專(zhuān)利名稱(chēng)：基板處理裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及為了制造例如光盤(pán)那樣的平板狀記錄介質(zhì)、而對(duì)成型 的基板進(jìn)行處理的基板處理裝置。
背景技術(shù)：
光盤(pán)或磁光盤(pán)等的光學(xué)讀取式的圓盤(pán)形記錄介質(zhì)不僅專(zhuān)門(mén)用于播 放，也可廣泛用于改寫(xiě)所記錄的信息。為了保護(hù)形成在基板上的記錄 面或通過(guò)記錄面的多層化實(shí)現(xiàn)高密度記錄，通過(guò)相互粘合基板來(lái)制造 該記錄介質(zhì)。
例如如下所述地制造這樣的記錄介質(zhì)。即，對(duì)兩張聚碳酸酯制的 基板進(jìn)行注射模塑成型，在濺射室通過(guò)噴濺形成金屬膜。然后通過(guò)旋 轉(zhuǎn)涂敷將紫外線硬化型的粘合劑涂敷在兩張基板的接合面上。將涂敷 了粘合劑的一對(duì)基板插入真空室，在真空中粘合相互的粘合劑面。將 相互粘合后的基板從真空室中取出到大氣壓下，通過(guò)向其照射紫外線 使粘合劑硬化。通過(guò)這樣將兩張基板牢固地粘合，完成光盤(pán)。
但是，如果在粘合前的基板上存在彎曲或變形等，則如上所述地 制造的光盤(pán)的粘合層的厚度等將不均勻，在用于讀寫(xiě)信息的激光照射 在光盤(pán)上時(shí)，有可能不能準(zhǔn)確地到達(dá)記錄面的規(guī)定位置。因此，在該 光盤(pán)用的基板上，排除成形后產(chǎn)生的彎曲或變形對(duì)于確保產(chǎn)品穩(wěn)定的 質(zhì)量是非常重要的。
例如，連續(xù)注射模塑成型的基板在剛成型后溫度高、容易變形。 因此，在之后的工序中在利用旋轉(zhuǎn)涂敷形成粘合層時(shí)，通過(guò)放置基板 等隔一段時(shí)間后進(jìn)行處理來(lái)抑制變形。但是，由于各基板的溫度不同， 因此不能得到最適當(dāng)?shù)姆胖脮r(shí)間，由此導(dǎo)致最終產(chǎn)品的成品率下降。
為了解決該問(wèn)題，提出了如專(zhuān)利文獻(xiàn)l所述的通過(guò)鼓風(fēng)強(qiáng)制冷卻
多個(gè)基板的技術(shù)、和如專(zhuān)利文獻(xiàn)2所述的一面旋轉(zhuǎn)基板一面鼓風(fēng)進(jìn)行
高效率冷卻的技術(shù)。
專(zhuān)利文獻(xiàn)1:特開(kāi)2000-137931號(hào)公報(bào) 專(zhuān)利文獻(xiàn)2:特開(kāi)平5-109126號(hào)7>才艮
但是，在只利用鼓風(fēng)的冷卻中，空氣不能均勻地碰到各基板，結(jié) 果產(chǎn)生溫度的不均勻。并且，在使基板本身旋轉(zhuǎn)的方式中，由于離心 作用或中心振擺，向基板施加過(guò)度的力，有可能產(chǎn)生變形，因此影響 傾斜(f 乂"卜)。
本發(fā)明就是為了解決上述現(xiàn)有的技術(shù)問(wèn)題而提出的方案，其目的 是提供一種不受放置時(shí)間的左右、不向基板施加過(guò)度的力就可進(jìn)行均 勻處理的基板處理裝置。

發(fā)明內(nèi)容
為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明的基板處理裝置，具有保持基板的保 持部以及設(shè)置在基板的附近的整流部，所述基板由所述保持部保持， 其特征在于，所述整流部具有至少與基板的一方的面接近、相對(duì)的 相對(duì)部；和導(dǎo)入部，該導(dǎo)入部將處理用介質(zhì)導(dǎo)入由所述保持部以不錄_ 轉(zhuǎn)的方式保持的所述基板和所述相對(duì)部之間。
在上述的發(fā)明中，從導(dǎo)入部導(dǎo)入的介質(zhì)向被保持成不旋轉(zhuǎn)的基板 和與其接近的相對(duì)部之間流通，由此可高效率地對(duì)基板進(jìn)行均勻的處理。
