專利名稱：超聲波矽晶鍍膜設(shè)備的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實用新型涉及一種矽晶鍍膜設(shè)備，特別是一種超聲波矽晶鍍膜設(shè)備。
背景技術(shù)：
矽晶鍍膜技術(shù)是利用物理、化學(xué)手段將矽晶的表面涂覆一層特殊性能的鍍膜，從而使得該矽晶表面具有耐磨損、耐高溫、耐腐蝕、抗氧化、絕緣等作用。公知的矽晶鍍膜技術(shù)，是將鍍膜液放在矽晶上，再利用轉(zhuǎn)盤旋轉(zhuǎn)的離心力在矽晶片上鍍膜，如果鍍膜液中有氣泡產(chǎn)生，則會使得該鍍膜完成的產(chǎn)品產(chǎn)生瑕疵，但又無法預(yù)防其鍍膜液不會產(chǎn)生氣泡，所以公知的鍍膜技術(shù)，其良率一直無法提升。
發(fā)明內(nèi)容為了克服現(xiàn)有技術(shù)中的缺陷，本實用新型提供了一種超聲波矽晶鍍膜設(shè)備，尤指一種消除氣泡的超聲波鍍膜設(shè)備。本實用新型解決其技術(shù)問題所采用的技術(shù)方案是:本實用新型提供了一種超聲波矽晶鍍膜設(shè)備，尤指一種消除氣泡的超聲波鍍膜設(shè)備。本實用新型包含有:一個轉(zhuǎn)盤、一個超聲波震蕩器。其中轉(zhuǎn)盤設(shè)有一個真空吸附盤面，該超聲波震蕩器設(shè)置在轉(zhuǎn)盤的底部，借此，欲進行鍍膜的矽晶片得以放在轉(zhuǎn)盤的真空吸附盤面上，再啟動真空吸附盤面真空吸附矽晶片，其后在矽晶片上放上鍍膜液，在轉(zhuǎn)盤離心旋轉(zhuǎn)的鍍膜過程前，該超聲波震蕩器先以超聲波震蕩矽晶片，使得氣泡被震離鍍膜液，達到可消除氣泡的功效。當(dāng)轉(zhuǎn)盤旋轉(zhuǎn)時，得以帶動砂晶片一起旋轉(zhuǎn)，旋轉(zhuǎn)的過程中會產(chǎn)生離心力，此時如果矽晶片的頂面有鍍膜液時，該鍍膜液會往離心力方向運動，而達到鍍膜的目的，但是會有氣泡產(chǎn)生，所以超聲波震 蕩器以超聲波震蕩該矽晶片，使氣泡被震離鍍膜液，最后被消除，達到提升良率的目的。本實用新型的有益效果是:消除氣泡，提高鍍膜產(chǎn)品的良率。
以下結(jié)合附圖和實施例對本實用新型進一步說明。


圖1是本實用新型的超聲波 夕晶鍛I吳設(shè)備俯視不意圖。圖2是本實用新型的超聲波矽晶鍍膜設(shè)備鍍膜前示意圖。圖3是本實用新型的超聲波矽晶鍍膜設(shè)備鍍膜后示意圖。圖中1.轉(zhuǎn)盤，2.超聲波震蕩器，3.矽晶片，4.真空吸附盤面，5.鍍膜液，
6.氣泡。
具體實施方式
如
圖1所示，本實用新型提供了一種超聲波矽晶鍍膜設(shè)備，包含有:一個轉(zhuǎn)盤1，該轉(zhuǎn)盤I設(shè)有一個真空吸附盤面4 ; 一個超聲波震蕩器2，該超聲波震蕩器2設(shè)置在轉(zhuǎn)盤I的底部。如圖2和圖3所示，借此，欲進行鍍膜的矽晶片3得以放在轉(zhuǎn)盤I的真空吸附盤面4上，再啟動真空吸附盤面4真空吸附矽晶片3，其后在矽晶片3上放上鍍膜液5，在轉(zhuǎn)盤I離心旋轉(zhuǎn)的鍍膜過程前，該超聲波震蕩器2先以超聲波震蕩矽晶片3，使得氣泡被震離鍍膜液，達到可消除氣泡6 的功效。
權(quán)利要求1.一種超聲波矽晶鍍膜設(shè)備，包括一個轉(zhuǎn)盤及一個超聲波震蕩器，其特征是:所述轉(zhuǎn)盤設(shè)有一個真空吸 附盤面；所述超聲波震蕩器設(shè)置在轉(zhuǎn)盤的底部。
專利摘要本實用新型提供了一種超聲波矽晶鍍膜設(shè)備，尤指一種消除氣泡的超聲波鍍膜結(jié)構(gòu)。本實用新型包含有一個轉(zhuǎn)盤、一個超聲波震蕩器。其中轉(zhuǎn)盤設(shè)有一個真空吸附盤面，該超聲波震蕩器設(shè)置在轉(zhuǎn)盤的底部，借此，欲進行鍍膜的矽晶片得以放在轉(zhuǎn)盤的真空吸附盤面上，再啟動真空吸附盤面真空吸附矽晶片，其后在矽晶片上放上鍍膜液，在轉(zhuǎn)盤離心旋轉(zhuǎn)的鍍膜過程前，該超聲波震蕩器先以超聲波震蕩矽晶片，使得氣泡被震離鍍膜液，達到可消除氣泡的功效。
文檔編號B05C11/00GK203140255SQ20132015832
公開日2013年8月21日 申請日期2013年4月2日 優(yōu)先權(quán)日2013年4月2日
發(fā)明者薛振峰 申請人:薛振峰