熱層金屬具有良好的導(dǎo)熱性能，能快速地將器件在發(fā)光過(guò)程中產(chǎn)生的熱量從器件內(nèi)部及時(shí)傳導(dǎo)出來(lái)，從而有效防止器件內(nèi)部過(guò)熱而導(dǎo)致壽命降低的情況，提高器件的使用壽命。
[0035]其中，所述封裝蓋為金屬箔片或含鋁耐高溫聚酯薄膜(簡(jiǎn)寫(xiě)為含鋁PET膜)。優(yōu)選地，所述封裝蓋為金屬箔片。以金屬箔片作為封裝蓋，可以提高有機(jī)電致發(fā)光器件的散熱能力，將封裝對(duì)光效的影響降到最低。
[0036]陽(yáng)極導(dǎo)電基板和封裝蓋可以在紫外線膠的黏合作用下形成封閉空間。優(yōu)選地，紫外線膠為環(huán)氧樹(shù)脂。
[0037]優(yōu)選地，UV光的光強(qiáng)為15~25mW/cm2，曝光時(shí)間為300~400s。
[0038]本發(fā)明提供了一種有機(jī)電致發(fā)光器件及其制備方法具有以下有益效果:
[0039]( I)本發(fā)明有機(jī)電致發(fā)光器件通過(guò)在陰極表面設(shè)置保護(hù)層，大大減少了水汽、氧對(duì)有機(jī)電致發(fā)光器件的侵蝕，顯著地提高有機(jī)電致發(fā)光器件的壽命；
[0040](2)本發(fā)明制備方法適用于制備以導(dǎo)電玻璃為陽(yáng)極基板的有機(jī)電致發(fā)光器件，也適用于制備以塑料或金屬為陽(yáng)極基底的柔性有機(jī)電致發(fā)光器件；且制備方法工藝簡(jiǎn)單，易大面積制備，適于工業(yè)化大規(guī)模使用。
【專(zhuān)利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0041]圖1是本發(fā)明實(shí)施例1制得的有機(jī)電致發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0042]下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖，對(duì)本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；诒景l(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒(méi)有作出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。[0043]實(shí)施例1
[0044]一種有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，包括以下步驟:
[0045](1)取ITO玻璃基板，依次進(jìn)行丙酮清洗一乙醇清洗一去離子水清洗一乙醇清洗，均用超聲波清洗機(jī)進(jìn)行清洗，單項(xiàng)洗滌清洗5分鐘，然后用氮?dú)獯蹈桑嫦淇靖纱?，再?duì)洗凈后的ITO玻璃基板進(jìn)行表面活化處理，以增加ITO玻璃基板表面層的含氧量，提高ITO玻璃基板表面的功函數(shù)；IT0厚度100nm ；
[0046](2)采用真空蒸鍍的方式在清潔干燥并經(jīng)過(guò)表面活化處理后的ITO玻璃基板上依次制備空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層與陰極，其中:
[0047]空穴注入層的材質(zhì)為MoO3摻雜30%質(zhì)量分?jǐn)?shù)的NPB形成的混合材料(表示為MoO3-NPB),蒸鍍時(shí)的真空度為3父10-中&，蒸發(fā)速度為0.11/8,蒸鍍厚度為IOnm;
[0048]空穴傳輸層的材質(zhì)為4，4’，4"-三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)，蒸鍍時(shí)的真空度3父10-午&，蒸發(fā)速度為0.1人/8，蒸鍍厚度為30nm ；
[0049]發(fā)光層的材質(zhì)包括主體材料和客體材料。主體材料為1，3，5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯(表示為T(mén)PBI )，客體材料為三(2-苯基吡啶)合銥(表示為Ir (ppy)3)，并且客體材料的摻雜質(zhì)量分?jǐn)?shù)為5% ;真空蒸鍍時(shí)的真空度為3X 10_5Pa，蒸發(fā)速度為0.2人/S，蒸鍍厚度為20nm ；