其它方式的特征是，所述整流部具有使所述相對(duì)部旋轉(zhuǎn)的驅(qū)動(dòng)部。 在以上的方式中，通過(guò)使相對(duì)部旋轉(zhuǎn)，可使處理用介質(zhì)均勻地遍
布基板的表面。
其它方式的特征是，在所述相對(duì)部上形成隆起部或槽部。 在以上的方式中，通過(guò)相對(duì)部的隆起部或槽部，可促進(jìn)介質(zhì)的流
動(dòng)、進(jìn)行高效率的處理。
其它方式的特征是，所述相對(duì)部設(shè)置在基板的兩面?zhèn)取?在以上的方式中，通過(guò)從基板的兩面?zhèn)冗M(jìn)行處理，可以以更短的
時(shí)間進(jìn)行均勻的處理。
其它方式的特征是，在所述相對(duì)部上設(shè)置在基板的周緣附近與基
板的間隔變窄的突出部。
在以上的方式中，流入相對(duì)部和基板之間的介質(zhì)在因突出部而與 基板的間隔變窄的部位流速提高，因此可加速處理。
其它方式的特征是，在所述整流部設(shè)置冷卻所述相對(duì)部的冷卻裝置。
在以上的方式中由于冷卻相對(duì)部，因此冷卻性能提高，同時(shí)，可 進(jìn)行進(jìn)一步均勻的冷卻。
其它方式的特征是，在所述整流部設(shè)置加熱所述相對(duì)部的加熱裝置。
在以上的方式中，由于加熱相對(duì)部，因此，加熱性能提高，同時(shí)， 可進(jìn)行進(jìn)一步均勻的加熱。尤其是在使基板上的涂敷物干燥時(shí)等，既 可防止基板的變形又可進(jìn)行均勻的處理，可縮短干燥時(shí)間。
如上所述，根據(jù)本發(fā)明，可提供不受放置時(shí)間的左右、不向基板 施加過(guò)度的力就可進(jìn)行均勻處理的基板處理裝置。


圖l是表示本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式的縱剖視圖。
圖2是表示圖1的實(shí)施方式的相對(duì)部的仰視圖。 圖3是表示圖1的實(shí)施方式的冷卻室的設(shè)置例的縱剖視圖。 圖4是表示本發(fā)明的其它實(shí)施方式(在基板的兩面設(shè)置相對(duì)部) 的縱剖視圖。
圖5是表示本發(fā)明的其它實(shí)施方式(在相對(duì)部形成突出部)的縱 剖視圖。
圖6是表示本發(fā)明的其它實(shí)施方式(在轉(zhuǎn)臺(tái)上設(shè)置相對(duì)部)的正 視圖。
圖7是圖6的側(cè)視圖。
圖8是表示本發(fā)明的其它實(shí)施方式的相對(duì)部的凸片的縱剖視圖。 圖9是表示本發(fā)明的其它實(shí)施方式(在相對(duì)部設(shè)置冷卻裝置)的 縱剖視圖。
具體實(shí)施例方式
以下，參照附圖就本發(fā)明的最佳實(shí)施方式(以下稱(chēng)為實(shí)施方式) 進(jìn)行具體說(shuō)明。 [構(gòu)成l
首先參照?qǐng)D1至3說(shuō)明本實(shí)施方式的構(gòu)成。另外，本實(shí)施方式是 使注射模塑成型的基板冷卻固化的裝置，注射模塑成型機(jī)以及將基板 搬入搬出的輸送裝置等可使用眾所周知的所有技術(shù)，因此省略說(shuō)明。
即，如圖1所示，本實(shí)施方式具有載置基板l的保持部2和接近 基板1設(shè)置的整流部3。保持部2是搭載注射模塑成型后的基板1的 機(jī)構(gòu)，設(shè)置通過(guò)插入基板1的中心孔來(lái)保持基板1的銷(xiāo)21。
整流部3由可旋轉(zhuǎn)地設(shè)置的板31和使該板31旋轉(zhuǎn)的驅(qū)動(dòng)部(無(wú) 圖示)構(gòu)成。板31具有向中央導(dǎo)入冷卻氣體G的導(dǎo)入部32以及以覆 蓋基板1的一方的面的方式相對(duì)的相對(duì)部33。如圖2所示，相對(duì)部33 的結(jié)構(gòu)是在平坦的面上放射狀地設(shè)置隆起的凸片34。
