量子點(diǎn)墨水的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本公開涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及量子點(diǎn)墨水。
【背景技術(shù)】
[0002]量子點(diǎn)發(fā)光二極管顯示器(Quantum Dots Light Emitting D1deDisplays，QLED)是基于有機(jī)發(fā)光顯示器的基礎(chǔ)上發(fā)展起來的一種新型顯示技術(shù)。不同的是，其電致發(fā)光結(jié)構(gòu)為量子點(diǎn)層。其原理為，電子通過電子傳輸層注入量子點(diǎn)層，空穴通過空穴傳輸層注入量子點(diǎn)層，電子和空穴在量子點(diǎn)中復(fù)合發(fā)光。與有機(jī)發(fā)光二極管顯不器件相比，QLED具有發(fā)光峰窄、色彩飽和度高、色域?qū)挼葍?yōu)點(diǎn)。
[0003]當(dāng)前QLED像素化、全彩化是一個(gè)技術(shù)難題。解決的方式有噴墨打印法、轉(zhuǎn)印法、微接觸式打印法等。對于噴墨打印法遇到很大的難題在于量子點(diǎn)墨水的制備。量子點(diǎn)墨水通常由量子點(diǎn)材料分散在有機(jī)溶劑中，由于量子點(diǎn)材料本身是納米顆粒，所以很難得到高粘度的量子點(diǎn)墨水，導(dǎo)致打印困難。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]本發(fā)明的實(shí)施例提供了一種量子點(diǎn)墨水，包括非極性有機(jī)溶劑、表面張力調(diào)節(jié)劑和疏水性量子點(diǎn)材料，所述量子點(diǎn)墨水還進(jìn)一步包括載流子傳輸材料，所述疏水性量子點(diǎn)材料能夠與所述載流子傳輸材料發(fā)生相分離。
[0005]在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式中，所述量子點(diǎn)墨水的粘度為10_12cP，表面張力為32-42dynes/cm。
[0006]在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式中，所述表面張力調(diào)節(jié)劑為分子量小于500的疏水性、極性有機(jī)物。
[0007]在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式中，所述載流子傳輸材料為分子量小于500的電子傳輸材料或者空穴傳輸材料。
[0008]在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式中，所述非極性有機(jī)溶劑在25°C下為液體且常壓下沸點(diǎn)小于200 °C。
[0009]在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式中，所述量子點(diǎn)墨水各組分的質(zhì)量百分比為:載流子傳輸材料5-15%，表面張力調(diào)節(jié)劑1_5%，疏水性量子點(diǎn)材料2-20%，非極性有機(jī)溶劑60-92%。
[0010]在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式中，所述疏水性量子點(diǎn)材料選自下述量子點(diǎn)材料中的一種或多種:CdS、CdSe、CdTe、ZnO、ZnS、ZnSe、ZnTe、GaAs、GaP、GaSb、HgS、HgSe、HgTe、InAs、InP、InSb、AlAs、A1P、CuInS、CuInSe、AlSb0
[0011]在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式中，所述載流子傳輸材料為電子傳輸材料，所述電子傳輸材料選自:噁二唑、噻二唑、均三唑、萘、苯醌、咔唑、上述物質(zhì)的衍生物及其組合。
[0012]在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式中，所述載流子傳輸材料為空穴傳輸材料，所述空穴傳輸材料選自:CBP(4，4’ -N, N’ - 二咔唑-聯(lián)苯)、a-NPD(N’ - 二苯基-N，N’ - 二(1-萘基)-1，I’-聯(lián)苯基-4，4，，- 二胺),TCCA(4，4’，4，，-三(N-唑基)-三苯胺)、DNTPD (N，N，- 二(4-(N, N’ - 二苯基-氨基)苯基)_N，N’ - 二苯聯(lián)苯胺)及其組合。
[0013]在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式中，所述表面張力調(diào)節(jié)劑為有機(jī)酸、有機(jī)氨或其混合物。
[0014]在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式中，所述有機(jī)酸為脂肪酸、有機(jī)氨為烷基氨。
[0015]在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式中，所述的脂肪酸選自:辛酸、癸酸、油酸、月桂酸及其組入口 ο
[0016]在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式中，所述烷基氨選自:十二胺、十六胺、十八胺、油胺及其組合。
[0017]在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式中，所述非極性有機(jī)溶劑選自:鏈狀烷烴、環(huán)烷烴、鹵代烷烴、芳香烴、上述物質(zhì)的衍生物及其組合。
[0018]在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式中，所述非極性有機(jī)溶劑選自:正戊烷、正己烷、正庚烷、正辛烷、環(huán)戊烷、環(huán)己烷、氯仿、溴乙烷、四氯化碳、苯、甲苯及其組合。
[0019]在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式中，所述量子點(diǎn)墨水各組分的質(zhì)量百分比為:載流子傳輸材料8-12 %，表面張力調(diào)節(jié)劑1-4 %，疏水性量子點(diǎn)材料5-18 %，非極性有機(jī)溶劑66-86%。