[0050]電子傳輸層的材質(zhì)為4，7-二苯基-1，10-菲羅啉(Bphen)，真空蒸鍍時(shí)的真空度3 X10_5Pa，蒸發(fā)速度為0.1 A/S，蒸鍍厚度為IOnm ；
[0051]電子注入層的材質(zhì)為4，7-二苯基-1，10-菲羅啉(Bphen)摻雜30%質(zhì)量分?jǐn)?shù)的CsN3B成的混合材料，真空蒸鍍時(shí)的真空度為3X 10_5Pa，蒸發(fā)速度為0.2A/s,蒸鍍厚度為20nm ；
[0052]金屬陰極的材質(zhì)為金屬鋁(Al)，蒸鍍厚度為lOOnm，真空蒸鍍時(shí)的真空度為3父10-%，蒸發(fā)速度為5人/8。
[0053](3)在所述陰極上制備保護(hù)層，得到有機(jī)電致發(fā)光器件，其中，所述保護(hù)層包括有機(jī)阻擋層、無(wú)機(jī)阻擋層和吸濕層，具體制備方法如下:
[0054]通過(guò)真空蒸鍍的方式在陰極表面制備一層厚度為300nm的CuPc膜作為有機(jī)阻擋層，真空度控制為I X 10_5Pa，蒸鍍速度為5A/S;
[0055]在CuPc膜表面上采用磁控派射法制備一層厚度為IOOnm的Sb2Se3層作為無(wú)機(jī)阻擋層，本底真空度為lX10_4Pa;
[0056]再采用磁控派射法在Sb2Se3層表面制備一層厚度為IOOnm的CaO層作為吸濕層，本底真空度為lX10_4Pa。
[0057]為了更好的保護(hù)器件結(jié)構(gòu)，提高防水防氧性能，進(jìn)行如下進(jìn)一步操作:
[0058](4)在CaO層表面蒸鍍制備一層厚度為200nm的金屬鋁層作為散熱層，真空度控制為1父10-^，蒸鍍速度為1人^;
[0059](5)在金屬鋁層上覆蓋一金屬箔片作為封裝蓋，在金屬箔片邊緣涂布紫外線膠，紫外線膠為環(huán)氧樹(shù)脂，涂布厚度為10 μ m，用UV光(λ =365nm)進(jìn)行固化，光強(qiáng)20mW/cm2，曝光時(shí)間350s,密封形成封閉空間，將空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層、鋁陰極、保護(hù)層和散熱層容置在該封閉空間內(nèi)，形成密封有機(jī)電致發(fā)光器件。
[0060]采用水蒸汽透過(guò)率測(cè)試儀測(cè)量該有機(jī)電致發(fā)光器件的水蒸汽透過(guò)率，測(cè)得該有機(jī)電致發(fā)光器件的水蒸汽透過(guò)率(WVTR，g/m2.day)為2.1 X 10_4，在T70@1000cd/m2的發(fā)光條件下測(cè)試該有機(jī)電致發(fā)光器件的壽命為8542小時(shí)。
[0061]圖1是本發(fā)明實(shí)施例1制得的有機(jī)電致發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)示意圖。如圖1所示，本實(shí)施例有機(jī)電致發(fā)光器件，依次包括ITO玻璃基板1、空穴注入層2、空穴傳輸層3、發(fā)光層
4、電子傳輸層5、電子注入層6、金屬陰極7、保護(hù)層8、散熱層9和封裝蓋10。ITO玻璃基板I和封裝蓋10通過(guò)環(huán)氧樹(shù)脂密封形成一封閉空間，空穴注入層2、空穴傳輸層3、發(fā)光層4、電子傳輸層5、電子注入層6、金屬陰極7、保護(hù)層8和散熱層9容置在該封閉空間內(nèi)。所述保護(hù)層8依次包括一層厚度為300nm的有機(jī)阻擋層CuPc膜81，一層厚度為IOOnm的Sb2Se3有機(jī)阻擋層82和一層厚度為IOOnm的CaO吸濕層83。
[0062]本實(shí)施例制備的有機(jī)電致發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)為:
[0063]ITO 玻璃基板/(MoO3-NPB)/TCTA/(TPB1-1r (ppy)3)/Bphen/(Bphen-CsN3)/Al/CuPc/Sb2Se3/CaO/Al/ 金屬箔片。
