一種半導(dǎo)體物理研磨組合物的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種半導(dǎo)體物理研磨組合物，其特征在于，包括下列重量份數(shù)的物質(zhì)：親水基表面活性劑2-6份，磷化液4-6份，鈍化液1-3份，陶化劑1-3份，氫氧化鈣4-8份，八水合氫氧化鋇7-10份，氫氧化鈉7-16份，酒石酸鉀鈉7-10份，過氧化氫7-9份，硫酸鋅1-3份，硫酸鎂2-4份，硬脂酸鈣3-8份，硬脂酸4-13份，抗氧劑2-4份，防老劑1份，氯化鈣2-5份。本發(fā)明的化學(xué)機(jī)械研磨劑中包括親水基表面潔性劑材料，可以降低化學(xué)機(jī)械研磨劑和正在水性薄膜間的表面張力，使化學(xué)機(jī)械研磨劑和琉水性薄膜更緊密貼合。
【專利說明】一種半導(dǎo)體物理研磨組合物

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體物理研磨組合物。

【背景技術(shù)】
[0002]在半導(dǎo)體制造中，化學(xué)機(jī)械研磨(CMP)技術(shù)可以實(shí)現(xiàn)整個(gè)晶圓的平坦化，成為芯片制造工藝中重要的步驟之一。在化學(xué)機(jī)械研磨中，化學(xué)機(jī)械研磨劑(Slurry)是化學(xué)機(jī)械研磨技術(shù)的關(guān)鍵要素之一，其性能直接影響拋光后表面的質(zhì)量。設(shè)計(jì)化學(xué)機(jī)械研磨劑時(shí)，希望能達(dá)到去除速率高、平面度好、膜厚均勻、無殘留、缺陷少等效果。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是提供一種半導(dǎo)體物理研磨組合物。
[0004]為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明采用的技術(shù)方案是:
一種半導(dǎo)體物理研磨組合物，其特征在于，包括下列重量份數(shù)的物質(zhì):親水基表面活性劑2-6份，磷化液4-6份，鈍化液1-3份，陶化劑1-3份，氫氧化鈣4-8份，八水合氫氧化鋇7-10份，氫氧化鈉7-16份，酒石酸鉀鈉7-10份，過氧化氫7-9份，硫酸鋅1-3份，硫酸鎂2-4份，硬脂酸鈣3-8份，硬脂酸4-13份，抗氧劑2-4份，防老劑1份，氯化鈣2-5份。
[0005]本發(fā)明的化學(xué)機(jī)械研磨劑中包括親水基表面潔性劑材料，可以降低化學(xué)機(jī)械研磨劑和正在水性薄膜間的表面張力，使化學(xué)機(jī)械研磨劑和琉水性薄膜更緊密貼合，從而減少琉水性薄膜表面上的殘留物和顆粒等缺陷，改善化學(xué)機(jī)械研磨的效果。

【具體實(shí)施方式】
[0006]實(shí)施例1
一種半導(dǎo)體物理研磨組合物，其特征在于，包括下列重量份數(shù)的物質(zhì):親水基表面活性劑2-6份，磷化液4-6份，鈍化液1-3份，陶化劑1-3份，氫氧化鈣4-8份，八水合氫氧化鋇
7-10份，氫氧化鈉7-16份，酒石酸鉀鈉7-10份，過氧化氫7-9份，硫酸鋅1-3份，硫酸鎂2-4份，硬脂酸鈣3-8份，硬脂酸4-13份，抗氧劑2-4份，防老劑1份，氯化鈣2-5份。
【權(quán)利要求】
1.一種半導(dǎo)體物理研磨組合物，其特征在于，包括下列重量份數(shù)的物質(zhì):親水基表面活性劑2-6份，磷化液4-6份，鈍化液1-3份，陶化劑1-3份，氫氧化鈣4-8份，八水合氫氧化鋇7-10份，氫氧化鈉7-16份，酒石酸鉀鈉7-10份，過氧化氫7-9份，硫酸鋅1-3份，硫酸鎂2-4份， 硬脂酸鈣3-8份，硬脂酸4-13份，抗氧劑2-4份，防老劑1份，氯化鈣2-5份。
【文檔編號(hào)】C09K3/14GK104046329SQ201410296829
【公開日】2014年9月17日 申請(qǐng)日期:2014年6月28日 優(yōu)先權(quán)日:2014年6月28日
【發(fā)明者】范向奎 申請(qǐng)人:青島寶泰新能源科技有限公司