如圖3所示，在冷卻室4內(nèi)以使板31的旋轉(zhuǎn)軸形成水平的方式并 列設(shè)置多個(gè)上述的保持部2和整流部3。在該冷卻室4內(nèi)設(shè)置與冷卻 氣體供給源(無(wú)圖示)連接的供氣部41和排出冷卻氣體G的排氣部 42。
[作用
就具有上述構(gòu)成的本實(shí)施方式的作用進(jìn)行說(shuō)明。即，將在注射模 塑成型機(jī)中成型、被輸送裝置輸送來(lái)的基板l導(dǎo)入冷卻室4內(nèi)，通過(guò) 將銷(xiāo)21插入其中心孔，將基板1保持在保持部2上。從供氣部41向 冷卻室4內(nèi)供給冷卻氣體G，同時(shí)，板31通過(guò)驅(qū)動(dòng)部進(jìn)行旋轉(zhuǎn)。
這樣，如圖1所示，冷卻氣體G從導(dǎo)入部32流入，冷卻氣體G 沿著基板l的表面從中心側(cè)向著外側(cè)流動(dòng)。該流動(dòng)由于在與接近基板 1的板31的相對(duì)部33之間是均勻的，因此，可均勻地冷卻基板l。
[效果
根據(jù)以上的本實(shí)施方式，由于不僅是從外部噴射氣體的冷卻，而 且通過(guò)板31使冷卻氣體G沿著各基板1流通，因此可均勻地冷卻基 板l。尤其是，由于形成有凸片34的板31進(jìn)行旋轉(zhuǎn)，因此可使冷卻氣體G均勻地遍布基板1的表面。而且，由于對(duì)每一個(gè)基板l進(jìn)行均 勻的強(qiáng)制冷卻，因此，不會(huì)產(chǎn)生因放置時(shí)間而引起的不均勻。
這樣，可連續(xù)地將多個(gè)基板l冷卻到一定的溫度，不影響粘合后 的粘合層的厚度，因此成品率提高。并且，不需要為了確保放置時(shí)間 而延長(zhǎng)的輸送路徑等的區(qū)域，因此，裝置整體可實(shí)現(xiàn)小型化。而且， 由于不是使基板l本身旋轉(zhuǎn)，因此可防止因基板l的變形而引起的傾 斜。
[其它實(shí)施方式
本發(fā)明并不局限于上述的實(shí)施方式。例如，如圖4所示，也可設(shè) 置一對(duì)整流部3，以覆蓋基板l的兩面。通過(guò)這樣，可從基板l的兩 面均勻地冷卻。同時(shí)處理的基板數(shù)量也不局限于上述實(shí)施方式中所示 的數(shù)量。即，保持部和整流部的設(shè)置數(shù)量是任意的，可以是一個(gè)，也 可以是多個(gè)。例如，如圖5所示，也可以不i殳置冷卻室、只通過(guò)一組 保持部2和整流部3構(gòu)成。并且，如圖6和圖7所示，也可以在轉(zhuǎn)臺(tái) T上設(shè)置多組保持部2和整流部3。
在相對(duì)部的表面和基板的表面的間隔變窄的部位，冷卻氣體因文 丘里效果而流速加快。如圖1以及圖4所示，尤其是相對(duì)部33的表面 的氣體分子被板31的旋轉(zhuǎn)吸引，產(chǎn)生朝向外周的旋渦狀的氣流，而且， 在圓周附近，由于與基板l的間隔變窄(參照?qǐng)D1、圖4)，因此通過(guò) 由穿過(guò)比入口窄的出口的氣流產(chǎn)生的文丘里效果，其流速加快，因此， 加速了處理。為了積極地利用該文丘里效果，如圖5所示，也可以在 相對(duì)部33的圓周附近，圓環(huán)形地連續(xù)或以規(guī)定的間隔設(shè)置多個(gè)與基板 1的間隔變窄的突出部35。
并且，在上述實(shí)施方式中，在相對(duì)部形成凸片，但只要是可使冷 卻氣體遍布基板表面的形狀，任何形狀都可以。其數(shù)量也是任意的。 例如，可設(shè)置放射狀的槽，也可以是同心圓狀的隆起部或槽部、旋渦 狀的隆起部或槽部等。如圖8所示，也可以設(shè)置如同漸開(kāi)線(離心式) 泵的形狀的凸片、加速氣流。隆起部可以是平板狀的、也可以是突起 狀的，槽部可以是凹陷、也可以是孔。也可以對(duì)相對(duì)部的表面進(jìn)行加
工，使其粗糙或起伏。而且，不一定需要使整流部旋轉(zhuǎn)。如果產(chǎn)生將 冷卻氣體向?qū)氩繉?dǎo)入的氣流，則即使相對(duì)部停止，也可以得到使冷 卻氣體均勻地遍布的效果。