[0064]實(shí)施例2
[0065]一種有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，包括以下步驟:
[0066]( I)取ITO玻璃基板，依次進(jìn)行丙酮清洗一乙醇清洗一去離子水清洗一乙醇清洗，均用超聲波清洗機(jī)進(jìn)行清洗，單項(xiàng)洗滌清洗5分鐘，然后用氮?dú)獯蹈?，烘箱烤干待用，再?duì)洗凈后的ITO玻璃基板進(jìn)行表面 活化處理，以增加ITO玻璃基板表面層的含氧量，提高ITO玻璃基板表面的功函數(shù)；ΙΤ0厚度IOOnm ；
[0067](2)采用真空蒸鍍的方式在清潔干燥并經(jīng)過(guò)表面活化處理后的ITO玻璃基板上依次制備空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層與陰極，其中，具體制備同實(shí)施例1 ;
[0068](3)在所述陰極上制備保護(hù)層，得到有機(jī)電致發(fā)光器件，其中，所述保護(hù)層包括有機(jī)阻擋層、無(wú)機(jī)阻擋層和吸濕層，具體制備方法如下:
[0069]通過(guò)真空蒸鍍的方式在陰極表面制備一層厚度為250nm的NPB膜作為有機(jī)阻擋層，真空度控制為5父10_午&，蒸鍍速度為2人/8;
[0070]在NPB膜表面上采用磁控濺射法制備一層厚度為120nm的MoSe2層作為無(wú)機(jī)阻擋層，本底真空度為5X10_4Pa;
[0071]再米用磁控灘射法在MoSe2層表面制備一層厚度為200nm的BaO層作為吸濕層，本底真空度為5X10_4Pa;
[0072](4)在BaO層表面蒸鍍制備一層厚度為500nm的金屬銀層作為散熱層，真空度控制為5 X 10_5Pa，蒸鍍速度為5A/S;
[0073](5)在金屬銀層上覆蓋一金屬箔片作為封裝蓋，在金屬箔片邊緣涂布紫外線膠，紫外線膠為環(huán)氧樹(shù)脂，涂布厚度為10 μ m，用UV光(λ = 365nm)進(jìn)行固化，光強(qiáng)25mW/cm2，曝光時(shí)間400s,密封形成封閉空間,將空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層、鋁陰極、保護(hù)層和散熱層容置在該封閉空間內(nèi)，形成密封有機(jī)電致發(fā)光器件。
[0074]本實(shí)施例制備的有機(jī)電致發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)為:
[0075]ITO 玻璃基板 / (MoO3-NPB) /TCTA/ (TPB1-1r (ppy) 3) /Bphen/ (Bphen-CsN3) /A1/NPB/MoSe2/BaO/Ag/ 金屬箔片。
[0076]本實(shí)施例制備的有機(jī)電致發(fā)光器件的水蒸汽透過(guò)率(WVTR，g/m2.day)為2.8X 10Λ在T70@1000cd/m2的發(fā)光條件下測(cè)試的壽命為8452小時(shí)。
[0077]實(shí)施例3
[0078]—種有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，包括以下步驟:
[0079](I)取ITO玻璃基板，依次進(jìn)行丙酮清洗一乙醇清洗一去離子水清洗一乙醇清洗，均用超聲波清洗機(jī)進(jìn)行清洗，單項(xiàng)洗滌清洗5分鐘，然后用氮?dú)獯蹈?，烘箱烤干待用，再?duì)洗凈后的ITO玻璃基板進(jìn)行表面活化處理，以增加ITO玻璃基板表面層的含氧量，提高ITO玻璃基板表面的功函數(shù)；ΙΤ0厚度IOOnm ；
[0080](2)采用真空蒸鍍的方式在清潔干燥并經(jīng)過(guò)表面活化處理后的ITO玻璃基板上依次制備空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層與陰極，其中，具體制備同實(shí)施例1;
[0081](3)在所述陰極上制備保護(hù)層，得到有機(jī)電致發(fā)光器件，其中，所述保護(hù)層包括有機(jī)阻擋層、無(wú)機(jī)阻擋層和吸濕層，具體制備方法如下:
[0082]通過(guò)真空蒸鍍的方式在陰極表面制備一層厚度為200nm的Alq3膜作為有機(jī)阻擋層，真空度控制為5 X 10?,蒸鍍速度為0.5 A/S:
[0083]在Alq3膜表面上米用磁控派射法制備一層厚度為150nm的Bi2Se3層作為無(wú)機(jī)阻擋層，本底真空度為5 X 10_4Pa ； [0084]再采用磁控派射法在Bi2Se3層表面制備一層厚度為150nm的SrO層作為吸濕層，本底真空度為5X10_4Pa;
[0085](4)在SrO層表面蒸鍍制備一層厚度為300nm的金屬銅層作為散熱層,真空度控制為5 X 10_5Pa，蒸鍍速度為2A/S;
[0086](5)在金屬銅層上覆蓋一金屬箔片作為封裝蓋，在金屬箔片邊緣涂布紫外線膠，紫外線膠為環(huán)氧樹(shù)脂，涂布厚度為10 μ m，用UV光(λ =365nm)進(jìn)行固化，光強(qiáng)15mW/cm2，曝光時(shí)間300s,密封形成封閉空間，將空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層、鋁陰極、保護(hù)層和散熱層容置在該封閉空間內(nèi)，形成密封有機(jī)電致發(fā)光器件。
[0087]本實(shí)施例制備的有機(jī)電致發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)為:
[0088]ITO 玻璃基板/(MoO3-NPB)/TCTA/(TPB1-1r (ppy) 3)/Bphen/(Bphen-CsN3)/Al/Alq3/Bi2Se3/SrO/Cu/ 金屬箔片。
[0089]本實(shí)施例制備的有機(jī)電致發(fā)光器件的水蒸汽透過(guò)率(WVTR，g/m2.day)為
3.0X 1θΛ在T70@1000cd/m2的發(fā)光條件下測(cè)試的壽命為8374小時(shí)。
[0090]實(shí)施例4
[0091]一種有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，包括以下步驟:
[0092]( I)取ITO玻璃基板，依次進(jìn)行丙酮清洗一乙醇清洗一去離子水清洗一乙醇清洗，均用超聲波清洗機(jī)進(jìn)行清洗，單項(xiàng)洗滌清洗5分鐘，然后用氮?dú)獯蹈?，烘箱烤干待用，再?duì)洗凈后的ITO玻璃基板進(jìn)行表面活化處理，以增加ITO玻璃基板表面層的含氧量，提高ITO玻璃基板表面的功函數(shù)；ΙΤ0厚度IOOnm ；
[0093](2)采用真空蒸鍍的方式在清潔干燥并經(jīng)過(guò)表面活化處理后的ITO玻璃基板上依次制備空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層與陰極，其中，具體制備同實(shí)施例1 ;
[0094](3)在所述陰極上制備保護(hù)層，得到有機(jī)電致發(fā)光器件，其中，所述保護(hù)層包括有機(jī)阻擋層、無(wú)機(jī)阻擋層和吸濕層，具體制備方法如下:
[0095]通過(guò)真空蒸鍍的方式在陰極表面制備一層厚度為250nm的m_MTDATA膜作為有機(jī)阻擋層，真空度控制為5 X 10_5Pa，蒸鍍速度為2A/S;
[0096]在m-MTDATA膜表面上采用磁控濺射法制備一層厚度為IOOnm的NbSe2層作為無(wú)機(jī)阻擋層，本底真空度為2X 10_4Pa ；
[0097]再采用磁控派射法在NbSe2層表面制備一層厚度為IOOnm的MgO層作為吸濕層，本底真空度為5X10_4Pa;
[0098](4)在MgO層表面蒸鍍制備一層厚度為500nm的金屬銅、鋁合金層作為散熱層，銅與鋁的質(zhì)量比為3:1，真空度控制為5父10_%1，蒸鍍速度為21/5;
[0099](5)在金屬銅、鋁合金層上覆蓋一金屬箔片作為封裝蓋，在金屬箔片邊緣涂布紫外線膠，紫外線膠為環(huán)氧樹(shù)脂，涂布厚度為10 μ m，用UV光(λ =365nm)進(jìn)行固化，光強(qiáng)20mW/cm2,曝光時(shí)間350s,密封形成封閉空間，將空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層、鋁陰極、保護(hù)層和散熱層容置在該封閉空間內(nèi)，形成密封有機(jī)電致發(fā)光器件。[0100]本實(shí)施例制備的有機(jī)電致發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)為:
[0101]ITO 玻璃基板 / (MoO3-NPB) /TCTA/ (TPB1-1r (ppy) 3) /Bphen/ (Bphen-CsN3) /Al/m-MTDATA/NbSe2/MgO/Cu-Al/ 金屬箔片。
[0102]本實(shí)施例制備的有機(jī)電致發(fā)光器件的水蒸汽透過(guò)率(WVTR，g/m2.day)為
3.3X 10Λ在T70@1000cd/m2的發(fā)光條件下測(cè)試的壽命為8232小時(shí)。
[0103]實(shí)施例5
[0104]一種有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，包括以下步驟:
[0105](I)取ITO玻璃基板，依次進(jìn)行丙酮清洗一乙醇清洗一去離子水清洗一乙醇清洗，均用超聲波清洗機(jī)進(jìn)行清洗，單項(xiàng)洗滌清洗5分鐘，然后用氮?dú)獯蹈?，烘箱烤干待用，再?duì)洗凈后的ITO玻璃基板進(jìn)行表面活化處理，以增加ITO玻璃基板表面層的含氧量，提高ITO玻璃基板表面的功函數(shù)；ΙΤ0厚度IOOnm ；
[0106](2)采用真空蒸鍍的方式在清潔干燥并經(jīng)過(guò)表面活化處理后的ITO玻璃基板上依次制備空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層與陰極，其中，具體制備同實(shí)施例1;
[0107](3)在所述陰極上制備保護(hù)層，得到有機(jī)電致發(fā)光器件，其中，所述保護(hù)層包括有機(jī)阻擋層、無(wú)機(jī)阻擋層和吸濕層，具體制備方法如下:
[0108]通過(guò)真空蒸鍍的方式在陰極表面制備一層厚度為250nm的BCP膜作為有機(jī)阻擋層，真空度控制為5父10_^，蒸鍍速度為1人/8;
[0109]在BCP膜表面上采用磁控濺射法制備一層厚度為150nm的TaSe2層作為無(wú)機(jī)阻擋層，本底真空度為2X10_4Pa;
[0110]再采用磁控派射法在TaSe2層表面制備一層厚度為200nm的CaO層作為吸濕層，本底真空度為5X10_4Pa;
[0111](4)在CaO層表面蒸鍍制備一層厚度為300nm的金屬鋁層作為散熱層，真空度控制為5 X 10_5Pa，蒸鍍速度為2A/S;
[0112](5)在金屬鋁層上覆蓋一金屬箔片作為封裝蓋，在金屬箔片邊緣涂布紫外線膠，紫外線膠為環(huán)氧樹(shù)脂，涂布厚度為10 μ m，用UV光(λ =365nm)進(jìn)行固化，光強(qiáng)20mW/cm2，曝光時(shí)間340s,密封形成封閉空間，將空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層、鋁陰極、保護(hù)層和散熱層容置在該封閉空間內(nèi)，形成密封有機(jī)電致發(fā)光器件。
[0113]本實(shí)施例制備的有機(jī)電致發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)為:
[0114]ITO 玻璃基板 / (MoO3-NPB) /TCTA/ (TPB1-1r (ppy) 3) /Bphen/ (Bphen-CsN3) /A1/BCP/TaSe2/CaO/Al/金屬箔片。
[0115]本實(shí)施例制備的有機(jī)電致發(fā)光器件的水蒸汽透過(guò)率(WVTR，g/m2.day)為
4.3父10-4，在了70@10000(1/1112的發(fā)光條件下測(cè)試的壽命為8132小時(shí)。
[0116]實(shí)施例6
[0117]一種有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，包括以下步驟:
[0118](I)取ITO玻璃基板，依次進(jìn)行丙酮清洗一乙醇清洗一去離子水清洗一乙醇清洗，均用超聲波清洗機(jī)進(jìn)行清洗，單項(xiàng)洗滌清洗5分鐘，然后用氮?dú)獯蹈?，烘箱烤干待用，再?duì)洗凈后的ITO玻璃基板進(jìn)行表面活化處理，以增加ITO玻璃基板表面層的含氧量，提高ITO玻璃基板表面的功函數(shù)；ΙΤ0厚度IOOnm ；
