一種基板傳送裝置的制造方法
【專利摘要】本發(fā)明公開一種基板傳送裝置，涉及傳送設(shè)備技術(shù)領(lǐng)域，以在傳送基板時(shí)，減少基板傳送裝置中的傳送部對(duì)基板的磨損。該基板傳送裝置包括用于傳送基板的傳送部，該傳送部設(shè)有磁懸浮裝置，磁懸浮裝置能夠使基板受到與重力方向相反的懸浮力Fv。本發(fā)明提供的基板傳送裝置用于傳送基板。
【專利說(shuō)明】
一種基板傳送裝置
技術(shù)領(lǐng)域
[0001 ]本發(fā)明涉及傳送設(shè)備技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種基板傳送裝置。
【背景技術(shù)】
[0002] 隨著顯示技術(shù)的發(fā)展，顯示裝置的種類越來(lái)越多，現(xiàn)在主流的顯示裝置為平板顯 示裝置，這類平板顯示裝置本身由于沒(méi)有一般顯示器中的電子束管，因此作為大屏幕顯示 時(shí)不存在投射距離問(wèn)題，因此，平板顯示裝置是一種廣受歡迎的顯示裝置。
[0003] 而現(xiàn)有的平板顯示裝置在制作過(guò)程中，一般需要利用基板傳送裝置傳送平板顯示 裝置的基板，以進(jìn)行不同制程之間的轉(zhuǎn)換，但是由于基板在傳送中不可避免的直接與基板 傳送裝置的傳送部接觸，使得基板極易被傳送部磨損，從而影響平板顯示裝置的顯示效果。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004] 本發(fā)明的目的在于提供一種基板傳送裝置，以在傳送基板時(shí)，減羥基板傳送裝置 中的傳送部對(duì)基板的磨損。
[0005] 為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供如下技術(shù)方案：
[0006] -種基板傳送裝置，包括用于傳送基板的傳送部，所述傳送部設(shè)有磁懸浮裝置，所 述磁懸浮裝置能夠使所述基板受到與重力方向相反的懸浮力F v。
[0007] 優(yōu)選的，所述磁懸浮裝置包括電場(chǎng)生成單元，以及使所述基板處在磁場(chǎng)中的磁場(chǎng) 生成單元;所述基板中設(shè)有導(dǎo)電層，所述導(dǎo)電層的一側(cè)與所述電場(chǎng)生成單元的正極電連接， 所述導(dǎo)電層的另一側(cè)與所述電場(chǎng)生成單元的負(fù)極電連接;所述基板在所述磁場(chǎng)生成單元產(chǎn) 生的磁場(chǎng)中受到安培力F;
[0008] 所述懸浮力Fv為所述安培力F或所述安培力F在基板重力方向所在直線的分力。 [0009]較佳的，當(dāng)所述安培力F與懸浮力F v的方向不同時(shí)，所述安培力F在所述基板的平 面上的分力方向與所述基板的傳送方向相同。
[0010] 優(yōu)選的，當(dāng)所述懸浮力Fv大于等于所述基板的重力G時(shí)，所述磁場(chǎng)的磁場(chǎng)強(qiáng)度

[0011] 當(dāng)所述懸浮力Fv小于所述基板的重力G時(shí)，所述磁場(chǎng)的磁場(chǎng)強(qiáng)度
[0012] 其中：
[0013] m為所述基板的質(zhì)量；
[0014] g為所述基板的重力加速度；
[0015] I為面電流的電流大??；且所述面電流在所述電場(chǎng)生成單元的電流通過(guò)所述導(dǎo)電 層時(shí)形成；
[0016] sin(I，B)為所述面電流的電流方向與所述基板所處的磁場(chǎng)方向之間夾角的正弦 值；
[0017] 0為所述安培力F與所述基板的平面之間的夾角，〇〈0<9〇° ;
[0018] L為所述導(dǎo)電層的一側(cè)到另一側(cè)的長(zhǎng)度。
[0019] 較佳的，所述電場(chǎng)生成單元的正極與所述傳送部的一側(cè)相連，所述電場(chǎng)生成單元 與所述傳送部的另一側(cè)相連；
[0020] 所述傳送部與所述電場(chǎng)生成單元的正極相連的一側(cè)，以及所述導(dǎo)電層與所述電場(chǎng) 生成單元的正極電相連的一側(cè)相對(duì)；