并且，如圖9所示，也可在整流部3的附近設(shè)置冷卻裝置5,通 過(guò)冷卻板31自身來(lái)提高冷卻效果。也可將冷卻裝置設(shè)置在板自身上。 并且，冷卻氣體的種類(lèi)可考慮各種惰性氣體或空氣等，但沒(méi)有特別限 制。
而且，由于對(duì)于基板的處理不局限于冷卻，因此，所導(dǎo)入的介質(zhì) 也是任意的。例如，可通過(guò)導(dǎo)入加熱氣體，對(duì)基板進(jìn)行均勻的加熱， 也可通過(guò)導(dǎo)入離子氣體對(duì)基板進(jìn)行均勻的防止靜電處理。根據(jù)情況， 即使將例如圖9的冷卻裝置5作為加熱裝置，也可提高加熱能力。也 可在板本身上設(shè)置加熱裝置。
這樣，作為加熱的情況下的用途以干燥處理為例。例如，為了干 燥旋轉(zhuǎn)涂敷在基板上的色素而使用本發(fā)明，通過(guò)利用加熱氣體或加熱 裝置的雙方或一方，與冷卻的情況相同，既可防止基板的變形又可對(duì) 每個(gè)基板無(wú)偏差地進(jìn)行均勻的處理，也可縮短干燥時(shí)間。
關(guān)于基板，其大小、形狀以及材質(zhì)等是任意的，可適用于將來(lái)采 用的任何基板。因此，不僅適用于作為記錄介質(zhì)的光盤(pán)，也可適用于 液晶或有機(jī)EL用的基板等任何基板。即，權(quán)利要求中所述的"基板" 的概念不局限于圓盤(pán)狀等，也廣泛地包括平面狀的產(chǎn)品。因此，關(guān)于 保持部的保持方法，并不局限于保持中心孔的形態(tài)，也可以是一面吸 附保持一方的面、 一面把持邊緣的形態(tài)。
權(quán)利要求
1.一種基板處理裝置，其特征在于，具有保持基板的保持部、以及設(shè)置在由所述保持部保持的基板附近的整流部，所述整流部具有至少與基板的一方的面接近、相對(duì)的相對(duì)部；和導(dǎo)入部，該導(dǎo)入部將處理用介質(zhì)導(dǎo)入由所述保持部以不旋轉(zhuǎn)的方式保持的所述基板和所述相對(duì)部之間。
2. 如權(quán)利要求1所述的基板處理裝置，其特征在于，所述整流部 具有使所述相對(duì)部旋轉(zhuǎn)的驅(qū)動(dòng)部。
3. 如權(quán)利要求1所述的基板處理裝置，其特征在于，在所述相對(duì) 部上形成隆起部或槽部。
4. 如權(quán)利要求1所述的基板處理裝置，其特征在于，所述相對(duì)部 設(shè)置在基板的兩面?zhèn)取?br> 5. 如權(quán)利要求1所述的基板處理裝置，其特征在于，在所述相對(duì) 部上設(shè)置在基板的周緣附近與基板的間隔變窄的突出部。
6. 如權(quán)利要求1所述的基板處理裝置，其特征在于，在所述整流 部設(shè)置冷卻所述相對(duì)部的冷卻裝置。
7. 如權(quán)利要求1所述的基板處理裝置，其特征在于，在所述整流 部設(shè)置加熱所述相對(duì)部的加熱裝置。
全文摘要
本發(fā)明提供一種不受放置時(shí)間的左右、不向基板施加過(guò)度的力就可進(jìn)行均勻處理的基板處理裝置。其具有保持成型后的基板(1)的保持部(2)以及設(shè)置在被保持在保持部(2)上的基板(1)附近的整流部(3)。整流部(3)具有與基板(1)的一方的面接近相對(duì)的相對(duì)部(33)、將冷卻氣體(G)導(dǎo)入相對(duì)部(33)和基板(1)之間的導(dǎo)入部(32)以及使相對(duì)部(33)旋轉(zhuǎn)的驅(qū)動(dòng)部。在相對(duì)部(33)上形成凸片(34)。
文檔編號(hào)B29L17/00GK101341537SQ20078000087
公開(kāi)日2009年1月7日 申請(qǐng)日期2007年2月22日 優(yōu)先權(quán)日2006年3月1日
發(fā)明者瀧澤洋次, 西垣壽 申請(qǐng)人:芝浦機(jī)械電子裝置股份有限公司