[0119](2)采用真空蒸鍍的方式在清潔干燥并經(jīng)過(guò)表面活化處理后的ITO玻璃基板上依次制備空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層與陰極，其中，具體制備同實(shí)施例1;
[0120](3)在所述陰極上制備保護(hù)層，得到有機(jī)電致發(fā)光器件，其中，所述保護(hù)層包括有機(jī)阻擋層、無(wú)機(jī)阻擋層和吸濕層，具體制備方法如下:
[0121]通過(guò)真空蒸鍍的方式在陰極表面制備一層厚度為250nm的CuPc膜作為有機(jī)阻擋層，真空度控制為I X 10_3Pa，蒸鍍速度為2A/S;
[0122]在CuPc膜表面上采用磁控濺射法制備一層厚度為120nm的Cu2Se層作為無(wú)機(jī)阻擋層，本底真空度為lX10_3Pa;
[0123]再米用磁控派射法在Cu2Se層表面制備一層厚度為150nm的BaO層作為吸濕層，本底真空度為lX10_3Pa;
[0124](4)在BaO層表面蒸鍍制備一層厚度為300nm的金屬銀層作為散熱層，真空度控制為5 X 10_5Pa，蒸鍍速度為3A/S;[0125](5)在金屬銀層上覆蓋一金屬箔片作為封裝蓋，在金屬箔片邊緣涂布紫外線膠，紫外線膠為環(huán)氧樹(shù)脂，涂布厚度為10 μ m，用UV光(λ =365nm)進(jìn)行固化，光強(qiáng)18mW/cm2，曝光時(shí)間360s,密封形成封閉空間，將空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層、鋁陰極、保護(hù)層和散熱層容置在該封閉空間內(nèi)，形成密封有機(jī)電致發(fā)光器件。
[0126]本實(shí)施例制備的有機(jī)電致發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)為:
[0127]ITO 玻璃基板 / (MoO3-NPB) /TCTA/ (TPB1-1r (ppy) 3) /Bphen/ (Bphen-CsN3) /Al/CuPc/Cu2Se/BaO/Ag/ 金屬箔片。
[0128]本實(shí)施例制備的有機(jī)電致發(fā)光器件的水蒸汽透過(guò)率(WVTR，g/m2.day)為
4.6X 1θΛ在T70@1000cd/m2的發(fā)光條件下測(cè)試的壽命為8030小時(shí)。
[0129]實(shí)施例7
[0130]一種有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，包括以下步驟:
[0131]( I)取ITO玻璃基板，依次進(jìn)行丙酮清洗一乙醇清洗一去離子水清洗一乙醇清洗，均用超聲波清洗機(jī)進(jìn)行清洗，單項(xiàng)洗滌清洗5分鐘，然后用氮?dú)獯蹈桑嫦淇靖纱?，再?duì)洗凈后的ITO玻璃基板進(jìn)行表面活化處理，以增加ITO玻璃基板表面層的含氧量，提高ITO玻璃基板表面的功函數(shù)；IT0厚度1OOnm ；
[0132](2)采用真空蒸鍍的方式在清潔干燥并經(jīng)過(guò)表面活化處理后的ITO玻璃基板上依次制備空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層與陰極，其中，具體制備同實(shí)施例1 ;
[0133](3)在所述陰極上制備保護(hù)層，得到有機(jī)電致發(fā)光器件，其中，所述保護(hù)層包括有機(jī)阻擋層、無(wú)機(jī)阻擋層和吸濕層，具體制備方法如下:
[0134]通過(guò)真空蒸鍍的方式在陰極表面制備一層厚度為250nm的CuPc膜作為有機(jī)阻擋層，真空度控制為I X 10_3Pa，蒸鍍速度為2A/S;
[0135]在CuPc膜表面上采用磁控派射法制備一層厚度為120nm的Cu2Se層作為無(wú)機(jī)阻擋層，本底真空度為lX10_3Pa;
[0136]再米用磁控派射法在Cu2Se層表面制備一層厚度為150nm的BaO層作為吸濕層，本底真空度為lX10_3Pa;