[0021] 所述傳送部與所述電場(chǎng)生成單元的負(fù)極相連的一側(cè)，以及所述導(dǎo)電層與所述電場(chǎng) 生成單元的負(fù)極電相連的一側(cè)相對(duì)。
[0022] 進(jìn)一步的，所述傳送部包括傳送導(dǎo)軌，所述傳送導(dǎo)軌的一側(cè)設(shè)有第一傳送滾輪，所 述第一傳送滾輪連接所述電場(chǎng)生成單元的正極，所述傳送導(dǎo)軌的另一側(cè)設(shè)有第二傳送滾 輪，所述第二傳送滾輪連接所述電場(chǎng)生成單元的負(fù)極；
[0023] 傳送基板時(shí)，所述導(dǎo)電層的兩側(cè)對(duì)應(yīng)與所述第一傳送滾輪和第二傳送滾輪接觸。 [0024]更進(jìn)一步的，所述第一傳送滾輪上設(shè)有與所述電場(chǎng)生成單元的正極相連的第一導(dǎo) 電膜，所述第二傳送滾輪上設(shè)有與所述電場(chǎng)生成單元的負(fù)極相連的第二導(dǎo)電膜；
[0025] 傳送基板時(shí)，所述導(dǎo)電層的兩側(cè)對(duì)應(yīng)與所述第一導(dǎo)電膜和第二導(dǎo)電膜接觸。
[0026] 優(yōu)選的，所述磁場(chǎng)生成單元設(shè)在所述傳送部的底部。
[0027] 優(yōu)選的，所述磁場(chǎng)生成單元包括至少一個(gè)導(dǎo)電螺線管，所述導(dǎo)電落線管設(shè)在所述 傳送部的底部。
[0028] 與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明提供的基板傳送裝置具有以下有益效果：
[0029] 本發(fā)明提供的基板傳送裝置中，傳送部上設(shè)有磁懸浮裝置，該磁懸浮裝置能夠產(chǎn) 生與基板的重力方向相反的懸浮力Fv，這樣就能減小基板在傳送過(guò)程中對(duì)傳送部的壓力， 而傳送部與傳送的基板之間的摩擦力又與傳送的基板的對(duì)傳送部的壓力成正比，因此，當(dāng) 基板在傳送過(guò)程中對(duì)傳送部的壓力減小，則傳送部與傳送的基板之間的摩擦力就會(huì)減小， 從而減輕了基板傳送裝置中的傳送部對(duì)基板的磨損。
【附圖說(shuō)明】
[0030] 此處所說(shuō)明的附圖用來(lái)提供對(duì)本發(fā)明的進(jìn)一步理解，構(gòu)成本發(fā)明的一部分，本發(fā) 明的示意性實(shí)施例及其說(shuō)明用于解釋本發(fā)明，并不構(gòu)成對(duì)本發(fā)明的不當(dāng)限定。在附圖中： [0031 ]圖1為本發(fā)明實(shí)施例提供的基板傳送裝置在使用狀態(tài)下的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0032] 圖2為本發(fā)明實(shí)施例提供的基板傳送裝置在第一種使用狀態(tài)下，電流方向和磁場(chǎng) 方向的示意圖；
[0033] 圖3為本發(fā)明實(shí)施例提供的基板傳送裝置在第二種使用狀態(tài)下，電流方向和磁場(chǎng) 方向的示意圖；
[0034] 圖4為本發(fā)明實(shí)施例提供的基板傳送裝置在第二種使用狀態(tài)下，傳送的基板的受 力分析示意圖；
[0035] 附圖標(biāo)記：
[0036] 1-傳送部， 10-傳送導(dǎo)軌
[0037] 11-第一傳送滾輪， 110-導(dǎo)電正極；
[0038] 12-第二傳送滾輪， 120-導(dǎo)電負(fù)極；
[0039] 2-基板。
【具體實(shí)施方式】
[0040] 為了進(jìn)一步說(shuō)明本發(fā)明實(shí)施例提供的基板傳送裝置，下面結(jié)合說(shuō)明書附圖進(jìn)行詳 細(xì)描述。
[0041] 請(qǐng)參閱圖1，本發(fā)明實(shí)施例提供的基板傳送裝置，包括用于傳送基板2的傳送部1， 傳送部設(shè)有磁懸浮裝置，磁懸浮裝置能夠使基板受到與重力方向相反的懸浮力F v。
[0042]具體實(shí)施時(shí)，基板在傳送部1受到磁懸浮裝置施加的懸浮力Fv，該懸浮力Fv與重力 方向相反的懸浮力Fv，以減小傳送部1對(duì)基板的磨損。