[0020]在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式中，所述量子點(diǎn)墨水各組分的質(zhì)量百分比為:載流子傳輸材料9-11%，表面張力調(diào)節(jié)劑1_2%，疏水性量子點(diǎn)材料10-15%，非極性有機(jī)溶劑62-80%。
[0021]在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式中，所述疏水性量子點(diǎn)材料表面具有三辛基膦或三辛基氧化膦配體。
[0022]本發(fā)明的實(shí)施例還提供一種量子點(diǎn)墨水的制備方法，包括:
[0023]將疏水性量子點(diǎn)材料、載流子傳輸材料、表面張力調(diào)節(jié)劑和非極性有機(jī)溶劑混合，以得到所述量子點(diǎn)墨水，所述疏水性量子點(diǎn)材料能夠與所述載流子傳輸材料發(fā)生相分離。
[0024]在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式中，所述量子點(diǎn)墨水在的粘度為10_12cP，表面張力為32-42dynes/cm。
[0025]在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式中，所述混合方式為攪拌、振蕩或超聲分散。
[0026]本發(fā)明的實(shí)施例還提供一種利用所述的量子點(diǎn)墨水打印制備量子點(diǎn)發(fā)光二極管器件的方法，包括如下步驟:
[0027]I)在基板上制作第一電極層；
[0028]2)在所述第一電極層上制作第一功能層；
[0029]3)在所述第一功能層上打印量子點(diǎn)墨水；
[0030]4)量子點(diǎn)墨水發(fā)生相分離，形成疏水性量子點(diǎn)材料層和第二功能層，在所述第二功能層上制作第三功能層；
[0031]5)在所述第三功能層上制作第二電極層。
[0032]在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式中，所述載流子傳輸材料為電子傳輸材料，所述第一電極層為ITO陽極，所述第一功能層在從所述第一電極到所述第二電極的方向上順次包括空穴注入層和空穴傳輸層，所述第二功能層為電子傳輸層，所述第三功能層為電子注入層，所述第二電極層為金屬陰極。
[0033]在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式中，所述載流子傳輸材料為空穴傳輸材料，所述第一電極層為金屬陰極，所述第一功能層在從所述第一電極到所述第二電極的方向上順次包括電子注入層和電子傳輸層，所述第二功能層為空穴傳輸層，所述第三功能層為空穴注入層，所述第二電極層為ITO陽極。
[0034]如何配制適合噴墨打印的量子點(diǎn)墨水是本領(lǐng)域的技術(shù)難點(diǎn)，本發(fā)明的發(fā)明人發(fā)現(xiàn)，將非極性有機(jī)溶劑、表面張力調(diào)節(jié)劑和疏水性量子點(diǎn)材料，以及載流子傳輸材料(電子傳輸材料或空穴傳輸材料)，混合而得到量子點(diǎn)墨水，適當(dāng)調(diào)整各組分的比例，即可獲得適于噴墨打印量子點(diǎn)墨水，并且噴墨打印完成后，所述疏水性量子點(diǎn)材料能夠與所述載流子傳輸材料發(fā)生相分離，從而一次打印即形成疏水性量子點(diǎn)材料層和載流子傳輸材料層的兩層結(jié)構(gòu)，不但實(shí)現(xiàn)了用噴墨打印的方式制備量子點(diǎn)發(fā)光器件，而且簡化了操作，降低了量子點(diǎn)發(fā)光器件的制造成本。
【附圖說明】
[0035]為了更清楚地說明本發(fā)明實(shí)施例的技術(shù)方案，下面將對實(shí)施例的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅涉及本發(fā)明的一些實(shí)施例，而非對本發(fā)明的限制。
[0036]圖1 (a)-(e)為本發(fā)明一實(shí)施方式中量子點(diǎn)發(fā)光器件的制備過程示意圖；
[0037]圖2為本發(fā)明另一實(shí)施方式中量子點(diǎn)發(fā)光器件結(jié)構(gòu)示意圖。
[0038]附圖標(biāo)記:
[0039]100襯底基板、101IT0陽極、102像素界定層、103空穴注入層、104空穴傳輸層、105量子點(diǎn)墨水、1051量子點(diǎn)發(fā)光層、1052電子傳輸層、106電子注入層、107金屬陰極
[0040]200襯底基板、201金屬陰極、202像素界定層、203電子注入層、204電子傳輸層、2051量子點(diǎn)發(fā)光層、2052空穴傳輸層、206空穴注入層、207IT0陽極
【具體實(shí)施方式】
[0041]為使本發(fā)明實(shí)施例的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚，下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例的附圖，對本發(fā)明實(shí)施例的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述。顯然，所描述的實(shí)施例是本發(fā)明的一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；谒枋龅谋景l(fā)明的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在無需創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。
[0042]除非另作定義，本公開所使用的技術(shù)術(shù)語或者科學(xué)術(shù)語應(yīng)當(dāng)為本發(fā)明所屬領(lǐng)域內(nèi)具有一般技能的人士所理解的通常意義。本發(fā)明專利申請說明書以及權(quán)利要求書中使用的“第一” “第二”以及類似的詞語并不表示任何順序、數(shù)量或者重要性，而只是用來區(qū)分不同的組成部分。同樣，“一個(gè)”或者“一”等類似詞語也不表示數(shù)量限制，而是表示存在至少一個(gè)?！斑B接”或者“相連”等類似的詞語并非限定于物理的或者機(jī)械的連接，而是可以