[0137]本實(shí)施例制備的有機(jī)電致發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)為:
[0138]ITO 玻璃基板 / (MoO3-NPB) /TCTA/ (TPB1-1r (ppy) 3) /Bphen/ (Bphen-CsN3) /Al/CuPc/Cu2Se/BaO。
[0139]本實(shí)施例制備的有機(jī)電致發(fā)光器件的水蒸汽透過(guò)率(WVTR，g/m2.day)為6.9X 10-1，在T70@1000cd/m2的發(fā)光條件下測(cè)試的壽命為958小時(shí)。
[0140]綜上，本發(fā)明實(shí)施例提供的有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，可有效地減少水汽和氧對(duì)有機(jī)電致發(fā)光器件的侵蝕，能及時(shí)熱傳導(dǎo)疏散熱量，顯著地提高有機(jī)電致發(fā)光器件的壽命，并且能夠保護(hù)陰極免遭破壞。
[0141]以上所述是本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施方式，應(yīng)當(dāng)指出，對(duì)于本【技術(shù)領(lǐng)域】的普通技術(shù)人員來(lái)說(shuō)，在不脫離本發(fā)明原理的前提下，還可以做出若干改進(jìn)和潤(rùn)飾，這些改進(jìn)和潤(rùn)飾也視為本發(fā)明的保護(hù)范圍。
【權(quán)利要求】
1.一種有機(jī)電致發(fā)光器件，包括依次層疊的陽(yáng)極導(dǎo)電基板、空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層和陰極，其特征在于，還包括設(shè)置在所述陰極表面的保護(hù)層，所述保護(hù)層依次包括有機(jī)阻擋層、無(wú)機(jī)阻擋層和吸濕層，所述有機(jī)阻擋層的材質(zhì)為酞菁銅、N, N’ - (1-萘基)-1 N’ - 二苯基-4，4’ -聯(lián)苯二胺、八羥基喹啉鋁、4，4’，4"-三(N-3-甲基苯基-N-苯基氨基)三苯胺或4，7 —二苯基一 1，10 —鄰菲羅啉；所述無(wú)機(jī)阻擋層的材質(zhì)為金屬硒化物，所述金屬硒化物為Sb2Se3、MoSe2> Bi2Se3^ NbSe2> TaSe2和Cu2Se中的一種或多種；所述吸濕層的材質(zhì)為氧化鈣、氧化鋇、氧化鍶或氧化鎂。
2.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，還包括設(shè)置在所述保護(hù)層上的散熱層和封裝蓋，所述封裝蓋與所述陽(yáng)極導(dǎo)電基板形成封閉空間，所述空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層、陰極、保護(hù)層和散熱層容置在所述封閉空間內(nèi)。
3.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，所述有機(jī)阻擋層的厚度為20(T300nm ;所述無(wú)機(jī)阻擋層的厚度為10(Tl50nm ;所述吸濕層的厚度為10(T200nm。
4.如權(quán)利要求2所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，所述散熱層的材質(zhì)為金屬鋁、銀和銅中的一種或多種組合，所述散熱層的厚度為20(T500nm。
5.如權(quán)利要求1或2所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，所述空穴注入層的材質(zhì)為MoO3摻雜30%質(zhì)量分?jǐn)?shù)的N，N’ - 二苯基-N，N’ - 二(1-萘基)-1, 1’ -聯(lián)苯-4，4’ - 二胺形成的混合材料；所述空穴傳輸層的材質(zhì)為4，4’，4"-三(咔唑-9-基)三苯胺；所述發(fā)光層的材質(zhì)為1，3，5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯摻雜5%質(zhì)量分?jǐn)?shù)的三(2-苯基吡啶)合銥形成的混合材料；所述電子傳輸層的材質(zhì)為4，7- 二苯基-1，10-菲羅啉；所述電子注入層的材質(zhì)為4，7- 二苯基-1，10-菲羅啉(Bphen)摻雜30%質(zhì)量分?jǐn)?shù)的CsN3形成的混合材料。