[0043] 通過(guò)上述具體實(shí)施過(guò)程可知，本實(shí)施例提供的基板傳送裝置中，傳送部1上設(shè)有的 磁懸浮裝置能夠產(chǎn)生與基板2的重力方向相反的懸浮力F v，這樣就能減小基板2在傳送過(guò)程 中對(duì)傳送部1的壓力，而傳送部1與傳送的基板2之間的摩擦力又與傳送的基板2的對(duì)傳送部 1的壓力成正比，因此，當(dāng)基板2在傳送過(guò)程中對(duì)傳送部1的壓力減小時(shí)，則傳送部1與傳送的 基板2之間的摩擦力就會(huì)減小，這樣就減少了基板傳送裝置中的傳送部1對(duì)基板的磨損。
[0044] 而上述實(shí)施例中，磁懸浮裝置的具體實(shí)現(xiàn)方式比較多，下面結(jié)合圖1詳細(xì)描述磁懸 浮裝置的結(jié)構(gòu)，但不僅限于此，也可以為其他現(xiàn)有的磁懸浮裝置。
[0045] 該磁懸浮裝置包括電場(chǎng)生成單元和使基板2處在磁場(chǎng)中的磁場(chǎng)生成單元;基板2中 設(shè)有導(dǎo)電層，導(dǎo)電層的一側(cè)與電場(chǎng)生成單元的正極電連接，導(dǎo)電層的另一側(cè)與電場(chǎng)生成單 元的負(fù)極電連接;基板2在磁場(chǎng)生成單元產(chǎn)生的磁場(chǎng)中受到安培力F;其中，懸浮力F v為安培 力F或安培力F在傳送的基板2重力方向所在直線的分力。而且，由于導(dǎo)電層的一側(cè)與電場(chǎng)生 成單元的正極電連接，導(dǎo)電層的另一側(cè)與電場(chǎng)生成單元的負(fù)極相連，這樣電場(chǎng)生成單元的 電流在通過(guò)導(dǎo)電層時(shí)能夠形成從正極到負(fù)極的面電流。
[0046] 具體實(shí)施時(shí)，磁場(chǎng)生成單元生成磁場(chǎng)，使得基板2處在該磁場(chǎng)中，且利用電場(chǎng)生成 單元的電流從正極出發(fā)從導(dǎo)電層的一側(cè)進(jìn)入導(dǎo)電層，然后從導(dǎo)電層的另一側(cè)流入電場(chǎng)生成 單元的負(fù)極，電場(chǎng)生成單元的電流在導(dǎo)電層上形成由正極指向負(fù)極的面電流;而根據(jù)左手 定則，當(dāng)導(dǎo)電層流過(guò)面電流時(shí)，基板2在磁場(chǎng)生成單元產(chǎn)生的磁場(chǎng)中受到安培力F，而上述實(shí) 施例中的懸浮力F v即為安培力F或安培力F在傳送的基板2重力方向所在直線的分力。
[0047] 通過(guò)上述具體實(shí)施過(guò)程可知，上述實(shí)施例中的磁懸浮裝置是在基板2上設(shè)有導(dǎo)電 層的前提下，利用電磁感應(yīng)原理，使得基板2上的導(dǎo)電層的兩側(cè)與電場(chǎng)生成單元的正極和負(fù) 極對(duì)應(yīng)電連接，使得基板2的導(dǎo)電層上形成面電流，并利用磁場(chǎng)生成單元使基板2處在磁場(chǎng) 中，這樣基板2的導(dǎo)電層中的面電流就能夠與磁場(chǎng)發(fā)生電磁感應(yīng)，從而使得基板2受到安培 力F，該安培力F即為安培力F或安培力F在傳送的基板2重力方向所在直線的分力
[0048] 而上述電場(chǎng)生成單元具體形式很多，電場(chǎng)生成單元可以為普通的直流電源，也可 以為直流可調(diào)電源，以通過(guò)調(diào)整面電流的大小，從而達(dá)到調(diào)整基板2所受到的懸浮力的大 小。另外，電場(chǎng)生成單元也可以以電極形式給出，例如在導(dǎo)電層的一側(cè)電連接正極電極，在 導(dǎo)電層的另一側(cè)電連接負(fù)極電極。
