專利名稱:醫(yī)療電子x射線攝影用鹵化稀堿熒光體的制作方法
本發(fā)明是一種適用于醫(yī)療電子X射線攝影用的熒光體。
一般電子X射線攝影是根據(jù)半導(dǎo)體的光電特性和靜電現(xiàn)象來提高電子攝影的圖象，常用的電子X射線攝影用的熒光體為(Zn·Cd)S∶Ag或Cd2O2S∶Tb。但是，把它們真空蒸鍍到硒極上卻需要很高的溫度，必需采用電子束流轟擊才能實現(xiàn)真空蒸鍍，用于生產(chǎn)存在著設(shè)備昂貴，電力消耗大，生產(chǎn)成本高等問題。此外，為提高軟X射線的效率，采用含有活性溴化銣(Rubidium bromide)和鹵化鉈(Thalium halogenide)熒光體的X射線轉(zhuǎn)換屏，其發(fā)光或熒光屏是用一定幅射能量激發(fā)含活化的鹵化稀堿發(fā)光物質(zhì);其中RbBr∶Tl對軟X線有很好的吸收和很好的發(fā)光效率。但是，這種熒光體因化學(xué)穩(wěn)定性差目前僅用于X線增強管的玻璃質(zhì)熒光屏。
根據(jù)上述存在的問題，為開拓鹵化稀堿熒光體在醫(yī)療電子X射線硒極攝影中的應(yīng)用，本發(fā)明采用低熔點的鹵化稀堿熒光體，其特點是先制成YX∶Z高亮度的主峰波長為560nm的寬譜帶熒光體(其中Y一般為Cs;X為F、Cl、Br或I;Z為Tl或Eu2+，其發(fā)光光譜和光電導(dǎo)體的光譜靈敏曲線近于一致，有利于對X射線感光靈敏度的提高(見附圖1)，真空鍍膜僅需使用一般電爐加熱200-400℃便可實現(xiàn)，而不需使用電子束流轟擊。其另一特點是先對金屬基板蒸鍍上述熒光體，再蒸鍍硒，使熒光體很好地被隔絕空氣，避免了它與空氣中氧和水的化學(xué)作用，解決了這類熒光體的化學(xué)性質(zhì)不穩(wěn)定的問題。
采用本發(fā)明熒光體制造電子X射線含熒光體的硒感光板，真空蒸鍍熒光體的溫度低，不必使用電子束流轟擊，用一般電爐加熱便可將熒光體蒸鍍到硒基板上，使生產(chǎn)設(shè)備投資較低，電力消耗較小，生產(chǎn)成本降低，用作醫(yī)療X射線診斷時比普通硒板提高靈敏度一倍，X射線劑量可減少一半。
實施例按常規(guī)合成CsI和TLI，按摩爾比為CsI∶TLI＝1∶0.0037準確稱取CsI和TLI，加入少量無水乙醇研磨，混合均勻，烘干，在剛玉坩堝中，加蓋，250-400℃下灼燒10-60分鐘，制得白色的CsI∶TL熒光體。
將CsI∶TL熒光體放入真空鍍膜機內(nèi)，200-450℃溫度下，真空蒸鍍CsI∶TL熒光體到基板上，然后按常規(guī)蒸鍍硒粉等，便可制得電子X射線硒感光板。
附圖為光導(dǎo)體的光譜靈敏曲線和熒光體發(fā)光光譜曲線。其中，縱座標(biāo)為相對靈敏度，橫座標(biāo)為波長。
a曲線為光導(dǎo)體的光譜靈敏度曲線〔引自《映像情報》VOl 13NO6p184(1981)〕。
b曲線為本發(fā)明CsI∶TL熒光體所測得的發(fā)光光譜曲線。
權(quán)利要求
1.一種鹵化稀堿熒光體其特征是醫(yī)療電子X射線攝影用鹵化稀堿熒光體，采用先制成高亮度的熒光體，再真空蒸鍍到硒感光基板上而成；
2.按權(quán)利要求
1所述高亮度、熒光體，其特征是制成YX∶Z高亮度鹵化稀堿熒光體，其中Y一般為Cs，X為鹵素，Z為Tl或Eu2+;
3.按權(quán)利要求
1所述真空蒸鍍，其特征是在溫度200-400℃時真空鍍膜YX∶Z熒光體，并不需要使用電子束流轟擊。
專利摘要
本發(fā)明研究出了一種醫(yī)用電子X射線攝影用鹵化稀堿熒光體。敘述了真空蒸鍍熒光體到硒基板上的工藝；它具有溫度低，不必使用電子束流轟擊等優(yōu)點。
文檔編號C03C1/00GK85100259SQ85100259
公開日1986年7月16日 申請日期1985年4月1日
發(fā)明者何喜慶, 蔣昌武, 吳琳琍, 杜秀珍, 陳純 申請人:武漢大學(xué)導(dǎo)出引文BiBTeX, EndNote, RefMan