6.一種有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，包括以下步驟: (1)提供潔凈陽(yáng)極導(dǎo)電基板，在陽(yáng)極基板上依次真空蒸鍍制備空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層和陰極； (2)在所述陰極上制備保護(hù)層，得到有機(jī)電致發(fā)光器件；其中，所述保護(hù)層包括有機(jī)阻擋層、無(wú)機(jī)阻擋層和吸濕層，具體制備方法如下:通過(guò)真空蒸鍍的方式在所述陰極表面蒸鍍制備有機(jī)阻擋層，再在所述有機(jī)阻擋層表面采用磁控濺射法依次制備無(wú)機(jī)阻擋層和吸濕層； 所述有機(jī)阻擋層的材質(zhì)為酞菁銅、N，N’ - (1-萘基)-N, N’ - 二苯基-4，4’ -聯(lián)苯二胺、八羥基喹啉鋁、4，4’，4"-三(N-3-甲基苯基-N-苯基氨基)三苯胺或4，7—二苯基一1,10一鄰菲羅啉；所述無(wú)機(jī)阻擋層的材質(zhì)為金屬硒化物，所述金屬硒化物為Sb2Se3、MoSe2、Bi2Se3^NbSe2,TaSe2和Cu2Se中的一種或多種；所述吸濕層的材質(zhì)為氧化鈣、氧化鋇、氧化鍶或氧化鎂。
7.如權(quán)利要求6所述的有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，所述制備方法進(jìn)一步包括:在所述吸濕層表面真空蒸鍍制備散熱層；在所述散熱層表面覆蓋封裝蓋，在所述封裝蓋邊緣涂布紫外線膠，由紫外線固化的方式干燥硬化所述紫外線膠，密封形成封閉空間，將所述空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層、陰極、保護(hù)層和散熱層容置在所述封閉空間內(nèi)，得到密封的有機(jī)電致發(fā)光器件。
8.如權(quán)利要求6所述的有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，所述有機(jī)阻擋層的厚度為200~300nm;所述無(wú)機(jī)阻擋層的厚度為100~l50nm ;所述吸濕層的厚度為100~200nm。
9.如權(quán)利要求7所述的有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，所述散熱層的材質(zhì)為金屬鋁、銀和銅中的一種或多種組合，所述散熱層的厚度為200~500nm。
10.如權(quán)利要求6或7所述的有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，所述空穴注入層的材質(zhì)為MoO3摻雜30%質(zhì)量分?jǐn)?shù)的N，N’ - 二苯基-N，N’ - 二(1-萘基)_1，I’ -聯(lián)苯-4，4’ - 二胺形成的混合材料；所述空穴傳輸層的材質(zhì)為4，4’，4"-三(咔唑-9-基)三苯胺；所述發(fā)光層的材質(zhì)為1，3，5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯摻雜5%質(zhì)量分?jǐn)?shù)的三(2-苯基吡啶)合銥形成的混合材料；所述電子傳輸層的材質(zhì)為4，7-二苯基-1，10-菲羅啉；所述電子注入層的材質(zhì)為4，7- 二苯基-1，10-菲羅啉(Bphen)摻雜30%質(zhì)量分?jǐn)?shù)的CsN3形成的混合材料。
【文檔編號(hào)】C09K11/06GK103904233SQ201210571785
【公開(kāi)日】2014年7月2日 申請(qǐng)日期:2012年12月25日 優(yōu)先權(quán)日:2012年12月25日
【發(fā)明者】周明杰, 王平, 鐘鐵濤, 陳吉星 申請(qǐng)人:海洋王照明科技股份有限公司, 深圳市海洋王照明技術(shù)有限公司, 深圳市海洋王照明工程有限公司