[0049] 考慮到傳送部一般為導(dǎo)電材料制成，而導(dǎo)電層是基板2的一部分，且在基板2傳送 過(guò)程中，基板2-直處在移動(dòng)過(guò)程中，為了能夠方便的實(shí)現(xiàn)電場(chǎng)生成單元的正極與導(dǎo)電層的 一側(cè)電連接，電場(chǎng)生成單元的負(fù)極與導(dǎo)電層的另一側(cè)電連接，可以將電場(chǎng)生成單元的正極 與傳送部1的一側(cè)相連，電場(chǎng)生成單元與傳送部1的另一側(cè)相連;且傳送部1與電場(chǎng)生成單元 的正極相連的一側(cè)，以及導(dǎo)電層與電場(chǎng)生成單元的正極電相連的一側(cè)相對(duì)，傳送部1與電場(chǎng) 生成單元的負(fù)極相連的一側(cè)，以及導(dǎo)電層與電場(chǎng)生成單元的負(fù)極電相連的一側(cè)相對(duì);這樣 電場(chǎng)生成單元的正極和負(fù)極就能以間接的方式電連接導(dǎo)電層。而如果電場(chǎng)生成單元的正極 和負(fù)極是分離的，則一般來(lái)說(shuō)電場(chǎng)生成單元是由導(dǎo)電正極110和導(dǎo)電負(fù)極120組成，其中，導(dǎo) 電正極110與傳送部1的一側(cè)相連，導(dǎo)電負(fù)極120與傳送部1的另一側(cè)相連，且導(dǎo)電正極110與 傳送部1相連的一側(cè)，以及導(dǎo)電層與導(dǎo)電正極110電相連的一側(cè)相對(duì);導(dǎo)電負(fù)極120與傳送部 1的一側(cè)，以及導(dǎo)電層與導(dǎo)電負(fù)極120電連接的一側(cè)相對(duì)。
[0050] 而且，上述實(shí)施例提供的基板傳送裝置中的傳送部1 一般為現(xiàn)有的，包括傳送導(dǎo)軌 10,傳送導(dǎo)軌10的一側(cè)設(shè)有第一傳送滾輪11，第一傳送滾輪11連接電場(chǎng)生成單元的正極，傳 送導(dǎo)軌10的另一側(cè)設(shè)有第二傳送滾輪12,第二傳送滾輪12連接電場(chǎng)生成單元的負(fù)極;傳送 基板時(shí)，導(dǎo)電層的兩側(cè)對(duì)應(yīng)與第一傳送滾輪11和第二傳送滾輪12接觸，而由于第一傳送滾 輪11連接電場(chǎng)生成單元的正極，第二傳送滾輪12連接電場(chǎng)生成單元的負(fù)極，因此，導(dǎo)電層的 兩側(cè)能夠通過(guò)第一傳送滾輪11和第二傳送滾輪12對(duì)應(yīng)與電場(chǎng)生成單元的正極和負(fù)極相連。
[0051] 為了減少第一傳送滾輪11和第二傳送滾輪12對(duì)基板2邊緣的磨損，第一傳送滾輪 11和第二傳送滾輪12會(huì)選擇橡膠材料，且橡膠材料一般不導(dǎo)電，因此，在第一傳送滾輪11上 設(shè)置與電場(chǎng)生成單元的正極相連的第一導(dǎo)電膜，第二傳送滾輪12上設(shè)置與電場(chǎng)生成單元的 負(fù)極相連的第二導(dǎo)電膜，傳送基板2時(shí)，導(dǎo)電層的兩側(cè)對(duì)應(yīng)與第一導(dǎo)電膜和第二導(dǎo)電膜接 觸;這樣基板2在傳送過(guò)程中，導(dǎo)電層的一側(cè)可以通過(guò)第一導(dǎo)電膜與電場(chǎng)生成單元的正極相 連，導(dǎo)電層的另一側(cè)可以通過(guò)第二導(dǎo)電膜與電場(chǎng)生成單元的負(fù)極相連。
[0052]另外，上述實(shí)施例中的磁場(chǎng)生成單元一般設(shè)在傳送部1的底部，且其具體形式也很 多的，例如常見的導(dǎo)電螺線管或電磁鐵等，導(dǎo)電落線管或電磁鐵設(shè)在傳送部1的底部，而且 磁場(chǎng)生成單元也可以包括多個(gè)導(dǎo)電螺線管或多個(gè)螺線管，以提高產(chǎn)生的磁場(chǎng)強(qiáng)度。
[0053]值得注意的是，上述實(shí)施例中的懸浮力Fv之所以有兩種體現(xiàn)形式，主要是由于基 板2所處的磁場(chǎng)方向與基板2的平面夾角決定的；下面結(jié)合圖2-圖4對(duì)兩種狀態(tài)下的磁場(chǎng)方 向產(chǎn)生的安培力F進(jìn)行詳細(xì)說(shuō)明。
[0054]請(qǐng)參閱圖2,當(dāng)基板2所處的磁場(chǎng)方向與基板2的平面之間的夾角為0°時(shí)，此時(shí)懸浮 力Fv為安培力F。
[0055] 至于基板2所處的磁場(chǎng)方向與上述面電流的電流方向的具體指向，可以根據(jù)本領(lǐng) 域現(xiàn)有的電磁理論常識(shí)確定。例如，圖2示出的基板2所處的磁場(chǎng)方向是由基板2的前方指向 基板的后方，即基板2所處的磁場(chǎng)方向與傳送方向相反，其中，傳送方向如圖2所示的虛線箭 頭，面電流的電流方向同樣參照?qǐng)D2所示。
[0056] 在圖2所示的基板2所處的磁場(chǎng)方向和面電流的電流方向下，基板2所受到的安培 力F與基板2的重力方向相反，即安培力F與基板2的表面夾角0 = 90°。
[0057]請(qǐng)參閱圖3,當(dāng)基板2所處的磁場(chǎng)方向與基板2的平面之間的夾角大于0小于90°時(shí)， 此時(shí)請(qǐng)參閱圖4,懸浮力Fv為安培力F在傳送的基板2重力方向所在直線的分力FP，即安培力F 與基板2的表面夾角0的范圍為〇〈0〈9〇°。
[0058]至于基板2所處的磁場(chǎng)方向與上述面電流的電流方向的具體指向，可以根據(jù)本領(lǐng) 域現(xiàn)有的電磁理論常識(shí)確定。例如，圖3示出的基板2所處的磁場(chǎng)方向雖然也是由基板2的前 方指向基板的后方，但是以如圖3所示的斜向上的方向指向基板2的后方，而電流方向同樣 如圖3所示。
[0059] 在圖3所示的基板2所處的磁場(chǎng)方向和面電流的電流方向下，基板2所受到的安培 力F才會(huì)如圖3所示。
[0060] 進(jìn)一步的，請(qǐng)參閱圖4，當(dāng)磁場(chǎng)方向與面電流的電流方向的夾角小于90°時(shí)，安培力 F在基板2的平面上的分力方向與基板的傳送方向（如圖3和圖4所示虛線箭頭)相同，這樣基 板2不僅能夠在傳送部1的傳送下移動(dòng)，而且，還可以通過(guò)安培力F在基板2的平面的分力F P 的作用，進(jìn)一步加快基板2的傳送。
[0061]值得注意的是，上述實(shí)施例中的安培力F在基板2的平面上的分力方向也可以與基 板的傳送方向相反，但是這樣會(huì)明顯阻礙基板2的傳送。
[0062]需要說(shuō)明的是，上述實(shí)施例中導(dǎo)電層的一側(cè)是指導(dǎo)電層與傳送部1的一側(cè)相對(duì)的 位置，而導(dǎo)電層的另一側(cè)是指導(dǎo)電層與傳送部1的另一側(cè)相對(duì)的位置，而傳送部的一側(cè)或另 一側(cè)是與傳送方向平行的。
[0063]另外，根據(jù)懸浮力Fv與傳送的基板2的重力G的大小關(guān)系，基板2的下表面可以和傳 送部1接觸，也可以不接觸。
[0064] 當(dāng)懸浮力Fv小于基板2的重力G時(shí)，磁場(chǎng)的磁場(chǎng)強(qiáng)度
；此時(shí)，基板2的 下表面和傳送部1(具體為傳送部1中的傳送導(dǎo)軌10)接觸，但是基板2對(duì)傳送部1(具體為傳 送部1中的傳送導(dǎo)軌10)壓力減小，從而緩解了傳送部1(具體為傳送部1中的傳送導(dǎo)軌10)對(duì) 基板2的磨損。
[0065] 當(dāng)懸浮力Fv大于等于基板2的重力G時(shí)，磁場(chǎng)的磁場(chǎng)強(qiáng)度
；此時(shí)，基板 2的下表面和傳送部1(具體為傳送部1中的傳送導(dǎo)軌10)不發(fā)生接觸，依靠傳送部1中與基板 2的邊緣接觸的傳送滾輪(第一傳送滾輪11和第二傳送滾輪12)驅(qū)動(dòng)基板2繼續(xù)傳送。
[0066] 其中：
[0067] m為基板2的質(zhì)量；
[0068] g為基板2的重力加速度；
[0069] I為面電流的電流大小;且面電流在電場(chǎng)生成單元的電流通過(guò)導(dǎo)電層時(shí)形成；
[0070] sin(I，B)為面電流的電流方向與基板所處的磁場(chǎng)方向之間夾角的正弦值；
[0071] 0為安培力F與基板2的平面之間的夾角，〇〈0彡90° ;
[0072] L為導(dǎo)電層的一側(cè)到另一側(cè)的長(zhǎng)度。
[0073] 上述這些參數(shù)中，基板2的質(zhì)量m，基板2的重力加速度g，以及導(dǎo)電層的一側(cè)到另一 側(cè)的長(zhǎng)度L均是固定的，因此，可以通過(guò)調(diào)整基板2所處的磁場(chǎng)強(qiáng)度B的大小、面電流I的大 小，以及面電流的電流方向與基板2所處的磁場(chǎng)方向之間夾角，即可實(shí)現(xiàn)基板2的下表面和 傳送部1發(fā)生接觸或不發(fā)生接觸.
[0074] 而且，由于基板2中的導(dǎo)電層自身電阻的關(guān)系，導(dǎo)電層所能承受的電壓和電流也是 有一定限度的，因此，電場(chǎng)生成單元的電壓選擇，以及面電流的大小也是因?qū)щ妼拥碾娮瓒?決定的，不能一概而論。
[0075]需要說(shuō)明的是，上述實(shí)施例中的基板2可以為一切含有導(dǎo)電層的板狀物，具體得顯 示領(lǐng)域，可以為顯示基板或顯示面板，當(dāng)前基板2的質(zhì)量一般在4kg-20kg。
[0076]以現(xiàn)有的ADS面板（Advanced Super Dimension Switch panel，簡(jiǎn)稱ADS面板）為 例，ADS面板在背面覆蓋ITO膜(氧化銦錫膜)后，需要基板傳送裝置傳送，而在ADS面板傳送 過(guò)程中，ADS面板的背面和傳送部1(具體為傳送部1中的傳送導(dǎo)軌10)接觸，其中，ADS面板的 背面覆蓋的IT0膜就相當(dāng)于上述實(shí)施例中所說(shuō)的導(dǎo)電層。
[0077]采用上述實(shí)施例提供的基板傳送裝置傳送ADS基板時(shí)，由于IT0膜的一側(cè)會(huì)與電場(chǎng) 生成單元的正極電連接，而另一側(cè)會(huì)與電場(chǎng)生成單元的負(fù)極電連接，而IT0膜又覆蓋在ADS 面板的背面，因此，IT0膜的尺寸與ADS面板相同，且當(dāng)ADS面板的兩條寬邊與傳送部的兩側(cè) 相對(duì)時(shí)，電場(chǎng)生成單元向TI0膜加載電壓時(shí)，IT0膜上可以形成從正極到負(fù)極的面電流，該面 電流的電流方向如圖2-4所示的電流方向，即從IT0膜的一側(cè)到另一側(cè)。
[0078]下面以ADS面板為基板，舉例說(shuō)明采用上述基板傳送裝置傳送ADS面板時(shí)，ADS面板 的背面是否與傳送部1接觸;其中，ADS面板的尺寸為：寬1.5m，長(zhǎng)1.85m，厚度0.3mm，質(zhì)量為 5kg(通過(guò)換算可知ADS面板的重力G為49N)，ADS面板的背面覆蓋有IT0膜，IT0膜的方阻為 150 Q/□，要求面電流大小為1A數(shù)量級(jí)。
[0079] 實(shí)施例一：
[0080] 傳送ADS面板時(shí)，IT0膜通過(guò)的面電流大小為1A，磁場(chǎng)強(qiáng)度為10T，面電流方向和ADS 面板所處的磁場(chǎng)方向如圖2所示，基板2所處的磁場(chǎng)方向與基板的平面之間的夾角等于0°， 基板2所處的磁場(chǎng)方向與面電流方向的夾角為90°。
[0081] 根據(jù)左手法則可以確定ADS面板受到與ADS面板重力方向相反的懸浮力Fv;其中，F(xiàn)v = IBL=1AX10TX1.5 = 15N。
[0082] 通過(guò)上述計(jì)算可知，ADS面板受到的懸浮力Fv為15N，ADS面板的重力G為49N，二者 方向相反，通過(guò)計(jì)算，ADS面板對(duì)傳送部1的壓力~=6-?￥ = 491'1-15~ = 341'1，可見403面板的 背面此時(shí)仍然與傳送部1接觸，但ADS面板對(duì)傳送部1的壓力減小，即傳送部1對(duì)ADS面板的磨 損減小。
[0083] 實(shí)施例二：
[0084] 傳送ADS面板時(shí)，IT0膜通過(guò)的面電流大小為1A，磁場(chǎng)強(qiáng)度為50T，面電流方向和ADS 面板所處的磁場(chǎng)方向如圖2所示，基板2所處的磁場(chǎng)方向與基板的平面之間的夾角等于0°， 基板2所處的磁場(chǎng)方向與面電流方向的夾角為90°。
[0085]根據(jù)左手法則可以確定ADS面板受到與ADS面板重力方向相反的安培力F，即懸浮 力 Fv;其中，F(xiàn)V=IBL=1AX50TX1.5 = 75N。
[0086] 通過(guò)上述計(jì)算可知，ADS面板受到的懸浮力Fv為75N，ADS面板的重力G為49N，二者 方向相反，通過(guò)計(jì)算，ADS面板對(duì)傳送部1的壓力N=G-FV = 49N-75N=-26N，可見，ADS面板的 背面此時(shí)與傳送部1已經(jīng)分離，且懸浮力Fv能夠?qū)DS面板懸浮在傳送部1的傳送導(dǎo)軌10上， ADS面板的邊緣通過(guò)與第一傳送滾輪11和第二傳送滾輪的接觸，驅(qū)動(dòng)ADS面板繼續(xù)傳送。 [0087] 實(shí)施例三：
[0088] 傳送ADS面板時(shí)，IT0膜通過(guò)的面電流大小為1A，磁場(chǎng)強(qiáng)度為40T，面電流方向和ADS 面板所處的磁場(chǎng)方向如圖2所示，基板2所處的磁場(chǎng)方向與基板的平面之間的夾角等于0°， 基板2所處的磁場(chǎng)方向與面電流方向的夾角為90°。
[0089]根據(jù)左手法則可以確定ADS面板受到與ADS面板重力方向相反的安培力F，即懸浮 力 Fv;其中，F(xiàn)V=IBL=1AX40TX1.5 = 60N。
[0090] 通過(guò)上述計(jì)算可知，ADS面板受到的懸浮力Fv為60N，ADS面板的重力G為49N，二者 方向相反，通過(guò)計(jì)算，ADS面板對(duì)傳送部1的壓力N=G-F V = 49N-60N=-11N，可見，ADS面板的 背面此時(shí)與傳送部1已經(jīng)分離，且懸浮力Fv能夠?qū)DS面板懸浮在傳送部1的傳送導(dǎo)軌10上， ADS面板的邊緣分別與第一傳送滾輪11和第二傳送滾輪的接觸，驅(qū)動(dòng)ADS面板繼續(xù)傳送。
[0091] 實(shí)施例四：
[0092] 傳送ADS面板時(shí)，IT0膜通過(guò)的面電流大小為1A，磁場(chǎng)強(qiáng)度為25T，面電流方向和ADS 面板所處的磁場(chǎng)方向如圖3所示:基板2所處的磁場(chǎng)方向與基板的平面之間的夾角大于0°， 基板2所處的磁場(chǎng)方向與面電流方向仍然為90°。
[0093]根據(jù)左手法則可以確定ADS面板受到如圖4所示的安培力F，該安培力與ADS面板的 平面之間的夾角為30°，安培力F在基板2重力方向所在直線的分力即為懸浮力Fv。
[0094] Fv=Fsin0 = IBLsin0 = lAX25TX1.5Xsin3O〇 =18.75N
[0095] 通過(guò)上述計(jì)算可知，ADS面板受到的懸浮力Fv為18.75N，ADS面板的重力G為49N，二 者方向相反，通過(guò)計(jì)算，ADS面板對(duì)傳送部1的壓力N = G-FV = 49N-18.75N = 30.25N，可見， ADS面板的背面此時(shí)仍然與傳送部1接觸，但ADS面板對(duì)傳送部1的壓力減小，即傳送部1對(duì) ADS面板的磨損減小。
[0096]另外，如圖4所示，安培力F在基板2的平面上的分力方向與基板2的傳送方向相同， 且安培力F在基板2的平面上的分力FP = Fcos9 = IBLcos9 = lAX25TX1.5mXcos30° = 32.475N，因此，除了傳送部1對(duì)ADS面板進(jìn)行傳送，安培力F在基板2的平面上的分力匕也可 以促進(jìn)ADS面板的傳送。
[0097] 實(shí)施例五：
[0098] 傳送ADS面板時(shí)，IT0膜通過(guò)的面電流大小為1A，磁場(chǎng)強(qiáng)度為80T，面電流方向和ADS 面板所處的磁場(chǎng)方向如圖3所示:基板2所處的磁場(chǎng)方向與基板的平面之間的夾角大于0°， 基板2所處的磁場(chǎng)方向與面電流方向仍然為90°。
[0099]根據(jù)左手法則可以確定ADS面板受到如圖4所示的安培力F，該安培力與ADS面板的 平面之間的夾角為60°，安培力F在基板2重力方向所在直線的分力即為懸浮力Fv。
[0100] Fv=Fsin0 = IBLsin0 = lAX8OTX1.5Xsin6O〇 =103.92N [0101] 通過(guò)上述計(jì)算可知，ADS面板受到的懸浮力Fv為103.92N，ADS面板的重力G為49N， 二者方向相反，通過(guò)計(jì)算，ADS面板對(duì)傳送部1的壓力N = G-FV = 49N-103.92N = -54.92N，可 見，ADS面板的背面此時(shí)與傳送部1已經(jīng)分離，且懸浮力Fv能夠?qū)DS面板懸浮在傳送部1的 傳送導(dǎo)軌10上，ADS面板的邊緣通過(guò)與第一傳送滾輪11和第二傳送滾輪的接觸，驅(qū)動(dòng)ADS面 板繼續(xù)傳送。
[0102] 另外，如圖4所示，安培力F在基板2的平面上的分力方向與基板2的傳送方向相同， 且安培力F在基板2的平面上的分力FP = Fcos9 = IBLcos9 = 1A X 80T X 1 ? 5m X cos60° =60N， 因此，除了傳送部1對(duì)ADS面板進(jìn)行傳送，安培力F在基板2的平面上的分力匕也可以促進(jìn)ADS 面板的傳送。
[0103] 需要說(shuō)明的是，上述實(shí)施例四和實(shí)施例五中，懸浮力Fv與基板2的平面之間的夾 角，是和基板所處的磁場(chǎng)方向與基板的平面之間的夾角有關(guān)的，而上述實(shí)施例四和實(shí)施例 五的重點(diǎn)在于體現(xiàn)安培力方向?qū)腋× v的影響，因此，忽略基板所處的磁場(chǎng)方向與基板 的平面之間的夾角，這個(gè)夾角是本領(lǐng)域技術(shù)人員根據(jù)常規(guī)的電磁學(xué)理論可以反推的，在此 不做贅述。
[0104] 在上述實(shí)施方式的描述中，具體特征、結(jié)構(gòu)、材料或者特點(diǎn)可以在任何的一個(gè)或多 個(gè)實(shí)施例或示例中以合適的方式結(jié)合。
[0105] 以上所述，僅為本發(fā)明的【具體實(shí)施方式】，但本發(fā)明的保護(hù)范圍并不局限于此，任何 熟悉本技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員在本發(fā)明揭露的技術(shù)范圍內(nèi)，可輕易想到變化或替換，都應(yīng)涵 蓋在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。因此，本發(fā)明的保護(hù)范圍應(yīng)以所述權(quán)利要求的保護(hù)范圍為準(zhǔn)。
【主權(quán)項(xiàng)】
1. 一種基板傳送裝置，包括用于傳送基板的傳送部，其特征在于，所述傳送部設(shè)有磁懸 浮裝置，所述磁懸浮裝置能夠使所述基板受到與重力方向相反的懸浮力Fv。2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的基板傳送裝置，其特征在于，所述磁懸浮裝置包括電場(chǎng)生成單 元，以及使所述基板處在磁場(chǎng)中的磁場(chǎng)生成單元;所述基板中設(shè)有導(dǎo)電層，所述導(dǎo)電層的一 側(cè)與所述電場(chǎng)生成單元的正極電連接，所述導(dǎo)電層的另一側(cè)與所述電場(chǎng)生成單元的負(fù)極電 連接;所述基板在所述磁場(chǎng)生成單元產(chǎn)生的磁場(chǎng)中受到安培力F; 所述懸浮力Fv為所述安培力F或所述安培力F在基板重力方向所在直線的分力。3. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的基板傳送裝置，其特征在于，當(dāng)所述安培力F與懸浮力Fv的方向 不同時(shí)，所述安培力F在所述基板的平面上的分力方向與所述基板的傳送方向相同。4. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的基板傳送裝置，其特征在于， 當(dāng)所述懸浮力Fv大于等于所述基板的重力G時(shí)，所述磁場(chǎng)的磁± 當(dāng)所述懸浮力Fv小于所述基板的重力G時(shí)，所述磁場(chǎng)的磁場(chǎng)強(qiáng)￡ 其中： m為所述基板的質(zhì)量； g為所述基板的重力加速度； I為面電流的電流大小;且所述面電流在所述電場(chǎng)生成單元的電流通過(guò)所述導(dǎo)電層時(shí) 形成； sin(I，B)為所述面電流的電流方向與所述基板所處的磁場(chǎng)方向之間夾角的正弦值； Θ為所述安培力F與所述基板的平面之間的夾角，0〈θ<90° ; L為所述導(dǎo)電層的一側(cè)到另一側(cè)的長(zhǎng)度。5. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的基板傳送裝置，其特征在于，所述電場(chǎng)生成單元的正極與所述 傳送部的一側(cè)相連，所述電場(chǎng)生成單元與所述傳送部的另一側(cè)相連； 所述傳送部與所述電場(chǎng)生成單元的正極相連的一側(cè)，以及所述導(dǎo)電層與所述電場(chǎng)生成 單元的正極電相連的一側(cè)相對(duì)； 所述傳送部與所述電場(chǎng)生成單元的負(fù)極相連的一側(cè)，以及所述導(dǎo)電層與所述電場(chǎng)生成 單元的負(fù)極電相連的一側(cè)相對(duì)。6. 根據(jù)權(quán)利要求5所述的基板傳送裝置，其特征在于，所述傳送部包括傳送導(dǎo)軌，所述 傳送導(dǎo)軌的一側(cè)設(shè)有第一傳送滾輪，所述第一傳送滾輪連接所述電場(chǎng)生成單元的正極，所 述傳送導(dǎo)軌的另一側(cè)設(shè)有第二傳送滾輪，所述第二傳送滾輪連接所述電場(chǎng)生成單元的負(fù) 極； 傳送基板時(shí)，所述導(dǎo)電層的兩側(cè)對(duì)應(yīng)與所述第一傳送滾輪和第二傳送滾輪接觸。7. 根據(jù)權(quán)利要求6所述的基板傳送裝置，其特征在于，所述第一傳送滾輪上設(shè)有與所述 電場(chǎng)生成單元的正極相連的第一導(dǎo)電膜，所述第二傳送滾輪上設(shè)有與所述電場(chǎng)生成單元的 負(fù)極相連的第二導(dǎo)電膜； 傳送基板時(shí)，所述導(dǎo)電層的兩側(cè)對(duì)應(yīng)與所述第一導(dǎo)電膜和第二導(dǎo)電膜接觸。8. 根據(jù)權(quán)利要求2~7中任一項(xiàng)所述的基板傳送裝置，其特征在于，所述磁場(chǎng)生成單元 設(shè)在所述傳送部的底部。
【文檔編號(hào)】B65G54/00GK105883420SQ201610258607
【公開日】2016年8月24日
【申請(qǐng)日】2016年4月22日
【發(fā)明人】石鵬程, 劉瀏
【申請(qǐng)人】京東方科技集團(tuán)股份有限公司, 合肥京東方光電科技有限公司